JPH04340290A - 半導体レーザの発振波長制御駆動方法 - Google Patents
半導体レーザの発振波長制御駆動方法Info
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- JPH04340290A JPH04340290A JP14088691A JP14088691A JPH04340290A JP H04340290 A JPH04340290 A JP H04340290A JP 14088691 A JP14088691 A JP 14088691A JP 14088691 A JP14088691 A JP 14088691A JP H04340290 A JPH04340290 A JP H04340290A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、波長多重光情報伝送・
処理・記録等に有用な半導体レーザ素子に関し、特に注
入電流の大きさを制御することにより、異なる波長のレ
ーザ光を発する半導体レーザの発振波長制御駆動方法に
関する。
処理・記録等に有用な半導体レーザ素子に関し、特に注
入電流の大きさを制御することにより、異なる波長のレ
ーザ光を発する半導体レーザの発振波長制御駆動方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信や光学的情報処理の分野の
技術の進歩はめざましく、通信分野の伝送帯域の拡大の
ための波長多重伝送や周波数変調伝送方法など、また、
光記録分野の波長多重化による記録密度の向上など、半
導体レーザに求められる機能として、高性能な波長可変
機能が重要となってきた。
技術の進歩はめざましく、通信分野の伝送帯域の拡大の
ための波長多重伝送や周波数変調伝送方法など、また、
光記録分野の波長多重化による記録密度の向上など、半
導体レーザに求められる機能として、高性能な波長可変
機能が重要となってきた。
【０００３】このため、波長可変の目的のために、次の
ような半導体レーザ構造と駆動方法が提案されてきた。 すなわち、活性層は互いに異なる量子準位からなる複数
の量子井戸層からなり、注入電流の大きさを変化させる
ことによって発振波長を変化させる（特開昭６３−２１
１７８７）。図７にこの構造の１例の半導体レーザの電
流−光出力特性を示す。
ような半導体レーザ構造と駆動方法が提案されてきた。 すなわち、活性層は互いに異なる量子準位からなる複数
の量子井戸層からなり、注入電流の大きさを変化させる
ことによって発振波長を変化させる（特開昭６３−２１
１７８７）。図７にこの構造の１例の半導体レーザの電
流−光出力特性を示す。
【０００４】本例はＡｌＧａＡｓ系半導体レーザにおい
て、厚さ８０ÅＧａＡｓ井戸と６０ÅＡｌ０．１２Ｇａ
０．８８Ａｓ井戸が３００ÅＡｌ０．３６Ｇａ０．６４
Ａｓ障壁により隔てられた構造から成り、λ１＝８３０
ｎｍとλ２＝７８０ｎｍの２波長が、図７のように、電
流変化に対してスイッチする。つまり、電流Ｉ１におい
て波長λ１の光が発振し、電流Ｉ２において波長λ２の
光が発振することになる。
て、厚さ８０ÅＧａＡｓ井戸と６０ÅＡｌ０．１２Ｇａ
０．８８Ａｓ井戸が３００ÅＡｌ０．３６Ｇａ０．６４
Ａｓ障壁により隔てられた構造から成り、λ１＝８３０
ｎｍとλ２＝７８０ｎｍの２波長が、図７のように、電
流変化に対してスイッチする。つまり、電流Ｉ１におい
て波長λ１の光が発振し、電流Ｉ２において波長λ２の
光が発振することになる。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例では、高速変調時において問題があった。すな
わち、パルス電流印加時には、活性層でのキャリア密度
は急速に増加するため、Ｉ１で変調しても発振開始時に
はλ２の波長が発振を始め、その後λ１の波長の発振が
続くことがあった。この現象は、本半導体レーザの原理
に基づくことであり、各波長を制御よく発振させること
は難しかった。
記従来例では、高速変調時において問題があった。すな
わち、パルス電流印加時には、活性層でのキャリア密度
は急速に増加するため、Ｉ１で変調しても発振開始時に
はλ２の波長が発振を始め、その後λ１の波長の発振が
続くことがあった。この現象は、本半導体レーザの原理
