JPH04340524A - 液晶電気光学素子 - Google Patents
液晶電気光学素子Info
- Publication number
- JPH04340524A JPH04340524A JP11278191A JP11278191A JPH04340524A JP H04340524 A JPH04340524 A JP H04340524A JP 11278191 A JP11278191 A JP 11278191A JP 11278191 A JP11278191 A JP 11278191A JP H04340524 A JPH04340524 A JP H04340524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal material
- scattering
- state
- electro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 17
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光の散乱現象を利用し
た散乱型の液晶電気光学素子の構造に関する。
た散乱型の液晶電気光学素子の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在広く利用されている液晶電気光学素
子としては、ＴＮ型およびＳＴＮ型があるが、これらの
素子は表示を行うために偏光板を必要とするため光の利
用効率がわるく、投写型表示装置のように明るい表示が
必要な装置に利用するには適していない。そこで偏光板
を用いない液晶電気光学素子が望まれている。
子としては、ＴＮ型およびＳＴＮ型があるが、これらの
素子は表示を行うために偏光板を必要とするため光の利
用効率がわるく、投写型表示装置のように明るい表示が
必要な装置に利用するには適していない。そこで偏光板
を用いない液晶電気光学素子が望まれている。
【０００３】偏光板を用いない液晶電気光学素子として
は液晶の光散乱現象を用いた型の素子がある。光散乱現
象を用いた液晶電気光学素子としては、たとえば図３に
断面図を示すような特表昭５８−５０１６３１ 号公報
に示されたカプセル型の光散乱液晶電気光学素子がある
。図３において、１は透明電極が形成された一対の電極
基板、４は液晶分子、５は液晶分子４を封じ込めている
カプセルである。
は液晶の光散乱現象を用いた型の素子がある。光散乱現
象を用いた液晶電気光学素子としては、たとえば図３に
断面図を示すような特表昭５８−５０１６３１ 号公報
に示されたカプセル型の光散乱液晶電気光学素子がある
。図３において、１は透明電極が形成された一対の電極
基板、４は液晶分子、５は液晶分子４を封じ込めている
カプセルである。
【０００４】次に図３に示される従来例の動作について
説明する。カプセル５によって封じ込められた液晶分子
４はカプセル５の内壁に沿って配列する。この状態は、
素子の外側から液晶材料を見ると、液晶材料は擬似的な
散乱状態であり、この素子を光が通過しようとするとそ
の光は液晶材料によって散乱されてしまう。次にこの素
子に電界を印加したときの素子の断面図を図４に示す。 図のように電界を印加すると、カプセル内の液晶分子４
は電場によって配列し、電界が印加されていないときの
散乱状態はなくなり、均一な配列状態を示す。この状態
で素子に光が入射すると、その光は液晶材料を透過する
。すなわち、この素子に電界を印加したり、除去したり
することにより、液晶分子４の配列を均一配列状態また
は散乱状態に制御でき、これにより光の透過光量を制御
することができる。
説明する。カプセル５によって封じ込められた液晶分子
４はカプセル５の内壁に沿って配列する。この状態は、
素子の外側から液晶材料を見ると、液晶材料は擬似的な
散乱状態であり、この素子を光が通過しようとするとそ
の光は液晶材料によって散乱されてしまう。次にこの素
子に電界を印加したときの素子の断面図を図４に示す。 図のように電界を印加すると、カプセル内の液晶分子４
は電場によって配列し、電界が印加されていないときの
散乱状態はなくなり、均一な配列状態を示す。この状態
で素子に光が入射すると、その光は液晶材料を透過する
。すなわち、この素子に電界を印加したり、除去したり
することにより、液晶分子４の配列を均一配列状態また
は散乱状態に制御でき、これにより光の透過光量を制御
することができる。
【０００５】また液晶材料の散乱状態を作り出す他の方
法として、たとえば特表昭６１−５０２１２８ 号公報
に示されているように、液晶材料を合成樹脂マトリクス
中に分散させる方法がある。特表昭５８−５０１６３１
号公報では液晶材料を包む物質がカプセル状であるの
