JPS61213734A - 露出制御用光センサ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野Ｊ 本発明は、一般的には選択的光検知回路に関し、特に、
写真カメラ装置において選択的露出制御信号を発生する
ための多重光センサ装置に関する。

［従来の技術］ 被写界からの反射光を測定して、フィルムの露光時間ま
たは消光形ストロボのフラッシュ点弧時期および接続時
間のような露出に影響を及ぼす諸量を制御する露出制御
信号を発生するための、写真カメラ用の各種の単一セル
形および多セル形光センサ装置が開発されてきた。カメ
ラ用の最も簡単な光センサは、通常、カメラの視野とほ
ぼ同じ視野を有する単一光応答セルを含む。広範囲のさ
まざまな照明条件のもとてフィルム露出時間を正確に決
定するために、さまざまな形式の多セル形測光器の開発
の努力がなされてきた。これらの多セル形測光器のある
ものにおいては、個々のセルは、カメラの視野に相当す
る視野全体を占める規則的な行および列のアレイとして
配列される。個個の光センサからの出力信号は、ある選
択されたアルゴリズムに従って露出時間を決定するため
に用いられる。しかしながら、屋内被写界の前景部分に
ある小さく明るいランプ、または屋外被写界内の太陽の
ような、被写界の比較的小さい領域を占める過度に明る
い部分を光電池の１つが検知したような場合、それが露
出時間の決定に不都合な影響を与えるという問題が発生
する。このような明るい部分は、その明るい部分を除外
した被写界の大部分に対して適切な露光を与えるのに必
要な露出時間を、過少に短くする結果となる。逆に、被
写界内の高度に非反射的な小物体のような、被写界の比
較的小さい領域を占める暗い部分は、被写界の其の他の
暗くない大部分に対して適切な露光を与える露出時間を
過度に長くする結果となる。

ずなわら、多重光センサ装置は、被写界内の比較的小さ
い、明るい、または暗い部分から悪影響を受ける。

［発明の目的と要約１ 従つ−て、本発明は、被写界内の比較的小さい、明るい
、または暗い部分により悪形四を受けることのない、写
真カメラ用の多重光センサ装置を提供することを主たる
目的とする。

本発明のもう１つの目的は、最も明るい被写界光を検出
した光センサからの出力信号および最小の被写界光強度
を検出した光センサからの出力信号が自動的に阻止され
て、フィルム露光に悪影費がないようにされた、写真カ
メラ用の多重光センサ装置を提供することである。

本発明のざらにもう１つの目的は、光センサによって検
出された被写界光強度の最大値および最小値とは無関係
に、個々の光センサによって検出された被写界光強度の
中間的平均値に基づいて露出＄１３１１１信号を発生す
る、写真カメラ用の多重光センサ装置を提供することで
ある。

本発明による、露出！１Ｊ　ｍ信号を発生するための、
写真カメラ用の光センサ装置は次の如く構成される。す
なわち、光センサ装置は複数の光応答素子を含み、それ
ぞれの光応答素子は選択された相異なる視野を有するよ
うに配置されている。これらの光応答素子に接続された
回路は、それぞれの光応答素子がその選択された視野か
ら検出した被写界光強度に対応する、それぞれの光応答
素子の出力信号を発生する。これらの出力信号の中で、
最大および最小の被写界光強度を検出した光応答素子か
らの出力信号を除き、其の他の光応答素子の出力信号が
送出される。回路には、送出された出力信号を平均して
、１つの露出制ｍ信号を発生する装置が含まれている。

回路は光応答素子を抵抗によってバイアスし、それによ
って、それぞれの光応答素子がその選択された視野から
検出した被写界光強度に対応した出力信号を発生する。

回路はまた、光応答素子によって検出された最小被写界
光強度に対応した第１！１Ｊ装置Ｉ信号と、光応答素子
によって検出された最大被写界光強度に対応した第２制
御信号とを発生し、光応答素子の出力信号と、第１およ
び第２　ｌｌ制御信号とに応答して、最大および最小被
写界光強度を検出した光応答素子の出力信号を除く、其
の他の全ての光応答素子の出力信号を送出するための、
ゲートＬｉ御装置を備えている。

