KR900004646Y1 - 국선 감지회로 - Google Patents

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KR900004646Y1
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신현정
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금성통신 주식회사
임종염 · 하인츠 디터 케루트
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Abstract

내용 없음.

Description

국선 감지회로
첨부된 도면은 본 고안의 국선감지회로도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
BD1: 브리지다이오드 R1-R5: 저항
ZD1-ZD3: 제너다이오드 FET1,FET2: 전계효과트랜지스터
PC1: 포토카플러 OP1: 증폭기
본 고안은 국선에 영향을 미치지 않음과 동시에 국선의 사용유무에 관계없이 항상 국선의 상태를 감지할 수 있게한 국선감지 회로에 관한 것이다.
종래의 국선감지회로는 국선에 직렬로 연결된 포토카플러로 국선전류를 감지하여 국선의 사용상태를 감지하게 되어 있었다. 그러나, 이러한 종래의 국선감지회로는 국선을 점유하지 않는 상태에서는 국선의 사용상태를 감지할 수 없을뿐아니라 체신부의 규격을 만족시키기가 대단히 어려운 결점이 있었다.
본 고안은 상기와같은 종래의 결점을 해결하기 위하여, 국선과 하이 임피던스 상태로 연결하여 국선에 영향을 미치지 않음과 동시에 체신부의 규격을 만족시키고, 국선의 사용유무에 무관하게 항상 국선의 상태를 감지할 수 있게 안출한 것으로, 이를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
첨부된 도면은 본 고안의 국선감지회로도로서 이에 도시한 바와같이, 다수대의 전화기(TEL1-TELn)가 연결되는 국선(L1,L2)을 브리지다이오드(BD1)의 입력측에 접속하여, 그 브리지다이오드(BD1)의 출력측을 저항(R1) 및 제너다이오드(ZD1)를 통해서는 (R2) 및 제너다이오드(ZD2), 전계효과 트랜지스터(FET1)의 게이트에 공통접속함과 아울러 저항(R4) 및 포토카플러(PC1)의 발광다이오드(PD1)를 통해서는 전계효과트랜지스터(FET2)의 드레인에 접속하고, 상기 저항(R1) 및 제너다이오드(ZD1)의 접속점은 저항(R3)을 통해 상기 전계효과트랜지스터(FET1)의 드레인 및 제너다이오드(ZD3), 상기 전계효과트랜지스터(FET2)의 게이트에 공통접속하며, 상기 포토카플러(PC1)의 수광트랜지스터(PT1)의 콜렉터를 저항(R5)을 통해 전원단자(B+)에 접속함과 아울러 증폭기(OP1)를 통해 국선감지신호출력단자(OUT)에 접속하여 구성한 것으로, 상기에서 제너다이오드(ZD1)는 전화기(TEL1-TELn)가 국선(L1,L2)과 통화루프를 형성하지 않을때에 온(ON)되고 전화기(TEL1-TELn)중 어느하나라도 국선(L1,L2)과 통화루프를 형성할때에 오프(OFF)되게 그의 제너전압이 설정되어 있고, 제너다이오드(ZD3)는 상기 제너다이오드(ZD1)가 온되어 전계효과트랜지스터(FET1)가 온될때 오프되고 전계효과트랜지스터(FET1)가 오프될때 온되게 그의 제너전압이 설정되어 있으며, 제너다이오드(ZD3)의 제너전압과 동일하게 설정되어 있다.
이와같이 구성된 본 고안의 작용효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.
