JPH04349175A - 銅板とＡｌＮ基板の接合方法 - Google Patents
銅板とＡｌＮ基板の接合方法Info
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- JPH04349175A JPH04349175A JP140391A JP140391A JPH04349175A JP H04349175 A JPH04349175 A JP H04349175A JP 140391 A JP140391 A JP 140391A JP 140391 A JP140391 A JP 140391A JP H04349175 A JPH04349175 A JP H04349175A
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- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 46
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 42
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000005304 joining Methods 0.000 title abstract description 4
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910000048 titanium hydride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 24
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- -1 hydrogen compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パワー半導体モジュー
ルに利用される銅板接合ＡｌＮ基板の製造方法に関する
。
ルに利用される銅板接合ＡｌＮ基板の製造方法に関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来より、Ｔｉ、Ｚｒ等の活性金属を用
いてＡｌＮと銅板を接合する方法としては以下のものが
提案されている。 （ｉ） 活性金属粉を介在させて加熱し接合する方法
（特開昭５６−１６３０９３号公報）。 （ｉｉ） ＡｌＮ基板と銅板の間に活性金属箔を順次
積層し加熱して接合する方法（特開昭５６−１６３０９
３号公報）。 （ｉｉｉ） Ａｇ、Ｃｕ及びＴｉの合金体と、ＡｌＮ
とＣｕ板とを重ね、真空中で加熱して接合することを特
徴とする接合方法（特開平２−６４０７０号公報）。 （ｉｖ） Ａｇ粉、銅粉、ＴｉＨ２ にバインダを添
加してペーストを作製し、ＡｌＮ上にスクリーン印刷し
て不活性雰囲気下８００℃以上９５０℃以下にて接合す
る方法（特開平２−１４９４７８号公報）。
いてＡｌＮと銅板を接合する方法としては以下のものが
提案されている。 （ｉ） 活性金属粉を介在させて加熱し接合する方法
（特開昭５６−１６３０９３号公報）。 （ｉｉ） ＡｌＮ基板と銅板の間に活性金属箔を順次
積層し加熱して接合する方法（特開昭５６−１６３０９
３号公報）。 （ｉｉｉ） Ａｇ、Ｃｕ及びＴｉの合金体と、ＡｌＮ
とＣｕ板とを重ね、真空中で加熱して接合することを特
徴とする接合方法（特開平２−６４０７０号公報）。 （ｉｖ） Ａｇ粉、銅粉、ＴｉＨ２ にバインダを添
加してペーストを作製し、ＡｌＮ上にスクリーン印刷し
て不活性雰囲気下８００℃以上９５０℃以下にて接合す
る方法（特開平２−１４９４７８号公報）。
【０００３】上記（ｉ）〜（ｉｖ）の技術はいずれも、
銅板とＡｌＮ基板接合を主目的としているが、（ｉ）〜
（ｉｉｉ）の方法では、Ｔｉが酸化しやすく接合不良が
発生しやすい欠点があった。（ｉｖ）についてはＴｉＨ
２ を用いているため高温までＴｉが酸化しにくいがペ
ーストの脱脂工程がないため、ペースト中に有機物が残
留しやすくＴｉＣ等の化合物が形成されやすい欠点があ