本発明の新しい諸特徴は、添付図面を参照しつつ行なわ
れる、実施例についての以下の説明において明らかにさ
れる。

［実施例］ 第１図に示されている本発明の多重光センサ装置は、複
数の光応答素子Ｐ　ないしＰ４を含み、それぞれの光応
答素子は相異なる選択された視野を有するように配置さ
れている。これらの視野は互いに排他的なものである必
要はなく、事実、重なり合った被写界領域を含んでいる
。それぞれの光応答素子Ｐ１ないしＰ４は、好ましくは
光抵抗形（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　ｔｙｐｅ　
）のもので、正端子がそれぞれ抵抗素子ＲないしＲ４に
よって正の直流電圧源ｖ１に接続され、負端子がそれぞ
れ抵抗素子Ｒ５ないしＲ８によって接地されているもの
とする。光応答素子Ｐ　ないしＲ４の正端子は、それぞ
れダイオードＤ　ないしＤ４の陽極端子に接続され、ダ
イオ−・ドＤ１ないしＤ４の陰極端子は互いに共通に接
続されている。同様にして、光応答素子Ｐ　ないしＲ４
のＲ４端子は、それぞれダイオードＤ５ないしＤ８の陽
極端子に接続され、ダイオードＤ　ないしＤ８の陰極端
子は互いに共通に接続されている。

ダイオードＤ　ないしＤ　の陰権は、抵抗Ｒ０およびＲ
ｌｏから成る分圧回路を経て、複数の差動増幅器すなわ
ち比較器Ａ１ないしＡ４の入力端子に接続されている。

比較器Ａ　ないしＡ４の他の入力端子は、それぞれ対応
する光応答素子Ｐ１ないしＲ４の出力端子ＡないしＤに
接続されている。

ダイオードＤ　ないしＤ８の陰極端子は、抵抗Ｒおよび
Ｒ１２から成る分圧回路を経て、他の複数の比較器すな
わち差動増幅器Ａ５ないしＡ８の入力端子に接続されて
いる。比較ＷＡ５ないしＡ８の他の入力端子は、それぞ
れ対応する光応答素子Ｐ　ないしＲ４の出力端子Ａない
しＤに接続されている。

それぞれの比較器Ａ　ないしＡ４の出力信号Ｇ８ないし
Ｇｄは、複数のゲート１２．１６゜２０．２４のそれぞ
れへ供給されて、これらのゲートを制御する。同様にし
て、それぞれの比較器Ａ５ないしＡ８の出力信号Ｌａな
いし’ｄは、第２の複数のゲート１０．１４．１８．２
２へ供給されて、これらのゲートを制御する。それぞれ
の光応答素子Ｐ　ないしＲ４の出力信号ＡないしＤは、
ゲート１０，１４．１８．２２のそれぞれの入力端子へ
供給される。ゲート１２．１６゜２０．２４のそれぞれ
の出力信号は、抵抗Ｒ１４゜ＲＲ，Ｒのそれぞれを経て
、互いに並列１６・　　　１８　　２０ に接続された抵抗Ｒ２２およびキャパシタＣ１によって
接地された共通端子へ供給される。この出力は、公知の
形式のカメラ露出制御回路２６に接続されている。

本発明の光センサ装置の動作は、次のように行なわれる
。光応答素子Ｐ１ないしＲ４は、それぞれの視野からの
被写界光を検出し、それに応答しで、検出された被写界
光強度が増大するぼど抵抗を減する。最小被写界光強度
を検出した光応答素子を、説明上光応答素子Ｐ１である
と仮定すると、この光応答素子Ｐ１は最大抵抗を示し、
それによってダイオードＤ１を順方向にバイアスするこ
とになるが、残余のダイオードＤ　ないしＤ４は逆方向
にバイアスされた状態になる。すなわち、光応答素子Ｐ
１ないしＲ４の全体によって検出された最小被写界光強
度に対応した電流が、ダイオードＤ　および抵抗Ｒ９を
経て流れることになる。

