JPH043453A - 半導体装置および半導体装置へのリードフレームの取付方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はセラミック基板上に半導体チップを搭載した半
導体装置にリードフレームを容易に且つ確実に取り付け
られるようにした半導体装置および半導体装置へのリー
ドフレームの取付方法に関する。

［従来の技術］ 例えば、表面実装用のチップキャリア型の半導体装置に
リードフレームを固定する際には、周知のように、セラ
ミック基板の辺部に形成されているメタライズされた端
子部分に銀ろうを載せ、この銀ろう上にリードフレーム
を構成するリード部分を位置決め固定した後、リード部
分を加熱することによって前記メタライズされた端子部
分とリード部分とが銀ろうによってろう付は固定される
。

第４図にリードフレームを構成するリード部分がセラミ
ック基板上にろう付は固定された状態を示す。第４図に
おいて、参照符号２はセラミック基板であり、このセラ
ミック基板２のメタライズ部分４上にリードフレーム６
を構成するリード部分８が銀ろう１０によってろう付は
固定されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記の従来技術に係る半導体装置および
半導体装置へのリードフレームの取付方法では、リード
フレーム６のリード部分８を銀ろう１０上に位置決め固
定する際に、ＩＪ　−ド部分８が矢印ＸまたはＹ方向に
位置ずれが発生する。半導体装置に搭載される部品の高
密度化、セラミック基板２上に形成されるメタライズ配
線の微細化によってリード部分８の位置決めが困難にな
ってきているからである。そして、リード部分８に位置
ずれが発生すると、リード部分８の接合強度が低下する
という問題が発生する。

本発明は前記の課題を解決するためになされたものであ
って、セラミック基板上に、リード部分に対応するメタ
ライズの施された溝部を形成することにより、リード部
分の位置決約が容易且つ確実になり、しかも位置ずれが
皆無となることからリード部分の接合強度が向上する半
導体装置および半導体装置へのリードフレームの取付方
法を提供することを目的とする。

［課題を解決するた約の手段］ 前記の課題を解決するために、本発明はセラミック基板
上に半導体チップを搭載する半導体装置において、この
半導体装置を構成するセラミック基板の辺部にリードフ
レームを構成する各リード部分に対応する直方体状の溝
部を備えることを特徴とする。

また、本発明はセラミック基板の辺部にリードフレーム
を構成する各リード部分の数に対応する直方体状の溝部
を形成する第１の過程と、前記溝部にリードフレームを
構成するリード部分を載置して位置決めする第２の過程
と、位置決めされたリードフレームのリード部分をろう
付けする第３の過程と、 を有することを特徴とする。

［作用］ 上記のように構成される本発明の半導体装置では、セラ
ミック基板に直方体状の溝部を有するので、リードフレ
ームを構成する各リード部分をこの溝部内に容易且つ確
実に位置決めすることができるという作用を有する。

また、半導体装置へのリードフレームの取付方法では、
セラミック基板に形成された直方体状の溝部によりリー
ド部分が確実に溝部内に位置決めされた後、ろう付けさ
れるので、リード部分の接合強度が向上する。

［実施例］ 次に、本発明の一実施例に係る半導体装置および半導体
装置へのリードフレームの取付方法について実施例を挙
げ、添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する。

第１図において、参照符号２０はセラミック基板であり
、このセラミック基板２０上にはリードフレーム２２が
位置決めして載置される。

ここで、リードフレーム２２はチップキャリアタイプの
リードフレームであり、フレーム部分２４とリード部分
２６とから構成されている。

一方、セラミック基板２０の辺部２８にはリードフレー
ム２２を構成するリード部分２６を載置して位置決めす
るための直方体状の溝部３６が各リード部分２６に対応
した数だけ設けられている。この直方体状の溝部３６は
、第２図に示すように、その底面部３６ａおよび側面部
３６ｂにニッケルめっき等によるメタライズ部分３８ａ
、３８ｂを有する。