に基づくことであり、各波長を制御よく発振させること
は難しかった。
【０００６】従って、本発明の目的は、この課題に鑑み
、駆動パルス時間を変化させることによって高速変調時
でも各波長を制御性よく発振させることが可能な半導体
レーザの発振波長制御駆動方法を提供することにある。
、駆動パルス時間を変化させることによって高速変調時
でも各波長を制御性よく発振させることが可能な半導体
レーザの発振波長制御駆動方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の半導体レーザの発振波長制御駆動方法では、互いに
異なるエネルギー準位を有する複数の発光層から成る活
性層を含み積層された半導体レーザにおいて、注入パル
ス時間を変化させることにより、発振波長を変化させる
ことを特徴とする。
明の半導体レーザの発振波長制御駆動方法では、互いに
異なるエネルギー準位を有する複数の発光層から成る活
性層を含み積層された半導体レーザにおいて、注入パル
ス時間を変化させることにより、発振波長を変化させる
ことを特徴とする。
【０００８】より具体的には、前記活性層が互いに異な
る量子準位を有する複数の量子井戸構造から成り、かつ
互いの量子井戸内の注入キャリアは結合していないこと
を特徴としたり、前記半導体レーザの電流注入のための
電極が共振方向に複数設けられており、各々が直接変調
のための領域、導波、損失、増幅の少なくとも１つのた
めの領域に対応する２つの電極を少なくとも含み、複数
の波長の発振を制御することの可能であることを特徴と
したり、バイアス電流を一定に設定しておき、信号パル
ス電流を重畳させて発振波長、光信号を制御することを
特徴とする。
る量子準位を有する複数の量子井戸構造から成り、かつ
互いの量子井戸内の注入キャリアは結合していないこと
を特徴としたり、前記半導体レーザの電流注入のための
電極が共振方向に複数設けられており、各々が直接変調
のための領域、導波、損失、増幅の少なくとも１つのた
めの領域に対応する２つの電極を少なくとも含み、複数
の波長の発振を制御することの可能であることを特徴と
したり、バイアス電流を一定に設定しておき、信号パル
ス電流を重畳させて発振波長、光信号を制御することを
特徴とする。
【０００９】本発明によれば、駆動パルス時間を変化さ
せることによって高速変調時でも各波長を制御性よく発
振させることが可能となった。
せることによって高速変調時でも各波長を制御性よく発
振させることが可能となった。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。ま
ず、簡単な例として２つの異なる組成または幅の量子井
戸層からなる活性層の半導体レーザについて説明する。 量子井戸層が３以上の複数である場合についても同様に
本発明は適用できる。
ず、簡単な例として２つの異なる組成または幅の量子井
戸層からなる活性層の半導体レーザについて説明する。 量子井戸層が３以上の複数である場合についても同様に
本発明は適用できる。
【００１１】図１に本発明の半導体レーザの活性層付近
のエネルギーバンド図を模式的に示す。８０ÅＧａＡｓ
井戸１と６０ÅＡｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ井戸２が
３００ÅＡｌ０．３６Ｇａ０．６４Ａｓ障壁３により隔
てられており、その上下を５００ÅＧＲＩＮ（ｇｒａｄ
ｅｄ ｉｎｄｅｘ）Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ−Ａｌ
０．５Ｇａ０．５Ａｓ光・キャリアの閉じ込め層（ＳＣ
Ｈ層）４５ではさまれている。
のエネルギーバンド図を模式的に示す。８０ÅＧａＡｓ
井戸１と６０ÅＡｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ井戸２が
３００ÅＡｌ０．３６Ｇａ０．６４Ａｓ障壁３により隔
てられており、その上下を５００ÅＧＲＩＮ（ｇｒａｄ
ｅｄ ｉｎｄｅｘ）Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ−Ａｌ
０．５Ｇａ０．５Ａｓ光・キャリアの閉じ込め層（ＳＣ
Ｈ層）４５ではさまれている。
【００１２】レーザの膜構成は、図２に示したように、