説明上、光応答素子Ｐ４が全光応答素子のうちで最大の
被写界光強度を検出したものとすれば、それは最小抵抗
を示し、ダイオードＤ８を順方向にバイアスすると同時
に、残余のダイオードＤ５ないしＤｌを逆方向にバイア
スする。従って、ダイオードＤ　および抵抗Ｒ１１を経
ての電流を生じ、光応答素子Ｐ１ないしＲ４により最大
被写界光強度が検出されたことが示される。

光応答素子Ｐ１ないしＲ４により検出された最小被写界
光強度に対応する電流は抵抗Ｒ９を経て、比較器Ａ　な
いしＡ４のそれぞれの入力端子へ供給され、比較器の基
準電圧を与える。比較器Ａ１ないしＡ４の伯の入力端子
は、それぞれ光応答素子Ｐ１ないしＲ４の出力端子Ａ、
Ｂ、Ｃ，Ｄに接続されている。容易にわかるように、光
応答素子Ｐ、Ｐ、Ｐ４のそれぞれによって検出された被
写界光強度に対応する、端子Ｂ、Ｃ，Ｄからの出力信号
は、順方向にバイアスされたダイオードＤ　および抵抗
Ｒ９からの電流によって与えられす る比較器Ａ　　、Ａ３．Ａ４の基ｔ＄Ｎ圧を超え、比較
器Ａ　　、Ａ３．Ａ４の出力をスイッチして、ゲ−ト有
効化信号を端子ＧＧＧ　　のそれぞｂ・　Ｃ・　ｄ れへ供給する。逆に光応答素子Ｐ１によって検出された
最小被写界光強度に対応する端子Ａからの出力電圧は、
順方向にバイアスされたＤｌおよびＲ９からの電流によ
って与えられる基準電圧を超えないので、比較器Ａ１を
スイッチぜず、従って比較″ａＡ１はゲート有効化信号
を供給しない。

同様にして、光応答素子Ｐ１ないしＲ４によって検出さ
れた最大被写界光強度に対応して、順方向にバイアスさ
れたダイオードＤ８および抵抗Ｒ１１を流れる電流は、
比較器Ａ５ないしＡ８のそれぞれの入力端子へ供給され
る。比較器Ａ５ないしＡ８への基準電圧入力は、それぞ
れ光応答素子Ｐ　ないしＲ４によって検出された被写界
光強度に対応して端子Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄから生じる出力信
号により与えられる。容易にわかるように、・比較器Ａ
６．Ａ７．Ａ８に対する基準電圧レベルを決定する端子
Ａ、Ｂ、Ｃからの出力信号は、検出された最大被写界光
強度に対応して順方向にバイアスされたダイオードＤ８
およびＲ１１から供給される電流によって決定される入
力電圧レベルよりも低い。従って、比較ｉＡ　　、Ａ　
　、Ａ８°はスイツチして、それぞれ出力端子Ｌｂ、Ｌ
ｏ、Ｌ、にゲ−１−有効化信号を発生する。しかし、検
出された最大被写界光強度に対応する端子りからの出力
信号レベルは、順方向にバイアスされたダイオードＤ　
および抵抗Ｒ１１からの電流によって決定される比較３
八８の他入力端子への信号レベルを超えないので、比較
器へ８はゲート無効化制御信号を発生する。

前述のように、ゲート制御信号Ｇａ、Ｇｂ。

Ｇｏ、Ｇｄは、それぞれゲート回路１２，１６゜２０．
２４へ供給される。従って、比較器Ａ１の端子Ｇ８に生
じるゲート無効化制御信号は、ゲート１２を無効化して
信号の伝送を阻止するが、ゲート１６．２０．２４は、
それぞれ端子Ｇｂ。

