JPH0433338A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0433338A JPH0433338A JP13818390A JP13818390A JPH0433338A JP H0433338 A JPH0433338 A JP H0433338A JP 13818390 A JP13818390 A JP 13818390A JP 13818390 A JP13818390 A JP 13818390A JP H0433338 A JPH0433338 A JP H0433338A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置の製造工程で行われる半
導体ウェハの洗浄技術に関し、特にドライエツチングに
よる配線形成後のウェハ洗浄に適用して有効な技術に関
するものである。
導体ウェハの洗浄技術に関し、特にドライエツチングに
よる配線形成後のウェハ洗浄に適用して有効な技術に関
するものである。
シリコン単結晶からなる半導体ウェハ上に論理ＬＳＩや
メモＵ Ｌ Ｓ Ｉを形成する半導体集積回路装置の製
造工程では、ウェハ上に堆積したアルミニウム合金（Ａ
β−Ｃｕ−３ｉ合金など）膜を塩素系ガス（ＢＣｌ２
＋（１２など）を用いたドライエツチングで加工して配
線を形成した後、ウェハ表面に残ったエツチング残渣を
除去するためにウェハの純水洗浄を行っている。、！配
線形成後の洗浄処理技術については、株式会社プレスン
ヤーナル社、１９８８年６月２０日発行の一月刊セミコ
ンダクターワールド７月号＝Ｐ６６〜Ｐ６９１こ言己載
がある。
メモＵ Ｌ Ｓ Ｉを形成する半導体集積回路装置の製
造工程では、ウェハ上に堆積したアルミニウム合金（Ａ
β−Ｃｕ−３ｉ合金など）膜を塩素系ガス（ＢＣｌ２
＋（１２など）を用いたドライエツチングで加工して配
線を形成した後、ウェハ表面に残ったエツチング残渣を
除去するためにウェハの純水洗浄を行っている。、！配
線形成後の洗浄処理技術については、株式会社プレスン
ヤーナル社、１９８８年６月２０日発行の一月刊セミコ
ンダクターワールド７月号＝Ｐ６６〜Ｐ６９１こ言己載
がある。
〔発明が解決しようとする課題：
ところが、Ａ１配線を形成した後にウェハを純水で洗浄
すると、エツチング残渣中の塩素化合物（ＡβＣ１，な
ど）が水と反応して塩Ｈ（ＨＣｌ）が生成する。その結
果、Ａｆ配線が局部的に溶解して断線や腐食などが発生
することを本発明者は見出した。
すると、エツチング残渣中の塩素化合物（ＡβＣ１，な
ど）が水と反応して塩Ｈ（ＨＣｌ）が生成する。その結
果、Ａｆ配線が局部的に溶解して断線や腐食などが発生
することを本発明者は見出した。
本発明は、上記した問題点に着目してなされたものであ
り、その目的は、へβ配線形成後のウェハ洗浄に起因す
るＡｌ配線の断線や腐食を有効に防止することのできる
技術を提供することにある。
り、その目的は、へβ配線形成後のウェハ洗浄に起因す
るＡｌ配線の断線や腐食を有効に防止することのできる
技術を提供することにある。
本発明の前記なちびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述から明らかになるであろう。
明細書の記述から明らかになるであろう。
本発明のウェハ洗浄液は、有機酸とアンモニアの混合水
溶液からなるものである。
溶液からなるものである。
本発明野半導体ウニへの洗浄方法は、ウェハ上に堆積し
たＡｌ系導電膜を塩素系ガスを用いたドライエツチング
で加工してＡｌ配線を形成した後、上記ウェハを有機酸
とアンモニアとの混合水溶液で洗浄するウェハ洗浄方法
である。
たＡｌ系導電膜を塩素系ガスを用いたドライエツチング
で加工してＡｌ配線を形成した後、上記ウェハを有機酸
とアンモニアとの混合水溶液で洗浄するウェハ洗浄方法
である。
一般に有機酸のような弱酸とその塩の混合水溶液は、緩
衝作用を有し、酸または塩基を加えた際に生ずるｐＨの
変化を抑制するように作用する。
衝作用を有し、酸または塩基を加えた際に生ずるｐＨの
変化を抑制するように作用する。
例えば酢酸アンモニウム塩は、水溶液中でＣＨ３ＣＯＯ
−イオンとＮＨ，−イオンとに解離し、第１図に示すよ
うに、ｐＨ５およびｐＨ９付近に緩衝領域を持つ。従っ
て、ウェハ上に堆積したＡｌ系導電膜を塩素系ガスを用
いたドライエツチングで加工して配線を形成した後、上
記ウェハを洗浄する際、ｐＨが５または９となるように
調製した酢酸とアンモニアとの混合水溶液で洗浄するこ
とにより、エツチング残渣中の塩素化合物が水と反応し
て塩酸が生成した場合においても、洗浄液のｐＨの低下
