JPH04328556A - パターン形成方法 - Google Patents
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
よる乾式現像に適したレジストとして用いるパターン形
成方法に関する。
製造工程では、その加工されるべき基材上にポリイソプ
レンの環化物にビスアジドを混合したネガ型ホトレジス
トやノボラック樹脂にキノンジアジド化合物を混合した
ポジ型ホトレジストなどの感放射線性樹脂組成物を塗布
し、水銀灯のg線(波長436nm)やi線(365n
m)を用いて露光し、現像液にて現像することによりパ
タ−ンを形成するホトリソグラフィ法が採用されている
。
基板上に形成されるべきパタ−ンの最小寸法が1μm以
下の領域に入りつつあり、このような寸法領域では、現
像液を現像に用いる従来のホトリソグラフィ法を使用し
ても、特に段差構造を有する基板が使用される場合、露
光時の光の反射の影響や露光系における焦点深度の浅さ
などの問題のために十分な解像ができないという問題が
発生する。
リソグラフィ法において現像液を用いて現像する代わり
に、反応性酸素プラズマ等のガスプラズマを用いてエッ
チングすることによりドライ現像し、レジストパタ−ン
を形成する方法が知られている。
活性化合物と混合または結合させたポリマ−を含む感光
性樹脂層を基材に塗布し、前記の層が該層の照射される
部分が可視光または紫外線に露光されたとき、シリル化
剤が前記の照射された部分に選択的に拡散できる性質を
有するものであり;
分のみを露光させるマスクを通して紫外線または可視光
線に露光し;
、それによって前記の珪素化合物を選択的に前記の感光
性樹脂層の照射された部分に吸収させて前記の照射され
た部分と反応を起こさせ;そして、
マエッチングにより乾式現像してその非照射部分を選択
的に除去し、所望のネガ図形を得る方法が記載されてい
る。
に照射された部分に吸収された珪素化合物が酸素プラズ
マに対する耐性が非常に高いため、異方性の高い酸素プ
ラズマでエッチングを行うことにより急峻な側壁を持つ
レジストパタ−ンを得ることができ、従って微細なパタ
−ンを解像できることが知られている。
の進歩により解像度が著しく高くなっている反面、焦点
深度が浅くなり、少し焦点がずれただけで得られるレジ
ストパタ−ンが大きく変化することが懸念されている。 上記ドライ現像によるレジストパターンの形成方法にお
いても焦点がずれると、未露光部に残渣が発生すること
が認められる。そこで、ドライ現像によるレジストパタ
ーンの形成方法において、焦点が多少ずれても残渣が発
生しないレジストが望まれている。
ン形成方法を提供することにある。
度が多少ずれても残渣が発生しないパターン形成方法を
提供することにある。
の上記目的および利点は、(イ)ポリスチレン換算分子
量が600以下の低分子量成分を12重量%以下で含有
するフェノ−ル性水酸基を有する樹脂の1,2−キノン
ジアジドスルホン酸エステル 並びに(ロ)有機酸、
有機酸塩、有機酸ハロゲニドおよび放射線の照射で酸を
発生する物質よりなる群から選ばれる化合物、を含有す
る感放射線性樹脂組成物より成る層を塗布し、選ばれた
部分のみに放射線を照射し、次いでシリル化剤で処理し
、シリル化剤を選択的に放射線照射部に吸収、反応させ
た後、該層を異方性酸素プラズマエッチングによりドラ
イ現像して該層の放射線非照射部分を選択的に除去する
ことを特徴とするレジストパターン形成方法によって達
成される。本発明の樹脂組成物は上記のとおり、(イ)
および(ロ)の2成分を含有する。
−キノンジアジドスルホン酸エステル(イ)としては、
例えばフェノ−ル性水酸基を有するノボラック樹脂(以
下、単に「ノボラック樹脂」という)またはフェノ−ル
性水酸基を有するヒドロキシスチレン系樹脂(以下、単
に「ヒドロキシスチレン樹脂」という)を適当な縮合溶
媒中で塩基性縮合触媒の存在下に1,2−キノンジアジ
ドスルホニルハライドと縮合して得られる樹脂を好まし
いものとして挙げることができる。このうちノボラック
樹脂は、ヒドロキシ芳香族化合物とアルデヒドとを酸触
媒下に縮合して製造される。
例えば1−ナフト−ル、2−メチル−1−ナフト−ル、
4−メトキシ−1−ナフト−ル、4−エトキシ−1−ナ
フト−ル、4−プロポキシ−1−ナフト−ル、4−ブト
キシ−1−ナフト−ル、5−メチル−1−ナフト−ル、
2−エチル−1−ナフト−ル、2−プロピル−1−ナフ
ト−ル、2−ブチル−1−ナフト−ルの如きヒドロキシ
ナフタリン類:例えばフェノ−ル、o−クレゾ−ル、m
−クレゾ−ル、p−クレゾ−ル、o−エチルフェノ−ル
、m−エチルフェノ−ル、p−エチルフェノ−ル、o−
ブチルフェノ−ル、m−ブチルフェノ−ル、p−ブチル
フェノ−ル、2,3−キシレノ−ル、2,4−キシレノ
−ル、2,5−キシレノ−ル、2,6−キシレノ−ル、
3,4−キシレノ−ル、3,5−キシレノ−ル、3,6
−キシレノ−ル、2,3,5−トリメチルフェノ−ル、
3,4,5−トリメチルフェノ−ル、p−フェニルフェ
ノ−ル、レゾルシノ−ル、ヒドロキノン、ヒドロキノン
