JPH04333512A - 極低炭素鋼の溶製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、製鋼炉で溶製された未
脱酸もしくは弱脱酸溶鋼をＲＨ法、ＤＨ法、ＶＯＤ法等
を用いて脱炭して、鋼中炭素濃度１０ｐｐｍ未満の極低
炭素鋼を迅速にかつ装置の操業性を損なうことなく溶製
することができる、真空脱炭処理による極低炭素鋼の製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】冷延鋼板の焼鈍プロセスの短期化及び能
率向上の観点から、連続焼鈍設備の採用が近年盛んであ
る。これに適合する素材として炭素濃度（重量分率、以
下〔Ｃ〕と記す）１０ｐｐｍないし数ｐｐｍの極低炭素
鋼が要求されるようになってきた。

【０００３】極低炭素鋼は従来から、転炉において〔Ｃ
〕＝０．０２〜０．０５重量％まで脱炭した溶鋼を、Ｒ
Ｈ法等の真空脱ガス装置を用いて減圧下で脱炭する方法
により溶製されてきた。真空脱ガス装置による脱炭では
、〔Ｃ〕＜５０ｐｐｍの極低炭領域において、次第に脱
炭速度が低下するため、〔Ｃ〕＜１０ｐｐｍといった極
低炭素鋼を工業的に大量に溶製することは困難であった
。例えばＲＨ真空脱ガス装置を用いて転炉で溶製された
未脱酸溶鋼を〔Ｃ〕＜１０ｐｐｍまで脱炭する場合には
、環流速度を増大するなどの対策をとったとしても３０
〜４０分以上といった長時間の脱炭処理を必要としてい
た。

【０００４】このような極低炭素濃度領域における反応
の律速過程は、溶鋼中の炭素の反応サイトへの物質移動
過程であると考えられていることから、反応界面積を増
大して反応速度を向上する試みがなされている。その場
合の反応サイトとしては、溶鋼内気泡／溶鋼界面、脱ガ
ス容器内鋼浴表面、気泡が鋼浴を離脱する際に随伴する
スプラッシュなどが想定されるが、その各々の寄与は必
ずしも明確ではなく、撹拌用あるいは環流用のＡｒガス
量を増すことが上記３点に有効であろうとの観点から、
５Ｎｍ３　／分にも及ぶ大量のＡｒガスを溶鋼中へ吹き
込む技術がＲＨ脱ガス装置において採用されている現状
にとどまる。

【０００５】さらに、極低炭素濃度域での脱炭反応の促
進方法としては、真空脱炭処理中に溶鋼中に多量の水素
を添加して脱ガス容器内で気泡を活発に発生させること
により気液界面積を増し脱炭反応を促進する方法が、特
開昭５７−１９４２０６号公報に開示されている。真空
脱炭処理を継続しながら水素含有物質を添加する方法で
は、脱炭を効果的に促進するには２３５トン規模のＲＨ
の場合で０．２〜１ｋｇ／分もの大量の水素ガスを溶鋼
鍋底部に設置した多孔質耐火物プラグ等を通して溶鋼中
に吹込む必要があった。本発明者らがこの方法について
２５０トン規模のＲＨ脱ガス装置で実験を行ったところ
では、効果的に脱炭反応を促進するために５ｐｐｍ程度
の鋼中水素濃度を維持するには、２．５Ｎｍ３　／分も
の大量の水素ガス相当の水素を溶鋼中に添加することが
必要である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ＲＨ真空脱ガス装置で
は、脱炭速度を増大するために環流速度を増大する方法
をとっても、〔Ｃ〕＜１０ｐｐｍまで脱炭するにはなお
３０〜４０分以上といった長時間の脱炭処理を必要とし
、大幅な溶製コストの増大と生産性の低下を招いていた
。

