JPH0432787A - 磁界センサ - Google Patents

磁界センサ

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JPH0432787A
JPH0432787A JP13946390A JP13946390A JPH0432787A JP H0432787 A JPH0432787 A JP H0432787A JP 13946390 A JP13946390 A JP 13946390A JP 13946390 A JP13946390 A JP 13946390A JP H0432787 A JPH0432787 A JP H0432787A
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JP
Japan
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signal
magnetic field
magnetic core
circuit
voltage
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JP13946390A
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English (en)
Inventor
Sueyoshi Oga
大賀 末寿
Sunao Yabe
矢部 直
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JFE Techno Research Corp
Original Assignee
Kawatetsu Techno Research Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業」二の利用分野〉 本発明は、磁界センサに係り、特に、外部磁界を検出す
るのに好適な小型化された&1界センサに関する。
〈従来の技術〉 従来の外部磁界を検出する磁界センサとしては、例えば
、第6図に示されるように、2個の磁芯1a、Ibを用
いて、それぞれの磁芯1a、lbに巻回された励磁用コ
イル2を逆接続し、この磁芯la、lbに共通に巻回さ
れた検出コイル3から倍周波信号を取り出すように構成
されているのが一般的である。
これにより、磁芯1a、lbのヒステリシス特性を利用
して、被検出外部磁界を図示しない演算回路で検出して
いた。このヒステリシス特性は、磁壁移動ならびに磁化
回転モードの複合によるものであった。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上記した従来例は励磁用コイル2により
磁芯1a、lbの周囲を大型化し、かつ複雑化し、磁壁
移動に伴う磁気エネルギー雑音と高周波損失が大きくな
り、低感度、低速、低精度となるなどの欠点があった。
そこで、本発明者らは、このような従来例の有する欠点
を改善すべく、既に特願平1−228221号によって
アモルファス合金製の磁芯にコイルを2個ないし3個巻
回した磁界センサを12案した。
ここで2コイル磁芯の内容について説明すると、第7図
に示すように、アモルファス合金から構成される磁芯1
に、励磁回路2によって10なる高周波制御電流を直接
通電するようにし、その磁芯lの周囲には被検出外部磁
界1■。、を検出する検出コイル3と負帰還コイル4と
の2つのコイルを巻回する。
そして、検出コイル3により検出された検出信号S1を
増幅回路8で増幅して信号S!とその信号を反転させた
信号S、とを同期整流回路9において発振器13の周波
数r、の倍周波数2f、で同期整流して信号S4とし、
さらにこの信号S4を積分回路10で積分して信号S、
として加算回路11に出力する。
一方、直流電源7からは磁芯1の磁化モーI′が第8図
に示すような回転磁化モードになるように直流のバイア
ス電圧S4を加算回路11に通電し、加算回路11にお
いて信号S、と加算演算した信号S、を電圧/電流変換
回路12を介して負帰還信号IFmとして磁芯lに印加
する。
これによって、磁芯1の磁化モードは回転磁化領域モー
ドになるとともに、磁化回転角度が一定となるから、磁
芯1から検出コイル3により検出される信号値は初期の
バイアス状態に復帰することになる。なお、積分回路1
0から出力される信号S、を表示RN14に出力するよ
うにすれば、被検出外部磁界■10.の値の大きさを表
示することができる。
しかし、この特願平1−228227号の改良型iff