Ｇｏ、Ｇｄからの制御信号によって有効化され、信号を
伝送する。同様にして、端子ＬＬａＩ　ｂ・ Ｌｏ、Ｌ、からの出力制御信号は、それぞれゲート回路
１０．１４，１８．２２へ供給される。従って、比較器
へ８の端子Ｌｄからのゲート無効化制御出力信号は、ゲ
ート２２を無効化して入力信号の伝送を阻止するが、ゲ
ート１０．１４．１８は、それぞれ端子ＬＬＬ　　から
のゲートａ゛　ｂｏ　Ｃ 有効化制御信号によって有効化される。

従って、光応答素子Ｐ１によって検出された被写界光強
度に対応する端子へからの出力信号は、端子Ｌａから供
給されたゲート有効化信号によりゲート１０を通過せし
められ、その後出力端子Ｇａから供給されたゲート無効
化制御信号によりゲート１２を通過することを阻止され
る。光応答素子Ｐ２によって検出された被写界光強度に
対応する端子Ｂからの出力信号は、端子１４．から供給
されたゲート有効化信号によりゲート１４を通過せしめ
られ、その後端子Ｇｂから供給されたゲート有効化信号
によりゲート１６をも通過せしめられる。光応答素子Ｐ
３によって検出された被写界光強度に対応する端子Ｃか
らの出力信号は、端子Ｌｏから供給されたゲート有効化
信号によりゲート１８を通過せしめられ、その後出カ端
子Ｇ。がら供給されたゲート有効化信号によりゲート２
０をも通過せしめられる。光応答素子Ｐ４によって検出
された被写界光強度に対応する端子りからの出力信号は
、出力端子Ｌｄから供給されたゲート無効化信号により
ゲート２２を通過することを禁止される。このようにし
て、前述のように光応答素子Ｐ１によって検出された最
小被写界光強度に対応する端子Ａからの出力信号は、出
力端子Ｇａ　゛から供給されるゲート無効化信号により
、ゲート１２を通過して露出制御装置２６へ送出される
ことを禁止される。同様にして、光応答素子Ｐ４によっ
て検出された最大被写界光強度に対応する端子りからの
出力信号も、出力端子Ｌｄから供給されるゲート無効化
信号により、ゲート２２を通過して露出制御装置へ送出
されることを禁止される。

最大および最小被写界光強度の間の強度として検出され
た中間被写界光強度に対応する、端子ＢおよびＣからの
残余の出力信号は、それぞれゲート１４．１６および１
８．２０によって送出され、抵抗Ｒ１４，Ｒ１６，Ｒ１
８，Ｒ２゜の間の共通端子において、中間被写界光強度
の平均値を表わす単一信号に合成される。中間被写界光
強度の平均値を表わすこの信号は、露出制御装置２６へ
伝送されて、公知のように露出に影響を及ぼす事象を制
御するために利用される。

前述のように、これらの露出に影響を及ぼす事象には、
露出時間においてシャッタ羽根機構を閉じるタイミング
、フラッジ、１点弧またはフラッシュ消光信号のタイミ
ング、またはカメラを自然被写界光高強度または低強度
モードのいずれによって動作せしめるべきかを決定する
ための自然被写界光の露出前検出、が含まれる。従って
、このようにして、例えば屋内被写界の前景部分内の小
ざいが明るいランプ、または屋外被写界内の太陽のよう
な、被写界内の比較的小さいｖＡｗｔを占める明るい光
源から生じる過度にへ強度の局部的被写界光の過度な影
響は、明るい発光部分を検出した光応答素子の出力信号
が禁止されるために、最小限におさえられる。逆に、被
写界内の暗い影または高度に非反射的な小部分のような
、被写界内の過度な低強度部分の影響は、その明部分を
検出した光応答素子からの出力信号の伝送が禁止される
ために最小限におさえられる。従って、全体的露出に対
して不当な影響を及ぼすおそれのある被写界内の局部的
明または明部分の存在に拘らず、全体的被写界光強度を
一層良く表わしつる平均された出力信号が得られる。