モノメチルエ−テル、ピロガロ−ル、フロログルシノ−
ル、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノ−ルA、ビスフ
ェノ−ルC、ビスフェノ−ルS、没食子酸、没食子酸エ
ステルの如きフェノ−ル類を例示することができる。こ
れらヒドロキシ芳香族化合物は、単独または2種類以上
を混合して用いることができる。またアルデヒド類とし
ては、例えばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド
、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアル
デヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロ
ピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、o
−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベンズ
アルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−ク
ロロベンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒド、
p−クロロベンズアルデヒド、o−ニトロベンズアルデ
ヒド、m−ニトロベンズアルデヒド、p−ニトロベンズ
アルデヒド、o−メチルベンズアルデヒド、m−メチル
ベンズアルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、p−
エチルベンズアルデヒド、p−n−ブチルベンズアルデ
ヒド等が挙げられる。これらの化合物のうちホルムアル
デヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド等が特に
好ましい。これらのアルデヒド類は、単独でまたは2種
以上を混合して使用される。
モル当たり好ましく0.7〜3モル、特に好ましくは0
.7〜2モルである。
機酸、蟻酸、蓚酸、酢酸等の有機酸が使用される。酸触
媒の使用量は、フェノ−ル類1モル当たり、1×10−
4〜5×10−1モルが好ましい。
られるが、使用するフェノ−ル類がアルデヒド類の水溶
液に溶解せず、反応初期から不均一系になる場合には、
反応媒質として親水性溶媒を使用することもできる。こ
の際使用される親水性溶媒としては、例えばメタノ−ル
、エタノ−ル、プロパノ−ル、ブタノ−ル等のアルコ−
ル類、およびテトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状
エ−テル類が挙げられる。
00重量部当たり、20〜1,000重量部が好ましい
。
に応じて適宜調整することができるが、通常は10〜2
00℃、好ましくは70〜150℃である。
料、酸触媒および反応媒質を除去するため、一般的には
内温を130〜230℃に上昇させ、減圧下に揮発分を
留去してノボラック樹脂が回収される。
るノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量は
、好ましくは1,000〜200,000、より好まし
くは3,000〜100,000、特に好ましくは5,
000〜50,000である。
例えばヒドロキシスチレン、α−メチル−m−ヒドロキ
シスチレン、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン等の
ヒドロキシスチレンおよびヒドロキシスチレン誘導体か
ら選ばれる少なくとも1種の単量体の(共)重合体;ヒ
ドロキシスチレンおよびヒドロキシスチレン誘導体から
選ばれる少なくとも1種の単量体と他のビニル系単量体
(例えばスチレン、ビニルエ−テル、アクリロニトリル
、塩化ビニル、アクリル酸エステル、無水マレイン酸も
しくは各種有機酸のビニルエステル)との共重合体;あ
るいはヒドロキシスチレンおよびヒドロキシスチレン誘
導体から選ばれる少なくとも1種の単量体の(共)重合
体ならびにヒドロキシスチレンおよびヒドロキシスチレ
ン誘導体から選ばれる少なくとも1種の単量体と他のビ
ニル系単量体との共重合体のヨウ素、塩素、臭素等のハ
ロゲン化物であるハロゲン化ヒドロキシスチレン(共)
重合体等を挙げることができる。
特にヒドロキシスチレン重合体、α−メチル−p−ヒド
ロキシスチレン重合体およびα−メチル−m−ヒドロキ
シスチレン重合体等が好ましい。
のアニオン重合、カチオン重合、ラジカル重合等により
製造することができる。
チレン換算重量平均分子量は、好ましくは200〜20
0,000、より好ましくは500〜100,000、
特に好ましくは600〜50,000である。
有する樹脂中のポリスチレン換算分子量が600以下に
相当する低分子量成分は12重量パ−セント以下であり
、好ましくは10重量パ−セント以下である。
抑える方法は特に限定されない。例えば常法によって合
成されたフェノ−ル性水酸基を有する樹脂を極性溶媒、
例えばメタノ−ル、エタノ−ル、アセトン、メチルエチ