界センサにおいても、磁芯lに検出コイル3と負帰還コ
イル4の2コイルを巻回しなければならないから、磁芯
とされるアモルファス合金として例えば極細のワイヤ状
のものを用いたとしても、磁界センサの外形を小さくす
るには限界が生じるのである。
本発明は、上記のような課題を解消すべくなされたもの
であって、検出の性能を損なわないでコイルを1個とし
て小型化を実現した磁界センサを稈供することを目的と
する。
〈課題を解決するだめの手段〉 本発明は、細長いアモルファス磁性合金を中央部で折り
曲げ加工して左右対称に構成される磁芯と、該磁芯に高
周波制’1nit流を直接通電する励磁回路と、前記磁
芯の周囲に巻回されて磁界を検出する検出コイルと、該
検出コイルに直流の電流を通電して前記磁芯の磁化モー
ドを回転磁化領域モードにし、かつ磁化F」転角度が被
検出外部磁界がゼ〔1のときに一定となるようにバイア
スする直流5tl電源および電圧/電流変換回路と、前
記検出コイルの検出信号に含まれる交流成分を分離して
増幅・整流した発生電圧に含まれる前記バイアス分を、
比較用基準電源から出力される一定電圧によって消去し
て被検出外部磁界の信号成分のみを1n分する積分回路
と、該積分回路で平滑された出力信号と前記直流基準電
源から出力されるバイアス電圧とを加算する加算回路と
、該加算回路の出力信号を前記電圧/電流変換回路を経
て前記検出コイルに負帰還して、被検出外部磁界によっ
て変化する前記磁芯の磁化回転角度を一定にするように
制御する負帰還回路と、前記積分回路の出力電圧を被検
出外部磁界信号として外部に出力して表示する表示回路
と、からなることを特徴とする磁界センサである。
なお、前記磁芯の形ぜはU字状あるいは複数の折り曲が
り加工が施された形状となし得ることができる。
く作 川〉 本発明者らは、上記した特願平1−228227号の改
良型磁界センサの有する課題について鋭意検討し、実験
・研究を重ねた結果、以下のような新たな特性を見出し
、この知見に基づいて本発明を完成させるに至った。
■ 前出第7図の磁界センサを用いて種々の実験の結果
、検出コイル3と負帰還コイル4に誘起する電圧の波形
はほぼ同一に近いものであることが判明した。
■ さらに精査した結果、それらの電圧波形は各コイル
の内部インピーダンス(例えば100Ω以下)とそれら
のコイルに接続される負荷の大きさとの関係で差異が発
生ずることを突き止めた。
■ また、検出コイル3と負帰還コイル4の2個のコイ
ルと励振される磁芯lとは、ともに相互インダクタンス
によって[fff的に強く結合されているため、磁芯1
または検出コイル3と負帰還コイル4のいずれかのコイ
ルの1個所に負荷を強くかけると、他のコイルまたはけ
芯lにもかなりの影響を及ぼすことが判明した。
■ したがって、負帰還コイル4の駆動抵抗と検出コイ
ル3の負荷抵抗とをそれぞれ例えば10にΩの値に高く
すると、検出コイル3と負帰還コイル4の双方の電圧波
形が全く同一になることが判明した。
以上のような知見に基づいて、負帰還コイル4を駆動す
るバイアス電流源である電圧/N流変換回m12に高周
波領域まで高インピーダンスを有する例えば4〜10 
MI+2の高周波増幅器を用いて制御するようにすれば
、高周波信号まで十分高いインピーダンスを保つことが
できるから、負帰還コイル4と検出コイル3の双方に同
一波形を発生させることできることが判明した。
また、このように負帰還コイル4の直流電流源である電
圧/電流変換回路12に高周波増幅器を用いてバイアス
ffaJ jra シてやるこきにより、2個のコイル
ずなわち検出コイル3と負帰還コイル4を1個に減じて
も同一波形が保持されることが鎮圧された。
さらに、検出コイル3によって被検出外部磁界■Ioを
検出する場合は、被検出外部磁界の交流成分よりも1桁
以上高く設定した励振周波数に同期する信号のろを取り
出してやればよいので、例えばCPなどの交流結合とす
ることにより、1個のコイルを用いてバイアスおよび負
帰還制御を行い、かつ交流結合によって回転磁界の(8
号を検出することができることがわかった。
なお、ここで、本発明における被検出外部磁界の測定原
理について簡単に説明すると、前出第8図に示すように
、磁芯の磁壁移動に1↑うヒステリソス特性をなくする
ために、磁芯をバイアス磁界tl bで磁気飽和の状態
に保ち、磁芯にM iff電流を通電することによりこ
の励磁電流に直交した611界I+、を磁芯内部につく
り出す、その結果、磁化はバイアス磁界I+、を中心に
磁化回転モードをつくり、このときの磁化が回転する角