に対し、特表昭６１−５０２１２８ 号公報では液晶材
料を包む物質が、たとえばエポキシ樹脂のような樹脂物
質である点で異なるが、どちらも液晶材料の包接物質に
より、液晶材料の散乱状態を作っていることに変わりは
ない。
法として、たとえば特表昭６１−５０２１２８ 号公報
に示されているように、液晶材料を合成樹脂マトリクス
中に分散させる方法がある。特表昭５８−５０１６３１
号公報では液晶材料を包む物質がカプセル状であるの
に対し、特表昭６１−５０２１２８ 号公報では液晶材
料を包む物質が、たとえばエポキシ樹脂のような樹脂物
質である点で異なるが、どちらも液晶材料の包接物質に
より、液晶材料の散乱状態を作っていることに変わりは
ない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の散乱型液晶電気
光学素子は以上のように構成されているので、液晶材料
をカプセルに包むか、樹脂中に分散させることが必要で
あり、複雑な製造工程を経なければならない。またその
ために素子の品質、表示特性を均一に制御することが困
難であった。さらに、液晶材料は包接する他の物質でお
おわれているため、液晶本来の特性がその包接物質によ
って阻害され、このことが、充分に良好な特性を有する
素子を構成することを困難にしている。
光学素子は以上のように構成されているので、液晶材料
をカプセルに包むか、樹脂中に分散させることが必要で
あり、複雑な製造工程を経なければならない。またその
ために素子の品質、表示特性を均一に制御することが困
難であった。さらに、液晶材料は包接する他の物質でお
おわれているため、液晶本来の特性がその包接物質によ
って阻害され、このことが、充分に良好な特性を有する
素子を構成することを困難にしている。
【０００７】本発明は前記のような問題を解消するため
になされたもので、簡便な方法で散乱型液晶電気光学素
子をうることができるとともに、その電気光学特性が従
来の散乱型液晶電気光学素子よりも優れた散乱型液晶電
気光学素子の構造を提供することを目的とする。
になされたもので、簡便な方法で散乱型液晶電気光学素
子をうることができるとともに、その電気光学特性が従
来の散乱型液晶電気光学素子よりも優れた散乱型液晶電
気光学素子の構造を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶電気光
学素子は、少なくとも一方の基板に透明電極が形成され
た、一対の電極基板によって液晶材料が挟まれた構造を
有する液晶電気光学素子であって、該液晶材料がコレス
テリック液晶であり、そのらせんピッチｐと、前記液晶
材料の厚さｄとのあいだに１０・ｐ≦ｄの関係があり、
かつ前記電極基板の少なくとも一方の前記液晶材料側に
有機物または無機物からなる液晶散乱層が形成されてな
ることを特徴とするものである。
学素子は、少なくとも一方の基板に透明電極が形成され
た、一対の電極基板によって液晶材料が挟まれた構造を
有する液晶電気光学素子であって、該液晶材料がコレス
テリック液晶であり、そのらせんピッチｐと、前記液晶
材料の厚さｄとのあいだに１０・ｐ≦ｄの関係があり、
かつ前記電極基板の少なくとも一方の前記液晶材料側に
有機物または無機物からなる液晶散乱層が形成されてな
ることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明の液晶電気光学素子は、液晶材料に、自
発的に、液晶材料の層の厚さの１／１０以下のピッチの
らせん構造となるコレステリック液晶を用いているため
、電界が印加されないときは、その液晶分子のらせんの
方向は電極基板表面に設けられた液晶散乱層によって不
規則な方向を向いている。この状態は擬似的な散乱状態
であり、液晶電気光学素子に入射した光は散乱されて透
過しない。一方電界が印加されると、液晶分子のらせん
状態が解消され、液晶分子は電界方向に揃って配列し、
光を透過させ、電界の強さに応じた光量に調整できる。
発的に、液晶材料の層の厚さの１／１０以下のピッチの
らせん構造となるコレステリック液晶を用いているため
、電界が印加されないときは、その液晶分子のらせんの
方向は電極基板表面に設けられた液晶散乱層によって不
規則な方向を向いている。この状態は擬似的な散乱状態
であり、液晶電気光学素子に入射した光は散乱されて透
過しない。一方電界が印加されると、液晶分子のらせん
状態が解消され、液晶分子は電界方向に揃って配列し、
光を透過させ、電界の強さに応じた光量に調整できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１において、１は透明電極が形成された一対の電
極基板、２は液晶散乱層、３は液晶分子のらせん配列状
