JP2807099B2 - 液晶電気光学素子 - Google Patents
液晶電気光学素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光の散乱現象を利用し
た散乱型の液晶電気光学素子の構造に関する。
た散乱型の液晶電気光学素子の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在広く利用されている液晶電気光学素
子としては、ＴＮ型およびＳＴＮ型があるが、これらの
素子は表示を行うために偏光板を必要とするため光の利
用効率がわるく、投写型表示装置のように明るい表示が
必要な装置に利用するには適していない。そこで偏光板
を用いない液晶電気光学素子が望まれている。
子としては、ＴＮ型およびＳＴＮ型があるが、これらの
素子は表示を行うために偏光板を必要とするため光の利
用効率がわるく、投写型表示装置のように明るい表示が
必要な装置に利用するには適していない。そこで偏光板
を用いない液晶電気光学素子が望まれている。
【０００３】偏光板を用いない液晶電気光学素子として
は液晶の光散乱現象を用いた型の素子がある。光散乱現
象を用いた液晶電気光学素子としては、たとえば図３に
断面図を示すような特表昭58-501631 号公報に示された
カプセル型の光散乱液晶電気光学素子がある。図３にお
いて、１は透明電極が形成された一対の電極基板、４は
液晶分子、５は液晶分子４を封じ込めているカプセルで
ある。
は液晶の光散乱現象を用いた型の素子がある。光散乱現
象を用いた液晶電気光学素子としては、たとえば図３に
断面図を示すような特表昭58-501631 号公報に示された
カプセル型の光散乱液晶電気光学素子がある。図３にお
いて、１は透明電極が形成された一対の電極基板、４は
液晶分子、５は液晶分子４を封じ込めているカプセルで
ある。
【０００４】次に図３に示される従来例の動作について
説明する。カプセル５によって封じ込められた液晶分子
４はカプセル５の内壁に沿って配列する。この状態は、
素子の外側から液晶材料を見ると、液晶材料は擬似的な
散乱状態であり、この素子を光が通過しようとするとそ
の光は液晶材料によって散乱されてしまう。次にこの素
子に電界を印加したときの素子の断面図を図４に示す。
図のように電界を印加すると、カプセル内の液晶分子４
は電場によって配列し、電界が印加されていないときの
散乱状態はなくなり、均一な配列状態を示す。この状態
で素子に光が入射すると、その光は液晶材料を透過す
る。すなわち、この素子に電界を印加したり、除去した
りすることにより、液晶分子４の配列を均一配列状態ま
たは散乱状態に制御でき、これにより光の透過光量を制
御することができる。
説明する。カプセル５によって封じ込められた液晶分子
４はカプセル５の内壁に沿って配列する。この状態は、
素子の外側から液晶材料を見ると、液晶材料は擬似的な
散乱状態であり、この素子を光が通過しようとするとそ
の光は液晶材料によって散乱されてしまう。次にこの素
子に電界を印加したときの素子の断面図を図４に示す。
図のように電界を印加すると、カプセル内の液晶分子４
は電場によって配列し、電界が印加されていないときの
散乱状態はなくなり、均一な配列状態を示す。この状態
で素子に光が入射すると、その光は液晶材料を透過す
る。すなわち、この素子に電界を印加したり、除去した
りすることにより、液晶分子４の配列を均一配列状態ま
たは散乱状態に制御でき、これにより光の透過光量を制
御することができる。
【０００５】また液晶材料の散乱状態を作り出す他の方
法として、たとえば特表昭61-502128 号公報に示されて
いるように、液晶材料を合成樹脂マトリクス中に分散さ
せる方法がある。特表昭58-501631 号公報では液晶材料
を包む物質がカプセル状であるのに対し、特表昭61-502
128 号公報では液晶材料を包む物質が、たとえばエポキ
シ樹脂のような樹脂物質である点で異なるが、どちらも
液晶材料の包接物質により、液晶材料の散乱状態を作っ
ていることに変わりはない。
法として、たとえば特表昭61-502128 号公報に示されて
いるように、液晶材料を合成樹脂マトリクス中に分散さ
せる方法がある。特表昭58-501631 号公報では液晶材料
を包む物質がカプセル状であるのに対し、特表昭61-502
128 号公報では液晶材料を包む物質が、たとえばエポキ
シ樹脂のような樹脂物質である点で異なるが、どちらも
液晶材料の包接物質により、液晶材料の散乱状態を作っ
ていることに変わりはない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の散乱型液晶電気