度(θ)はバイアス6fi界11.と励磁電流による直
交磁界11 、の正接に比例する。
このため、磁化回転によるバイアス磁界11.方向の磁
化変化成分1121゜が検出コイルに倍周波電圧を誘起
させ、外部磁化の強さによって磁化回転角度θが変化す
る。すなわち、外部磁界が大きくなると!1支化回転角
度が小さくなるので検出電圧が減少し、磁化回転角度を
一定に保つために負帰還コイルにより外部磁界を補償し
、この補(M km界を外部磁界の値として検出するこ
とができる。
また、検出電圧が倍周波電圧になることは周知ではある
が説明すると、検出コイルに誘起される電圧は、バイア
ス磁界H,方向の磁化変化の時間微分であるから、半m
lルIの直交磁界IIPの時間変化の間に1周期の磁界
変化を生ずるので、倍周波電圧を発住させることができ
るのである。
さらに、本発明によれば、磁芯はアモルファス合金から
構成されるから、高周波の直接励磁が可能となり、高速
応答特性を有することとなる。
〈実施例〉 以下に、本発明の実施例について、図面を参照して詳し
く説明する。
第1図は、本発明に係る実施例の構成を示すブロック図
であり、第2図は制御回路の波形を示す特性図である。
なお、図中において、従来例と同一部材は同一符号を付
しである。
磁芯IAは、細長いアモルファス合金のワイヤを、その
中央部において左右対称になるように例えばU字状とさ
れ、その両端部に励磁回路2から直接f、なる高周波制
jrg電流が1ill電される。
この磁芯IAの周囲には検出コイル3Aが1個のみ巻回
され、被検出外部磁界H0゜の検出機能と、磁芯IAの
磁化モードを回転磁化モードにするバイアス状態能と、
さらに磁芯IAの磁化回転角度が一定になるようにf+
、帰還制御をする機能の3つの機能を有する。
検出コイル3Aにおいて検出される信号S1は、コンデ
ンサC,,C2および抵抗R1,Rzで構成されるCI
?の交流結合によって交流分のみとされる。
制?111回路6Δは、直流基準電源7.増幅回路8同
!す1整流回路9.積分回路10.加算回路11.高イ
ンピーダンスを有する電圧/[流変換回路12A。
発振器13.仕較基串電源15から構成され、それぞれ
の回路においては第2図に示すような波形で動作する。
ずなわら、まず検出コイル3Δで検出される信号S、は
、増幅回路8で信号S、とその信号を反転さ−lた信号
S、lとに増幅され、同期整流回路9において発振器1
3の周波数f#の倍周波数2T。
で同期整流されて電圧信号S、とされる。
ついで、この電圧信号S4は積分回IPIloに入力さ
れ、積分回路10において比較用基準電源15から出力
される一定な比較電圧信号S、と比較されてバイアス電
圧分が消去され、被検出外部磁界I1.。
の信号成分のみが積分されて信号S、を加算回路11に
出力する。
加算回Nilにおいては、積分回路IOからの出力信号
S、と直流基準T!j、源7から磁芯1の磁化モードを
回転611化モードになるように供給される直流のバイ
アス電流S、とを加算し、その加算された信号S、は高
インピーダンスにて高周波領域まで動作する電圧/it
流変換回7a12Aで変換され、負帰還信号IFIとし
て磁芯IAに負帰還させることにより電流制御が行われ
る。
これによって、磁化回転角度が一定となるとともに、磁
芯IAの磁化モードは第3図に示すように回転磁化領域
モードになる。すなわち、被検出外部磁界夏1.0がゼ
ロのとき、直流基t#電源7によりバイアスミ電流が加
算回路11A、電圧/電流変換回路12Aを介して磁芯
IAに流れると、磁芯IAにおいて回転磁化モードH、
で倍周波出力電圧V、が得られるとする。
そこで、被検出外部磁界H,,が存在すると倍周波出力
電圧は■おからVに変化することになるから、負帰還信
号!、を負帰還して被検出夕1部磁界11−を打ら消ず
ことにより、検出磁化位置を図中のt3点から4点に移
動さ−υて、常に一定点で検出Jることができる。これ
により、被検出外部1イ1界11.1と検出信号S、と
の間に比例関係がなくてもよいことになり、検出精度が
向」−することになる。
このようにして、検出コイル3△により検出される信号
値は常に初ル1のバイアス状態に復帰する。
なお、積分回路10から出力される信号S、を分岐して
表示器14に出力し、被検出外部磁界II、Xの値の大
きさを表示する。
本発明の磁界センサの磁芯IΔとして、拐質がCo49
で寸法が直径;  O,Immφ×長さ;30mfのア
モルファスワイヤを中央部から左右対称にU字状に2重
に折り曲げて、その表面に被膜絶縁を施して互いに接触
して電流が流れないように構成し、また電圧/電流変換