態を示すらせんである。電極基板１はガラスなどの透明
な基板にＩＴＯ（インジウム−錫の複合酸化物）、Ｓｎ
Ｏ２などの導電性透明膜を形成したもので、その導電性
透明膜側にＳｉＯ２、ＳｉＮなどの無機物やポリイミド
、ポリビニルアルコールなどの有機物からなる液晶散乱
層２を形成する。液晶散乱層２の厚さは本発明において
とくに限定されないが、通常１００Å〜２０００Åであ
る。 １００Å未満であると散乱効果が不十分であり、一方２
０００Åを超えると光の透過率が低下するという傾向が
ある。この液晶散乱層２を形成した電極基板１を２枚向
いあわせて狭い間隙に保持し、セルを形成する。そのセ
ルのギャップにらせんピッチがセルギャップの１／１０
以下とされたコレステリック液晶の液晶材料を毛細管現
象を利用して注入することにより、本発明の液晶電気光
学素子をうることができる。液晶材料のらせんピッチが
セルギャップの１／１０より大きくなると、液晶分子が
自発的にらせん構造となりにくく、散乱状態への応答が
劣ることになる。以下、具体的な実施例について詳細に
説明する。
る。図１において、１は透明電極が形成された一対の電
極基板、２は液晶散乱層、３は液晶分子のらせん配列状
態を示すらせんである。電極基板１はガラスなどの透明
な基板にＩＴＯ（インジウム−錫の複合酸化物）、Ｓｎ
Ｏ２などの導電性透明膜を形成したもので、その導電性
透明膜側にＳｉＯ２、ＳｉＮなどの無機物やポリイミド
、ポリビニルアルコールなどの有機物からなる液晶散乱
層２を形成する。液晶散乱層２の厚さは本発明において
とくに限定されないが、通常１００Å〜２０００Åであ
る。 １００Å未満であると散乱効果が不十分であり、一方２
０００Åを超えると光の透過率が低下するという傾向が
ある。この液晶散乱層２を形成した電極基板１を２枚向
いあわせて狭い間隙に保持し、セルを形成する。そのセ
ルのギャップにらせんピッチがセルギャップの１／１０
以下とされたコレステリック液晶の液晶材料を毛細管現
象を利用して注入することにより、本発明の液晶電気光
学素子をうることができる。液晶材料のらせんピッチが
セルギャップの１／１０より大きくなると、液晶分子が
自発的にらせん構造となりにくく、散乱状態への応答が
劣ることになる。以下、具体的な実施例について詳細に
説明する。
【００１１】［実施例１］電極基板１には、ＩＴＯ膜が
形成されたガラス基板を用いた。
形成されたガラス基板を用いた。
【００１２】液晶材料の層の厚さとなるセルギャップは
１０μｍ に設定した。液晶材料はメルク社のＺＬＩ−
１１３２（商品名）を用いた。液晶のらせんピッチを１
μｍ 以下に設定するため、カイラル剤ＺＬＩ−８１１
（商品名） を液晶材料に７重量％添加した。液晶材料
ＺＬＩ−１１３２そのものはコレステリック液晶ではな
いが、カイラル剤を添加することによりコレステリック
液晶になる。
１０μｍ に設定した。液晶材料はメルク社のＺＬＩ−
１１３２（商品名）を用いた。液晶のらせんピッチを１
μｍ 以下に設定するため、カイラル剤ＺＬＩ−８１１
（商品名） を液晶材料に７重量％添加した。液晶材料
ＺＬＩ−１１３２そのものはコレステリック液晶ではな
いが、カイラル剤を添加することによりコレステリック
液晶になる。
【００１３】液晶散乱層２には、電極基板１に対して垂
直方向から１０００Åの厚さで真空蒸着したＳｉＯ２
膜を用いた。
直方向から１０００Åの厚さで真空蒸着したＳｉＯ２
膜を用いた。
【００１４】次に図１の素子の製造方法について説明す
る。まずＩＴＯ 膜が形成されたガラス基板の、ＩＴＯ
膜が形成された側の面に、液晶散乱層２であるＳｉＯ
２ 膜をＥＢ法により真空蒸着した。蒸着の際、基板の
法線方向と蒸着源が一致するような方向に電極基板１を
設置し、ＳｉＯ２ 粒子が基板の垂直方向に堆積される
ようにした。また、ＳｉＯ２ 膜の膜厚は１０００Åに
なるようにした。このように、ＳｉＯ２ 膜による液晶
散乱層２が形成された電極基板１を２枚準備し、２枚の
電極基板を接着するため一方の電極基板１の周辺部に熱
硬化型エポキシ樹脂を打点し、もう一方の電極基板１に
は直径が１０μｍ のプラスチックビーズを約１０個／
ｍｍ２ の密度で散布した。このようにして前処理が施
された一対の電極基板１を、液晶散乱層２が内側になる
ように重ね合わせ、０．３ｋｇ ／ｃｍ２ の圧力で加
圧しながら１８０ ℃に熱し、エポキシ樹脂を硬化させ
た。このようにして形成されたセルに、前述のカイラル
剤が添加された液晶材料を毛細管現象を利用して注入し
た。
る。まずＩＴＯ 膜が形成されたガラス基板の、ＩＴＯ
膜が形成された側の面に、液晶散乱層２であるＳｉＯ
２ 膜をＥＢ法により真空蒸着した。蒸着の際、基板の
法線方向と蒸着源が一致するような方向に電極基板１を