以上においては、４個の光応答素子が図示され説明され
たが、容易にわかるように本発明はそのように限定され
るものではなく、さらに多い、または少ない光応答素子
を用いることもできる。しかし、以上に示された４個と
いうような少数の光応答素子を用いる場合には、好まし
くは、本技術分野において公知のように、平均された露
出制御信号を適正に測定するための追加装置を備える。

さらに、端子Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄからの少なくとも１つの出
力信号が必ずゲートを介して送出されるようにするため
の通常の装置をも備える。この装置は、ゲート無効化制
御信号の数をカウントし、少なくとも２つのゲート有効
化信号が直列に接続された２つのゲートに必ず供給され
るようにするラッチ回路を含んでいる。さらに、最大お
よび最小被写界光強度を検出した光応答素子の出力信号
の伝送を禁止する代わりに、選択されたレベルを超えた
被写界光および別の選択されたレベルに達しない被写界
光を検出した光応答素子の出力信号の伝送を禁止づるこ
とも、本発明の範囲内に属する。

この目的のためには、比較器Ａ１ないし八８のトリガレ
ベルを公知のようにして調節し、露出制御のための信号
送出が行なわれるために検出被写界光強度が属すべき選
択範囲を決定すればよい。さらに、最大被写界光強度を
検出した光応答素子からの出力信号の送出禁止は、最小
被写界光強度を検出した光応答素子からの出力信号の送
出を禁止することなく行なわれうろことは明らかである
。