【０００７】また真空脱炭処理中に溶鋼中に水素を添加
する方法では効果的に脱炭を促進するには大量の水素を
溶鋼中に添加する必要があった。しかし溶鋼鍋底部に設
置した多孔質耐火物プラグやインジェクションランスを
用いてこのような大量の水素ガスを取鍋内の溶鋼中に吹
込むことは、ガス撹拌に伴う溶鋼の飛散による設備損傷
の問題やガス吹込み羽口や浸漬管耐火物等の耐用性の観
点から工業的規模で実施することが困難であると考えら
れる。またＲＨ脱ガス装置の場合浸漬管に設置された環
流ガス吹込み用羽口から水素ガスを吹込む方法も考えら
れるが、そのような方法では水素ガスの溶解効率が低く
、脱炭処理中の鋼中水素濃度が３ｐｐｍ程度までしか上
昇せず、効果的な鋼中水素濃度が維持できないため脱炭
の促進効果が小さかった。

【０００８】本発明は〔Ｃ〕＜１０ｐｐｍまでの極低炭
領域での脱炭を迅速に行うと共に、従来安定大量生産が
困難であった〔Ｃ〕＜１０ｐｐｍの超極低炭素鋼を安定
的に溶製可能な技術を提供しようとするものである。そ
の際に従来の方法に見られるような地金付きによる操業
性の悪化や、羽口や耐火物の耐用性などの問題を生じる
ことなく、工業的規模において上記課題を達成できる方
法を提供しようとするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の技術手段は、製
鋼炉で溶製された未脱酸もしくは弱脱酸溶鋼をＲＨ法、
ＤＨ法、ＶＯＤ法等を用いて真空脱炭処理を行うにあた
り、所定の鋼中炭素濃度まで真空脱炭処理を行った後、
脱炭速度を低下させるかもしくは実質的に脱炭を停止し
て、水素を溶鋼中へ溶解させる水素添加処理を行って所
定水素濃度に調整し、その後再度真空脱炭処理を行うこ
とを特徴とする極低炭素鋼の溶製方法である。この場合
に〔Ｃ〕が２５ｐｐｍ以下の時点において前記水素添加
処理を行い、水素添加処理後の溶鋼中水素濃度（重量分
率、以下〔Ｈ〕と記す）を次の（１）式を満たす範囲と
するよう水素添加処理を行うとよい。

【００１０】 　　　　　　　　〔Ｈ〕≧（〔Ｃ〕−〔Ｃ〕ｆｉｎａｌ
）／５＋４　　　　　　　　　　…（１）ただし、 〔Ｈ〕：溶鋼中水素濃度（ｐｐｍ） 〔Ｃ〕ｆｉｎａｌ：脱炭目標〔Ｃ〕値（ｐｐｍ）である
。

【００１１】また、水素添加処理中は脱ガス容器内の圧
力を２０Ｔｏｒｒ以上とし、その後脱ガス容器内の圧力
２Ｔｏｒｒ以下として真空脱炭処理を行うとよい。また
、脱ガス容器内の圧力を３０Ｔｏｒｒ以上とすれば、必
ずしも溶鋼中の深部から水素含有物質を添加する必要は
なく、脱ガス容器内の溶鋼浴面上に水素含有物質を添加
する手段によって水素添加処理を行ってもよい。

【００１２】さらに、真空脱ガス装置としてＲＨ真空脱
ガス装置を用いる場合には、水素を溶鋼中へ溶解させる
手段として、ＲＨ上昇管内側面の環流ガス用羽口、ＲＨ
上昇管内に吹込みガスが浮上するように鍋内溶鋼中に浸
漬されたインジェクションランス、ＲＨ脱ガス容器側面
に設置されたガス吹込み羽口、ＲＨ脱ガス容器内の溶鋼
浴面上に設置した水冷構造の昇降可能な上吹きランスの
うちいずれか一箇所以上から水素含有物質を吹込むこと
が好適である。