ルケトン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチルセ
ロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート、酢酸エチル、乳酸エチル等に溶解
し、次に水−極性溶媒混合系沈澱剤やペンタン、ヘキサ
ン等の非極性溶媒系沈澱剤に入れ樹脂分を沈澱し、目的
とする樹脂を回収する方法を挙げることができる。
脂がノボラック樹脂の場合には、ノボラック樹脂の合成
時に、例えばアルデヒド類やフェノール類の添加を回分
式もしくは連続的におこなうことにより、縮合反応を制
御する方法や、反応溶媒として(a)良溶媒と(b)貧
溶媒または非溶媒との混合溶媒を用いて反応させる方法
によって目的とする樹脂を得ることもできる。
タノ−ル、エタノ−ル、プロピルアルコ−ル、ブチルア
ルコ−ル等の短鎖アルキルアルコ−ル;テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン等の環状エ−テル類;ジメチルホルム
アミド等のアミド類;ジメチルスルホキシド等の含イオ
ウ系溶剤類;エチレングリコ−ルモノメチルエ−テル、
エチレングリコ−ルモノエチルエ−テル、ジエチレング
リコ−ルモノメチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルモ
ノエチルエ−テル等のエチレングリコ−ルまたはジエチ
レングリコ−ルのアルキルエ−テル類を挙げることがで
きる。これらの良溶媒は、1種単独でも2種以上の組合
せとしても使用できる。
媒である溶剤(b)としては、例えば水、長鎖アルキル
アルコ−ル類、ハロゲン化メタン類等が好ましく、特に
水が好ましい。これらの貧溶媒または非溶媒は、1種単
独でも2種以上を組合せて使用することもできる。
ン樹脂は、単独で使用しても、また2種以上を併用して
もよい。
ハライドとしては、例えば1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホニルクロリド、1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホニルクロリド、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−6−スルホニルクロリド、1,2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホニルブロミド、1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホニルブロミド、1,2
−ナフトキノンジアジド−6−スルホニルブロミド等の
1,2−ナフトキノンジアジドスルホニルハライド;お
よび1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニルク
ロリド、1,2−ベンゾキノンジアジド−5−スルホニ
ルクロリド、1,2−ベンゾキノンジアジド−6−スル
ホニルクロリド、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−
スルホニルブロミド、1,2−ベンゾキノンジアジド−
5−スルホニルブロミド、1,2−ベンゾキノンジアジ
ド−6−スルホニルブロミド等の1,2−ベンゾキノン
ジアジドスルホニルハライドを挙げることができる。こ
れらのうち1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ニルクロリド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホニルクロリドが好ましい。
ルハライドは、単独で使用しても、または2種以上を併
用してもよい。かかる1,2−キノンジアジドスルホニ
ルハライドは、例えば適当な溶媒中で塩基性触媒の存在
下にポリスチレン換算分子量が600以下の低分子量成
分を12重量パ−セント以下で含有するフェノ−ル性水
酸基を有する樹脂と縮合されて用いられる。
,2−キノンジアジドスルホニルハライドとの縮合割合
は、フェノール性水酸基を有する樹脂100重量部当た
り、1,2−キノンジアジド基が1〜60重量部であり
、好ましくは5〜50重量部、より好ましくは10〜4
0重量部となる割合である。1,2−キノンジアジド基
が1重量部未満であると放射線未照射部の熱架橋密度(
1,2−キノンジアジドとフェノール性水酸基を有する
樹脂及び1,2−キノンジアジド基どうしが熱反応によ
り架橋する密度)が小さいために後記のレジストパター
ンの形成時に使用するシリル化剤が容易に拡散してシリ
ル化反応が容易に起こり、放射線照射部と放射線未照射
部とのドライ現像におけるエッチング速度に差をつける
ことができ難くなり、パタ−ニングが困難となる傾向が
大きくなる。
射線照射では、1,2−キノンジアジド基の大半が未だ
そのままの形で残存するため、熱架橋反応が進行し、そ
の後のシリル化剤処理でシリル化剤が十分拡散しないた
めドライ現像でのエッチング耐性が十分でなく、パタ−
