JPH04335222A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH04335222A JPH04335222A JP3105470A JP10547091A JPH04335222A JP H04335222 A JPH04335222 A JP H04335222A JP 3105470 A JP3105470 A JP 3105470A JP 10547091 A JP10547091 A JP 10547091A JP H04335222 A JPH04335222 A JP H04335222A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，レーザ光等の光学的手
段を用いて情報の記録，再生または消去を行う光記録再
生装置の光記録媒体に関するものである。
段を用いて情報の記録，再生または消去を行う光記録再
生装置の光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年，電子計算機，情報処理システムの
発達による処理情報量の急激な増加にともない，低価格
でしかも大容量の補助記憶装置およびその記録媒体，と
りわけ光ディスクの記録媒体（以下，光記録媒体）が注
目されている。光記録媒体には，光ビームのトラッキン
グガイドのための案内溝があり，これによって高密度記
録及びランダムアクセスが実現されている。
発達による処理情報量の急激な増加にともない，低価格
でしかも大容量の補助記憶装置およびその記録媒体，と
りわけ光ディスクの記録媒体（以下，光記録媒体）が注
目されている。光記録媒体には，光ビームのトラッキン
グガイドのための案内溝があり，これによって高密度記
録及びランダムアクセスが実現されている。
【０００３】以下、図面を参照しながら、上述した従来
の光記録媒体の一例について説明する。
の光記録媒体の一例について説明する。
【０００４】図３は従来の光記録媒体の構造図を示すも
のである。図３において、２１は光スポットのトラッキ
ングガイドのための案内溝を備えたポリカーボネート，
ポリオレフィン，アクリル，エポキシ樹脂等のプラスチ
ック基板であり，２２はＳｉＯ２，ＺｎＳ等の誘電体膜
，２３はＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ等の記録膜，２４
はＳｉＯ２，ＺｎＳ等の中間誘電体膜，２５はＡｌ，Ａ
ｌＴｉ，Ｃｕ等の反射膜，２６は２ＭｇＯ・ＳｉＯ２，
ＺｎＳ・ＳｉＯ２，ＳｉＮ等の保護膜，２７はエポキシ
アクリレート，エポキシ樹脂，アクリル樹脂等のオーバ
ーコート層，２８はエポキシアクリレート，エポキシ樹
脂，アクリル樹脂等のハードコート層である。 前記
プラスチック基板２１上には，誘電体膜２２，記録膜２
３，中間誘電体膜２４，反射膜２５，保護膜２６が順次
積層されており，その上にオーバーコート層２７でコー
ティングされた単板型構造の構成をしている。また，プ
ラスチック基板２１の光投入面側には，さらにハードコ
ート層２８によりコーティングされた構成をしている。
のである。図３において、２１は光スポットのトラッキ
ングガイドのための案内溝を備えたポリカーボネート，
ポリオレフィン，アクリル，エポキシ樹脂等のプラスチ
ック基板であり，２２はＳｉＯ２，ＺｎＳ等の誘電体膜
，２３はＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ等の記録膜，２４
はＳｉＯ２，ＺｎＳ等の中間誘電体膜，２５はＡｌ，Ａ
ｌＴｉ，Ｃｕ等の反射膜，２６は２ＭｇＯ・ＳｉＯ２，
ＺｎＳ・ＳｉＯ２，ＳｉＮ等の保護膜，２７はエポキシ
アクリレート，エポキシ樹脂，アクリル樹脂等のオーバ
ーコート層，２８はエポキシアクリレート，エポキシ樹
脂，アクリル樹脂等のハードコート層である。 前記
プラスチック基板２１上には，誘電体膜２２，記録膜２
３，中間誘電体膜２４，反射膜２５，保護膜２６が順次
積層されており，その上にオーバーコート層２７でコー
ティングされた単板型構造の構成をしている。また，プ
ラスチック基板２１の光投入面側には，さらにハードコ
ート層２８によりコーティングされた構成をしている。
【０００５】以上のように構成された光記録媒体では，
媒体上に光ビームを照射し，光吸収による局部的な温度
上昇あるいは化学変化を誘起して記録を行う。再生は，
記録によって誘起された媒体上の局部的な変化を記録時
とは強度あるいは波長の異なる光ビームを照射し，その