が抑制されるので、ウェハ洗浄工程でのＡｌ配線の溶解
を防止することができる。なお、本発明で用いるを機酸
としては、上記酢酸の他、ギ酸、安息香酸など例示する
ことができる。
−イオンとＮＨ，−イオンとに解離し、第１図に示すよ
うに、ｐＨ５およびｐＨ９付近に緩衝領域を持つ。従っ
て、ウェハ上に堆積したＡｌ系導電膜を塩素系ガスを用
いたドライエツチングで加工して配線を形成した後、上
記ウェハを洗浄する際、ｐＨが５または９となるように
調製した酢酸とアンモニアとの混合水溶液で洗浄するこ
とにより、エツチング残渣中の塩素化合物が水と反応し
て塩酸が生成した場合においても、洗浄液のｐＨの低下
が抑制されるので、ウェハ洗浄工程でのＡｌ配線の溶解
を防止することができる。なお、本発明で用いるを機酸
としては、上記酢酸の他、ギ酸、安息香酸など例示する
ことができる。
〔実施例）
下記のプロセスフローに従って、シリコン単結晶からな
る８インチ径の半導体ウェハを洗浄処理した。
る８インチ径の半導体ウェハを洗浄処理した。
まず、スパッタリング法を用いてウェハの主面にＡＲ−
Ｃｕ−３ｉ合金膜を堆積し、上記Ａｌ−Ｃｕ−５ｉ合金
膜上に配線形成用のホトレジストマスクを形成した後、
ＢＣｊ！、士Ｃ！、からなる混合ガスを用いたドライエ
ツチングでＡＲ−Ｃｕ−５ｉ合金膜を加工してＡｌ配線
を形成した。続いてアッシングによりホトレジストマス
クを除去した後、ｐＨが５となるように調製した酢酸と
アンモニアとの混合水溶液（４５℃）で上記ウエノ１を
約５分間洗浄してエツチング残渣を除去した。
Ｃｕ−３ｉ合金膜を堆積し、上記Ａｌ−Ｃｕ−５ｉ合金
膜上に配線形成用のホトレジストマスクを形成した後、
ＢＣｊ！、士Ｃ！、からなる混合ガスを用いたドライエ
ツチングでＡＲ−Ｃｕ−５ｉ合金膜を加工してＡｌ配線
を形成した。続いてアッシングによりホトレジストマス
クを除去した後、ｐＨが５となるように調製した酢酸と
アンモニアとの混合水溶液（４５℃）で上記ウエノ１を
約５分間洗浄してエツチング残渣を除去した。
次に、ウェハの表面を純水でリンスした後、イソプロピ
ルアルコールの蒸気を充填した蒸気処理槽でウェハの表
面を乾燥した。
ルアルコールの蒸気を充填した蒸気処理槽でウェハの表
面を乾燥した。
上記洗浄、乾燥処理の後、ウェハ上に形成されたＡ１配
線を顕微鏡で検査し、断線不良が発生していなし）こと
を確認した。
線を顕微鏡で検査し、断線不良が発生していなし）こと
を確認した。
以上の説明では、本発明者によってなされた発明をドラ
イエツチングによるへβ配線形成後のウェハ洗浄に適用
した場合について説明したが、本発明の洗浄液は、例え
ば硝酸処理を行ったウェハを洗浄処理する際の前洗浄液
などとして利用することもできる。すなわち、本発明の
洗浄液は、酸またはアルカリで処理したウェハを水洗処
理する際の前洗浄液として広く利用することができる。
イエツチングによるへβ配線形成後のウェハ洗浄に適用
した場合について説明したが、本発明の洗浄液は、例え
ば硝酸処理を行ったウェハを洗浄処理する際の前洗浄液
などとして利用することもできる。すなわち、本発明の
洗浄液は、酸またはアルカリで処理したウェハを水洗処
理する際の前洗浄液として広く利用することができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
有機酸とアンモニアとの混合水溶液からなる本発明のウ
ェハ洗浄液によれば、またウェハ上に堆積したＡｊ系導
電膜を塩素系ガスを用いたドライエツチングで加工して
へβ配線を形成した後、上記ウェハを上記の有機酸とア
ンモニアとの混合水溶液からなる本発明のウェハ洗浄液
で洗浄する本発明のウェハ洗浄方法によれば、エツチン
グ残渣中の塩素化合物と水との反応で生成した塩酸によ
る洗浄液のｐＨの低下を抑制することができるので、Ａ
ｌ配線形成後のウェハ洗浄に起因する断線不良や配線腐
食を有効に防止することができる。
ェハ洗浄液によれば、またウェハ上に堆積したＡｊ系導
電膜を塩素系ガスを用いたドライエツチングで加工して
へβ配線を形成した後、上記ウェハを上記の有機酸とア
ンモニアとの混合水溶液からなる本発明のウェハ洗浄液
で洗浄する本発明のウェハ洗浄方法によれば、エツチン
グ残渣中の塩素化合物と水との反応で生成した塩酸によ
る洗浄液のｐＨの低下を抑制することができるので、Ａ
ｌ配線形成後のウェハ洗浄に起因する断線不良や配線腐
食を有効に防止することができる。
第１図は、酢酸アンモニウム水溶液の緩衝作用を示すグ
ラフ図である。 代理人 弁理士 小 川 勝 男