回H2八には4〜10 MIIzO高インピーダンスを
有するオペレーショナルアンプを用いた。
そして、励磁周波数[。; 200kllz、励磁電圧
;200++V (正弦波)として磁芯を直接励磁して
、被検出外部磁界11.工(Oe)を変化させたときの
負帰還電流1□(−八)との関係を調べたところ、第4
図に示すように極めて良好な直線性を得ることができた
なお、上記実施例において、磁芯IAの形状をU字状と
して説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、第5図(a)に示すように、例えばW字状などの折
り曲がり加工が複数とされる磁芯113とすることによ
りファンダメンタル波形成分の少ない検出が可能となり
、より安定性を増すことが可能である。
また、磁芯1Δに用いるアモルファス合金はワイヤ状の
ものとして説明したが、第5図(b)に示すように、リ
ボン状のけ芯ICとして用いても同様の作用を得ること
ができる。
〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明の磁界センサによれば、ア
モルファス合金の磁芯の周囲に巻回するコイルを1個に
したので、検出部をさらに小型化することが可能となり
、また検出部へのリード線も4木と最小の結線でよいか
ら回路の小純化が可能である。
これによって、磁界センサの製造に要するコストを大幅
に低減させることができるから、その経済的効果は大で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係る実施例の構成を示すブロック図
、第2図は、制御11回路の波形を示す特性図、第3図
は、本発明の作用を示す説明図、第4図は、被検出外部
磁界と負帰還信号との関係を示す特性図、第5図(a)
、 (b)は、磁芯の他の実施例を示す概要図、第6図
は、磁界センサの従来例を示す概要図、第7図は、改良
型磁界セ、ンサの構成を示すブロック図、第8図は、改
良型磁界センサの原理の説明図である。 IA、IB、IC・・・磁芯、  2・・・励磁回路3
A・・・検出コイル、  5・・・被検出外部磁界コイ
ル、6Δ・・・制御回路、  7・・・直流基準電源8
・・・増幅回路、  9・・・同期整流回路、  10
・・・積分回路、11・・・加算回路、  12A・・
・電圧/[流度1^回路、13・・・発振器、  14
・・・表示器、15・・比較基準電源。 第 2 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、細長いアモルファス磁性合金を中央部で折り曲げ加
    工して左右対称に構成される磁芯と、該磁芯に高周波制
    御電流を直接通電する励磁回路と、前記磁芯の周囲に巻
    回されて磁界を検出する検出コイルと、該検出コイルに
    直流の電流を通電して前記磁芯の磁化モードを回転磁化
    領域モードにし、かつ磁化回転角度が被検出外部磁界が
    ゼロのときに一定となるようにバイアスする直流基準電
    源および電圧/電流変換回路と、前記検出コイルの検出
    信号に含まれる交流成分を分離して増幅・整流した発生
    電圧に含まれる前記バイアス分を、比較用基準電源から
    出力される一定電圧によって消去して被検出外部磁界の
    信号成分のみを積分する積分回路と、該積分回路で平滑
    された出力信号と前記直流基準電源から出力されるバイ
    アス電圧とを加算する加算回路と、該加算回路の出力信
    号を前記電圧/電流変換回路を経て前記検出コイルに負
    帰還して、被検出外部磁界によって変化する前記磁芯の
    磁化回転角度を一定にするように制御する負帰還回路と
    、前記積分回路の出力電圧を被検出外部磁界信号として
    外部に出力して表示する表示回路と、からなることを特
    徴とする磁界センサ。 2、前記磁芯の形状がU字状とされることを特徴とする
    請求項1記載の磁界センサ。 3、前記磁芯は複数の折り曲がり加工が施された形状と
    されることを特徴とする請求項1記載の磁界センサ。
JP13946390A 1990-05-29 1990-05-29 磁界センサ Pending JPH0432787A (ja)

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Cited By (4)

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