反射光あるいは透過光を検出して行う。
媒体上に光ビームを照射し，光吸収による局部的な温度
上昇あるいは化学変化を誘起して記録を行う。再生は，
記録によって誘起された媒体上の局部的な変化を記録時
とは強度あるいは波長の異なる光ビームを照射し，その
反射光あるいは透過光を検出して行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では，単板型構造であるために記録膜の内部応
力が大きい場合，またはオーバーコート層，ハードコー
ト層の膜厚が厚く硬化により膨張あるいは収縮する場合
には，ディスクが反るという課題を有していた。特に，
基板の光投入面が凹型に反っている場合，記録膜及び保
護膜を形成すると圧縮応力が加わり易く，チルト量が非
常に大きくなるという課題を有していた。
うな構成では，単板型構造であるために記録膜の内部応
力が大きい場合，またはオーバーコート層，ハードコー
ト層の膜厚が厚く硬化により膨張あるいは収縮する場合
には，ディスクが反るという課題を有していた。特に，
基板の光投入面が凹型に反っている場合，記録膜及び保
護膜を形成すると圧縮応力が加わり易く，チルト量が非
常に大きくなるという課題を有していた。
【０００７】さらに，光記録再生装置内の温度が上昇し
た場合には，記録膜が形成されていない側の基板面から
脱湿するので，基板の光投入面が凹型に反る方向に変化
するため，チルト量の増加により，記録再生時のサーボ
特性及び記録再生特性が低下するという課題を有してい
た。
た場合には，記録膜が形成されていない側の基板面から
脱湿するので，基板の光投入面が凹型に反る方向に変化
するため，チルト量の増加により，記録再生時のサーボ
特性及び記録再生特性が低下するという課題を有してい
た。
【０００８】本発明は上記課題に鑑み、単板型構造の光
記録媒体であって，基板からの脱吸湿のない場合には反
り量が小さく，記録膜が形成されてない側から脱湿した
場合にも反り量が大きくならない，信頼性の高い光記録
媒体を提供するものである。
記録媒体であって，基板からの脱吸湿のない場合には反
り量が小さく，記録膜が形成されてない側から脱湿した
場合にも反り量が大きくならない，信頼性の高い光記録
媒体を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の光記録媒体は，光により情報の記録，再生，
消去を行う単板型構造の光記録媒体であって，光投入面
が凸型の透明なプラスチック基板上に記録膜，反射膜，
保護膜を積層してなる圧縮応力をもった記録層，紫外線
硬化型のオーバーコート層を形成したという構成，ある
いはさらにハードコート層を形成したという構成を備え
たものである。
に本発明の光記録媒体は，光により情報の記録，再生，
消去を行う単板型構造の光記録媒体であって，光投入面
が凸型の透明なプラスチック基板上に記録膜，反射膜，
保護膜を積層してなる圧縮応力をもった記録層，紫外線
硬化型のオーバーコート層を形成したという構成，ある
いはさらにハードコート層を形成したという構成を備え
たものである。
【００１０】
【作用】本発明は上記した構成によって，基板からの脱
吸湿のない場合には反り量が小さく，記録膜が形成され
てない側から脱湿した場合にも反り量が大きくならない
，信頼性の高い光記録媒体を実現できることとなる。
吸湿のない場合には反り量が小さく，記録膜が形成され
てない側から脱湿した場合にも反り量が大きくならない
，信頼性の高い光記録媒体を実現できることとなる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例の光記録媒体について
、図面を参照しながら説明する。
、図面を参照しながら説明する。
【００１２】図１は、本発明の第１の実施例における光
記録媒体の構造図を示すものである。図１に於いて、１
は光スポットのトラッキングガイドのための案内溝を備
えたポリオレフィンの基板であり，２はＺｎＳの誘電体
膜，３はＴｂＦｅＣｏの記録膜，４はＺｎＳの中間誘電
体膜，５はＡｌＴｉの反射膜，６はＺｎＳ・ＳｉＯ２の
保護膜，７はエポキシアクリレートのオーバーコート層
である。
記録媒体の構造図を示すものである。図１に於いて、１
は光スポットのトラッキングガイドのための案内溝を備
えたポリオレフィンの基板であり，２はＺｎＳの誘電体
膜，３はＴｂＦｅＣｏの記録膜，４はＺｎＳの中間誘電
体膜，５はＡｌＴｉの反射膜，６はＺｎＳ・ＳｉＯ２の
保護膜，７はエポキシアクリレートのオーバーコート層
である。
【００１３】前記ポリオレフィンの基板１は射出圧縮成