ｎ＋−ＧａＡｓ基板１０上に、０．５μｍのｎ＋−Ｇａ
Ａｓバッファ層８、１．５μｍのｎ−Ａｌ０．５Ｇａ０
．５Ａｓ下部クラッド層６、ＳＣＨ層４、井戸層１、障
壁層３、井戸層２、ＳＣＨ層５、１．５μｍのｐ−Ａｌ
０．５Ｇａ０．５Ａｓ上部クラッド層７、０．５μｍｐ
＋−ＧａＡｓキャップ層９が分子線エピタキシャル法に
より積層されており、ｐ側にはＡｕ／Ｃｒ電極１１、ｎ
側にはＡｕ−Ｇｅ／Ａｕ電極１２が蒸着され、オーミッ
クコンタクトをとってアロイ化してある。
ｎ＋−ＧａＡｓ基板１０上に、０．５μｍのｎ＋−Ｇａ
Ａｓバッファ層８、１．５μｍのｎ−Ａｌ０．５Ｇａ０
．５Ａｓ下部クラッド層６、ＳＣＨ層４、井戸層１、障
壁層３、井戸層２、ＳＣＨ層５、１．５μｍのｐ−Ａｌ
０．５Ｇａ０．５Ａｓ上部クラッド層７、０．５μｍｐ
＋−ＧａＡｓキャップ層９が分子線エピタキシャル法に
より積層されており、ｐ側にはＡｕ／Ｃｒ電極１１、ｎ
側にはＡｕ−Ｇｅ／Ａｕ電極１２が蒸着され、オーミッ
クコンタクトをとってアロイ化してある。
【００１３】活性層付近の層４、１、３、２、５は全て
ドーピングを行っていない。本実施例の半導体レーザの
共振方向に垂直な横方向の構造はリッジ導波路型構造や
、埋め込み導波路型構造のような屈折率導波型の構造で
も、電極ストライプ型構造のような利得導波型の構造で
も有効である。
ドーピングを行っていない。本実施例の半導体レーザの
共振方向に垂直な横方向の構造はリッジ導波路型構造や
、埋め込み導波路型構造のような屈折率導波型の構造で
も、電極ストライプ型構造のような利得導波型の構造で
も有効である。
【００１４】この実施例に電流注入を行うと、図７に示
したように、λ１＝８３０ｎｍとλ２＝７８０ｎｍの２
波長が同時にまたはどちらか一方だけが発振可能である
。
したように、λ１＝８３０ｎｍとλ２＝７８０ｎｍの２
波長が同時にまたはどちらか一方だけが発振可能である
。
【００１５】次に、図１において、電流が注入された場
合のレーザ発振について説明する。活性層へは電子とホ
ールがそれぞれ逆方向から注入れさる。電子はｎ側から
注入され、しかも移動度が大きいために、２つのの井戸
層１、２に急激に熱的平衡状態で満たされる。
合のレーザ発振について説明する。活性層へは電子とホ
ールがそれぞれ逆方向から注入れさる。電子はｎ側から
注入され、しかも移動度が大きいために、２つのの井戸
層１、２に急激に熱的平衡状態で満たされる。
【００１６】一方、ホールはｐ側から注入されるが移動
度が小さいために、まず井戸２を満たし、その後井戸１
へ注入されることになり、ホールの井戸１への注入は、
電子に比べて障壁層３を越える時間だけ遅くなってしま
う。
度が小さいために、まず井戸２を満たし、その後井戸１
へ注入されることになり、ホールの井戸１への注入は、
電子に比べて障壁層３を越える時間だけ遅くなってしま
う。
【００１７】そこで、本発明の半導体レーザにおいては
構造を最適化し、注入電流を、図７において２波長が共
存する電流値にうまく設定すると、図３（ｂ）に示した
ように、数ｎｓｅｃの注入電流パルスに対して前半でλ
２の波長の光が発振し、後半でλ１の波長の光が発振す
ることになる。ここで、光パルスの後半でλ２の波長の
光が消えるのは、井戸１と井戸２のホール密度と発光再
結合速度と両井戸間のホールの移動速度のバランスの結
果である。
構造を最適化し、注入電流を、図７において２波長が共
存する電流値にうまく設定すると、図３（ｂ）に示した
ように、数ｎｓｅｃの注入電流パルスに対して前半でλ
２の波長の光が発振し、後半でλ１の波長の光が発振す
ることになる。ここで、光パルスの後半でλ２の波長の
光が消えるのは、井戸１と井戸２のホール密度と発光再
結合速度と両井戸間のホールの移動速度のバランスの結
果である。
【００１８】図３（ａ）、（ｂ）に本発明の半導体レー
ザの駆動方法について、注入電流パルスとそれに対する
光パルスで示した。図３（ａ）は、注入電流パルスが１
ｎｓ以下程度の場合であり、井戸１へのホール注入の時
間遅れがλ１の発振遅れとなり、光パルス波長はほぼλ
２のみとなる。
ザの駆動方法について、注入電流パルスとそれに対する
光パルスで示した。図３（ａ）は、注入電流パルスが１
ｎｓ以下程度の場合であり、井戸１へのホール注入の時