った。また、（ｉ）〜（ｉｖ）の接合方法では接合時の
温度、雰囲気、荷重、接合時間の制御が不十分であり、
ろう材（Ｔｉ−Ａｇ−Ｃｕ）の銅板中への拡散による合
金層の厚さの変化を制御していないので、合金層が厚く
なり、ＡｌＮ基板に発生する熱応力が大きくなって、耐
熱衝撃試験（−６５℃と＋１５０℃の間を変化する熱衝
撃を接合体に繰返し与えて、ＡｌＮ基板に亀裂の入るま
での回数を測定する試験）時にＡｌＮ基板に亀裂が発生
しやすいという欠点があった。
銅板とＡｌＮ基板接合を主目的としているが、（ｉ）〜
（ｉｉｉ）の方法では、Ｔｉが酸化しやすく接合不良が
発生しやすい欠点があった。（ｉｖ）についてはＴｉＨ
２ を用いているため高温までＴｉが酸化しにくいがペ
ーストの脱脂工程がないため、ペースト中に有機物が残
留しやすくＴｉＣ等の化合物が形成されやすい欠点があ
った。また、（ｉ）〜（ｉｖ）の接合方法では接合時の
温度、雰囲気、荷重、接合時間の制御が不十分であり、
ろう材（Ｔｉ−Ａｇ−Ｃｕ）の銅板中への拡散による合
金層の厚さの変化を制御していないので、合金層が厚く
なり、ＡｌＮ基板に発生する熱応力が大きくなって、耐
熱衝撃試験（−６５℃と＋１５０℃の間を変化する熱衝
撃を接合体に繰返し与えて、ＡｌＮ基板に亀裂の入るま
での回数を測定する試験）時にＡｌＮ基板に亀裂が発生
しやすいという欠点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、ＴｉＨ
２ とＡｇ−Ｃｕ合金粉と、バインダとを混合して作製
したペーストをＡｌＮ基板に印刷してこれに銅板を接合
する場合に、ペーストの脱脂工程の処理条件、脱脂後接
合時までの雰囲気、並びに接合時の温度、荷重、時間及
び雰囲気などについて広範囲に検討した。その結果、連
続した接合工程において、接合状態が良好で、かつＴｉ
−Ａｇ−Ｃｕ合金層の厚さを制御することにより、Ａｌ
Ｎ基板に発生する熱応力を軽減して耐熱衝撃性を向上さ
せ、実際の使用に耐える製品を製造する技術を開発した
。本発明はこのような新技術を提供し、上記従来技術の
問題点を解決しようとするものである。
２ とＡｇ−Ｃｕ合金粉と、バインダとを混合して作製
したペーストをＡｌＮ基板に印刷してこれに銅板を接合
する場合に、ペーストの脱脂工程の処理条件、脱脂後接
合時までの雰囲気、並びに接合時の温度、荷重、時間及
び雰囲気などについて広範囲に検討した。その結果、連
続した接合工程において、接合状態が良好で、かつＴｉ
−Ａｇ−Ｃｕ合金層の厚さを制御することにより、Ａｌ
Ｎ基板に発生する熱応力を軽減して耐熱衝撃性を向上さ
せ、実際の使用に耐える製品を製造する技術を開発した
。本発明はこのような新技術を提供し、上記従来技術の
問題点を解決しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、銅板とＡｌＮ
基板の接合方法において以下の■〜■の工程を有するこ
とを特徴とする。■ ＡｌＮ基板にてＴｉＨ２ と、
Ａｇ−Ｃｕ合金粉またはＡｇ粉とＣｕ粉との混合粉と、
バインダとを混合したペーストをスクリーン印刷し、そ
の上に銅板を治具で固定する工程。■ ３００〜６０
０℃でＮ２ 、Ｈ２ あるいは真空中で脱脂してペース
ト中の有機物を除去する工程。■ ■の工程後、ペー
ストの酸化をさけるために、空気中に出すことなく連続
して、治具で固定した銅板とＡｌＮ基板を真空中へ移行
する工程。■ 温度８４０℃〜８８０℃、時間３０分
〜６０分、荷重０．０５〜０．５ｋｇ／ｃｍ２ にて真
空中で熱処理して接合する工程。
基板の接合方法において以下の■〜■の工程を有するこ
とを特徴とする。■ ＡｌＮ基板にてＴｉＨ２ と、
Ａｇ−Ｃｕ合金粉またはＡｇ粉とＣｕ粉との混合粉と、
バインダとを混合したペーストをスクリーン印刷し、そ
の上に銅板を治具で固定する工程。■ ３００〜６０
０℃でＮ２ 、Ｈ２ あるいは真空中で脱脂してペース
ト中の有機物を除去する工程。■ ■の工程後、ペー
ストの酸化をさけるために、空気中に出すことなく連続
して、治具で固定した銅板とＡｌＮ基板を真空中へ移行
する工程。■ 温度８４０℃〜８８０℃、時間３０分
〜６０分、荷重０．０５〜０．５ｋｇ／ｃｍ２ にて真