形によって１．６μｍピッチでスパイラル状のトラッキ
ングガイドの溝及びフォーマット用のピット列を形成し
たものであり，光投入面が１〜２ｍｒａｄ凸型となるよ
うに成形した。２のＺｎＳ誘電体膜，４のＺｎＳ中間誘
電体膜は，それぞれ２×１０−３ｔｏｒｒのアルゴンガ
ス圧力の雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタリング法
により成膜したものである。３のＴｂＦｅＣｏ記録膜は
ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い，１×１０−２ｔｏ
ｒｒのアルゴンガス圧力の雰囲気中でＤＣマグネトロン
スパッタリング法により成膜したものである。５のＡｌ
Ｔｉ反射膜は，ＡｌＴｉ合金ターゲットを用い，１×１
０−２ｔｏｒｒのアルゴンガス圧力の雰囲気中でＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により成膜したものである
。６のＺｎＳ・ＳｉＯ２保護膜は，ＺｎＳターゲット，
ＳｉＯ２ターゲットの２種類のターゲットを１×１０−
２ｔｏｒｒのアルゴンガス圧力の雰囲気中でＲＦマグネ
トロンスパッタリング法により同時にスパッタリングし
，積層混合して成膜したものである。以上のように順次
積層し，１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力を
もった記録層を形成する。７のエポキシアクリレートの
オーバーコート層は，保護膜６の上にエポキシアクリレ
ートの樹脂を滴下させたあとスピンコートにより３６０
０ｒｐｍの回転数で４μｍの厚みに塗布し，メタルハラ
イドランプにより紫外線を照射して硬化させたものであ
る。ここでは，記録層が形成されてない側の基板面上に
ハードコートは行っていない。
形によって１．６μｍピッチでスパイラル状のトラッキ
ングガイドの溝及びフォーマット用のピット列を形成し
たものであり，光投入面が１〜２ｍｒａｄ凸型となるよ
うに成形した。２のＺｎＳ誘電体膜，４のＺｎＳ中間誘
電体膜は，それぞれ２×１０−３ｔｏｒｒのアルゴンガ
ス圧力の雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタリング法
により成膜したものである。３のＴｂＦｅＣｏ記録膜は
ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い，１×１０−２ｔｏ
ｒｒのアルゴンガス圧力の雰囲気中でＤＣマグネトロン
スパッタリング法により成膜したものである。５のＡｌ
Ｔｉ反射膜は，ＡｌＴｉ合金ターゲットを用い，１×１
０−２ｔｏｒｒのアルゴンガス圧力の雰囲気中でＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により成膜したものである
。６のＺｎＳ・ＳｉＯ２保護膜は，ＺｎＳターゲット，
ＳｉＯ２ターゲットの２種類のターゲットを１×１０−
２ｔｏｒｒのアルゴンガス圧力の雰囲気中でＲＦマグネ
トロンスパッタリング法により同時にスパッタリングし
，積層混合して成膜したものである。以上のように順次
積層し，１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力を
もった記録層を形成する。７のエポキシアクリレートの
オーバーコート層は，保護膜６の上にエポキシアクリレ
ートの樹脂を滴下させたあとスピンコートにより３６０
０ｒｐｍの回転数で４μｍの厚みに塗布し，メタルハラ
イドランプにより紫外線を照射して硬化させたものであ
る。ここでは，記録層が形成されてない側の基板面上に
ハードコートは行っていない。
【００１４】ここで，図４の記録層の応力とチルト量と
の関係図に示すように，記録層の応力が大きい場合には
，プラスチック基板のチルト量が大きくなる。また，図
５のオーバーコート層の膜厚とチルト量との関係図に示
すように，オーバーコート層の膜厚が厚くなるとチルト
量が大きくなる。したがって，基板，記録層及びオーバ
ーコート層の応力のバランスをとるためには，１×１０
１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力をもった記録層と，
１０μｍ以下，好ましくは５μｍ以下の硬化収縮型のオ
ーバーコート層をを用いればよい。
の関係図に示すように，記録層の応力が大きい場合には
，プラスチック基板のチルト量が大きくなる。また，図
５のオーバーコート層の膜厚とチルト量との関係図に示
