JPH04346216A - 中間層を有する多層レジストの下部レジストパターン除去方法 - Google Patents
中間層を有する多層レジストの下部レジストパターン除去方法Info
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- JPH04346216A JPH04346216A JP3211963A JP21196391A JPH04346216A JP H04346216 A JPH04346216 A JP H04346216A JP 3211963 A JP3211963 A JP 3211963A JP 21196391 A JP21196391 A JP 21196391A JP H04346216 A JPH04346216 A JP H04346216A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、中間層を有する多層
レジストの下部レジストパターン除去方法に係わり、特
にフォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐ
ｈｙ）工程中の下部レジストパターンが誤って形成され
た時に再作業をするために用いられる中間層を有する多
層レジストの下部レジストパターン除去方法に関する。
レジストの下部レジストパターン除去方法に係わり、特
にフォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐ
ｈｙ）工程中の下部レジストパターンが誤って形成され
た時に再作業をするために用いられる中間層を有する多
層レジストの下部レジストパターン除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近頃、半導体装置はメモリ素子の大容量
化と製造技術の発達により高集積化が急速に進んでいる
。半導体装置の高集積化は微細パターンの加工技術を基
本として進行されているが、４倍の集積度を達成するた
めには２倍の微細パターンを形成することのできるフォ
トリソグラフィ技術が必要である。
化と製造技術の発達により高集積化が急速に進んでいる
。半導体装置の高集積化は微細パターンの加工技術を基
本として進行されているが、４倍の集積度を達成するた
めには２倍の微細パターンを形成することのできるフォ
トリソグラフィ技術が必要である。
【０００３】一般的に、フォトリソグラフィ技術は可視
光（Ｖｉｓｉｂｌｅ ｌｉｇｈｔ）を利用したステッパ
（Ｓｔｅｐｐｅｒ）を使用するので光の回析現像のため
に可視光波長以下の微細パターンを形成することができ
なかった。従ってこのような限界を克服するために多く
の方法が試みされているが、短波長紫外線、電子ビーム
及びＸ線等の波長が短い光源（ｌｉｇｈｔ ｓｏｕｒｃ
ｅ）を利用するとか、多層レジスト及びコントラストエ
ンハンスト法（Ｃｏｎｔｒａｓｔ ｅｎｈａｎｃｅｄ
ｍｅｔｈｏｄ）等の工程を利用することが研究されてい
る。
光（Ｖｉｓｉｂｌｅ ｌｉｇｈｔ）を利用したステッパ
（Ｓｔｅｐｐｅｒ）を使用するので光の回析現像のため
に可視光波長以下の微細パターンを形成することができ
なかった。従ってこのような限界を克服するために多く
の方法が試みされているが、短波長紫外線、電子ビーム
及びＸ線等の波長が短い光源（ｌｉｇｈｔ ｓｏｕｒｃ
ｅ）を利用するとか、多層レジスト及びコントラストエ
ンハンスト法（Ｃｏｎｔｒａｓｔ ｅｎｈａｎｃｅｄ
ｍｅｔｈｏｄ）等の工程を利用することが研究されてい
る。
【０００４】上記多層レジスト法は中間層を必要とする
方法と、中間層を必要としない方法とに大きく分けられ
る。上記中間層を必要としない方法は露光特性が互いに
異なる多層のレジスト層を利用するものであり、中間層
を必要とする方法は多層レジスト層の間にＳｉＯ２ あ
るいは金属を介したものである。
方法と、中間層を必要としない方法とに大きく分けられ
る。上記中間層を必要としない方法は露光特性が互いに
異なる多層のレジスト層を利用するものであり、中間層
を必要とする方法は多層レジスト層の間にＳｉＯ２ あ
るいは金属を介したものである。
【０００５】図２Ａ〜Ｃは中間層がある多層レジストを
利用したパターン形成の従来例を示す工程図である。
利用したパターン形成の従来例を示す工程図である。
【０００６】図２Ａを参照すると、半導体基板１上にパ
ターンで使用される被蝕刻層３、下部レジスト層５、中
間層７及び上部レジスト層９を順次に形成する。その後
、通常の写真工程により上部レジストパターンを形成す
る。
ターンで使用される被蝕刻層３、下部レジスト層５、中