ラフ図である。 代理人 弁理士 小 川 勝 男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、有機酸とアンモニアとの混合水溶液からなるウェハ
洗浄液。 ２、半導体ウェハ上に堆積したアルミニウム系導電膜を
塩素系ガスを用いたドライエッチングで加工して配線を
形成した後、前記半導体ウェハを請求項１記載のウェハ
洗浄液で洗浄処理することを特徴とする半導体ウェハの
洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02138183A JP3135551B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02138183A JP3135551B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0433338A true JPH0433338A (ja) | 1992-02-04 |
| JP3135551B2 JP3135551B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=15216001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02138183A Expired - Lifetime JP3135551B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3135551B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06291099A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-18 | Sumitomo Sitix Corp | シリコンウェーハの洗浄方法 |
| JPH09103957A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-04-22 | Delco Electronics Corp | 無被膜の裏側ウエーハを研磨する装置およびプロセス |
| US5868854A (en) * | 1989-02-27 | 1999-02-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing samples |
| KR100268640B1 (ko) * | 1996-01-22 | 2000-10-16 | 모리시타 요이찌 | 알루미늄합금막의 드라이에칭방법과,그 방법에 사용하는 에칭용 가스 |
| US7944025B2 (en) | 2003-10-09 | 2011-05-17 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP02138183A patent/JP3135551B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5868854A (en) * | 1989-02-27 | 1999-02-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing samples |
| JPH06291099A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-18 | Sumitomo Sitix Corp | シリコンウェーハの洗浄方法 |
| JPH09103957A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-04-22 | Delco Electronics Corp | 無被膜の裏側ウエーハを研磨する装置およびプロセス |
| KR100268640B1 (ko) * | 1996-01-22 | 2000-10-16 | 모리시타 요이찌 | 알루미늄합금막의 드라이에칭방법과,그 방법에 사용하는 에칭용 가스 |
| US7944025B2 (en) | 2003-10-09 | 2011-05-17 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3135551B2 (ja) | 2001-02-19 |
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Legal Events
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