すように，オーバーコート層の膜厚が厚くなるとチルト
量が大きくなる。したがって，基板，記録層及びオーバ
ーコート層の応力のバランスをとるためには，１×１０
１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力をもった記録層と，
１０μｍ以下，好ましくは５μｍ以下の硬化収縮型のオ
ーバーコート層をを用いればよい。
【００１５】このように光投入面が１〜２ｍｒａｄ凸型
となるように成形したポリオレフィン基板と，１×１０
１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力をもった記録層と，
１０μｍ以下の硬化収縮型のオーバーコート層を備えた
構成により単板型構造の場合にも応力のバランスがとれ
て，基板からの脱吸湿のない場合にはチルト量が２．０
ｍｒａｄ以下であり，記録膜が形成されてない側から脱
湿した場合にもチルト量が４．０ｍｒａｄ以下の優れた
光記録媒体を実現できるものである。
となるように成形したポリオレフィン基板と，１×１０
１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力をもった記録層と，
１０μｍ以下の硬化収縮型のオーバーコート層を備えた
構成により単板型構造の場合にも応力のバランスがとれ
て，基板からの脱吸湿のない場合にはチルト量が２．０
ｍｒａｄ以下であり，記録膜が形成されてない側から脱
湿した場合にもチルト量が４．０ｍｒａｄ以下の優れた
光記録媒体を実現できるものである。
【００１６】次に本発明の第２の実施例について図面を
参照しながら説明する。図２は、本発明の第２の実施例
における光記録媒体の構造図を示すものである。図２に
於いて、１１は光スポットのトラッキングガイドのため
の案内溝を備えたポリカーボネートの基板であり，１２
はＺｎＳの誘電体膜，１３はＴｂＦｅＣｏの記録膜，１
４はＺｎＳの中間誘電体膜，１５はＡｌＴｉの反射膜，
１６はＺｎＳ・ＳｉＯ２の保護膜，１７はエポキシアク
リレートのオーバーコート層，１８はエポキシアクリレ
ートのハードコート層である。
参照しながら説明する。図２は、本発明の第２の実施例
における光記録媒体の構造図を示すものである。図２に
於いて、１１は光スポットのトラッキングガイドのため
の案内溝を備えたポリカーボネートの基板であり，１２
はＺｎＳの誘電体膜，１３はＴｂＦｅＣｏの記録膜，１
４はＺｎＳの中間誘電体膜，１５はＡｌＴｉの反射膜，
１６はＺｎＳ・ＳｉＯ２の保護膜，１７はエポキシアク
リレートのオーバーコート層，１８はエポキシアクリレ
ートのハードコート層である。
【００１７】前記ポリカーボネートの基板１１は射出圧
縮成形によって１．６μｍピッチでスパイラル状のトラ
ッキングガイドの溝及びフォーマット用のピット列を形
成したものであり，光投入面が１〜２ｍｒａｄ凸型とな
るように成形した。１２のＺｎＳ誘電体膜，１４のＺｎ
Ｓ中間誘電体膜は，それぞれ２×１０−３ｔｏｒｒのア
ルゴンガス圧力の雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタ
リング法により成膜したものである。１３のＴｂＦｅＣ
ｏ記録膜はＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い，１×１
０−２ｔｏｒｒのアルゴンガス圧力の雰囲気中でＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により成膜したものである
。１５のＡｌＴｉ反射膜は，ＡｌＴｉ合金ターゲットを
用い，１×１０−２ｔｏｒｒのアルゴンガス圧力の雰囲
気中でＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜し
たものである。１６のＺｎＳ・ＳｉＯ２保護膜は，Ｚｎ
Ｓターゲット，ＳｉＯ２ターゲットの２種類のターゲッ
トを１×１０−２ｔｏｒｒのアルゴンガス圧力の雰囲気
中でＲＦマグネトロンスパッタリング法により同時にス
パッタリングし，積層混合して成膜したものである。以
上のように順次積層し，１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以
下の圧縮応力をもった記録層を形成する。 １７のエポキシアクリレートのオーバーコート層は，保
護膜１６の上にエポキシアクリレートの樹脂を滴下させ
たあとスピンコートにより３０００ｒｐｍの回転数で５
μｍの厚みに塗布し，メタルハライドランプにより紫外