設置し、ＳｉＯ２ 粒子が基板の垂直方向に堆積される
ようにした。また、ＳｉＯ２ 膜の膜厚は１０００Åに
なるようにした。このように、ＳｉＯ２ 膜による液晶
散乱層２が形成された電極基板１を２枚準備し、２枚の
電極基板を接着するため一方の電極基板１の周辺部に熱
硬化型エポキシ樹脂を打点し、もう一方の電極基板１に
は直径が１０μｍ のプラスチックビーズを約１０個／
ｍｍ２ の密度で散布した。このようにして前処理が施
された一対の電極基板１を、液晶散乱層２が内側になる
ように重ね合わせ、０．３ｋｇ ／ｃｍ２ の圧力で加
圧しながら１８０ ℃に熱し、エポキシ樹脂を硬化させ
た。このようにして形成されたセルに、前述のカイラル
剤が添加された液晶材料を毛細管現象を利用して注入し
た。
【００１５】次に動作について説明する。本発明の実施
例においては、液晶分子のらせんピッチはセルギャップ
に比べて１／１０以下と小さいので、液晶分子はセル内
で自発的にらせん構造をとる。さらに基板表面は液晶分
子が不規則な方向に向くような処理が施されているため
液晶のらせんの軸の方向も一様には揃わず、不規則な方
向を向く。この配列状態は一種の散乱状態であり、素子
外部から光が入射すると、その光は散乱され、透過する
ことができない。
例においては、液晶分子のらせんピッチはセルギャップ
に比べて１／１０以下と小さいので、液晶分子はセル内
で自発的にらせん構造をとる。さらに基板表面は液晶分
子が不規則な方向に向くような処理が施されているため
液晶のらせんの軸の方向も一様には揃わず、不規則な方
向を向く。この配列状態は一種の散乱状態であり、素子
外部から光が入射すると、その光は散乱され、透過する
ことができない。
【００１６】次に本実施例の素子に電界を印加したとき
の素子の状態の断面図を図２に示す。図において４は液
晶分子である。電界が印加された状態においては図１で
示したようならせん状態が解消され、液晶分子は電界方
向に揃って配列するようになる。このとき液晶の配列状
態は一様均一な配列状態であり、素子外部から光が入射
すると、その光はそのまま素子を透過していく。
の素子の状態の断面図を図２に示す。図において４は液
晶分子である。電界が印加された状態においては図１で
示したようならせん状態が解消され、液晶分子は電界方
向に揃って配列するようになる。このとき液晶の配列状
態は一様均一な配列状態であり、素子外部から光が入射
すると、その光はそのまま素子を透過していく。
【００１７】以上のように本発明の素子は電界により液
晶の配列状態を制御でき、これにより素子を通過する光
の量を制御することができる。本実施例による素子では
コントラスト比が２２：１の液晶電気光学素子をうるこ
とができた。
晶の配列状態を制御でき、これにより素子を通過する光
の量を制御することができる。本実施例による素子では
コントラスト比が２２：１の液晶電気光学素子をうるこ
とができた。
【００１８】［実施例２］また、前記実施例では液晶散
乱層２としてＳｉＯ２ 蒸着膜を用いたが、これは他の
物質でもよい。たとえばポリイミドのような有機物質を
用いても同様の効果をうることができる。以下、ポリイ
ミドを液晶散乱層２に用いた、本発明の一実施例につい
て説明する。
乱層２としてＳｉＯ２ 蒸着膜を用いたが、これは他の
物質でもよい。たとえばポリイミドのような有機物質を
用いても同様の効果をうることができる。以下、ポリイ
ミドを液晶散乱層２に用いた、本発明の一実施例につい
て説明する。
【００１９】電極基板１は実施例１の場合と同様にＩＴ
Ｏ 膜が形成されたガラス基板を用いた。この基板のＩ
ＴＯ 膜面側に、日産化学社製のポリイミド樹脂ＳＥ−
２１７０（商品名） の３％ＮＭＰ 溶液を、２０００
ｒｐｍ の条件でスピン塗布したのち、水蒸気にさらし
てポリイミドを白濁化し、そののち２００ ℃で１時間
硬化した。そののち、実施例１のばあいと同様にしてセ
ルを組み立て、実施例１と同じ液晶材料を注入し、素子
を構成した。
Ｏ 膜が形成されたガラス基板を用いた。この基板のＩ
ＴＯ 膜面側に、日産化学社製のポリイミド樹脂ＳＥ−
２１７０（商品名） の３％ＮＭＰ 溶液を、２０００
ｒｐｍ の条件でスピン塗布したのち、水蒸気にさらし
てポリイミドを白濁化し、そののち２００ ℃で１時間
硬化した。そののち、実施例１のばあいと同様にしてセ
ルを組み立て、実施例１と同じ液晶材料を注入し、素子
を構成した。
【００２０】以上のように構成された素子は、白濁化し
たポリイミド層が液晶散乱層として作用し、液晶の散乱
状態を発生させる。これは水蒸気により、ポリイミド表
面が部分的に凝集固化し、粗面化されたことが原因と考
えられている。この電気光学素子に電界を印加したり、
また除去したりすることにより、液晶分子の配列状態を
