JPH04344431A - 光学式センサ - Google Patents

光学式センサ

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JPH04344431A
JPH04344431A JP11718691A JP11718691A JPH04344431A JP H04344431 A JPH04344431 A JP H04344431A JP 11718691 A JP11718691 A JP 11718691A JP 11718691 A JP11718691 A JP 11718691A JP H04344431 A JPH04344431 A JP H04344431A
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phototransistor
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Nobuyuki Maejima
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は発光素子と受光素子を有
する光学式センサに関し、特に発光素子の発光量低下等
による検出不良を改善する技術に係わる。
【0002】
【従来の技術】図2には従来の光学式センサの回路図が
示されている。図2において、発光素子である発光ダイ
オードDには抵抗Rdを介して、又、受光素子であるフ
ォトトランジスタTrのコレクタ端子には抵抗RLを介
して電源電圧(VCC)がそれぞれ供給されている。
【0003】また、電源電圧は抵抗R8と抵抗R9の直
列回路に供給され、これら抵抗R8,R9による分圧が
基準電圧として比較器A1の正入力端子に導かれている
。この比較器A1の反転入力端子には前記フォトトラン
ジスタTrのコレクタ端子電圧が出力電圧として導かれ
ている。
【0004】上記構成において、発光ダイオードDから
の光がフォトトランジスタTrに届かないときにはフォ
トトランジスタTrがオフのため比較器A1は「H」信
号を出力する。発光ダイオードDからの光をフォトトラ
ンジスタTrが受光すると、フォトトランジスタTrが
オンして出力電圧が基準電圧よりも低くなって比較器A
1が「L」信号を出力する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、長時間
の使用による発光ダイオードDの発光低下やフォトトラ
ンジスタTrの受光特性の低下によってフォトトランジ
スタTrのコレクタ電流が小さくなると、受光中である
にもかかわらず出力電圧が基準電圧よりも低くならず検
出不良という事態になる。かかる場合に対処するため従
来では発光側の抵抗Rdや受光側の抵抗RL,R8,R
9を可変抵抗として構成して再調整を行ったり、又、固
定抵抗として構成のときは部品交換を行ったりして機能
の維持を図っていた。
【0006】そこで、本発明は長時間使用による発光量
低下等によっても再調整等のメインテナンスの必要がな
い光学式センサを提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
の本発明に係る光学式センサは、発光素子と、この発光
素子からの光を受ける受光素子と、この受光素子の出力
電圧と基準電圧を比較する比較器とを有する光学式セン
サにおいて、前記受光素子の出力特性が低下するとこれ
に基づいて前記基準電圧を可変する出力低下補償回路を
設けたものである。
【0008】
【作用】長時間使用して発光素子の発光量が低下したり
、受光素子の受光特性が低下したりして受光素子の出力
特性が低下すると、比較器の基準電圧が出力低下補償回
路によって可変されて受光の有無を検出できる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
【0010】図1には本発明の一実施例を示す光学式セ
ンサの回路ブロック図が示されている。図1において、
発光素子である発光ダイオードDには抵抗Rdを介して
、又、受光素子であるフォトトランジスタTrのコレク
タ端子には2つの抵抗RL1,RL2の直列回路を介し
て電源電圧(VCC)がそれぞれ供給されている。
【0011】比較器A1の反転入力端子には前記フォト
トランジスタTrのコレクタ端子電圧が出力電圧として
導かれている。比較器A1の正入力端子には電源電圧を
2つの抵抗R5,R6の直列回路によって分圧して得た
基準電圧が導かれており、この基準電圧は出力低下補償
回路1によって可変される。
【0012】出力低下補償回路1は前置比較器A2を有
し、この前置比較器A2の反転入力端子には電源電圧を
2つの抵抗R1,R2の直列回路によって分圧して得た
前置基準電圧が導かれている。前置比較器A2の正入力
端子には前記フォトトランジスタTrのコレクタ端子側
の2つの抵抗RL1,RL2による分圧が導かれている
【0013】前置比較器A2はオープンコレクタを基本
として電源より抵抗R3を介して出力し、この出力は抵
抗R4を介して前記比較器A1の正入力端子に導かれて
いる。
【0014】上記構成において、抵抗R1,R2,R4
,R5,R6,R7をそれぞれ10KΩ、抵抗R3を1
KΩ、抵抗RL1,RL2を2.5KΩ、電源電圧(V
CC)を5V、フォトトランジスタTrのVCEを0.