線を照射して硬化させたものである。１８のエポキシア
クリレートのハードコート層は，記録層が形成されてな
い側の基板面上にエポキシアクリレートの樹脂を滴下さ
せたあとスピンコートにより３６００ｒｐｍの回転数で
４μｍの厚みに塗布し，メタルハライドランプにより紫
外線を照射して硬化させたものである。
縮成形によって１．６μｍピッチでスパイラル状のトラ
ッキングガイドの溝及びフォーマット用のピット列を形
成したものであり，光投入面が１〜２ｍｒａｄ凸型とな
るように成形した。１２のＺｎＳ誘電体膜，１４のＺｎ
Ｓ中間誘電体膜は，それぞれ２×１０−３ｔｏｒｒのア
ルゴンガス圧力の雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタ
リング法により成膜したものである。１３のＴｂＦｅＣ
ｏ記録膜はＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い，１×１
０−２ｔｏｒｒのアルゴンガス圧力の雰囲気中でＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により成膜したものである
。１５のＡｌＴｉ反射膜は，ＡｌＴｉ合金ターゲットを
用い，１×１０−２ｔｏｒｒのアルゴンガス圧力の雰囲
気中でＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜し
たものである。１６のＺｎＳ・ＳｉＯ２保護膜は，Ｚｎ
Ｓターゲット，ＳｉＯ２ターゲットの２種類のターゲッ
トを１×１０−２ｔｏｒｒのアルゴンガス圧力の雰囲気
中でＲＦマグネトロンスパッタリング法により同時にス
パッタリングし，積層混合して成膜したものである。以
上のように順次積層し，１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以
下の圧縮応力をもった記録層を形成する。 １７のエポキシアクリレートのオーバーコート層は，保
護膜１６の上にエポキシアクリレートの樹脂を滴下させ
たあとスピンコートにより３０００ｒｐｍの回転数で５
μｍの厚みに塗布し，メタルハライドランプにより紫外
線を照射して硬化させたものである。１８のエポキシア
クリレートのハードコート層は，記録層が形成されてな
い側の基板面上にエポキシアクリレートの樹脂を滴下さ
せたあとスピンコートにより３６００ｒｐｍの回転数で
４μｍの厚みに塗布し，メタルハライドランプにより紫
外線を照射して硬化させたものである。
【００１８】このように光投入面が１〜２ｍｒａｄ凸型
となるように成形したポリカーボネート基板と，１×１
０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力をもった記録層と
，１０μｍ以下の硬化収縮型のオーバーコート層及びハ
ードコート層を備えた構成により単板型構造の場合にも
応力のバランスがとれて，基板からの脱吸湿のない場合
にはチルト量が２．０ｍｒａｄ以下であり，記録膜が形
成されてない側から脱湿した場合にもチルト量が４．０
ｍｒａｄ以下の優れた光記録媒体を実現できるものであ
る。
となるように成形したポリカーボネート基板と，１×１
０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力をもった記録層と
，１０μｍ以下の硬化収縮型のオーバーコート層及びハ
ードコート層を備えた構成により単板型構造の場合にも
応力のバランスがとれて，基板からの脱吸湿のない場合
にはチルト量が２．０ｍｒａｄ以下であり，記録膜が形
成されてない側から脱湿した場合にもチルト量が４．０
ｍｒａｄ以下の優れた光記録媒体を実現できるものであ
る。
【００１９】なお，本実施例では，光スポットのトラッ
キングガイドのための案内溝を備えたポリカーボネート
あるいはポリオレフィンの基板１上に，ＺｎＳの誘電体
膜２，ＴｂＦｅＣｏの記録膜３，ＺｎＳの中間誘電体膜
４，ＡｌＴｉの反射膜５，ＺｎＳ・ＳｉＯ２の保護膜６
がそれぞれ順次積層された記録層の上に，エポキシアク
リレートのオーバーコート層７を，記録層が形成されて
ない側の基板面上にエポキシアクリレートのハードコー
ト層８をそれぞれ形成された構成の光記録媒体を用いて
述べてきたが，プラスチック基板１には，アクリル，エ
ポキシ，その他のプラスチック基板を用いても光投入面
が０〜３ｍｒａｄ凸型となるように成形したものであり
，圧縮応力をもった記録層と，オーバーコート層により
応力のバランスがとれた構成，あるいはさらにハードコ