光学素子は以上のように構成されているので、液晶材料
をカプセルに包むか、樹脂中に分散させることが必要で
あり、複雑な製造工程を経なければならない。またその
ために素子の品質、表示特性を均一に制御することが困
難であった。さらに、液晶材料は包接する他の物質でお
おわれているため、液晶本来の特性がその包接物質によ
って阻害され、このことが、充分に良好な特性を有する
素子を構成することを困難にしている。
光学素子は以上のように構成されているので、液晶材料
をカプセルに包むか、樹脂中に分散させることが必要で
あり、複雑な製造工程を経なければならない。またその
ために素子の品質、表示特性を均一に制御することが困
難であった。さらに、液晶材料は包接する他の物質でお
おわれているため、液晶本来の特性がその包接物質によ
って阻害され、このことが、充分に良好な特性を有する
素子を構成することを困難にしている。
【０００７】本発明は前記のような問題を解消するため
になされたもので、簡便な方法で散乱型液晶電気光学素
子をうることができるとともに、その電気光学特性が従
来の散乱型液晶電気光学素子よりも優れた散乱型液晶電
気光学素子の構造を提供することを目的とする。
になされたもので、簡便な方法で散乱型液晶電気光学素
子をうることができるとともに、その電気光学特性が従
来の散乱型液晶電気光学素子よりも優れた散乱型液晶電
気光学素子の構造を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶電気光
学素子は、少なくとも一方の基板に透明電極が形成され
た、一対の電極基板によって液晶材料が挟まれた構造を
有する液晶電気光学素子であって、該液晶材料がコレス
テリック液晶であり、そのらせんピッチｐと、前記液晶
材料の厚さｄとのあいだに10・ｐ≦ｄの関係があり、か
つ前記電極基板の少なくとも一方の前記液晶材料側に有
機物または無機物からなる液晶散乱層が形成されてなる
ことを特徴とするものである。
学素子は、少なくとも一方の基板に透明電極が形成され
た、一対の電極基板によって液晶材料が挟まれた構造を
有する液晶電気光学素子であって、該液晶材料がコレス
テリック液晶であり、そのらせんピッチｐと、前記液晶
材料の厚さｄとのあいだに10・ｐ≦ｄの関係があり、か
つ前記電極基板の少なくとも一方の前記液晶材料側に有
機物または無機物からなる液晶散乱層が形成されてなる
ことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明の液晶電気光学素子は、液晶材料に、自
発的に、液晶材料の層の厚さの1/10以下のピッチのらせ
ん構造となるコレステリック液晶を用いているため、電
界が印加されないときは、その液晶分子のらせんの方向
は電極基板表面に設けられた液晶散乱層によって不規則
な方向を向いている。この状態は擬似的な散乱状態であ
り、液晶電気光学素子に入射した光は散乱されて透過し
ない。一方電界が印加されると、液晶分子のらせん状態
が解消され、液晶分子は電界方向に揃って配列し、光を
透過させ、電界の強さに応じた光量に調整できる。
発的に、液晶材料の層の厚さの1/10以下のピッチのらせ
ん構造となるコレステリック液晶を用いているため、電
界が印加されないときは、その液晶分子のらせんの方向
は電極基板表面に設けられた液晶散乱層によって不規則
な方向を向いている。この状態は擬似的な散乱状態であ
り、液晶電気光学素子に入射した光は散乱されて透過し
ない。一方電界が印加されると、液晶分子のらせん状態
が解消され、液晶分子は電界方向に揃って配列し、光を
透過させ、電界の強さに応じた光量に調整できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１において、１は透明電極が形成された一対の電
極基板、２は液晶散乱層、３は液晶分子のらせん配列状
態を示すらせんである。電極基板１はガラスなどの透明
な基板にITO（インジウム−錫の複合酸化物）、ＳｎＯ2
などの導電性透明膜を形成したもので、その導電性透明
膜側にＳｉＯ2、ＳｉＮなどの無機物やポリイミド、ポ
リビニルアルコールなどの有機物からなる液晶散乱層２
を形成する。液晶散乱層２の厚さは本発明においてとく
に限定されないが、通常１００Å〜２０００Åである。
１００Å未満であると散乱効果が不十分であり、一方２
０００Åを超えると光の透過率が低下するという傾向が
ある。この液晶散乱層２を形成した電極基板１を２枚向
いあわせて狭い間隙に保持し、セルを形成する。そのセ
ルのギャップにらせんピッチがセルギャップの1/10以下