2Vとし、その結果前置基準電圧を2.5Vとして作用
を説明する。
【0015】非受光時にはフォトトランジスタTrがオ
フで前置比較器A2の正入力端子には約5Vの電圧が供
給されるため、前置比較器A2の出力はHレベルとなり
、比較器A1の基準電圧は5×(10/15)≒3.3
3Vとなる。そして、比較器A1の正入力端子には約5
Vの電圧がかかるため比較器A1の出力はLレベルであ
る。
【0016】尚、実際にはフォトトランジスタTrには
暗電流(多くて数10μA程度)があるが、抵抗RL1
,RL2の電圧降下は1Vにも満たずフォトトランジス
タTrの出力電圧が4V以上となるため誤検出のおそれ
はない。
【0017】使用当初にあって発光ダイオードDの光を
フォトトランジスタTrが受光し、コレクタ電流(IC
)が1.2ミリアンペア流れたとする。前置比較器A2
の正入力端子には5−(RL1×1.2)=2Vの電圧
が供給されるため、前置比較器A2の出力はLレベルと
なる。 すると、抵抗R4を介して比較器A1の基準電圧が5×
5K/15K≒1.67Vまで下がる。
【0018】そして、フォトトランジスタTrの出力電
圧が0.2Vであるため、比較器A1の出力はHレベル
(5V)となる。
【0019】また、長時間使用し発光ダイオードDの発
光量が低下し、又、フォトトランジスタTrの受光特性
が低下してコレクタ電流(IC)が0.6ミリアンペア
しか流れなくなったとする。前置比較器A2の正入力端
子には5−(RL1×0.6)=3.5Vの電圧が供給
されるため、前置基準電圧(2.5V)より高くなって
前記比較器A1の出力はHレベル(5V)となる。する
と、抵抗R4を介して比較器A1の正入力端子に電源が
供給されるため基準電圧は5×(10/15)≒3.3
3Vまで自動的に上がる。
【0020】そして、フォトトランジスタTrの出力電
圧が5−(RL1+RL2)×0.6=2Vとなるため
比較器A1の出力はHレベル(5V)となり検出できる
【0021】尚、この実施例においては、フォトトラン
ジスタTrのコレクタ端子側に2つの抵抗RL1,RL
2を設け、その分圧を用いる1つの前置比較器A2にて
構成したが、3以上の抵抗によって複数の分圧を利用し
、複数の前置比較器にて出力低下補償回路1を構成して
も良い。
【0022】尚、またこの実施例においては、受光素子
をフォトトランジスタTrにて構成したが、フォトダイ
オードにて構成しても良い。
【0023】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、発光
素子と、この発光素子からの光を受ける受光素子と、こ
の受光素子の出力電圧と基準電圧を比較する比較器とを
有する光学式センサにおいて、前記受光素子の出力特性
が低下するとこれに基づいて前記基準電圧を可変する出
力低下補償回路を設けたので、長時間の使用により受光
素子の出力特性が低下してもこれに基づいて基準電圧が
自動的に可変して光を検出するため長時間の使用によっ
ても再調整等のメインテナンスの必要がないという効果
を奏する。
【0024】また、ほこり、よごれ等による出力低下や
センサの出力バラツキ等に対しても対処できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】光学式センサの回路図(実施例)。
【図2】光学式センサの回路図(従来例)。
【符号の説明】
D…発光ダイオード(発光素子)、Tr…フォトトラン
ジスタ(受光素子)、A1…比較器、1…出力低下補償
回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  発光素子と、この発光素子からの光を
    受ける受光素子と、この受光素子の出力電圧と基準電圧
    を比較する比較器とを有する光学式センサにおいて、前
    記受光素子の出力特性が低下するとこれに基づいて前記
    基準電圧を可変する出力低下補償回路を設けたことを特
    徴とする光学式センサ。
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