ート層により応力のバランスがとれた構成であればよい
。
キングガイドのための案内溝を備えたポリカーボネート
あるいはポリオレフィンの基板１上に，ＺｎＳの誘電体
膜２，ＴｂＦｅＣｏの記録膜３，ＺｎＳの中間誘電体膜
４，ＡｌＴｉの反射膜５，ＺｎＳ・ＳｉＯ２の保護膜６
がそれぞれ順次積層された記録層の上に，エポキシアク
リレートのオーバーコート層７を，記録層が形成されて
ない側の基板面上にエポキシアクリレートのハードコー
ト層８をそれぞれ形成された構成の光記録媒体を用いて
述べてきたが，プラスチック基板１には，アクリル，エ
ポキシ，その他のプラスチック基板を用いても光投入面
が０〜３ｍｒａｄ凸型となるように成形したものであり
，圧縮応力をもった記録層と，オーバーコート層により
応力のバランスがとれた構成，あるいはさらにハードコ
ート層により応力のバランスがとれた構成であればよい
。
【００２０】また，誘電体膜２および中間誘電体膜４に
は，ＳｉＯ２，ＳｉＮ，ＺｎＳｅ・ＳｉＯ２，ＺｎＳ・
ＳｉＯ２，ＡｌＯＮ，ＡｌＴｉＯＮ等の材料を，記録膜
３には，ＴｂＦｅ，ＴｂＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＤｙＦｅ
Ｃｏ等の光磁気材料，ＧｅＴｅＳｂ等の相変化型光記録
材料を，反射膜５には，Ａｌ，ＡｌＣｒ，Ｃｕ，ＣｕＴ
ｉ等の材料を，保護膜６には，２ＭｇＯ・ＳｉＯ２，Ｚ
ｎＳｅ・ＳｉＯ２，ＳｉＮ，ＡｌＴｉＯＮ等の材料を用
い，個々の材料の内部応力は，圧縮応力と引張り応力の
組合せであっても，積層した膜全体の持つ応力が１×１
０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力をもった記録層で
あれば同等あるいはそれ以上の効果が得られる。
は，ＳｉＯ２，ＳｉＮ，ＺｎＳｅ・ＳｉＯ２，ＺｎＳ・
ＳｉＯ２，ＡｌＯＮ，ＡｌＴｉＯＮ等の材料を，記録膜
３には，ＴｂＦｅ，ＴｂＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＤｙＦｅ
Ｃｏ等の光磁気材料，ＧｅＴｅＳｂ等の相変化型光記録
材料を，反射膜５には，Ａｌ，ＡｌＣｒ，Ｃｕ，ＣｕＴ
ｉ等の材料を，保護膜６には，２ＭｇＯ・ＳｉＯ２，Ｚ
ｎＳｅ・ＳｉＯ２，ＳｉＮ，ＡｌＴｉＯＮ等の材料を用
い，個々の材料の内部応力は，圧縮応力と引張り応力の
組合せであっても，積層した膜全体の持つ応力が１×１
０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力をもった記録層で
あれば同等あるいはそれ以上の効果が得られる。
【００２１】さらに，オーバーコート層７には，エポキ
シ樹脂，アクリル樹脂，エポキシアクリレートとアクリ
ルモノマー，揮発性の溶剤等を加えた高分子材料を，ハ
ードコート層８には，エポキシ樹脂，アクリル樹脂，エ
ポキシアクリレートとアクリルモノマー，揮発性の溶剤
等を加えた高分子材料を，オーバーコート層７とハード
コート層８とは異なった組合せの材料を用いた場合にも
，膜厚が１０μｍ以下の紫外線硬化型のコート層であれ
ば，また，表面硬度の大きい材料の基板１を用いた場合
にはハードコート層８を用いなくても基板，記録層及び
オーバーコート層により応力のバランスがとれた構成，
あるいはさらにハードコート層により応力のバランスが
とれた構成であれば同等あるいはそれ以上の効果が得ら
れる。
シ樹脂，アクリル樹脂，エポキシアクリレートとアクリ
ルモノマー，揮発性の溶剤等を加えた高分子材料を，ハ
ードコート層８には，エポキシ樹脂，アクリル樹脂，エ
ポキシアクリレートとアクリルモノマー，揮発性の溶剤
等を加えた高分子材料を，オーバーコート層７とハード
コート層８とは異なった組合せの材料を用いた場合にも
，膜厚が１０μｍ以下の紫外線硬化型のコート層であれ
ば，また，表面硬度の大きい材料の基板１を用いた場合
にはハードコート層８を用いなくても基板，記録層及び
オーバーコート層により応力のバランスがとれた構成，
あるいはさらにハードコート層により応力のバランスが
とれた構成であれば同等あるいはそれ以上の効果が得ら
れる。
【００２２】また，本実施例では，誘電体膜２，記録膜
３，中間誘電体膜４，反射膜５，保護膜６がそれぞれ順
次積層された５層構造の記録層としたが，中間誘電体膜
４のない４層構造の場合，あるいは，中間誘電体膜４，
反射膜５がなく，記録膜を誘電体膜および保護膜で挟ん
だ３層構造の場合にも，さらに，個々の材料の内部応力
は，圧縮応力と引張り応力の組合せであっても，積層し