【００１３】また、水素添加処理後に再度真空脱炭処理
を行う際に、ＲＨ脱ガス装置を用いる場合には、ＲＨ上
昇管内側面の環流ガス用羽口、溶鋼鍋に設置されたガス
吹込み羽口、鍋内溶鋼中に浸漬されたインジェクション
ランスのいずれか一箇所以上から水素含有物質を吹込む
ことによりさらに脱炭の促進が可能となる。前記水素含
有物質としては、水素ガス、水蒸気、水酸化カルシウム
、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムのうち一つ
以上を含有するものを用いて前記水素添加処理を行う。

【００１４】

【作用】極低炭素濃度域での脱炭反応の促進方法として
、真空脱炭処理中に溶鋼中に多量の水素を添加して脱ガ
ス容器内で気泡を活発に発生させることにより気液界面
積を増し脱炭反応を促進する方法について、主として２
５０トン規模のＲＨ脱ガス装置で実験を行ったところ前
述のように水素の添加方法に問題があり、工業的規模に
おいてこの方法を適用することは困難であった。そこで
脱炭を促進するための効果的な水素添加方法について発
明者らが研究を行った結果、本方法を発明するに到った
。

【００１５】真空脱炭処理を継続しながら水素含有物質
を添加する方法では、脱炭反応と同時に脱水素反応が起
こるために、脱炭促進に効果的な高い〔Ｈ〕を維持する
には高速で水素を添加する必要があった。しかし本発明
者らは、所定の〔Ｃ〕域において所定以上の〔Ｈ〕を得
られれば脱炭を促進するのに十分な効果が得られ、必ず
しも長時間にわたって高い〔Ｈ〕を維持する必要はない
ことを見出した。真空脱ガス処理中に〔Ｈ〕を高値に保
つことは、前述のように水素添加速度の問題で既存の設
備では操業上の困難を伴うが、一時的に真空脱ガス処理
を中断して〔Ｈ〕を上昇させるだけならば、比較的低い
添加速度でも容易に実現可能である。

【００１６】また、脱炭処理中の適当な時期において操
業真空度を低下させて脱ガス反応を抑制しつつ水素を添
加する水素添加処理により適当な〔Ｃ〕、〔Ｈ〕に調節
した後、再度操業真空度を向上させて脱ガス反応を活性
化する方法によっても効果的な脱炭の促進が可能である
。この場合〔Ｈ〕は水素添加処理で一旦上昇するが、真
空度を向上させた後は急速に低下して５分程度で２．５
ｐｐｍ程度にまで低下する。一方、〔Ｃ〕は水素添加処
理中はあまり変化せず、その後の脱炭処理の初期５分程
度で急速に低下するが、〔Ｈ〕の低下と共に脱炭促進効
果も次第に低下し、〔Ｈ〕が２．５ｐｐｍ程度以下にま
で低下すると脱炭速度は従来法のレベルまで低下する。

【００１７】そこで、再脱炭処理開始から〔Ｈ〕＜２．
５ｐｐｍとなるまでの間に〔Ｃ〕＜１０ｐｐｍまで脱炭
可能な再脱炭開始時の〔Ｃ〕ｉｎｉｔｉａｌ，〔Ｈ〕ｉ
ｎｉｔｉａｌの範囲を図２に示す。図２の曲線よりも高
水素濃度、低炭素濃度の条件を選べば〔Ｃ〕＜１０ｐｐ
ｍまで脱炭可能であるが、脱炭速度と水素添加速度の兼
ね合いから全体の処理時間が最短となるよう条件を決め
ればよい。

【００１８】図７から〔Ｃ〕＞２５ｐｐｍにおいて水素
を添加する場合には、次第に水素添加の効果が小さくな
るため、さらに大幅に水素濃度を上昇する必要があり、
水素添加の効率や水素添加にかかる時間から考えると得
策ではない。また、通常の真空脱ガス装置では〔Ｃ〕＝
２５ｐｐｍ付近から急に脱炭速度が低下することからも
、〔Ｃ〕＜２５ｐｐｍの領域において本発明法を適用す
ることが有利である。