교환기로부터 국선(L1,L2)에 인가된 전원은 브리지다이오드(BD1)에서 정류된 후 저항(R1)을 통해 제너다이오드(ZD1)의 캐소드에 인가된다.
그런데, 전화기(TEL1-TELn)가 국선(L1,L2)과 통화루프가 형성되지 않는 상태에서는 그 전화기(TEL1-TELn)에서 전압강하가 발생되지 않게된다. 따라서, 이때 제너다이오드(ZD1)의 캐소드에 인가되는 전압은 그의 제너전압보다 높게되어 그 제너다이오드(ZD1)가 온되므로 제너다이오드(ZD2)의 제너전압에 의한 일정한 고전위가 전계효과트랜지스터(FET1)의 게이트에 인가되어 그 전계효과트랜지스터(FET1)가 온된다. 이와같이 전계효과트랜지스터(FET1)가 온되면 그의 드레인에 저전위가 출력되어 전계효과트랜지스터(FET2)의 게이트에 인가되므로 그 전계효과트랜지스터(FET2)는 오프된다. 이에따라 포토카플러(PC1)의 발광다이오드(PD1)가 소등되므로 그의 수광트랜지스터(PT1)는 오프되어 그의 콜렉터에 고전위가 출력되고, 이 고전위 신호는 증폭기(OP1)를 통해 국선감지신호출력단자(OUT)로 출력된다.
한편, 전화기(TEL1-TELn)중 어느하나가 국선(L1,L2)과 통화루프를 형성한 상태에서는 제너다이오드(ZD1)의 캐소드에 인가되는 전압이 그의 제너전압보다 낮게되어 그 제너다이오드(ZD1)가 오프되므로 전계효과트랜지스터(FET1)는 오프된다.
이에따라, 저항(R1)을 통한 전압은 저항(R3)을 통해 제너다이오드(ZD3)에 인가되므로 그의 제너전압에 의한 일정한 고전위가 전계효과트랜지스터(FET2)의 게이트에 인가되어 그 전계효과트랜지스터(FET2)는 온된다.
따라서, 포토카플러(PC1)의 발광다이오드(PD1)를 통해 전류가 흐르게 되어 그 발광다이오드(PD1)가 점등되므로 그의 수광트랜지스터(PT1)는 온되어 그의 콜렉터에 저전위 신호가 출력되고, 이 저전위 신호는 증폭기(OP1)를 통해 국선감지신호출력단자(OUT)로 출력된다.
이와같이 국선을 사용하는 상태에서는 국선감지신호출력단자(OUT)에 저전위 신호가 출력되고 국선을 사용하지 않는 상태에서는 국선감지신호출력단자(OUT)에 고전위 신호가 출력되므로 그 국선감지신호출력단자(OUT)의 신호상태에 따라 국선의 상태를 감지할 수 있게 된다.
또, 본 고안의 국선감지회로의 입력저항을 충분히 크게 설정기켜 놓음으로써 국선(L1,L2)에 영향을 미치지 않게 된다.
이상에서 상세히 설명한 바와같이 본 고안은 국선에 영향을 미치지 않게되어 체신부의 규격을 만족시킬 수 있고, 국선의 사용유무에 무관하게 항상 국선의 상태를 감지할 수 있는 이점이 있게된다.

Claims (1)

  1. 브리지다이오드(BD1)의 입력측을 국선(L1,L2)에 접속하여, 그의 출력측을 저항(R1) 및 제너다이오드(ZD1)를 통해서는 저항(R2) 및 제너다이오드(ZD2), 전계효과트랜지스터(FET1)의 게이트에 공통접속하고 저항(R4) 및 포토카플러(PC1)의 발광다이오드(PD1)를 통해서는 전계효과트랜지스터(FET2)의 드레인에 접속하며, 상기 저항(R1) 및 제너다이오드(ZD1)의 접속점을 저항(R3)을 통해 상기 전계효과트랜지스터(FET1)의 드레인 및 제너다이오드(ZD3), 상기 전계효과트랜지스터(FET2)의 게이트에 공통접속하고, 상기 포토카플러(PC1)의 수광트랜지스터(PT1)의 콜렉터를 저항(R5)을 통해 전원단자(B+)에 접속함과 아울러 증폭기(OP1)를 통해 국선감지신호출력단자(OUT)에 접속하여 구성함을 특징으로 하는 국선 감지회로.
KR2019870013817U 1987-08-19 1987-08-19 국선 감지회로 KR900004646Y1 (ko)

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