とされたコレステリック液晶の液晶材料を毛細管現象を
利用して注入することにより、本発明の液晶電気光学素
子をうることができる。液晶材料のらせんピッチがセル
ギャップの1/10より大きくなると、液晶分子が自発的に
らせん構造となりにくく、散乱状態への応答が劣ること
になる。以下、具体的な実施例について詳細に説明す
る。
る。図１において、１は透明電極が形成された一対の電
極基板、２は液晶散乱層、３は液晶分子のらせん配列状
態を示すらせんである。電極基板１はガラスなどの透明
な基板にITO（インジウム−錫の複合酸化物）、ＳｎＯ2
などの導電性透明膜を形成したもので、その導電性透明
膜側にＳｉＯ2、ＳｉＮなどの無機物やポリイミド、ポ
リビニルアルコールなどの有機物からなる液晶散乱層２
を形成する。液晶散乱層２の厚さは本発明においてとく
に限定されないが、通常１００Å〜２０００Åである。
１００Å未満であると散乱効果が不十分であり、一方２
０００Åを超えると光の透過率が低下するという傾向が
ある。この液晶散乱層２を形成した電極基板１を２枚向
いあわせて狭い間隙に保持し、セルを形成する。そのセ
ルのギャップにらせんピッチがセルギャップの1/10以下
とされたコレステリック液晶の液晶材料を毛細管現象を
利用して注入することにより、本発明の液晶電気光学素
子をうることができる。液晶材料のらせんピッチがセル
ギャップの1/10より大きくなると、液晶分子が自発的に
らせん構造となりにくく、散乱状態への応答が劣ること
になる。以下、具体的な実施例について詳細に説明す
る。
【００１１】［実施例１］電極基板１には、ITO膜が形
成されたガラス基板を用いた。
成されたガラス基板を用いた。
【００１２】液晶材料の層の厚さとなるセルギャップは
10μm に設定した。液晶材料はメルク社のZLI-1132（商
品名）を用いた。液晶のらせんピッチを１μm 以下に設
定するため、カイラル剤ZLI-811(商品名) を液晶材料に
７重量％添加した。液晶材料ZLI-1132そのものはコレス
テリック液晶ではないが、カイラル剤を添加することに
よりコレステリック液晶になる。
10μm に設定した。液晶材料はメルク社のZLI-1132（商
品名）を用いた。液晶のらせんピッチを１μm 以下に設
定するため、カイラル剤ZLI-811(商品名) を液晶材料に
７重量％添加した。液晶材料ZLI-1132そのものはコレス
テリック液晶ではないが、カイラル剤を添加することに
よりコレステリック液晶になる。
【００１３】液晶散乱層２には、電極基板１に対して垂
直方向から1000Åの厚さで真空蒸着したＳｉＯ2 膜を用
いた。
直方向から1000Åの厚さで真空蒸着したＳｉＯ2 膜を用
いた。
【００１４】次に図１の素子の製造方法について説明す
る。まずITO 膜が形成されたガラス基板の、ITO 膜が形
成された側の面に、液晶散乱層２であるＳｉＯ2 膜をEB
法により真空蒸着した。蒸着の際、基板の法線方向と蒸
着源が一致するような方向に電極基板１を設置し、Ｓｉ
Ｏ2 粒子が基板の垂直方向に堆積されるようにした。ま
た、ＳｉＯ2 膜の膜厚は1000Åになるようにした。この
ように、ＳｉＯ2 膜による液晶散乱層２が形成された電
極基板１を２枚準備し、２枚の電極基板を接着するため
一方の電極基板１の周辺部に熱硬化型エポキシ樹脂を打
点し、もう一方の電極基板１には直径が10μm のプラス
チックビーズを約10個／mm2 の密度で散布した。このよ
うにして前処理が施された一対の電極基板１を、液晶散
乱層２が内側になるように重ね合わせ、0.3kg ／cm2 の
圧力で加圧しながら180 ℃に熱し、エポキシ樹脂を硬化
させた。このようにして形成されたセルに、前述のカイ
ラル剤が添加された液晶材料を毛細管現象を利用して注
入した。
る。まずITO 膜が形成されたガラス基板の、ITO 膜が形
成された側の面に、液晶散乱層２であるＳｉＯ2 膜をEB
法により真空蒸着した。蒸着の際、基板の法線方向と蒸
着源が一致するような方向に電極基板１を設置し、Ｓｉ
Ｏ2 粒子が基板の垂直方向に堆積されるようにした。ま
た、ＳｉＯ2 膜の膜厚は1000Åになるようにした。この
ように、ＳｉＯ2 膜による液晶散乱層２が形成された電
極基板１を２枚準備し、２枚の電極基板を接着するため
一方の電極基板１の周辺部に熱硬化型エポキシ樹脂を打
点し、もう一方の電極基板１には直径が10μm のプラス
チックビーズを約10個／mm2 の密度で散布した。このよ
うにして前処理が施された一対の電極基板１を、液晶散
乱層２が内側になるように重ね合わせ、0.3kg ／cm2 の