【００１９】図７は脱炭目標値〔Ｃ〕ｆｉｎａｌを１０
ｐｐｍとした場合のグラフであるが、この範囲では前記
（１）式を満たす範囲に再脱炭処理前の〔Ｈ〕ｉｎｉｔ
ｉａｌを調節すれば、脱炭目標値以下に速やかに脱炭可
能であることがわかる。全体の処理時間を短縮するため
には、水素を高速で添加して水素添加処理時の時間も短
縮することが必要である。本発明法では水素添加処理中
の脱ガス容器内の圧力を高値に保つことにより脱水素反
応を抑制すると共に、脱ガス容器内における水素ガスの
溶鋼中への吸収により高速添加が可能である。〔Ｈ〕＝
７ｐｐｍまで添加する場合、平衡水素分圧が約５０Ｔｏ
ｒｒであることから脱ガス容器内圧力を５０Ｔｏｒｒ程
度にすればよいと考えられるが、適当な水素添加方法と
すれば２０Ｔｏｒｒの圧力でも実質的な水素添加速度に
大きな差はない。

【００２０】図８は２５０ｔ規模のＲＨ脱ガス装置にお
いて、上昇管の環流ガス用羽口からＨ２　ガスを６．０
Ｎｍ３　／分、Ａｒガスを１．０Ｎｍ３　／分吹込んだ
場合の、脱ガス容器内の圧力と水素ガスの溶解効率の関
係を示した図である。ここで〔Ｈ〕は３〜７ｐｐｍの範
囲である。従来法では、浸漬管内に大量の水素ガスを吹
込むこと自体は可能であったが、水素ガスの溶解効率が
低いために、十分効果的な水素濃度が得られなかった。 これに対して本発明法では浸漬管から大量の水素ガスを
吹込んだ場合でも溶解効率が高い。

【００２１】さらに脱ガス容器内の圧力を３０Ｔｏｒｒ
以上とすれば、脱ガス容器内の溶鋼中の比較的浅い部分
あるいは、脱ガス容器内の溶鋼浴面上から水素含有物質
を添加しても効率的な水素の添加が可能である。この方
法によれば、例えば上吹ランスを用いるなどして、比較
的設備上あるいは操業上の制約を受けずに、さらに高速
で水素ガスを吹込むことが可能である。

【００２２】図９は２５０ｔ規模のＲＨ脱ガス装置にお
いて、初期〔Ｈ〕濃度約２ｐｐｍの溶鋼は脱ガス容器内
に装入した上吹ランスを用いて溶鋼浴面から２．０ｍの
高さから１０Ｎｍ３　／分の吹込速度で水素ガスを上吹
した時の５分後の〔Ｈ〕濃度と脱ガス容器内圧力の関係
を示した図である。また同じ図に水素分圧と１６００℃
での平衡値〔Ｈ〕の関係も示した図である。

【００２３】ＲＨ脱ガス装置を用いる場合、水素添加処
理中の水素添加手段としては、図１〜図４に示す如く、
操業上容易な方法で高速の水素含有物質を脱ガス容器内
、あるいは溶鋼中を通じて脱ガス容器内へ供給すること
が肝要である。すなわち （ａ）上昇管内側面の環流ガス用羽口４（図１）（ｂ）
上昇管内に吹込みガスが浮上するように鍋内溶鋼中に浸
漬されたインジェクションランス５（図２）（ｃ）脱ガ
ス容器１内の溶鋼浴面上に設置した水冷構造の昇降可能
な上吹きランス６（図３） （ｄ）脱ガス容器側面に設置されたガス吹込み羽口７（
図４） などにより上記のような高速のガス吹込みが可能である
。また、これらの手段のうち複数の手段を併用すること
により、さらに高速で水素を溶解することも可能である
。