空中で熱処理して接合する工程。
【０００６】
【作用】銅板とＡｌＮ基板の接合には、活性金属Ｔｉを
含むろう材で接合する方法がよく用いられる。この方法
においては、ＡｌＮ基板とろう材は、 ＡｌＮ＋Ｔｉ→Ａｌ＋ＴｉＮ の反応により接合し、ろう材と銅板はＴｉ、Ａｇが銅板
中へ拡散することにより合金層を形成して接合する。Ｔ
ｉは非常に酸化しやすい。Ｔｉ酸化物ができると、Ｔｉ
Ｎの形成や、Ｔｉの銅板中への拡散、ろう材の銅板への
濡れ性が悪くなり、接合不良が発生する。また、脱脂が
不十分で、ペースト中の有機物が十分に除去されずに残
留していると、ＴｉＣ等の化合物が形成されＴｉ酸化物
と同様の理由により、接合不良が発生する。これを防ぐ
には、Ｔｉを接合温度直前まで水素化合物として存在す
るＴｉＨ２ を用いて酸化を防止すると共に、３００〜
６００℃で、Ｎ２ 、Ｈ２ あるいは真空中で脱脂する
ことにより、ペースト中の有機物を十分に除去して、Ｔ
ｉＨ２ が７００℃で分解した後、ＴｉＣ等を形成する
のを防止する。さらに、脱脂後、空気中に出すことなく
連続的に真空中へ移行させてペースト（特にＴｉ）の酸
化を防止することにより、接合時に ＡｌＮ＋ＴｉＨ２ →Ａｌ＋ＴｉＮ への反応及びＴｉ、Ａｇの銅板中への拡散、ろう材の銅
板への濡れ性を向上させることにより接合不良の発生を
防止することができる。
含むろう材で接合する方法がよく用いられる。この方法
においては、ＡｌＮ基板とろう材は、 ＡｌＮ＋Ｔｉ→Ａｌ＋ＴｉＮ の反応により接合し、ろう材と銅板はＴｉ、Ａｇが銅板
中へ拡散することにより合金層を形成して接合する。Ｔ
ｉは非常に酸化しやすい。Ｔｉ酸化物ができると、Ｔｉ
Ｎの形成や、Ｔｉの銅板中への拡散、ろう材の銅板への
濡れ性が悪くなり、接合不良が発生する。また、脱脂が
不十分で、ペースト中の有機物が十分に除去されずに残
留していると、ＴｉＣ等の化合物が形成されＴｉ酸化物
と同様の理由により、接合不良が発生する。これを防ぐ
には、Ｔｉを接合温度直前まで水素化合物として存在す
るＴｉＨ２ を用いて酸化を防止すると共に、３００〜
６００℃で、Ｎ２ 、Ｈ２ あるいは真空中で脱脂する
ことにより、ペースト中の有機物を十分に除去して、Ｔ
ｉＨ２ が７００℃で分解した後、ＴｉＣ等を形成する
のを防止する。さらに、脱脂後、空気中に出すことなく
連続的に真空中へ移行させてペースト（特にＴｉ）の酸
化を防止することにより、接合時に ＡｌＮ＋ＴｉＨ２ →Ａｌ＋ＴｉＮ への反応及びＴｉ、Ａｇの銅板中への拡散、ろう材の銅
板への濡れ性を向上させることにより接合不良の発生を
防止することができる。
【０００７】図１に有限要素法で計算したＡｌＮ基板に
発生する最大主応力のろう材の厚さ依存性を示した。ろ
う材が厚くなるとＡｌＮ基板に発生する最大主応力は急
激に増大する。したがって、ろう材が厚くなると耐熱衝
撃数が減少することが予想される。図２に耐熱衝撃数の
ろう材の厚さ依存性を示した。図２によれば、ろう材の
厚さと共に耐熱衝撃数は減少し、計算の妥当性を証明し
ている。これは、室温での銅板の降状応力が約５ｋｇ／
ｍｍ２ なのにＴｉ−Ａｇ−Ｃｕろう材の降状応力は約
５０ｋｇ／ｍｍ２ と非常に高いために厚くするとＡｌ
Ｎ基板に発生する最大主応力は急激に増加するためであ
ると思われる。実際の使用においては熱衝撃回数は１０
０回以上が要求されるので、ろう材の厚さは２０μｍ以
下にしなくてはならない。Ｔｉ、Ａｇの銅板中への拡散
は接合時の温度、時間、荷重が重要な要素であり、当然
、接合温度が低過ぎたり接合時間が短過ぎたり、荷重が
軽いと接合不良が発生する。反対に接合温度を高く、時
間を長く、荷重を重くすると、接合状態は向上するが、
Ｔｉ、Ａｇの銅板中への拡散が活発になり、合金層が厚
くなって、熱衝撃性が劣化する。したがって、接合時に
おいては温度、荷重、時間を上記範囲のように制限して
、合金層の厚さを２０μｍ以下に制御することにより、
熱衝撃性を向上させることが重要である。
発生する最大主応力のろう材の厚さ依存性を示した。ろ
う材が厚くなるとＡｌＮ基板に発生する最大主応力は急
激に増大する。したがって、ろう材が厚くなると耐熱衝