β１様にして、逆に、最小被写界光強度を検出した光応
答素子からの出力信号の送出禁止も、最大被写界光強度
を検出した光応答素子からの出力信号の送出を禁止する
ことなく行なわれうることは明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光センサ装置の一部の概略回路図、
第２図は、本発明の光センサ装置の残余部分の概略回路
図である。 符号の説明 Ｐ　−Ｐ４・・・光応答素子、Ａ−Ｄ・・・光応答素子
の出力、Ａ１〜Ａ８・・・比較器、Ｇａ−Ｇｄ、Ｌａ〜
Ｌｄ・・・比較器の出力信号、１０〜２４・・・ゲート
、Ｒ１〜Ｒ２２・・・抵抗、Ｄ１〜Ｄ８・・・ダイオー
ド、Ｃ１・・・キャパシタ、Ｖｌ・・・直流正電圧源、
２６・・・露出制御回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）写真装置において露出制御信号を発生する光セン
   サ装置であつて、相異なる選択された視野を有するよう
   に配置された複数の光応答素子を備えており、それぞれ
   の該光応答素子により該選択された視野から検出された
   被写界光強度に対応したそれぞれの該光応答素子の出力
   信号を発生し、最大および最小被写界光強度を検出した
   光応答素子の出力信号を除外した全ての前記光応答素子
   の前記出力信号を送出するための回路装置を有すること
   を特徴とする、露出制御用光センサ装置。 （２）特許請求の範囲第１項において、前記送出された
   全ての信号を平均して１つの露出制御信号を発生せしめ
   る装置を有することを特徴とする、露出制御用光センサ
   装置。 （３）特許請求の範囲第１項において、前記光応答素子
   をバイアスしてそれぞれの該光応答素子から、該光応答
   素子が前記選択された視野から検出した被写界光強度に
   対応する出力信号と、該光応答素子が検出した前記最大
   被写界光強度に対応する制御信号とを発生せしめる装置
   を含む回路装置と、前記出力信号および前記制御信号に
   応答して前記最大被写界光強度を検出した前記光応答素
   子からの前記出力信号を除外した全ての前記光応答素子
   からの前記出力信号を送出するためのゲート制御装置と
   、を有することを特徴とする、露出制御用光センサ装置
   。 （４）特許請求の範囲第３項において、前記回路装置が
   、それぞれの前記光応答素子をして正にバイアスされた
   端子および負にバイアスされた端子を有せしめるように
   それぞれの該光応答素子を抵抗によつてバイアスする装
   置と、複数のダイオード素子であつてそれぞれの該ダイ
   オード素子の陽極端子が前記光応答素子の前記負にバイ
   アスされた端子に接続され陰極端子が互いに共通に接続
   されている該複数のダイオード素子と、該ダイオード素
   子の前記共通に接続された陰極端子を抵抗によつて接地
   し且つ該ダイオード素子の該共通陰極接続から前記制御
   信号を供給するための装置と、を含んでいる露出制御用
   光センサ装置。 （５）特許請求の範囲第３項において、前記ゲート制御
   装置が、複数の比較器であつてそれぞれの該比較器が前
   記制御信号を受けるように接続された１入力端子と、前
   記光応答素子の１つによつて検出された被写界光強度に
   対応する前記出力信号の１つを受けるように接続された
   もう１つの入力端子とを有する前記複数の比較器を含み
   、該比較器が、検出された最大被写界光強度より小さい
   被写界光強度を検出した全ての前記光応答素子のそれぞ
   れに対応するゲート有効化信号を発生するようになつて
   いる、露出制御用光センサ装置。 （６）特許請求の範囲第５項において、前記ゲート制御
   装置が、前記ゲート有効化信号の受信に応答してそれぞ
   れの前記光応答素子からの前記出力信号を送出するよう
   に配置された複数のゲート素子を含んでいる、露出制御
   用光センサ装置。 （７）写真装置において露出制御信号を発生する光セン
   サ装置であつて、相異なる選択され視野を有するように
   配置された複数の光応答素子と、該光応答素子をバイア
   スしてそれぞれの該光応答素子から、該光応答素子が前
   記選択された視野から検出した被写界光強度に対応する
   出力信号と、該光応答素子が検出した最小被写界光強度
   に対応する制御信号とを発生せしめる回路装置と、該出
   力信号および該制御信号に応答して該最小被写界光強度
   を検出した前記光応答素子からの該出力信号を除外した
   全ての前記光応答素子からの該出力信号を送出するため
   のゲート制御装置と、を有することを特徴とする、露出
   制御用光センサ装置。 （８）特許請求の範囲第７項において、前記送出された
   全ての信号を平均して１つの露出制御信号を発生せしめ
   る装置を有する、露出制御用光センサ装置。 （９）特許請求の範囲第８項において、前記回路装置が
   、それぞれの前記光応答素子をして正にバイアスされた
   端子および負にバイアスされた端子を有せしめるように
   それぞれの該光応答素子を抵抗によつてバイアスする装
   置と、複数のダイオード素子であつてそれぞれの該ダイ
   オード素子の陽極端子が前記光応答素子の前記正にバイ
   アスされた端子に接続され陰極端子が互いに共通に接続
   されている該複数のダイオード素子と、該ダイオード素
   子の前記共通に接続された陰極端子を抵抗によつて接地