【００２４】また水素添加処理に続く再脱炭処理中にも
水素の添加を継続することは、高〔Ｈ〕状態を少しでも
長時間維持してさらに脱炭を促進するのに有効である。 この際の水素添加手段としては、脱ガス容器内での水素
の溶解効率が著しく低下することから、溶鋼中に水素含
有物質を吹込んで浮上距離をできるだけ長くとるなどし
て溶解速度を向上し、しかも操業上容易な手段であるこ
とが肝要である。ＲＨ脱ガス装置の場合には、上昇管内
側面の環流ガス用羽口（図１）、溶鋼鍋に設置されたガ
ス吹込み羽口（図５）、鍋内溶鋼中に浸漬されたインジ
ェクションランス（図６）などを用いて適切な速度で水
素含有物質を添加することにより、操業を阻害すること
なく、ある程度有効な水素の溶解が可能である。さらに
これらの添加手段のうち、複数の手段を併用することに
より、水素高速添加時の問題を軽減しつつ、水素の溶解
速度を増大して脱炭を促進することもできる。

【００２５】また上記の水素含有物質としては水素ガス
を含む気体のほか、水、水蒸気、水酸化カルシウムなど
でも直ちに解離して水素として溶鋼中に溶解するので同
等の効果が得られる。

【００２６】

【実施例】本発明法を２５０トン規模のＲＨ脱ガス装置
において実施した場合の例を示す。転炉で溶製した〔Ｃ
〕が約３５０ｐｐｍ、酸素濃度が約４５０ｐｐｍの未脱
酸溶鋼２５０トンをＲＨ脱ガス装置を用いて脱炭処理し
た。

【００２７】表１に実施例及び比較例を示した。実施例
１では、脱ガス容器１内の排気及び環流ガス用羽口４か
らＡｒガス２．０Ｎｍ３　／分の吹込みを行い、通常の
脱炭処理を１２分間行った。その後、６段ある排気エジ
ェクタの運転を一部停止して脱ガス容器内圧力を約３０
Ｔｏｒｒとして脱炭速度を低下させ、図１に示したＲＨ
上昇管の環流ガス用羽口４からＨ２　ガスを６．０Ｎｍ
３　／分、Ａｒガスを１．０Ｎｍ３　／分、３分間吹込
み、水素添加処理を行った。水素添加処理によって〔Ｈ
〕は約１ｐｐｍから約７ｐｐｍに上昇した。その後停止
した排気エジェクタを再起動すると共に、Ｈ２　ガスの
吹込みを停止してＡｒガスのみ２．０Ｎｍ３　／分を上
昇管の環流ガス用羽口４から吹込み、再脱炭処理を５分
間行った。再脱炭処理開始前の時点での〔Ｃ〕は平均約
２５ｐｐｍであった。排気エジェクタの再起動後は、脱
ガス容器内圧力は１分間以内で２Ｔｏｒｒ以下まで低下
した。再脱炭処理終了後の〔Ｃ〕は平均約８ｐｐｍ、〔
Ｈ〕は平均約３ｐｐｍであった。脱炭処理終了後はＡｌ
脱酸処理を５分間引続き行った。

【００２８】実施例２も、実施例１と同様、通常の脱炭
処理を１２分間行った後、水素添加処理を３分間、再脱
炭処理を５分間、Ａｌ脱酸処理を５分間行った。実施例
１とは異なり、再脱炭処理中には図２に示したようなＲ
Ｈ上昇管の下方に浸漬したインジェクションランス５か
らＨ２　ガスを１．０Ｎｍ３　／分、上昇管の環流ガス
用羽口４からＨ２　ガスを２．５Ｎｍ３　／分、Ａｒガ
スを１．５Ｎｍ３　／分それぞれ吹込み、水素の添加を
継続した。 再脱炭処理前の〔Ｃ〕は平均約２５ｐｐｍ、〔Ｈ〕は平
均約７ｐｐｍであった。再脱炭処理終了後の〔Ｃ〕は平
均約６ｐｐｍ、〔Ｈ〕は平均約４．５ｐｐｍであった。