圧力で加圧しながら180 ℃に熱し、エポキシ樹脂を硬化
させた。このようにして形成されたセルに、前述のカイ
ラル剤が添加された液晶材料を毛細管現象を利用して注
入した。
【００１５】次に動作について説明する。本発明の実施
例においては、液晶分子のらせんピッチはセルギャップ
に比べて1/10以下と小さいので、液晶分子はセル内で自
発的にらせん構造をとる。さらに基板表面は液晶分子が
不規則な方向に向くような処理が施されているため液晶
のらせんの軸の方向も一様には揃わず、不規則な方向を
向く。この配列状態は一種の散乱状態であり、素子外部
から光が入射すると、その光は散乱され、透過すること
ができない。
例においては、液晶分子のらせんピッチはセルギャップ
に比べて1/10以下と小さいので、液晶分子はセル内で自
発的にらせん構造をとる。さらに基板表面は液晶分子が
不規則な方向に向くような処理が施されているため液晶
のらせんの軸の方向も一様には揃わず、不規則な方向を
向く。この配列状態は一種の散乱状態であり、素子外部
から光が入射すると、その光は散乱され、透過すること
ができない。
【００１６】次に本実施例の素子に電界を印加したとき
の素子の状態の断面図を図２に示す。図において４は液
晶分子である。電界が印加された状態においては図１で
示したようならせん状態が解消され、液晶分子は電界方
向に揃って配列するようになる。このとき液晶の配列状
態は一様均一な配列状態であり、素子外部から光が入射
すると、その光はそのまま素子を透過していく。
の素子の状態の断面図を図２に示す。図において４は液
晶分子である。電界が印加された状態においては図１で
示したようならせん状態が解消され、液晶分子は電界方
向に揃って配列するようになる。このとき液晶の配列状
態は一様均一な配列状態であり、素子外部から光が入射
すると、その光はそのまま素子を透過していく。
【００１７】以上のように本発明の素子は電界により液
晶の配列状態を制御でき、これにより素子を通過する光
の量を制御することができる。本実施例による素子では
コントラスト比が22：１の液晶電気光学素子をうること
ができた。
晶の配列状態を制御でき、これにより素子を通過する光
の量を制御することができる。本実施例による素子では
コントラスト比が22：１の液晶電気光学素子をうること
ができた。
【００１８】［実施例２］また、前記実施例では液晶散
乱層２としてＳｉＯ2 蒸着膜を用いたが、これは他の物
質でもよい。たとえばポリイミドのような有機物質を用
いても同様の効果をうることができる。以下、ポリイミ
ドを液晶散乱層２に用いた、本発明の一実施例について
説明する。
乱層２としてＳｉＯ2 蒸着膜を用いたが、これは他の物
質でもよい。たとえばポリイミドのような有機物質を用
いても同様の効果をうることができる。以下、ポリイミ
ドを液晶散乱層２に用いた、本発明の一実施例について
説明する。
【００１９】電極基板１は実施例１の場合と同様にITO
膜が形成されたガラス基板を用いた。この基板のITO 膜
面側に、日産化学社製のポリイミド樹脂SE-2170(商品
名) の３％NMP 溶液を、2000rpm の条件でスピン塗布し
たのち、水蒸気にさらしてポリイミドを白濁化し、その
のち200 ℃で１時間硬化した。そののち、実施例１のば
あいと同様にしてセルを組み立て、実施例１と同じ液晶
材料を注入し、素子を構成した。
膜が形成されたガラス基板を用いた。この基板のITO 膜
面側に、日産化学社製のポリイミド樹脂SE-2170(商品
名) の３％NMP 溶液を、2000rpm の条件でスピン塗布し
たのち、水蒸気にさらしてポリイミドを白濁化し、その
のち200 ℃で１時間硬化した。そののち、実施例１のば
あいと同様にしてセルを組み立て、実施例１と同じ液晶
材料を注入し、素子を構成した。
【００２０】以上のように構成された素子は、白濁化し
たポリイミド層が液晶散乱層として作用し、液晶の散乱
状態を発生させる。これは水蒸気により、ポリイミド表
面が部分的に凝集固化し、粗面化されたことが原因と考
えられている。この電気光学素子に電界を印加したり、
また除去したりすることにより、液晶分子の配列状態を
変化させることができ、これにより素子を通過する光の
透過光量を制御することができる。
たポリイミド層が液晶散乱層として作用し、液晶の散乱
状態を発生させる。これは水蒸気により、ポリイミド表
面が部分的に凝集固化し、粗面化されたことが原因と考
えられている。この電気光学素子に電界を印加したり、
また除去したりすることにより、液晶分子の配列状態を
変化させることができ、これにより素子を通過する光の
透過光量を制御することができる。