撃数が減少することが予想される。図２に耐熱衝撃数の
ろう材の厚さ依存性を示した。図２によれば、ろう材の
厚さと共に耐熱衝撃数は減少し、計算の妥当性を証明し
ている。これは、室温での銅板の降状応力が約５ｋｇ／
ｍｍ２ なのにＴｉ−Ａｇ−Ｃｕろう材の降状応力は約
５０ｋｇ／ｍｍ２ と非常に高いために厚くするとＡｌ
Ｎ基板に発生する最大主応力は急激に増加するためであ
ると思われる。実際の使用においては熱衝撃回数は１０
０回以上が要求されるので、ろう材の厚さは２０μｍ以
下にしなくてはならない。Ｔｉ、Ａｇの銅板中への拡散
は接合時の温度、時間、荷重が重要な要素であり、当然
、接合温度が低過ぎたり接合時間が短過ぎたり、荷重が
軽いと接合不良が発生する。反対に接合温度を高く、時
間を長く、荷重を重くすると、接合状態は向上するが、
Ｔｉ、Ａｇの銅板中への拡散が活発になり、合金層が厚
くなって、熱衝撃性が劣化する。したがって、接合時に
おいては温度、荷重、時間を上記範囲のように制限して
、合金層の厚さを２０μｍ以下に制御することにより、
熱衝撃性を向上させることが重要である。
【０００８】本発明の上記の一連の工程により実際の使
用に耐える、接合状態が良好で、同時に耐熱衝撃性に優
れた銅板接合体を製造することができる。次に本発明の
限定条件について説明する。脱脂温度が３００℃未満で
は、欠陥率が増加し、実際に使用することはできない。 一方、６００℃を越えると、ＴｉＨ２ が分解し、Ｔｉ
Ｃが形成されるので、脱脂温度は３００〜６００℃に限
定される。
用に耐える、接合状態が良好で、同時に耐熱衝撃性に優
れた銅板接合体を製造することができる。次に本発明の
限定条件について説明する。脱脂温度が３００℃未満で
は、欠陥率が増加し、実際に使用することはできない。 一方、６００℃を越えると、ＴｉＨ２ が分解し、Ｔｉ
Ｃが形成されるので、脱脂温度は３００〜６００℃に限
定される。
【０００９】接合温度は８４０℃未満では欠陥率が高く
なり、８８０℃を越えると、欠陥率は減少するが、ろう
材層の厚さが厚くなり、熱衝撃性が劣化する。したがっ
て、接合温度は８４０〜８８０℃とすることが必要であ
る。接合温度が８４０〜８８０℃でも、荷重が０．０４
ｋｇ／ｃｍ２ 未満であると欠陥率が高くなり、０．６
ｋｇ／ｃｍ２ を越えると、接合状態は良好だが、ろう
材層の厚さが増加し、耐熱衝撃性が低下する。
なり、８８０℃を越えると、欠陥率は減少するが、ろう
材層の厚さが厚くなり、熱衝撃性が劣化する。したがっ
て、接合温度は８４０〜８８０℃とすることが必要であ
る。接合温度が８４０〜８８０℃でも、荷重が０．０４
ｋｇ／ｃｍ２ 未満であると欠陥率が高くなり、０．６
ｋｇ／ｃｍ２ を越えると、接合状態は良好だが、ろう
材層の厚さが増加し、耐熱衝撃性が低下する。
【００１０】接合時間は３０分未満では不十分であり、
６０分を越えるとろう材層の厚さが厚くなり不可である
。
６０分を越えるとろう材層の厚さが厚くなり不可である
。
【００１１】
【実施例】ＡｌＮ基板に銅板を接合した。銅板接合Ａｌ
Ｎ基板の典型的な断面図を図３に示す。パターン側の銅
板１はパターンが形成されているので分割され、放熱側
の銅板５は一様全面に銅板が接合されている。
Ｎ基板の典型的な断面図を図３に示す。パターン側の銅
板１はパターンが形成されているので分割され、放熱側
の銅板５は一様全面に銅板が接合されている。
【００１２】実験に使用した銅板とＡｌＮ基板の形状は
以下の通り。 銅板、パターン側：厚さ０．３ｍｍ、放熱側：３５×３
５×０．２５ｔｍｍ ＡｌＮ基板：３６×５４×０．６３５ｔｍｍ脱脂雰囲気
：Ｎ２ ガス、接合時雰囲気：真空（１０−６Ｔｏｒｒ
） 実験をした脱脂温度、接合温度、接合時間、荷重は表１
に示した。
以下の通り。 銅板、パターン側：厚さ０．３ｍｍ、放熱側：３５×３
５×０．２５ｔｍｍ ＡｌＮ基板：３６×５４×０．６３５ｔｍｍ脱脂雰囲気
：Ｎ２ ガス、接合時雰囲気：真空（１０−６Ｔｏｒｒ
） 実験をした脱脂温度、接合温度、接合時間、荷重は表１
に示した。
【００１３】実験結果を表２〜表１３に示す。実施例中
にでてくる欠陥率は、銅板接合ＡｌＮ基板の超音波探傷