間遅れがλ１の発振遅れとなり、光パルス波長はほぼλ
２のみとなる。
【００１９】また、図３（ｂ）は、注入電流パルスが２
ｎｓ程度の場合であり、λ１の発振も光パルス中に見ら
れ、λ１とλ２の両波長での発振が生じる。
ｎｓ程度の場合であり、λ１の発振も光パルス中に見ら
れ、λ１とλ２の両波長での発振が生じる。
【００２０】ここで、λ２の先頭の光量振動は通常のＬ
Ｄと同様な緩和振動を意味している。つまり、λ２のみ
を発振させるときはパルス幅１ｎｓのＲＺ信号で、λ１
とλ２の両方を同時に発振させるときはパルス幅２ｎｓ
のＲＺ信号で駆動すればよく、注入電流値を変化させる
必要はない。
Ｄと同様な緩和振動を意味している。つまり、λ２のみ
を発振させるときはパルス幅１ｎｓのＲＺ信号で、λ１
とλ２の両方を同時に発振させるときはパルス幅２ｎｓ
のＲＺ信号で駆動すればよく、注入電流値を変化させる
必要はない。
【００２１】図４に、本発明の他の実施例を示した。図
２と同様な膜構成において、共振器が２つになるよう共
振器の途中にエッチングにより溝〔ＩＩＩ〕が形成して
ある。〔Ｉ〕は第１実施例で示したパルス電流により直
接変調を行う部分で、〔ＩＩ〕は〔Ｉ〕で発振した光の
導波（増幅吸収、透過を含む）を行う部分である。
２と同様な膜構成において、共振器が２つになるよう共
振器の途中にエッチングにより溝〔ＩＩＩ〕が形成して
ある。〔Ｉ〕は第１実施例で示したパルス電流により直
接変調を行う部分で、〔ＩＩ〕は〔Ｉ〕で発振した光の
導波（増幅吸収、透過を含む）を行う部分である。
【００２２】図５は、部分〔ＩＩ〕の役割を説明するた
めの利得スペクトル図を示す。注入電流密度が小さい場
合（Ｊｓ）、λ１の波長では利得も損失もないが、λ２
の波長では非常に大きな損失となって作用する。つまり
Ｊｓでは、λ１のみの透過フィルタとなり、λ２の光は
〔ＩＩ〕で吸収されてしまう。
めの利得スペクトル図を示す。注入電流密度が小さい場
合（Ｊｓ）、λ１の波長では利得も損失もないが、λ２
の波長では非常に大きな損失となって作用する。つまり
Ｊｓでは、λ１のみの透過フィルタとなり、λ２の光は
〔ＩＩ〕で吸収されてしまう。
【００２３】また、注入電流密度が大きい場合（Ｊｌ）
、λ１の波長でも、λ２の波長でも同じ利得をもつため
、両方の波長に対して〔ＩＩ〕の領域は増幅となって作
用する。
、λ１の波長でも、λ２の波長でも同じ利得をもつため
、両方の波長に対して〔ＩＩ〕の領域は増幅となって作
用する。
【００２４】これを踏まえて、第２の実施例の駆動方法
を図８を用いて説明する。以下で、（ｉ）λ１のみ発振
させる場合、（ｉｉ）λ２のみ発振させる場合、（ｉｉ
ｉ）λ１とλ２の両方を発振させる場合について述べる
。
を図８を用いて説明する。以下で、（ｉ）λ１のみ発振
させる場合、（ｉｉ）λ２のみ発振させる場合、（ｉｉ
ｉ）λ１とλ２の両方を発振させる場合について述べる
。
【００２５】（ｉ）λ１のみ発振
パルス変調部〔Ｉ〕には長い電流パルスｔ２を加えてλ
１とλ２の両方を発振させる。導波部〔ＩＩ〕には小さ
い電流密度Ｊｓで印加し、λ１に対しては導波し、λ２
に対しては吸収するようにする。その結果、λ１のみの
光が〔ＩＩ〕の側から発振することになる。
１とλ２の両方を発振させる。導波部〔ＩＩ〕には小さ
い電流密度Ｊｓで印加し、λ１に対しては導波し、λ２
に対しては吸収するようにする。その結果、λ１のみの
光が〔ＩＩ〕の側から発振することになる。
【００２６】（ｉｉ）λ２のみ発振
〔Ｉ〕には短い電流パルスｔ１を印加してλ２のみ発振
させ、大きい電流密度Ｊｌをバイアスした〔ＩＩ〕でそ
のままλ２を増幅して出射する。
させ、大きい電流密度Ｊｌをバイアスした〔ＩＩ〕でそ
のままλ２を増幅して出射する。
【００２７】（ｉｉｉ）λ１とλ２の両方の発振〔Ｉ〕
には長い電流パルスｔ２を印加してλ１とλ２の両方発
振させ、大きい電流密度Ｊｌをバイアスした〔ＩＩ〕で
λ１とλ２を両方増幅して出射する。
には長い電流パルスｔ２を印加してλ１とλ２の両方発
振させ、大きい電流密度Ｊｌをバイアスした〔ＩＩ〕で
λ１とλ２を両方増幅して出射する。
【００２８】この方法により、λ１、λ２、λ１＋λ２
のいずれの場合も発振させることが可能となった。上記
、光導波部〔ＩＩ〕には、両端面に無反射コーティング
を施す方がよい。