間層７及び上部レジスト層９を順次に形成する。その後
、通常の写真工程により上部レジストパターンを形成す
る。
【０００７】次に、図２Ｂを参照すると、上記上部レジ
スト層９を蝕刻マスクとして上記中間層７及び下部レジ
スト層５の露出された部分を反応性イオンエッチング（
Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）等のよう
な異方性エッチング方法で除去して下部レジストパター
ンを形成する。上記の中間層７と下部レジスト層５は各
々異なるエッチングソース（Ｅｔｃｈａｎｔ）でエッチ
ングするもので、下部レジスト層５に下部レジストパタ
ーンを形成する時、上記上部レジストパターンが除去さ
れる。
スト層９を蝕刻マスクとして上記中間層７及び下部レジ
スト層５の露出された部分を反応性イオンエッチング（
Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）等のよう
な異方性エッチング方法で除去して下部レジストパター
ンを形成する。上記の中間層７と下部レジスト層５は各
々異なるエッチングソース（Ｅｔｃｈａｎｔ）でエッチ
ングするもので、下部レジスト層５に下部レジストパタ
ーンを形成する時、上記上部レジストパターンが除去さ
れる。
【０００８】次に、図２Ｃを参照すると、上記中間層７
と被蝕刻層３が類似した物質であれば中間層７を別の工
程により除去せず、被蝕刻層３のパターン形成時に同時
に除去する。
と被蝕刻層３が類似した物質であれば中間層７を別の工
程により除去せず、被蝕刻層３のパターン形成時に同時
に除去する。
【０００９】上述のように、中間層７がある多層レジス
トを利用したパターンを形成をする時、下部レジストパ
ターンの寸法が一致せず誤整合（ｍｉｓｓａｌｉｇｎｍ
ｅｎｔ）等の不良が発生すると、上記被蝕刻層３にパタ
ーンを形成せずに再作業をするために下部レジスト層５
を除去しなけばならない。
トを利用したパターンを形成をする時、下部レジストパ
ターンの寸法が一致せず誤整合（ｍｉｓｓａｌｉｇｎｍ
ｅｎｔ）等の不良が発生すると、上記被蝕刻層３にパタ
ーンを形成せずに再作業をするために下部レジスト層５
を除去しなけばならない。
【００１０】図３は従来方法により中間層がある多層レ
ジストを除去したことを示す断面図である。
ジストを除去したことを示す断面図である。
【００１１】上記図２Ｂで下部レジスト層５に不良が発
生すると、この下部レジスト層５を湿式蝕刻等の通常用
いられている方法により除去する。この時、中間層７も
同時に除去されるが、この中間層７が下部レジスト層５
と分かれて被蝕刻層３の表面に残留物質１３として残る
ようになる場合がある。上記残留物質１３は、以後の工
程にフォトリソグラフィ工程を難くするか、あるいは欠
陥として存在するようになるので、別の工程により除去
しなければならない。また、残留物質が被蝕刻層と類似
した物質である場合には、残留物質の除去に時被蝕刻層
に損傷を与える問題があった。
生すると、この下部レジスト層５を湿式蝕刻等の通常用
いられている方法により除去する。この時、中間層７も
同時に除去されるが、この中間層７が下部レジスト層５
と分かれて被蝕刻層３の表面に残留物質１３として残る
ようになる場合がある。上記残留物質１３は、以後の工
程にフォトリソグラフィ工程を難くするか、あるいは欠
陥として存在するようになるので、別の工程により除去
しなければならない。また、残留物質が被蝕刻層と類似
した物質である場合には、残留物質の除去に時被蝕刻層
に損傷を与える問題があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従って、この発明の目
的は、中間層がある多層レジスト法により形成された下
部レジストパターンに不良が発生した時に、被蝕刻層に
損傷を与えることなく下部レジストパターンを除去する
方法を提供することにある。
的は、中間層がある多層レジスト法により形成された下
部レジストパターンに不良が発生した時に、被蝕刻層に
損傷を与えることなく下部レジストパターンを除去する
方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記のような目的を達成
するために、この発明は、パターンを形成するための被
蝕刻層の上部に下部レジストパターンが誤り形成される
時に再作業をするために中間層を有する多層レジストの
下部レジストパターン除去方法において、上記被蝕刻層
の露出部分を覆い新しいレジスト層を塗布する工程と、
上記新しいレジスト層を所定厚さ除去して中間層と下部