試験を行い、画像処理をして算出した。ろう材層の厚さ
は、ＡｌＮ基板を原点として、ＡｌＮ基板から最も離れ
た銅板中のＴｉ、Ａｇまでの距離をＥＰＭＡ試験から求
めた。耐熱衝撃数は、接合体に−６５〜＋１５０℃の熱
衝撃を繰返し与えて、目視によりＡｌＮ基板に亀裂の入
るまでの回数で定義した。
にでてくる欠陥率は、銅板接合ＡｌＮ基板の超音波探傷
試験を行い、画像処理をして算出した。ろう材層の厚さ
は、ＡｌＮ基板を原点として、ＡｌＮ基板から最も離れ
た銅板中のＴｉ、Ａｇまでの距離をＥＰＭＡ試験から求
めた。耐熱衝撃数は、接合体に−６５〜＋１５０℃の熱
衝撃を繰返し与えて、目視によりＡｌＮ基板に亀裂の入
るまでの回数で定義した。
【００１４】脱脂温度が２００℃では、欠陥率が２％以
上あり実際に使用することはできない。反対に７００℃
ではＴｉＨ２ の分解が始まり、ペースト中の炭素と反
応してＴｉＣが形成されて、５０％以上の接合不良が発
生し、使用に耐えない。接合温度が８３０℃では接合時
間、荷重によらず、欠陥率１．５〜２％であり、実際に
は使用できない。８４０℃以上では荷重０．０５ｋｇ／
ｃｍ２ 以上、接合時間が３０分以上では欠陥率は０．
４％より小さく、接合状態については実際上問題ない。 しかし、接合温度が８９０℃以上になると、欠陥率は時
間、荷重によらず、０．４％以下になるが、ろう材層の
厚さが２５μｍ以上になり、熱衝撃回数は１００回以下
になり実際の使用に耐えない。
上あり実際に使用することはできない。反対に７００℃
ではＴｉＨ２ の分解が始まり、ペースト中の炭素と反
応してＴｉＣが形成されて、５０％以上の接合不良が発
生し、使用に耐えない。接合温度が８３０℃では接合時
間、荷重によらず、欠陥率１．５〜２％であり、実際に
は使用できない。８４０℃以上では荷重０．０５ｋｇ／
ｃｍ２ 以上、接合時間が３０分以上では欠陥率は０．
４％より小さく、接合状態については実際上問題ない。 しかし、接合温度が８９０℃以上になると、欠陥率は時
間、荷重によらず、０．４％以下になるが、ろう材層の
厚さが２５μｍ以上になり、熱衝撃回数は１００回以下
になり実際の使用に耐えない。
【００１５】接合温度が８４０〜８８０℃でも、荷重が
０．０４ｋｇ／ｃｍ２ 以下であると欠陥率が０．４％
以上あり実際の使用に耐えない。また、０．６ｋｇ／ｃ
ｍ２ 以上だと欠陥率は０．１％より小さく接合状態は
良好だが、ろう材層の厚さが２５μｍ以上あり、耐熱衝
撃数が１００回以下となって実際に使用できない。脱脂
温度３００〜６００℃、接合温度８４０〜８８０℃で荷
重０．０５〜０．５ｋｇ／ｃｍ２ でも接合時間が２０
分だと欠陥率が１％以上あり、実際には使用できない。 反対に７０分以上だと、欠陥率は０．１％以下になるが
、ろう材層の厚さが２０μｍ以上になり、耐熱衝撃性が
１００回以下になり、実際には使用できない。
０．０４ｋｇ／ｃｍ２ 以下であると欠陥率が０．４％
以上あり実際の使用に耐えない。また、０．６ｋｇ／ｃ
ｍ２ 以上だと欠陥率は０．１％より小さく接合状態は
良好だが、ろう材層の厚さが２５μｍ以上あり、耐熱衝
撃数が１００回以下となって実際に使用できない。脱脂
温度３００〜６００℃、接合温度８４０〜８８０℃で荷
重０．０５〜０．５ｋｇ／ｃｍ２ でも接合時間が２０
分だと欠陥率が１％以上あり、実際には使用できない。 反対に７０分以上だと、欠陥率は０．１％以下になるが
、ろう材層の厚さが２０μｍ以上になり、耐熱衝撃性が
１００回以下になり、実際には使用できない。
【００１６】したがって、脱脂温度は３００〜６００℃
に接合温度は８４０〜８８０℃に、接合時間は３０〜６
０分、荷重は０．０５〜０．５ｋｇ／ｃｍ２ にする必
要がある。
に接合温度は８４０〜８８０℃に、接合時間は３０〜６
０分、荷重は０．０５〜０．５ｋｇ／ｃｍ２ にする必
要がある。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【表３】
【００２０】
【表４】
【００２１】
【表５】
【００２２】
【表６】
【００２３】
【表７】
【００２４】
【表８】
【００２５】
【表９】
【００２６】
【表１０】
【００２７】