のいずれの場合も発振させることが可能となった。上記
、光導波部〔ＩＩ〕には、両端面に無反射コーティング
を施す方がよい。
【００２９】本発明は、３以上の複数の量子井戸層を活
性層とする場合においても有効である。図６（ａ）に、
ｐ側から順に高エネルギーギャップの井戸層から低エネ
ルギーギャップの井戸層へ並んで設けられた活性層の一
例を示す。これに、適当な３波長が同時に発振するよう
な電流値のパルスを注入すると、パルス時間に対応した
波長の光が発振する。よって、パルス時間を適切に設定
すれば、λ３のみの発振、λ３とλ２の発振、λ３とλ
２とλ１の発振等を行わせることができる。
性層とする場合においても有効である。図６（ａ）に、
ｐ側から順に高エネルギーギャップの井戸層から低エネ
ルギーギャップの井戸層へ並んで設けられた活性層の一
例を示す。これに、適当な３波長が同時に発振するよう
な電流値のパルスを注入すると、パルス時間に対応した
波長の光が発振する。よって、パルス時間を適切に設定
すれば、λ３のみの発振、λ３とλ２の発振、λ３とλ
２とλ１の発振等を行わせることができる。
【００３０】更に、前述の実施例としてＡｌＧａＡｓ系
の半導体レーザ素子を示したが本発明は、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ系、ＡｌＧａＩｎＰ系等、どのような材料の半導体レ
ーザにおいても適用が可能である。
の半導体レーザ素子を示したが本発明は、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ系、ＡｌＧａＩｎＰ系等、どのような材料の半導体レ
ーザにおいても適用が可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザの駆動方法によれば、パルス幅を制御するだけで数
ＧＨｚ程度の発振波長を制御性よく変化させることが可
能である。
ーザの駆動方法によれば、パルス幅を制御するだけで数
ＧＨｚ程度の発振波長を制御性よく変化させることが可
能である。
【００３２】また、本半導体レーザの発振波長制御方法
により、発振できる多波長パルス光は、波長によって時
間遅れがあり、これを利用すれば、今までにない新しい
応用が期待できる。
により、発振できる多波長パルス光は、波長によって時
間遅れがあり、これを利用すれば、今までにない新しい
応用が期待できる。
【図１】本発明の半導体レーザの一実施例の活性層付近
の模式的なエネルギーバンド図である。
の模式的なエネルギーバンド図である。
【図２】本発明の半導体レーザの共振方向断面図である
。
。
【図３】本発明の半導体レーザの発振波長の制御方法の
模式図である。
模式図である。
【図４】本発明の半導体レーザの他の実施例の２つの領
域からなる共振方向断面図である。
域からなる共振方向断面図である。
【図５】光導波領域〔ＩＩ〕での利得スペクトル図であ
る。
る。
【図６】本発明の半導体レーザの他の形態として、３つ
の量子井戸層からなる活性層のエネルギーバンド図（ａ
）とその駆動例（ｂ）である。
の量子井戸層からなる活性層のエネルギーバンド図（ａ
）とその駆動例（ｂ）である。
【図７】本発明の半導体レーザの静特性としての電流−
光出力曲線である。
光出力曲線である。
【図８】図４の他の実施例の駆動方法を説明する図であ
る。
る。
１ 量子井戸層１２
量子井戸層２３
障壁層 ４ 光・電子の閉じ込め層５
光・電子の閉じ込め層６
ｎ−クラッド層７
ｐ−クラッド層８ ｎ
＋−バッファ層９ ｐ＋−キャ
ップ層１０ ｎ＋−基板 １１ ｐ側電極 １２ ｎ側電極 〔Ｉ〕 パルス変調部 〔ＩＩ〕 光導波部 〔ＩＩＩ〕 分離溝
量子井戸層２３
障壁層 ４ 光・電子の閉じ込め層５
光・電子の閉じ込め層６
ｎ−クラッド層７
ｐ−クラッド層８ ｎ
＋−バッファ層９ ｐ＋−キャ
ップ層１０ ｎ＋−基板 １１ ｐ側電極 １２ ｎ側電極 〔Ｉ〕 パルス変調部 〔ＩＩ〕 光導波部 〔ＩＩＩ〕 分離溝
Claims (4)
- 【請求項１】 互いに異なるエネルギー準位を有する
複数の発光層から成る活性層を含み積層された半導体レ
ーザにおいて、注入パルス時間を変化させることにより
、発振波長を変化させることを特徴とする制御駆動方法
。 - 【請求項２】 前記活性層が互いに異なる量子準位を