た膜全体の持つ応力が１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下
の圧縮応力をもった記録層であれば同等あるいはそれ以
上の効果が得られる。
３，中間誘電体膜４，反射膜５，保護膜６がそれぞれ順
次積層された５層構造の記録層としたが，中間誘電体膜
４のない４層構造の場合，あるいは，中間誘電体膜４，
反射膜５がなく，記録膜を誘電体膜および保護膜で挟ん
だ３層構造の場合にも，さらに，個々の材料の内部応力
は，圧縮応力と引張り応力の組合せであっても，積層し
た膜全体の持つ応力が１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下
の圧縮応力をもった記録層であれば同等あるいはそれ以
上の効果が得られる。
【００２３】以上のように本実施例によれば，光により
情報の記録，再生，消去を行う単板型構造の光記録媒体
であって，光投入面が凸型となるように成形したプラス
チック基板と，記録膜，反射膜，保護膜を積層してなる
１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力をもった記
録層記録層と，紫外線硬化型のオーバーコート層により
応力のバランスがとれた構成，あるいはさらにハードコ
ート層により応力のバランスがとれた構成を備えたこと
により，基板からの脱吸湿のない場合にはチルト量が２
．０ｍｒａｄ以下と小さく，記録層が形成されてない側
から脱湿した場合にもチルト量が４．０ｍｒａｄ以下と
いうようにディスクの反り量の変化が小さく，優れた光
記録媒体を実現することができる。
情報の記録，再生，消去を行う単板型構造の光記録媒体
であって，光投入面が凸型となるように成形したプラス
チック基板と，記録膜，反射膜，保護膜を積層してなる
１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力をもった記
録層記録層と，紫外線硬化型のオーバーコート層により
応力のバランスがとれた構成，あるいはさらにハードコ
ート層により応力のバランスがとれた構成を備えたこと
により，基板からの脱吸湿のない場合にはチルト量が２
．０ｍｒａｄ以下と小さく，記録層が形成されてない側
から脱湿した場合にもチルト量が４．０ｍｒａｄ以下と
いうようにディスクの反り量の変化が小さく，優れた光
記録媒体を実現することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明は，光により情報の
記録，再生，消去を行う単板型構造の光記録媒体であっ
て，光投入面が凸型となるように成形したプラスチック
基板と，記録膜，反射膜，保護膜を積層してなる１×１
０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力をもった記録層と
，硬化収縮型のオーバーコート層により応力のバランス
がとれた構成，あるいはさらにハードコート層により応
力のバランスがとれた構成を備えたことにより，基板か
らの脱吸湿のない場合にはチルト量が２．０ｍｒａｄ以
下と小さく，記録層が形成されてない側から脱湿した場
合にもチルト量が４．０ｍｒａｄ以下というようにディ
スクの反り量の変化が小さく，信頼性の高い光記録媒体
を実現することができる。
記録，再生，消去を行う単板型構造の光記録媒体であっ
て，光投入面が凸型となるように成形したプラスチック
基板と，記録膜，反射膜，保護膜を積層してなる１×１
０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力をもった記録層と
，硬化収縮型のオーバーコート層により応力のバランス
がとれた構成，あるいはさらにハードコート層により応
力のバランスがとれた構成を備えたことにより，基板か
らの脱吸湿のない場合にはチルト量が２．０ｍｒａｄ以
下と小さく，記録層が形成されてない側から脱湿した場
合にもチルト量が４．０ｍｒａｄ以下というようにディ
スクの反り量の変化が小さく，信頼性の高い光記録媒体
を実現することができる。
【００２５】さらに，ディスクのチルト量の変化が小さ
いために，サーボ特性にも優れ，環境変化に対しても記
録再生特性の安定した優れた光記録媒体を実現すること
ができる。
いために，サーボ特性にも優れ，環境変化に対しても記
録再生特性の安定した優れた光記録媒体を実現すること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例に於ける光記録媒体の構