【表１１】
【００２８】
【表１２】
【００２９】
【表１３】
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、接合状態が良好でかつ
熱衝撃性に優れた銅板接合ＡｌＮ基板を製造することが
できる。
熱衝撃性に優れた銅板接合ＡｌＮ基板を製造することが
できる。
【図１】有限要素法により計算したＡｌＮ基板に発生す
る最大主応力のろう材の厚さ依存性の図である。
る最大主応力のろう材の厚さ依存性の図である。
【図２】熱衝撃数のろう材の厚さ依存性の図である。
【図３】典型的な銅板接合ＡｌＮ基板の断面図である。
１ 電子部品搭載側銅板
２ 電子部品搭載側ろう材
３ ＡｌＮ基板
４ 放熱側ろう材
５ 放熱側銅板
Claims (1)
- 【請求項１】 ＡｌＮ基板上にＴｉＨ２ 含有Ａｇ−
Ｃｕ合金粉またはＡｇ粉とＣｕ粉との混合粉ペーストを
スクリーン印刷し、その上に銅板を治具で固定した後、
３００〜６００℃でＮ２ 、Ｈ２ あるいは真空中で脱
脂して前記ペースト中の有機物を除去し、引続き治具で
固定した銅板とＡｌＮ基板を真空中へ移行し、温度８４
０〜８８０℃、時間３０分〜６０分、荷重０．０５〜０
．５ｋｇ／ｃｍ２ にて真空中で熱処理して銅板とＡｌ
Ｎ基板とを接合することを特徴とする銅板とＡｌＮ基板
の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP140391A JPH04349175A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 銅板とＡｌＮ基板の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP140391A JPH04349175A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 銅板とＡｌＮ基板の接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04349175A true JPH04349175A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=11500527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP140391A Pending JPH04349175A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 銅板とＡｌＮ基板の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04349175A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021075402A (ja) * | 2019-11-05 | 2021-05-20 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法 |
| CN116693315A (zh) * | 2023-06-12 | 2023-09-05 | 保定中创燕园半导体科技有限公司 | 一种AlN陶瓷覆铜基板的制备方法 |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP140391A patent/JPH04349175A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021075402A (ja) * | 2019-11-05 | 2021-05-20 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法 |
| CN116693315A (zh) * | 2023-06-12 | 2023-09-05 | 保定中创燕园半导体科技有限公司 | 一种AlN陶瓷覆铜基板的制备方法 |
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