ニングでき難くなる傾向が大きい。
例えばアセトン、ジオキサン、酢酸エチル、セロソルブ
アセテ−ト、プロピレングリコ−ルメチルエ−テルアセ
テ−ト、メチルセロソルブアセテ−ト、プロピルセロソ
ルブアセテ−ト、ブチルセロソルブアセテ−ト、アセト
ニトリル、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトン、
メチルイソブチルケトン等を挙げることができる。かか
る溶媒は通常、フェノール性水酸基を有する樹脂および
1,2−キノンジアジドスルホニルハライドの総量10
0重量部当たり100〜10,000重量部、好ましく
は200〜3,000重量部使用される。
ンの塩を溶媒中に溶解させる為に、必要に応じて溶媒中
に水を加えることもできる。加える水の量は溶媒100
重量部に対して1〜10重量部が好ましい。
媒としては、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、重炭酸水素ナトリウ
ム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属
塩;トリエチルアミン、トリエタノ−ルアミン、トリブ
チルアミン、モノエタノ−ルアミン、ピリジン等のアミ
ン類;水酸化アンモニウム、トリメチルアンモニウム等
のアンモニウム塩およびアンモニアを挙げることができ
る。かかる塩基性触媒は、1,2−キノンジアジドスル
ホニルハライドの総モル数の好ましくは0.1〜10倍
、より好ましくは0.5〜2.0倍のモル数で使用され
る。縮合反応は、通常5〜50℃、好ましくは10〜4
0℃の温度で行われる。反応時間は一般には15分〜1
0時間、好ましくは30分〜5時間程度である。本発明
の組成物には、さらに、有機酸、有機酸塩、有機酸ハロ
ゲニドおよび放射線の照射で酸を発生する物質から選ば
れる化合物が含有される。
は、例えば芳香族スルホン酸または芳香族カルボン酸が
好適なものとして挙げられる。好ましい有機酸はナフタ
レンスルホン酸、ナフタレンカルボン酸、ジアゾキノン
スルホン酸およびジアゾキノンカルボン酸である。これ
らの例としては、
ンスルホン酸、 1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸、1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸、1,2−
ナフトキノンジアジド−6−スルホン酸、1,2−ナフ
トキノンジアジド−7−スルホン酸、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−8−スルホン酸、2,1−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸、2,1−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸、2,1−ナフトキノンジアジド
−6−スルホン酸、2,1−ナフトキノンジアジド−7
−スルホン酸、2,1−ナフトキノンジアジド−8−ス
ルホン酸、1,2−ベンゾキノンジアジド−3−スルホ
ン酸、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸
、1,2−ベンゾキノンジアジド−5−スルホン酸、1
,2−ベンゾキノンジアジド−6−スルホン酸、1−ナ
フタレンカルボン酸、2−ナフタレンカルボン酸、 1,2−ナフトキノンジアジド−4−カルボン酸、1,
2−ナフトキノンジアジド−5−カルボン酸、1,2−
ナフトキノンジアジド−6−カルボン酸、1,2−ナフ
トキノンジアジド−7−カルボン酸、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−8−カルボン酸、2,1−ナフトキノン
ジアジド−4−カルボン酸、2,1−ナフトキノンジア
ジド−5−カルボン酸、2,1−ナフトキノンジアジド
−6−カルボン酸、2,1−ナフトキノンジアジド−7
−カルボン酸、2,1−ナフトキノンジアジド−8−カ
ルボン酸、1,2−ベンゾキノンジアジド−3−カルボ
ン酸、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−カルボン酸
、1,2−ベンゾキノンジアジド−5−カルボン酸およ
び1,2−ベンゾキノンジアジド−6−カルボン酸を挙
げることができる。
しては、例えば上記有機酸のアンモニウム塩、アミン塩
、およびこれらの酸に対応する酸ハロゲニドを好ましい
ものとして挙げられる。
れるジアゾキノン化合物が用いられる。
は、単独または組合せて、フェノ−ル性水酸基を有する
樹脂の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル(イ
)100重量部に対し、好ましくは0.1〜20重量部
、より好ましくは0.5〜5重量部の割合で用いられる
。
および有機酸ハロゲニド以外に、放射線の照射により酸
を発生する物質を用いることができる。
下酸発生物質という)は、紫外線、遠紫外線、X線、電