有する複数の量子井戸構造から成り、かつ互いの量子井
戸内の注入キャリアは結合していないことを特徴とする
請求項１記載の駆動方法。 - 【請求項３】 前記半導体レーザの電流注入のための
電極が共振方向に複数設けられており、各々が直接変調
のための領域、導波、損失、増幅の少なくとも１つのた
めの領域に対応する２つの電極を少なくとも含み、複数
の波長の発振を制御することの可能であることを特徴と
する請求項１記載の駆動方法。 - 【請求項４】 バイアス電流を一定に設定しておき、
信号パルス電流を重畳させて発振波長及び光信号を制御
することを特徴とする請求項１記載の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14088691A JP3154417B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 半導体レーザの発振波長制御駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14088691A JP3154417B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 半導体レーザの発振波長制御駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340290A true JPH04340290A (ja) | 1992-11-26 |
| JP3154417B2 JP3154417B2 (ja) | 2001-04-09 |
Family
ID=15279069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14088691A Expired - Fee Related JP3154417B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 半導体レーザの発振波長制御駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3154417B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003535454A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-11-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 狭い波長分布を有する多重半導体レーザ構造 |
| JP2008159629A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Rohm Co Ltd | 光通信用半導体素子 |
| CN114899697A (zh) * | 2022-07-13 | 2022-08-12 | 日照市艾锐光电科技有限公司 | 一种双波长级联半导体激光器及制备方法 |
-
1991
- 1991-05-16 JP JP14088691A patent/JP3154417B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003535454A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-11-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 狭い波長分布を有する多重半導体レーザ構造 |
| JP2008159629A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Rohm Co Ltd | 光通信用半導体素子 |
| CN114899697A (zh) * | 2022-07-13 | 2022-08-12 | 日照市艾锐光电科技有限公司 | 一种双波长级联半导体激光器及制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3154417B2 (ja) | 2001-04-09 |
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