なお、メタライズ部分３８ａ、３８ｂは底面部３６ａに
のみ形成してもよい。また、このような溝部３６を形成
する方法としては、溝部３６に対応する切欠部をその辺
部に有するグリーンシートと、切欠部のない同形状のグ
リーンシ−トとを重ねて同時焼成して形成する方法とし
てもよく、あるいは−枚のセラミック基板から溝部３６
を切削して形成する方法のいずれであってもよい。

本実施例に係る半導体装置は基本的には以上のように構
成されるものであり、次に、その半導体装置へのリード
フレームの取付方法について説明する。

先ず、前記したように、半導体チップを搭載する半導体
装置を構成するセラミック基板２０の辺部２８にリード
フレーム２２を構成する各リード部分２６の数に対応す
る直方体状の溝部３６を形成する（第１の過程）。

次に、前記溝部３６にこの溝部３６の深さＤ未満の深さ
ｄ（第２図参照）までろう付は用のろうを充填する。

次いで、ろうが充填された溝部３６にリードフレーム２
２を構成するリード部分２６を載置して位置決めする（
第２の過程）。この場合、リード部分２６は、第２図に
示すように、深さが（Ｄ−ｄ）であるろう（図示せず）
上に位置決めされることになるので、リード部分２６は
深さが（Ｄ−ｄ）になった側面部３６ｂによって規制さ
れて溝３６内に容易且つ確実に位置決約される。

次いで、位置決めされたリードフレーム２２のリード部
分２６を加熱してろう付けする（第３の過程）。

なお、溝部３６にリードフレーム２２を構成するリード
部分２６を載置して位置決めした（第２の過程）後に銀
ろうの充填を行い、リードフレーム２２のリード部分２
６を加熱してろう付けする（第３の過程）ことで、銀ろ
う深さｄが溝部３６の深さＤ以上となってもかまわない
。

これによって、第３図に示すように、ろう４０が充填さ
れた溝部３６内にリードフレーム２２を構成するリード
部分２６をろう付けすることが可能となる。

この場合、本実施例によれば、リード部分２６をろうが
充填された溝部３６内に容易に且つ確実に位置決めする
ことができるので、リード部分２６の位置ずれが発生せ
ず、従って、リード部分２６の位置ずれに起因するリー
ド接合強度が低下することはない。

［発明の効果］ 上記実施例から明らかなように、本発明の半導体装置で
は、セラミック基板に直方体状の溝部を有するので、リ
ードフレームを構成する各リード部分をこの溝部内に容
易に且つ確実に位置決めすることができ、接合強度が向
上するという効果を有する。

また、半導体装置へのリードフレームの取付方法では、
セラミック基板に形成された直方体状の溝部によりリー
ド部分が確実に溝部内に位置決めされた後、ろう付けさ
れるので、リード部分の接合強度が向上するという効果
を有する。

第１図はセラミック基板とリードフレームとの対応関係
を示す説明図、 第２図は本発明の一実施例に係る溝部を示す一部断面説
明図、 第３図は溝部内のろう上にリードフレームが位置決めさ
れ、そのリードフレームがろう付けされた後の状態を示
す一部断面説明図、第４図は従来技術に係るリードフレ
ームがろう付けされた後の状態を示す一部断面説明図で
ある。

２０・・・セラミック基板 ２２・・・リードフレーム ２４・・・フレーム部分 ２６・・・リード部分 ２８・・・辺部 ３６・・・溝部

【図面の簡単な説明】

（他２名）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）セラミック基板上に半導体チップを搭載する半導
   体装置において、この半導体装置を構成するセラミック
   基板の辺部にリードフレームを構成する各リード部分に
   対応する直方体状の溝部を備えることを特徴とする半導
   体装置。
2. （２）セラミック基板の辺部にリードフレームを構成す
   る各リード部分の数に対応する直方体状の溝部を形成す
   る第１の過程と、 前記溝部にリードフレームを構成するリード部分を載置
   して位置決めする第２の過程と、位置決めされたリード
   フレームのリード部分をろう付けする第３の過程と、 を有する半導体装置へのリードフレームの取付方法。