   し且つ該ダイオード素子の該共通陰極接続からの前記制
   御信号を供給するための装置と、を含んでいる露出制御
   用光センサ装置。 （１０）特許請求の範囲第８項において、前記ゲート制
   御装置が、複数の比較器であつてそれぞれの該比較器が
   前記制御信号を受けるように接続された１入力端子と、
   前記光応答素子の１つによつて検出された被写界光強度
   に対応する前記出力信号の１つを受けるように接続され
   たもう１つの入力端子とを有する前記複数の比較器を含
   み、該比較器が、検出された最小被写界光強度より大き
   い被写界光強度を検出した全ての前記光応答素子のそれ
   ぞれに対応するゲート有効化信号を発生するようになつ
   ている、露出制御用光センサ装置。 （１１）特許請求の範囲第１０項において、前記ゲート
   制御装置が、前記ゲート有効化信号の受信に応答してそ
   れぞれの前記光応答素子からの前記出力信号を伝送する
   ように配置された複数のゲート素子を含んでいる、露出
   制御用光センサ装置。 （１２）写真装置において露出制御信号を発生する光セ
   ンサ装置であつて、相異なる選択された視野を有するよ
   うに配置された複数の光応答素子と、それぞれの該光応
   答素子により該選択された視野から検出された被写界光
   強度に対応したそれぞれの該光応答素子の出力信号を発
   生し、最大および最小被写界光強度を検出した光応答素
   子の出力信号を除外した全ての前記光応答素子の前記出
   力信号を送出するための回路装置と、を有する露出制御
   用光センサ装置。 （１３）特許請求の範囲第１２項において、前記送出さ
   れた全ての信号を平均して１つの露出制御信号を発生せ
   しめる装置を有する、露出制御用光センサ装置。 （１４）写真装置において露出制御信号を発生する光セ
   ンサ装置であつて、相異なる選択された視野を有するよ
   うに配置された複数の光応答素子と、該光応答素子をバ
   イアスしてそれぞれの該光応答素子から、該光応答素子
   が前記選択された視野から検出した被写界光強度に対応
   する出力信号と、該光応答素子が検出した最小被写界光
   強度に対応する第１制御信号と、該光応答素子が検出し
   た最大被写界光強度に対応する第２制御信号とを発生せ
   しめる回路装置と、前記出力信号および前記第１および
   第２制御信号に応答して前記最大および最小被写界光強
   度を検出した前記光応答素子からの該出力信号を除外し
   た全ての前記光応答素子からの該出力信号を送出するた
   めのゲート制御装置と、を有する露出制御用光センサ装
   置。 （１５）特許請求の範囲第１４項において、前記伝送さ
   れた諸信号を平均して１つの露出制御信号を発生せしめ
   る装置を有する、露出制御用光センサ装置。 （１６）特許請求の範囲第１５項において、前記回路装
   置が、それぞれの前記光応答素子をして正にバイアスさ
   れた端子および負にバイアスされた端子を有せしめるよ
   うにそれぞれの該光応答素子を抵抗によつてバイアスす
   る装置と、第１の複数のダイオード素子であつてそれぞ
   れの該ダイオード素子の陽極端子が前記光応答素子の前
   記正にバイアスされた端子に接続され陰極端子が互いに
   共通に接続されている該第１の複数のダイオード素子と
   、該第１ダイオード素子の該共通に接続された陰極端子
   を抵抗によつて接地し且つ該第１ダイオード素子の該共
   通陰極接続から前記第１制御信号を供給するための装置
   と、第２の複数のダイオード素子であつてそれぞれの該
   ダイオード素子の陽極端子が前記光応答素子の前記負に
   バイアスされた端子に接続され陰極端子が互いに共通に
   接続されている該第２の複数のダイオード素子と、該第
   ２ダイオード素子の該共通に接続された陰極端子を抵抗
   によつて接地し且つ該第２ダイオード素子の該共通陰極
   接続から前記第２制御信号を供給するための装置と、を
   含んでいる露出制御用光センサ装置。 （１１）特許請求の範囲第１５項において、前記ゲート
   制御装置が、第１の複数の比較器であつてそれぞれの該
   比較器が前記第１制御信号を受けるように接続された１
   入力端子と、前記光応答素子の１つによつて検出された
   被写界光強度に対応する前記出力信号の１つを受けるよ
   うに接続されたもう１つの入力端子とを有し、検出され
   た最小被写界光強度より大きい被写界強度を検出した全
   ての前記光応答素子のそれぞれに対応する第１ゲート有
   効化信号を発生するようになつている前記第１の複数の
   比較器と、第２の複数の比較器であつてそれぞれの該比
   較器が前記第２制御信号を受けるように接続された１入
   力端子と、前記光応答素子の１つによつて検出された被
   写界光強度に対応する前記出力信号の１つを受けるよう
   に接続されたもう１つの入力端子とを有し、検出された
   最大被写界光強度より小さい被写界光強度を検出した全
   ての前記光応答素子のそれぞれに対応する第２ゲート有
   効化信号を発生するようになつている前記第２の複数の
   比較器と、を含んでいる露出制御用光センサ装置。 （１８）特許請求の範囲第１７項において、前記ゲート
   制御装置が、前記第１および第２ゲート有効化信号の受
   信に応答してそれぞれの前記光応答素子からの前記出力
   信号を送出するように配置された複数のゲート素子を含
   んでいる、露出制御用光センサ装置。