【００２１】［実施例３］前記実施例２では、ポリイミ
ド膜の表面を荒らす方法として、硬化前のポリイミドに
水蒸気を反応させたが、それ以外にポリイミド膜の表面
を荒らす方法として、硬化後のポリイミドにたとえば氷
のような、細かい粒子を高速でぶつけるブラッシング法
でも同様の効果がえられる。
ド膜の表面を荒らす方法として、硬化前のポリイミドに
水蒸気を反応させたが、それ以外にポリイミド膜の表面
を荒らす方法として、硬化後のポリイミドにたとえば氷
のような、細かい粒子を高速でぶつけるブラッシング法
でも同様の効果がえられる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、コレス
テリック液晶と液晶散乱層を用いて素子が構成されてい
るので、従来の高分子材料またはカプセルと液晶材料と
を組み合わせた電気光学素子に比べ、良好な表示特性が
えられ、さらに製造工程が単純になるため素子を安価に
製造することができる。
テリック液晶と液晶散乱層を用いて素子が構成されてい
るので、従来の高分子材料またはカプセルと液晶材料と
を組み合わせた電気光学素子に比べ、良好な表示特性が
えられ、さらに製造工程が単純になるため素子を安価に
製造することができる。
【図１】本発明の一実施例による液晶電気光学素子の電
界が印加されていない状態を示す断面図である。
界が印加されていない状態を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例による液晶電気光学素子の電
界が印加されている状態を示す断面図である。
界が印加されている状態を示す断面図である。
【図３】従来の液晶電気光学素子の一例の電界が印加さ
れていない状態を示す断面図である。
れていない状態を示す断面図である。
【図４】従来の液晶電気光学素子の電界が印加されてい
る状態を示す断面図である。
る状態を示す断面図である。
１ 電極基板 ２ 液晶散乱層 ３ 液晶分子のらせん ４ 液晶分子 ５ カプセル
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも一方の基板に透明電極が形成
された、一対の電極基板によって液晶材料が挟まれた構
造を有する液晶電気光学素子であって、該液晶材料がコ
レステリック液晶であり、そのらせんピッチｐと、前記
液晶材料の厚さｄとのあいだに10・ｐ≦ｄの関係があ
り、かつ前記電極基板の少なくとも一方の前記液晶材料
側に有機物または無機物からなる液晶散乱層が形成され
てなることを特徴とする液晶電気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11278191A JP2807099B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 液晶電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11278191A JP2807099B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 液晶電気光学素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340524A JPH04340524A (ja) | 1992-11-26 |
| JP2807099B2 true JP2807099B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=14595341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11278191A Expired - Lifetime JP2807099B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 液晶電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2807099B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP11278191A patent/JP2807099B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04340524A (ja) | 1992-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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