JPH04332177A - 受光素子の製造方法 - Google Patents
受光素子の製造方法Info
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- JPH04332177A JPH04332177A JP3100872A JP10087291A JPH04332177A JP H04332177 A JPH04332177 A JP H04332177A JP 3100872 A JP3100872 A JP 3100872A JP 10087291 A JP10087291 A JP 10087291A JP H04332177 A JPH04332177 A JP H04332177A
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- Japan
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- hydrochloric acid
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- semiconductor
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- Pending
Links
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ファイバー通信な
どに用いる受光素子、特にｐｉｎ‐ＰＤ（Ｐｈｏｔｏ
Ｄｉｏｄｅ）からなる受光素子の製造方法に関するもの
である。
どに用いる受光素子、特にｐｉｎ‐ＰＤ（Ｐｈｏｔｏ
Ｄｉｏｄｅ）からなる受光素子の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来よりこの種の受光素子、特に光電子
集積回路に搭載されるｐｉｎ‐ＰＤとしては、集積の容
易さ、素子間の絶縁の容易さの点から、主としてメサ形
のｐｉｎ‐ＰＤが用いられている（例えばエレクトロニ
クス レターズ（ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅ
ｒｓ）Ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．５，ｐ．３０５）。
集積回路に搭載されるｐｉｎ‐ＰＤとしては、集積の容
易さ、素子間の絶縁の容易さの点から、主としてメサ形
のｐｉｎ‐ＰＤが用いられている（例えばエレクトロニ
クス レターズ（ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅ
ｒｓ）Ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．５，ｐ．３０５）。
【０００３】これは、例えば半絶縁性のＩｎＰのような
半導体基板上にｎ，ｉ，ｐの各層を順次形成した後、メ
サ加工を施し、表面を絶縁膜で保護したものである。
半導体基板上にｎ，ｉ，ｐの各層を順次形成した後、メ
サ加工を施し、表面を絶縁膜で保護したものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のメサ
形ｐｉｎ‐ＰＤにおいては、空乏層が絶縁膜と半導体と
の界面まで達し、そのためにここを流れる電流が暗電流
の大部分を占め、しかもその値が大きかった。
形ｐｉｎ‐ＰＤにおいては、空乏層が絶縁膜と半導体と
の界面まで達し、そのためにここを流れる電流が暗電流
の大部分を占め、しかもその値が大きかった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、メサ形ｐｉ
ｎ‐ＰＤからなる受光素子の製造方法において、表面保
護膜の形成前に、半導体表面を塩酸と水との混合液で洗
浄するものである。
ｎ‐ＰＤからなる受光素子の製造方法において、表面保
護膜の形成前に、半導体表面を塩酸と水との混合液で洗
浄するものである。
【０００６】
【作用】塩酸と水との混合液による洗浄によって絶縁膜
と半導体との界面が安定化するため暗電流が低減する。
と半導体との界面が安定化するため暗電流が低減する。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１および図２
により説明する。
により説明する。
【０００８】半絶縁性ＩｎＰ基板１（図１（ａ））の上
に、ＯＭＶＰＥ（有機金属気相成長）法等により、ｐｉ
ｎ‐ＰＤとなるｎ−ＩｎＰ層２、ｉ−ＧａＩｎＡｓ層３
、ｐ‐ＧａＩｎＡｓ層４の各層を順次形成する（図１（
ｂ））。
に、ＯＭＶＰＥ（有機金属気相成長）法等により、ｐｉ
ｎ‐ＰＤとなるｎ−ＩｎＰ層２、ｉ−ＧａＩｎＡｓ層３
、ｐ‐ＧａＩｎＡｓ層４の各層を順次形成する（図１（
ｂ））。
【０００９】次にメサ加工を行い（図１（ｃ））、その
後、塩酸と水との混合液により半導体表面の洗浄を行う
。
後、塩酸と水との混合液により半導体表面の洗浄を行う
。
【００１０】次いで、ｐ‐ＣＶＤ等の方法によって表面
保護膜としての絶縁膜、ここではＳｉＮ膜５を形成する
（図１（ｄ））。
保護膜としての絶縁膜、ここではＳｉＮ膜５を形成する
（図１（ｄ））。
【００１１】その後、ｎ‐オーミック電極６およびｐ‐
オーミック電極７を形成し（図２（ａ））、さらにパッ
ド配線８を形成してメサ形ｐｉｎ‐ＰＤが完成する（図
２（ｂ））。
オーミック電極７を形成し（図２（ａ））、さらにパッ
ド配線８を形成してメサ形ｐｉｎ‐ＰＤが完成する（図
２（ｂ））。
【００１２】暗電流の主たる経路である絶縁膜と半導体
との界面が、塩酸と水との混合液による洗浄によって安
定化するため、暗電流が低減する。具体的には、このよ
うな洗浄を行わない場合に数百ｎＡ〜数μＡであった暗
電流を、洗浄を行うことにより１０ｎＡ以下とすること
ができた。
との界面が、塩酸と水との混合液による洗浄によって安
定化するため、暗電流が低減する。具体的には、このよ
うな洗浄を行わない場合に数百ｎＡ〜数μＡであった暗
電流を、洗浄を行うことにより１０ｎＡ以下とすること
ができた。
【００１３】洗浄液としては、この他に例えば硫酸系や
リン酸系のエッチング液も考えられるが、これらの洗浄
液では塩酸と水との混合液に比べてその効果は非常に小
さく、暗電流は数十ｎＡ程度までしか低減できなかった