子線、可視光等の放射線が照射されることにより酸を発
生する物質である。
、ヨウ素酸、ジアゾ酸、ハロゲン化水素等の無機酸;ま
たはニトロベンジルスルホン酸、シアノベンジルスルホ
ン酸、ニトロベンジルカルボン酸、シアノベンジルカル
ボン酸、ニトロベンジルリン酸、シアノベンジルリン酸
、ニトロベンジル硝酸、シアノベンジル硝酸等の有機酸
である。
、ホスホニウム、ヨウドニウム、ジアゾニウム等のオニ
ウム塩;ニトロベンジルハライド;ハロゲン化炭化水素
;ニトロベンジルスルホン酸フェニル、ニトロベンジル
スルホン酸ナフトル、o−ニトロベンジル−9,10−
ジエトキシアントラセン−2−スルホネ−ト、p−ニト
ロベンジル−9,10−ジエトキシアントラセン−2−
スルホネ−ト、o−ニトロベンジル−9,10−ジメト
キシアントラセン−2−スルホネ−ト、p−ニトロベン
ジル−9,10−ジメトキシアントラセン−2−スルホ
ネ−ト、o−ニトロベンジル−9,10−ジプロポキシ
アントラセン−2−スルホネ−ト、p−ニトロベンジル
−9,10−ジプロポキシアントラセン−2−スルホネ
−ト等のニトロベンジルスルホン酸エステル;ベンゾイ
ントシレ−ト、2−メチルベンゾイントシレ−ト等のベ
ンゾインスルホン酸エステル;シアノベンジルスルホン
酸フェニル、シアノベンジルスルホン酸ナフトル等のシ
アノベンジルスルホン酸エステル;ニトロベンジルカル
ボン酸フェニル、ニトロベンジルカルボン酸ナフトル等
のニトロベンジルカルボン酸エステル;シアノベンジル
カルボン酸フェニル、シアノベンジルカルボン酸ナフト
ル等のシアノベンジルカルボン酸エステル;ニトロベン
ジルリン酸フェニル、ニトロベンジルリン酸ナフトル等
のニトロベンジルリン酸エステル;シアノベンジルリン
酸フェニル、シアノベンジルリン酸ナフトル等のシアノ
ベンジルリン酸エステル;ニトロベンジル硝酸フェニル
、ニトロベンジル硝酸ナフトル等のニトロベンジル硝酸
エステル;シアノベンジル硝酸フェニル、シアノベンジ
ル硝酸ナフトル等のシアノベンジル硝酸エステルが挙げ
られる。
基を有する樹脂の1,2−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル(イ)100重量部に対し、好ましくは0.01
〜40重量部、特に好ましくは0.1〜10重量部の割
合で用いられる。
トリエ−ション等の塗布性を改良するために界面活性剤
を配合することもできる。界面活性剤としては、例えば
ポリオキシエチレンラウリルエ−テル、ポリオキシエチ
レンステアリルエ−テル、ポリオキシエチレンオレイル
エ−テル等のポリオキシエチレンアルキルエ−テル類;
ポリオキシエチレンオクチルフェノ−ルエ−テエル、ポ
リオキシエチレンノニルフェノ−ルエ−テル等のポリオ
キシエチレンアルキルフェノ−ルエ−テル類およびポリ
エチレングリコ−ルジラウレ−ト、ポリエチレングリコ
−ルジステアレ−ト等のポリエチレングリコ−ルジアル
キルエ−テル類の如きノニオン系界面活性剤、エフトッ
プEF301、EF303、EF352(新秋田化成(
株)製)、メガファックF171、F172、F173
(大日本インキ(株)製)、アサヒガ−トAG710(
旭硝子(株)製)、フロラ−ドFC430、同FC43
1(住友スリ−エム(株)製)、サ−フロンS−382
、SC101、SC102、SC103、SC104、
SC105、SC106(旭硝子(株)製)等のフッ化
アルキル基またはパ−フルオロアルキル基を有するフッ
素系界面性剤、オルガノシロキサンポリマ−KP341
(信越化学工業(株)製)、並びにアクリル酸系または
メタクリル酸系(共)重合体ポリフロ−No.75、N
o.95、WS(共栄社油脂化学工業(株)製)を挙げ
ることができる。 これらの界面活性剤の配合量は、フェノ−ル性水酸基を
有する樹脂の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステ
ル100重量部当たり、好ましくは、2重量部以下、よ
り好ましくは0.005〜1重量部である。
の潜像を可視化させたり、放射線照射時のハレ−ション
の影響を少なくするために染料や顔料を、配合すること
ができる。ここにおける染料としては、例えば油溶染料
、分散染料、塩基性染料、メチン系染料、ヒドロキシア
ゾ系染料等を挙げることができる。好ましい染料は、例
えばネオペンゲルプ075(バスフ社製)、ネオザポン
ゲルプ073(同)、ソルベントイエロ−162、マク
ロレックスイエロ−、ハイドロキシアゾベンゼン等を挙
げることができる。
て保存安定剤、消泡剤等も配合することができる。
ル性水酸基を有する樹脂の1,2−キノンジアジドスル
ホン酸エステル、(2)有機酸、有機酸塩、有機酸ハロ
ゲニドおよび酸発生物質から選ばれる少なくとも1種の
化合物および必要に応じて前記の各種添加剤を有機溶剤
に溶解させることにより調製され、必要により、例えば
孔径0.2μm程度のフィルタで濾過される。
ばエチレングルコ−ルモノメチルエ−テル、ジエチレン
グリコ−ルモノメチルエ−テル、エチレングリコ−ルモ
ノエチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルモノエチルエ
−テル、ジエチレングリコ−ルジブチルエ−テル、ジエ
チレングリコ−ルジメチルエ−テル、プロピレングリコ
−ルメチルエ−テルアセテ−ト、メチルセロソルブアセ
テ−ト、エチルセロソルブアセテ−ト、ブチルセロソル
ブアセテ−ト、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−
メトキシプロピオン酸エチル、トルエン、キシレン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘ
キサノン、シクロペンタノン、アセトニルアセトン、ア
セトフェノン、イソホロン、ベンジルエチルエ−テル、
1,2−ジブトキシエタン、ジヘキシルエ−テル、カプ
ロン酸、カプリル酸、1−オクタノ−ル、1−ノナノ−
ル、1−デカノ−ル、ベンジルアルコ−ル、酢酸エチル
、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、2−エチルヘキシルア
セテ−ト、酢酸ベンジル、安息香酸ベンジル、蓚酸ジエ
チル、蓚酸ジブチル、マロン酸ジエチル、乳酸エチル、
乳酸メチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、マレイン酸ジ
メチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、フ
タル酸ジブチル、フタル酸ジメチル、炭酸エチレン、炭
酸プロピレン、γ−ブチロラクトン、ジメチルイミダゾ
リジノン等を挙げることができる。これらの有機溶剤は
、単独で使用することも併用することもできる。
−ル塗布等によりシリコンウェ−ハ等に塗布することが
できる。
上に塗布した後、溶媒を除去するため、プレベ−ク処理
を、例えば70〜130℃の温度で行なう。その後、基
板上のレジスト層にパタ−ンマスクを通して放射線、例
えば紫外線、遠紫外線、X線、可視光等を照射する。
て1,2−キノンジアジド基が分解され、また酸発生剤
が含まれる場合は酸が生成される。次いで基板を加熱処
理する。加熱処理は、120〜200℃の温度において
行なうのが好ましい。加熱により未放射線照射部分に存
在する1,2−キノンジアジド基とフェノール性水酸基
を有する樹脂、及び1,2−キノンジアジド基どうしが
熱反応して、分子鎖に架橋構造が形成される。一方放射
線照射部分では、既に1,2−キノンジアジド化合物が
大半分解しているため、架橋構造の形成は放射線照射部
分に較べて極めて少ない。
チルジシラザンで処理した際に、放射線照射部分にはシ
リコン化合物が浸透拡散するが、未放射線照射部分には
架橋構造のため、シリコン化合物が浸透することが強く
抑制され、ドライエッチング耐性のネガ型潜像が形成さ
れる。
ラズマ等を用いたエッチングにより現像することによっ
て所望のネガ型レジストパタ−ンが得られる。
られるネガ型レジストパタ−ンは、高解像度であり残渣
が残らない良好なレジストパタ−ンである。
発明はこれらの実施例により何ら制約されるものではな
い。以下の実施例において諸特性は次のように評価され
た。
トグラフィ−(GPC)で測定したクロマトグラムより
求める。測定条件は、東ソー(株)製高速GPC装置H
LC−802A、ディテクタ−はRI、カラムは東ソー
(株)製TSK−GEL G4000H8、G300
0H8、G2000H8×2本、溶出溶媒はTHF、流
速は1.2ml/min、カラム温度は40℃、試料濃
度は0.02g/10ml(THF)で求めた。
当する低分子量成分の重量%;GPCクロマトグラムに
おいて、全クロマトグラムの面積をS1、ポリスチレン
換算分子量が600以下の部分の面積をS2としたとき
、下記式より求められる値。W=(S2/S1)×10
0
のラインアンドスペ−スのパタ−ンが設計寸法通りに解
像されるときの露光エネルギ−。
、ステッパ−(ニコン社製NSR−1505i6A)の
焦点位置を0.2μm毎に変えて露光した場合に0.6
μmラインアンドスペ−スのパタ−ンでスペ−ス部分に
レジスト残渣が発生しない焦点の設定範囲。
00mlのフラスコにp−t−ブチルフェノ−ル60g
、フェノ−ル150g、パラホルムアルデヒド39g、
37重量パ−セントのホルムアルデヒド水溶液48.5
gおよび蓚酸1.9gを仕込んだ。攪拌しながら、フラ
スコを油浴に浸し、内温を100℃に保持しながら、3
時間反応させた。その後、油浴温度を190℃まで上げ
、同時にフラスコ内を減圧にして、水、未反応のp−t
−ブチルフェノ−ル、ホルムアルデヒド、パラホルムア
ルデヒドおよび蓚酸を除いた。次いで、溶融したノボラ
ック樹脂〔以下「ノボラック樹脂1A」という〕を室温
に戻して回収した。
量平均分子量は14,200でありそのうち分子量が6
00以下に相当する低分子量成分の割合は13.9重量
%であった。
溶解して、ノボラック樹脂1Aの25重量%メタノ−ル
溶液を調製し、この溶液200gに水28gを加えて樹
脂分を沈澱させ、沈澱した樹脂分を回収し、50℃に加