レジストパターンの境界面を露出させる工程と、上記中
間層を除去する工程と、上記残存する新しいレジスト層
と下部レジストパターンを除去する工程とからなる。
するために、この発明は、パターンを形成するための被
蝕刻層の上部に下部レジストパターンが誤り形成される
時に再作業をするために中間層を有する多層レジストの
下部レジストパターン除去方法において、上記被蝕刻層
の露出部分を覆い新しいレジスト層を塗布する工程と、
上記新しいレジスト層を所定厚さ除去して中間層と下部
レジストパターンの境界面を露出させる工程と、上記中
間層を除去する工程と、上記残存する新しいレジスト層
と下部レジストパターンを除去する工程とからなる。
【００１４】
【実施例】以下、添付した図面を参照してこの発明を詳
細に説明する。図１Ａ〜Ｃはこの発明による中間層があ
る多層レジストの下部レジストパターン除去方法を示す
工程図である。
細に説明する。図１Ａ〜Ｃはこの発明による中間層があ
る多層レジストの下部レジストパターン除去方法を示す
工程図である。
【００１５】図１Ａを参照すると、図２Ｂに図示した下
部レジストパターンに不良が発生されると、全表面にレ
ジスト層１１を塗布する。上記からレジスト層１１は中
間層７を完全に被覆するかあるいは中間層７を完全に被
覆しない場合には露出されている被蝕刻層３を完全に被
覆しなければならない。その後、上記レジスト層１１を
上記中間層７が露出されるように除去する。上記から上
記レジスト層１１を湿式あるいは乾式等のエッチング方
法で除去する。
部レジストパターンに不良が発生されると、全表面にレ
ジスト層１１を塗布する。上記からレジスト層１１は中
間層７を完全に被覆するかあるいは中間層７を完全に被
覆しない場合には露出されている被蝕刻層３を完全に被
覆しなければならない。その後、上記レジスト層１１を
上記中間層７が露出されるように除去する。上記から上
記レジスト層１１を湿式あるいは乾式等のエッチング方
法で除去する。
【００１６】図１Ｂを参照すると、上記露出された中間
層７を湿式あるいは乾式等のエッチング方法で除去する
。この時、上記被蝕刻層３は上記レジスト層５，１１に
より保護されエッチングされない。
層７を湿式あるいは乾式等のエッチング方法で除去する
。この時、上記被蝕刻層３は上記レジスト層５，１１に
より保護されエッチングされない。
【００１７】図１Ｃを参照すると、上記残っている下部
及び新しいレジスト層５，１１をＯ２ プラズマあるい
は湿式エッチング方法により除去する。この時、上記被
蝕刻層３は損傷を被らなくなる。
及び新しいレジスト層５，１１をＯ２ プラズマあるい
は湿式エッチング方法により除去する。この時、上記被
蝕刻層３は損傷を被らなくなる。
【００１８】
【発明の効果】上述のように、中間層がある多層レジス
トにより被蝕刻層パターンを形成する際に、下部レジス
トパターンが誤り形成された場合には、露出された被蝕
刻層を保護するための新しいレジスト層を塗布した後、
中間層を露出させて除去するので被蝕刻層の表面に残留
物質が生じることが防止できる。
トにより被蝕刻層パターンを形成する際に、下部レジス
トパターンが誤り形成された場合には、露出された被蝕
刻層を保護するための新しいレジスト層を塗布した後、
中間層を露出させて除去するので被蝕刻層の表面に残留
物質が生じることが防止できる。
【００１９】従って、この発明は被蝕刻層に損傷を与え
ることなく下部レジストパターンを除去することができ
る利点がある。
ることなく下部レジストパターンを除去することができ
る利点がある。
【図１】図１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、この発明による中
間層がある多層レジストの下部レジストパターンを除去
する方法を示す工程図である。
間層がある多層レジストの下部レジストパターンを除去
する方法を示す工程図である。
【図２】図２（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、中間層がある多層
レジストを利用したパターン形成の一従来例を示す工程
図である。
レジストを利用したパターン形成の一従来例を示す工程
図である。
【図３】従来の方法による中間層がある多層レジストの
下部レジストパターンを除去したことを示す断面図であ
る。
下部レジストパターンを除去したことを示す断面図であ
る。
Claims (4)
- 【請求項１】 パターンを形成するための被蝕刻層の
上部に下部レジストパターンが誤って形成された時に再
作業をするために中間層を有する多層レジストの下部レ
ジストパターン除去方法において、上記被蝕刻層の露出