。なお、上述した実施例では塩酸と水との混合液による
洗浄のみ行ったが、他の洗浄方法を併用し、例えば他の
洗浄液による洗浄を行った後、この発明による洗浄を行
ってもよいことはもちろんである。
リン酸系のエッチング液も考えられるが、これらの洗浄
液では塩酸と水との混合液に比べてその効果は非常に小
さく、暗電流は数十ｎＡ程度までしか低減できなかった
。なお、上述した実施例では塩酸と水との混合液による
洗浄のみ行ったが、他の洗浄方法を併用し、例えば他の
洗浄液による洗浄を行った後、この発明による洗浄を行
ってもよいことはもちろんである。
【００１４】塩酸と水との混合比は、ＩｎＰをエッチン
グしない濃度という観点から、塩酸１に対して水が２以
上であることが望ましい。また、実際の効果の程度を考
えると、塩酸１に対して水が２０以下であることが望ま
しい。
グしない濃度という観点から、塩酸１に対して水が２以
上であることが望ましい。また、実際の効果の程度を考
えると、塩酸１に対して水が２０以下であることが望ま
しい。
【００１５】また、上述した実施例では単体のｐｉｎ‐
ＰＤを取り上げたが、この発明は光電子集積回路にも容
易に適用できる。さらに、メサ形のｐｉｎ‐ＰＤであれ
ば、その具体的構造は何ら制約されない。
ＰＤを取り上げたが、この発明は光電子集積回路にも容
易に適用できる。さらに、メサ形のｐｉｎ‐ＰＤであれ
ば、その具体的構造は何ら制約されない。
【００１６】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、メサ形
ｐｉｎ‐ＰＤからなる受光素子の製造に際して、表面保
護膜の形成前に、半導体表面を塩酸と水との混合液で洗
浄することにより、暗電流を著しく低減し、ｐｉｎ‐Ｐ
Ｄの特性を向上させることができる。また、例えばこの
ｐｉｎ‐ＰＤを集積化した光電子集積回路においては、
暗電流の低減により受信感度が向上するという効果が得
られる。
ｐｉｎ‐ＰＤからなる受光素子の製造に際して、表面保
護膜の形成前に、半導体表面を塩酸と水との混合液で洗
浄することにより、暗電流を著しく低減し、ｐｉｎ‐Ｐ
Ｄの特性を向上させることができる。また、例えばこの
ｐｉｎ‐ＰＤを集積化した光電子集積回路においては、
暗電流の低減により受信感度が向上するという効果が得
られる。
【図１】この発明の一実施例を示す工程断面図である。
【図２】この発明の一実施例を示す工程断面図である。
１…ＩｎＰ基板、２…ｎ‐ＩｎＰ層、３…ｉ‐ＧａＩｎ
Ａｓ層、４…ｐ‐ＧａＩｎＡｓ層、５…ＳｉＮ膜。
Ａｓ層、４…ｐ‐ＧａＩｎＡｓ層、５…ＳｉＮ膜。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上にｎ層、ｉ層およびｐ層
を順次形成しメサ加工を施した後、表面を保護膜で覆う
受光素子の製造方法において、メサ加工後、表面保護膜
の形成前に、半導体表面を塩酸と水との混合液で洗浄す
ることを特徴とする受光素子の製造方法。 - 【請求項２】 塩酸と水との混合比が、１：２〜１：
２０であることを特徴とする請求項１記載の受光素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3100872A JPH04332177A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 受光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3100872A JPH04332177A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 受光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04332177A true JPH04332177A (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=14285409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3100872A Pending JPH04332177A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 受光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04332177A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0614233A2 (en) * | 1993-03-04 | 1994-09-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Pin-type light receiving device, manufacture of the pin-type light receiving device and optoelectronic integrated circuit |
-
1991
- 1991-05-02 JP JP3100872A patent/JPH04332177A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0614233A2 (en) * | 1993-03-04 | 1994-09-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Pin-type light receiving device, manufacture of the pin-type light receiving device and optoelectronic integrated circuit |
| EP0614233A3 (en) * | 1993-03-04 | 1997-07-02 | Sumitomo Electric Industries | Pin-type light receiving device, manufacture of the pin-type light receiving device and optoelectronic integrated circuit. |
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