熱し、減圧下で24時間乾燥させて、低分子量成分の少
ないノボラック樹脂〔以下「ノボラック樹脂1B」とい
う〕を得た。ノボラック樹脂1Bのポリスチレン換算重
量平均分子量は27,500でありそのうち分子量が6
00以下に相当する低分子量成分は7.6重量%であっ
た。
,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド
9.8g、水16mlを320mlのプロピレングリコ
−ルモノメチルエ−テルアセテ−トに溶解した後、8重
量%トリエチルアミンのプロピレングリコ−ルモノメチ
ルエ−テルアセテ−ト溶液50.8gを加えて攪拌し、
1時間反応させた。その後、1規定塩酸を3.7ml加
えて20分間攪拌し、次いで、プロピレングリコ−ルモ
ノメチルエ−テルアセテ−ト飽和水溶液150mlを加
え攪拌した後、静置し、水層と油層を分離し水層を廃棄
することにより水洗した。その後、同じ水洗操作をさら
に2回繰り返し、残存しているトリエチルアミン塩酸塩
、トリエチルアミンおよび塩酸を除去した。この様に水
洗した反応液から減圧下溶剤を除去してノボラック樹脂
のフェノ−ル性水酸基が部分的にエステル化されたノボ
ラック樹脂〔以下「エステル化ノボラック樹脂1C」と
いう〕28gを得た。
10gと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸0.1gをプロピレングリコ−ルモノメチルエ−テル
アセテ−ト30gに溶解した後、孔径0.2mmのメン
ブランフィルタ−で濾過し、本発明の組成物の溶液を調
製した。
−で塗布した後、95℃で2分間ホットプレ−ト上でプ
リベ−クして1.5μm厚のレジスト膜を形成した。次
いで、これにニコン製ステッパ−NSR−1505i6
Aを用いて、パターンマスクを通して露光した。露光は
ステッパ−の焦点の位置を0.2μm毎に変えて行なっ
た。露光したウェ−ハを次いで160℃で2分間真空中
でベ−クした後、ヘキサメチルジシラザン蒸気で160
℃で4分間処理した。
型反応性イオンエッチング装置(MRC製、ARIES
)に装着し、酸素反応性イオンエッチングによりドライ
現像したところ、垂直の側壁を有するネガ型のレジスト
パタ−ンが得られた。また、最適露光量は200mJ/
cm2でフォ−カス許容度は1.6μmであった。
ボラック樹脂1Aを使用した以外は実施例1の(3)お
よび(4)と同様にして組成物の溶液を調製し、レジス
トとしての性能を評価した。この結果、最適露光量は1
50mJ/cm2であり、0.6μmのラインアンドス
ペ−スパタ−ンが解像できたが、フォ−カス許容度は0
.8μmと小さかった。
)におけるノボラック樹脂1Aの25重量%メタノ−ル
溶液200gに添加する水の量を32g〜60gの間で
変化させ、その他は実施例1(2)と同様に処理して、
下記表1に示す低分子量成分の割合をもつノボラック樹
脂を得た。これらのノボラック樹脂を用いその他は実施
例1(3)および(4)と同様に、本発明の組成物の溶
液を調製し、レジストとしての性能を評価した。結果を
下記表1に示す。いずれの場合も、0.6μmのライン
アンドスペ−スパタ−ンが解像できたが、実施例2〜4
ではフォ−カス許容度は1.4μm以上あったのに対し
比較例2の場合は、0.8μmと小さな値であった。
計を装着した内容積500mlのフラスコにm−クレゾ
−ル60g,p−クレゾ−ル40gおよび37重量%ホ
ルムアルデヒド水溶液71mlおよび蓚酸0.04gを
添加した。内容物をよく攪拌し、均一溶液とするととも
にフラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持しなが
ら、3時間反応させた。その後、油浴温度を180℃ま
で上げ、フラスコ内を減圧にすることにより、水、未反
応クレゾ−ル、ホルムアルデヒドおよび蓚酸を除いた。 次いで溶融したノボラック樹脂〔以下「ノボラック樹脂
5A」という〕を室温に戻し回収した。
子量は10,400でありそのうち分子量が600以下
に相当する低分子量成分の割合は20.7重量%であっ
た。
ノ−ル150gに溶解し、水40gを加え樹脂分を沈澱
させ、沈澱した樹脂分を回収し、50℃に加熱し減圧下
で24時間乾燥させて、低分子量成分の少ないノボラッ
ク樹脂〔以下「ノボラック樹脂5B」という〕を得た。 ノボラック樹脂5Bのポリスチレン換算重量平均分子量
は23,900でありそのうち分子量が600以下に相
当する低分子量成分の割合は9.4重量%であった。
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド7
.3gおよび水16mlを320mlのプロピレングリ
コ−ルモノメチルエ−テルアセテ−トに溶解した後、8
重量%トリエチルアミンのプロピレングリコ−ルモノメ
チルアセテ−ト溶液37.8gを加え攪拌し1時間反応
させた。その後、1規定塩酸を2.8ml加え20分間
攪拌し、次いでプロピレングリコ−ルモノメチルエ−テ
ルアセテ−ト飽和水溶液150mlを加え攪拌した後、
静置し、水層と油層を分離し水層を廃棄することにより