部分を覆い新しいレジスト層を塗布する工程と、上記中
間層と下部レジストパターンの境界面を露出させる工程
と、上記中間層を除去する工程と、上記残存する新しい
レジスト層と下部レジストパターンを除去する工程とか
ら成る中間層を有する多層レジストの下部レジストパタ
ーン除去方法。 - 【請求項２】 上記新しいレジスト層を中間層が完全
に覆われるように塗布することを特徴とする請求項１記
載の中間層を有する多層レジストの下部レジストパター
ン除去方法。 - 【請求項３】 上記中間層を湿式蝕刻あるいは乾式蝕
刻方法で除去することを特徴とする請求項１記載の中間
層を有する多層レジストの下部レジストパターン除去方
法。 - 【請求項４】 上記残存する新しいレジスト層と下部
レジストパターンをＯ２ プラズマあるいは湿式蝕刻方
法で除去することを特徴とする請求項１記載の中間層を
有するレジストの下部レジストパターン除去方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910008135A KR940005620B1 (ko) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 중간층이 있는 다층레지스트의 하부레지스트 패턴 제거방법 |
| KR1991-8135 | 1991-05-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346216A true JPH04346216A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=19314663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3211963A Pending JPH04346216A (ja) | 1991-05-20 | 1991-08-23 | 中間層を有する多層レジストの下部レジストパターン除去方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04346216A (ja) |
| KR (1) | KR940005620B1 (ja) |
| FR (1) | FR2676884A1 (ja) |
| GB (1) | GB9118333D0 (ja) |
| IT (1) | IT1251556B (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03116725A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジスト剥離方法 |
-
1991
- 1991-05-20 KR KR1019910008135A patent/KR940005620B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-08-23 JP JP3211963A patent/JPH04346216A/ja active Pending
- 1991-08-27 GB GB919118333A patent/GB9118333D0/en active Pending
- 1991-08-27 FR FR9110634A patent/FR2676884A1/fr not_active Withdrawn
- 1991-09-06 IT ITMI912359A patent/IT1251556B/it active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03116725A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジスト剥離方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ITMI912359A0 (it) | 1991-09-06 |
| IT1251556B (it) | 1995-05-17 |
| KR940005620B1 (ko) | 1994-06-21 |
| GB9118333D0 (en) | 1991-10-09 |
| ITMI912359A1 (it) | 1993-03-06 |
| KR920022044A (ko) | 1992-12-19 |
| FR2676884A1 (fr) | 1992-11-27 |
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