変化させることができ、これにより素子を通過する光の
透過光量を制御することができる。
たポリイミド層が液晶散乱層として作用し、液晶の散乱
状態を発生させる。これは水蒸気により、ポリイミド表
面が部分的に凝集固化し、粗面化されたことが原因と考
えられている。この電気光学素子に電界を印加したり、
また除去したりすることにより、液晶分子の配列状態を
変化させることができ、これにより素子を通過する光の
透過光量を制御することができる。
【００２１】［実施例３］前記実施例２では、ポリイミ
ド膜の表面を荒らす方法として、硬化前のポリイミドに
水蒸気を反応させたが、それ以外にポリイミド膜の表面
を荒らす方法として、硬化後のポリイミドにたとえば氷
のような、細かい粒子を高速でぶつけるブラッシング法
でも同様の効果がえられる。
ド膜の表面を荒らす方法として、硬化前のポリイミドに
水蒸気を反応させたが、それ以外にポリイミド膜の表面
を荒らす方法として、硬化後のポリイミドにたとえば氷
のような、細かい粒子を高速でぶつけるブラッシング法
でも同様の効果がえられる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、コレス
テリック液晶と液晶散乱層を用いて素子が構成されてい
るので、従来の高分子材料またはカプセルと液晶材料と
を組み合わせた電気光学素子に比べ、良好な表示特性が
えられ、さらに製造工程が単純になるため素子を安価に
製造することができる。
テリック液晶と液晶散乱層を用いて素子が構成されてい
るので、従来の高分子材料またはカプセルと液晶材料と
を組み合わせた電気光学素子に比べ、良好な表示特性が
えられ、さらに製造工程が単純になるため素子を安価に
製造することができる。
【図１】本発明の一実施例による液晶電気光学素子の電
界が印加されていない状態を示す断面図である。
界が印加されていない状態を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例による液晶電気光学素子の電
界が印加されている状態を示す断面図である。
界が印加されている状態を示す断面図である。
【図３】従来の液晶電気光学素子の一例の電界が印加さ
れていない状態を示す断面図である。
れていない状態を示す断面図である。
【図４】従来の液晶電気光学素子の電界が印加されてい
る状態を示す断面図である。
る状態を示す断面図である。
１ 電極基板
２ 液晶散乱層
３ 液晶分子のらせん
４ 液晶分子
５ カプセル
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも一方の基板に透明電極が形
成された、一対の電極基板によって液晶材料が挟まれた
構造を有する液晶電気光学素子であって、該液晶材料が
コレステリック液晶であり、そのらせんピッチｐと、前
記液晶材料の厚さｄとのあいだに１０・ｐ≦ｄの関係が
あり、かつ前記電極基板の少なくとも一方の前記液晶材
料側に有機物または無機物からなる液晶散乱層が形成さ
れてなることを特徴とする液晶電気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11278191A JP2807099B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 液晶電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11278191A JP2807099B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 液晶電気光学素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340524A true JPH04340524A (ja) | 1992-11-26 |
| JP2807099B2 JP2807099B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=14595341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11278191A Expired - Lifetime JP2807099B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 液晶電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2807099B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP11278191A