成図である。
成図である。
【図２】本発明の第２の実施例に於ける光記録媒体の構
成図である。
成図である。
【図３】従来の光記録媒体の構成図である。
【図４】光記録媒体の記録層の応力とチルト量との関係
図である。
図である。
【図５】光記録媒体のオーバーコート層の膜厚とチルト
量との関係図である。
量との関係図である。
１ 基板
２ 誘電体膜
３ 記録膜
４ 中間誘電体膜
５ 反射膜
６ 保護膜
７ オーバーコート層
１１ 基板
１２ 誘電体膜
１３ 記録膜
１４ 中間誘電体膜
１５ 反射膜
１６ 保護膜
１７ オーバーコート層
１８ ハードコート層
２１ 基板
２２ 誘電体膜
２３ 記録膜
２４ 中間誘電体膜
２５ 反射膜
２６ 保護膜
２７ オーバーコート層
２８ ハードコート層
Claims (5)
- 【請求項１】 光により情報の記録，再生，消去を行
う単板型構造の光記録媒体であって，光投入面が凸型の
透明なプラスチック基板上に記録膜，反射膜，保護膜を
積層してなる圧縮応力をもった記録層，前記記録層の上
に紫外線硬化型のオーバーコート層を備えたことを特徴
とする光記録媒体。 - 【請求項２】 光により情報の記録，再生，消去を行
う単板型構造の光記録媒体であって，光投入面が凸型の
透明なプラスチック基板上に記録膜，反射膜，保護膜を
積層してなる圧縮応力をもった記録層，前記記録層の上
に紫外線硬化型のオーバーコート層を備え，前記プラス
チック基板の光投入面側に紫外線硬化型のハードコート
層を備えたことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項３】 透明なプラスチック基板としては，ポ
リカーボネート，ポリオレフィン，アクリル，エポキシ
樹脂を用い，光投入面が凸型であってチルト量が３ｍｒ
ａｄ以下であることを特徴とする請求項１または２記載
の光記録媒体。 - 【請求項４】 記録層は，積層された膜全体が１×１
０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下の圧縮応力をもった記録層で
あることを特徴とする請求項１または２記載の光記録媒
体。 - 【請求項５】 オーバーコート層及びハードコート層
としては，エポキシアクリレート，エポキシ樹脂，アク
リル樹脂の紫外線硬化樹脂を用い，コート層の膜厚がそ
れぞれ１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105470A JP2940215B2 (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105470A JP2940215B2 (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04335222A true JPH04335222A (ja) | 1992-11-24 |
| JP2940215B2 JP2940215B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=14408480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3105470A Expired - Lifetime JP2940215B2 (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2940215B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7494700B2 (en) | 2004-03-03 | 2009-02-24 | Nec Corporation | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
-
1991
- 1991-05-10 JP JP3105470A patent/JP2940215B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7494700B2 (en) | 2004-03-03 | 2009-02-24 | Nec Corporation | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2940215B2 (ja) | 1999-08-25 |
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