水洗した。その後、同様の水洗操作をさらに2回繰り返
し残存しているトリエチルアミン塩酸塩、トリエチルア
ミンおよび塩酸を除去した。この様に水洗した反応液か
ら減圧下溶剤を除去して、ノボラック樹脂のフェノ−ル
性水酸基が部分的にエステル化されたノボラック樹脂〔
以下「エステル化ノボラック樹脂5C」という〕25g
を得た。
いる他は、実施例1(4)と同様にして本発明の組成物
の溶液を調製しレジストとしての性能を評価したところ
、最適露光量は380mJ/cm2でフォ−カス許容度
は1.6μmと良好であった。
ボラック樹脂5Aを使用した以外は実施例5(3)およ
び(4)と同様にして組成物の溶液を調製し、レジスト
としての性能を評価したところ、最適露光量は210m
J/cm2でフォ−カス許容度は0.6μmと良くなか
った。
リ(p−ビニルフェノ−ル)(丸善石油化学(株)製)
を使用した以外は実施例1(3)および(4)と同様に
して本発明の組成物の溶液を調製した。尚、ポリ(p−
ビニルフェノ−ル)のポリスチレン換算重量平均分子量
は8,300でありそのうち分子量が600以下に相当
する低分子量成分の割合は8.8重量%であった。レジ
ストとしての性能を評価したところ、最適露光量は22
0mJ/cm2でフォ−カス許容度は1.4μmと良好
であった。
10gと1−ナフタレンスルホン酸0.1gをプロピレ
ングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト30gに溶
解した後、孔径0.2μmのメンブランフィルタ−で濾
過し、本発明の組成物の溶液を調製し、レジストとして
の性能を評価したところ、最適露光量は200mJ/c
m2でフォ−カス許容度は1.4μmと良好であった。
10gとp−ニトロベンジル−9,10−ジエトキシア
ントラセン−2−スルホネ−ト0.3gをプロピレング
リコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト30gに溶解し
た後、孔径0.2μmのメンブランフィルタ−で濾過し
、本発明の組成物の溶液を調製し、レジストとしての性
能を評価したところ、最適露光量は240mJ/cm2
でフフォ−カス許容度は1.6μmと良好であった。
分子量成分が少ないため、焦点が多少ずれた放射線照射
をしても未放射線照射部分にレジスト残渣が発生するこ
とがない。したがって、加工により基板表面の凹凸が激
しく最適の焦点が基板上の位置によって変わるような基
板を用いる場合でも再現性の良い微細な加工が可能とな
る。
などの製品の集積度を向上させ、かつ歩留りを向上させ
ることができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 (イ)ポリスチレン換算分子量が60
0以下の低分子量成分を12重量%以下で含有するフェ
ノ−ル性水酸基を有する樹脂の1,2−キノンジアジド
スルホン酸エステル 並びに(ロ)有機酸、有機酸塩
、有機酸ハロゲニドおよび放射線の照射で酸を発生する
物質よりなる群から選ばれる化合物、を含有する感放射
線性樹脂組成物より成る層を塗布し、選ばれた部分のみ
に放射線を照射し、次いでシリル化剤で処理し、シリル
化剤を選択的に放射線照射部に吸収、反応させた後、該
層を異方性酸素プラズマエッチングによりドライ現像し
て該層の放射線非照射部分を選択的に除去することを特
徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3122933A JP2978281B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3122933A JP2978281B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | パターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04328556A true JPH04328556A (ja) | 1992-11-17 |
JP2978281B2 JP2978281B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=14848206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3122933A Expired - Lifetime JP2978281B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2978281B2 (ja) |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3122933A patent/JP2978281B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2978281B2 (ja) | 1999-11-15 |
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