patent/JP2807099B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2807099B2 (ja) | 1998-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05119302A (ja) | 高分子分散型液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JP3142739B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH08122750A (ja) | 液晶電気光学装置、それを利用した投射型表示装置及びそれらの駆動方法 | |
| US5178571A (en) | Method for manufacturing an electro-optical device | |
| US4869577A (en) | Ferroelectric liquid crystal display device having uniaxial alignment on both substrates | |
| JPH03164713A (ja) | 強誘電性液晶電気光学装置とその作製方法 | |
| US5866034A (en) | Heat resistant polymer composition, alignment layer formed using the same and liquid cyrstal display having the alignment layer | |
| JPH04340524A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JPH0194318A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH07120758A (ja) | 高分子分散型液晶表示装置 | |
| JPH04308816A (ja) | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2000206515A (ja) | 調光体、光学的素子及び電気的素子、並びにその製造方法 | |
| JPH03287127A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH06331948A (ja) | 液晶電気光学装置作製方法 | |
| JPH04318812A (ja) | 表示素子 | |
| JPH06222343A (ja) | 液晶表示素子および該素子の製造法 | |
| JPH095754A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH0754382B2 (ja) | 液晶電気光学装置の製造方法 | |
| JPS6019127A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH04318814A (ja) | 液晶組成物 | |
| JPH0222623A (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
| JP3832950B2 (ja) | プラスチック液晶表示素子の製造方法 | |
| JPH1138451A (ja) | 薄型電界制御複屈折型液晶素子及び光導波路型光変調素子 | |
| JPH02918A (ja) | 光変調素子 | |
| JPS61215521A (ja) | 液晶装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070724 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080724 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080724 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090724 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100724 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100724 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110724 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110724 Year of fee payment: 13 |