【００２９】実施例３は、実施例１と同様通常の脱炭処
理を１２分間行った後、脱ガス容器内圧力を約３０Ｔｏ
ｒｒとして水素添加処理を３分間行い、その後再度全段
のエジェクタを運転して再脱炭処理を５分間、Ａｌ脱酸
処理を５分間行った。水素添加処理中は図３に示したよ
うに、上昇管の環流ガス用羽口４からＨ２　ガスを２．
５Ｎｍ３　／分、Ａｒガスを１．５Ｎｍ３　／分それぞ
れ吹込むと共に、鉛直下向きのラバールノズル１個を持
つ水冷構造の上吹きランスを脱ガス容器内の仮想浴面か
ら２．５ｍの高さまで下降して、Ｈ２　１０Ｎｍ３　／
分を溶鋼浴面に吹付けた。再脱炭処理中は、上吹ランス
を上昇し、環流ガス用羽口４からのＨ２　ガス２．５Ｎ
ｍ３　／分とＡｒガス１．５Ｎｍ３　／分の吹込みを継
続した。再脱炭処理前の〔Ｃ〕は平均約２５ｐｐｍ、〔
Ｈ〕は平均約７ｐｐｍであった。再脱炭処理後の〔Ｃ〕
は平均約７ｐｐｍ、〔Ｈ〕は平均約３．８ｐｐｍであっ
た。

【００３０】比較例１は、実施例１の場合と同じＲＨ脱
ガス装置を用いて、通常の脱炭処理２０分間とＡｌ脱酸
処理５分間を行い、水素添加を行わない場合である。脱
炭処理終了後の〔Ｃ〕は平均約１７ｐｐｍであった。比
較例２は、実施例１の場合と同じＲＨ脱ガス装置を用い
て、通常の脱炭処理５分間の後、水素を添加しつつ脱炭
処理を１５分間、Ａｌ脱酸処理を５分間行った場合であ
る。脱炭処理中の水素添加は上昇管の環流ガス用羽口４
からＨ２　ガスを６．０Ｎｍ３　／分、Ａｒガスを１．
０Ｎｍ３　／分それぞれ吹込んで行い、その間は通常の
脱炭処理と同様全段の排気エジェクタを運転した。脱炭
処理終了後の〔Ｃ〕は平均約１２ｐｐｍ、〔Ｈ〕は平均
約３．５ｐｐｍであった。

【００３１】脱炭処理終了後の〔Ｃ〕値の平均値と標準
偏差を表１に示した。実施例はいずれの場合も〔Ｃ〕＜
１０ｐｐｍまで迅速に脱炭が可能でばらつきも小さい。

【００３２】

【表１】

【００３３】

【発明の効果】本発明によって極低炭域での脱炭を迅速
に行うことができ、その結果〔Ｃ〕＜１０ｐｐｍの極低
炭素鋼を安定して大量に溶製できるようになった。また
本発明法では溶鋼の飛散による設備損傷の危険や耐火物
の異常損耗等の操業阻害要因がなく、さらに既存設備の
ガス吹込み配管に水素ガスを供給するだけの小改造で実
施が可能なため、広く工業的に適用可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を実施する設備の態様を示すＲＨ装置の
模式断面図である。

【図２】本発明を実施する設備の態様を示すＲＨ装置の
模式断面図である。

【図３】本発明を実施する設備の態様を示すＲＨ装置の
模式断面図である。

【図４】本発明を実施する設備の態様を示すＲＨ装置の
模式断面図である。

【図５】本発明を実施する設備の態様を示すＲＨ装置の
模式断面図である。

【図６】本発明を実施する設備の態様を示すＲＨ装置の
模式断面図である。

【図７】水素添加処理後、再脱炭処理前の〔Ｃ〕、〔Ｈ
〕の〔Ｃ〕＜１０ｐｐｍを得るための好適範囲を示すグ
ラフである。

【図８】ＲＨ上昇管の環流ガス用羽口から水素ガスを吹
込んだ場合の脱ガス容器内圧力と水素ガスの溶解効率の
関係を示すグラフである。

【図９】脱ガス容器内で水素ガスを上吹きした場合の脱
ガス容器内圧力と〔Ｈ〕濃度の関係を示すグラフである
。

【符号の説明】

１　　　　脱ガス容器　　　　　　　　　　　　　　　
　　　２　　　　溶鋼鍋３　　　　溶鋼　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　４　　　　環流ガ
ス用羽口 ５　　　　インジェクションランス　　　　　　６　　
　　上吹きランス ７　　　　ガス吹込み羽口　　　　　　　　　　　　　
　８　　　　ポーラスプラグ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　溶鋼を真空脱ガス装置により脱炭して
   極低炭素鋼を溶製するにあたり、所定鋼中炭素濃度まで
   真空脱炭処理を行った後、脱炭速度を低下させるかもし
   くは実質的に脱炭を停止して水素を溶鋼中へ溶解させる
   水素添加処理を行って所定鋼中水素濃度に調整し、その
   後再度真空脱炭を行うことを特徴とする極低炭素鋼の溶
   製方法。
2. 【請求項２】　　溶鋼中平均炭素濃度〔Ｃ〕（ｐｐｍ）
   が２５ｐｐｍ以下の時点において前記水素添加処理を行
   い、水素添加処理後の溶鋼中水素濃度〔Ｈ〕（ｐｐｍ）
   を下式を満たす範囲とするよう水素添加処理を行うこと
   を特徴とする請求項１記載の極低炭素鋼の溶製方法。 〔Ｈ〕≧（〔Ｃ〕−〔Ｃ〕ｆｉｎａｌ）／５＋４ただし
   、〔Ｃ〕ｆｉｎａｌ：脱炭目標〔Ｃ〕値（ｐｐｍ）
3. 【請求項３】　　所定鋼中炭素濃度まで真空脱炭処理を
   行った後、脱ガス容器内の圧力を２０Ｔｏｒｒ以上とし
   つつ前記水素添加処理を行い、その後脱ガス容器内の圧
   力を２Ｔｏｒｒ以下として真空脱炭処理を行うことを特
   徴とする請求項１又は２記載の極低炭素鋼の溶製方法。
4. 【請求項４】　　前記水素添加処理が、脱ガス容器内の
   圧力を３０Ｔｏｒｒ以上としつつ、脱ガス容器内の溶鋼
   浴面上に水素含有物質を添加する手段であることを特徴
   とする請求項１〜３のいずれか記載の極低炭素鋼の溶製
   方法。
5. 【請求項５】　　前記真空脱ガス装置としてＲＨ真空脱
   ガス装置を用い、前記水素添加処理として、ＲＨ上昇管
   内側面の環流ガス用羽口、ＲＨ上昇管内に吹き込みガス
   が浮上するように鍋内溶鋼中に浸漬されたインジェクシ
   ョンランス、ＲＨ脱ガス容器壁面に設置された羽口、Ｒ
   Ｈ脱ガス容器内の溶鋼浴面上に設置した水冷構造の昇降
   可能な上吹きランスのうち一つ以上の吹込み手段から水
   素含有物質を吹込むことを特徴とする請求項１〜４のい
   ずれか記載の極低炭素鋼溶製方法。
6. 【請求項６】　　前記真空脱ガス装置としてＲＨ脱ガス
   装置を用い、前記水素添加処理後にＲＨ上昇管内側面の
   環流ガス用羽口、溶鋼鍋に設置されたガス吹込み羽口、
   鍋内溶鋼中に浸漬されたインジェクションランスのうち
   一つ以上の吹込み手段から水素含有物質を吹込むことを
   特徴とする請求項１〜５のいずれか記載の極低炭素鋼溶
   製方法。
7. 【請求項７】　　前記水素含有物質として、水素ガス、
   水、水蒸気、水酸化カルシウム、水酸化アルミニウム、
   水酸化マグネシウムのうち一つ以上を含有するものを用
   いて前記水素添加処理を行うことを特徴とする請求項１
   〜６のいずれか記載の極低炭素鋼の溶製方法。