JPH04326554A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04326554A JPH04326554A JP12503591A JP12503591A JPH04326554A JP H04326554 A JPH04326554 A JP H04326554A JP 12503591 A JP12503591 A JP 12503591A JP 12503591 A JP12503591 A JP 12503591A JP H04326554 A JPH04326554 A JP H04326554A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- resin
- semiconductor device
- injection port
- base plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の特に樹
脂封止型半導体装置の樹脂封止に関するものである。
脂封止型半導体装置の樹脂封止に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の樹脂封止型半導体装置の断
面図を示す。図において、１は銅材で構成され、放熱を
兼ねた平板状の銅ベース板、２はこの銅ベース板の外縁
にその内周縁が固着された合成樹脂からなるＵ字状のケ
ース、３は上記銅ベース板１の上面に半田接合され、両
面に絶縁膜が固着されると共に、その上面に回路パター
ンが形成された絶縁基板、４はこの絶縁基板３上のパタ
ーンに合わせて半田接合された半導体素子、５は同様に
上記絶縁基板３上のパターンに合わせて銅パッド６を介
して接合された外部接続用の電極端子、７は上記半導体
素子４と絶縁基板３及び銅パッド６とを接続するアルミ
ワイヤー、８は上記ケース２のほぼ中間まで加圧せずに
注入して上記半導体素子４、電極端子５、及びアルミワ
イヤー７等を封止するゲル状の充填物、９はさらにこの
ゲル状の充填物８の上部に加圧せずに注入して、上記ケ
ース２の内部一杯まで充填される密封用樹脂、１０は上
記ケース２内にゲル状の充填物８及び密封用樹脂９を注
入するため、上記ケース２の上面に形成された矩形の注
入口で、両側に補強としてリブ１０ａが形成されている
。
面図を示す。図において、１は銅材で構成され、放熱を
兼ねた平板状の銅ベース板、２はこの銅ベース板の外縁
にその内周縁が固着された合成樹脂からなるＵ字状のケ
ース、３は上記銅ベース板１の上面に半田接合され、両
面に絶縁膜が固着されると共に、その上面に回路パター
ンが形成された絶縁基板、４はこの絶縁基板３上のパタ
ーンに合わせて半田接合された半導体素子、５は同様に
上記絶縁基板３上のパターンに合わせて銅パッド６を介
して接合された外部接続用の電極端子、７は上記半導体
素子４と絶縁基板３及び銅パッド６とを接続するアルミ
ワイヤー、８は上記ケース２のほぼ中間まで加圧せずに
注入して上記半導体素子４、電極端子５、及びアルミワ
イヤー７等を封止するゲル状の充填物、９はさらにこの
ゲル状の充填物８の上部に加圧せずに注入して、上記ケ
ース２の内部一杯まで充填される密封用樹脂、１０は上
記ケース２内にゲル状の充填物８及び密封用樹脂９を注
入するため、上記ケース２の上面に形成された矩形の注
入口で、両側に補強としてリブ１０ａが形成されている
。
【０００３】次にその作用を図３及び図４について説明
する。半導体素子４、電極端子５及びアルミワイヤー７
等がケース２の内部に収納された半導体装置において、
まず注入口１０からゲル状の充填物８をケース２内部の
ほぼ中間あたりまで加圧せずに注入し、その後硬化させ
る。次に同様に注入口１０から密封用樹脂９（例えばエ
ポキシ樹脂等）をケース２内に充満するまで加圧せずに
注入するが、注入するに従ってケース２内の空気や樹脂
中の空気は次第にケース２の上蓋の内面２ａとリブ１０
ａとで形成される隅に押しやられて気泡Ａとして溜まる
。
する。半導体素子４、電極端子５及びアルミワイヤー７
等がケース２の内部に収納された半導体装置において、
まず注入口１０からゲル状の充填物８をケース２内部の
ほぼ中間あたりまで加圧せずに注入し、その後硬化させ
る。次に同様に注入口１０から密封用樹脂９（例えばエ
ポキシ樹脂等）をケース２内に充満するまで加圧せずに
注入するが、注入するに従ってケース２内の空気や樹脂
中の空気は次第にケース２の上蓋の内面２ａとリブ１０
ａとで形成される隅に押しやられて気泡Ａとして溜まる
。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上の様に構成されているので、ケース２の注入口１０か
ら密封用樹脂９を注入して行くに従って、ケース内の空
気や樹脂９内の空気が上方に押しやられて硬化する際に
、表面気泡として残るため、外観を損なったり、気泡が
大きいと絶縁不良を起こす等の問題点があった。
上の様に構成されているので、ケース２の注入口１０か
ら密封用樹脂９を注入して行くに従って、ケース内の空
気や樹脂９内の空気が上方に押しやられて硬化する際に
、表面気泡として残るため、外観を損なったり、気泡が
大きいと絶縁不良を起こす等の問題点があった。
【０００５】この発明は上記の様な問題点を解消するた
めになされたもので、樹脂封止された半導体装置の表面
の気泡をなくして、外観を良くすると共に、絶縁不良を
なくすことのできる半導体装置を得ることを目的とする
。
めになされたもので、樹脂封止された半導体装置の表面
の気泡をなくして、外観を良くすると共に、絶縁不良を
なくすことのできる半導体装置を得ることを目的とする
。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、封入樹脂が漏出しない程度の微小孔を、ケース上
面の注入口のリブ外側に接してケース上面に貫通したも
のである。
置は、封入樹脂が漏出しない程度の微小孔を、ケース上
面の注入口のリブ外側に接してケース上面に貫通したも
のである。
【０００７】
【作用】この発明における半導体装置は、ケース上面の
注入口のリブと、ケース上蓋の内面とで形成される隅に
溜った空気が、ケース上面に形成された微小孔から排出
される。
注入口のリブと、ケース上蓋の内面とで形成される隅に
溜った空気が、ケース上面に形成された微小孔から排出
される。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１及び図２に
ついて説明する。図において、１〜１０は従来例と略同
様の構成につき説明を省略する。１１は上記注入口１０
のリブ１０ａの外側に接して上記ケース２の上面に対し
垂直に貫通された微小孔（０．５ｍｍ）である。
ついて説明する。図において、１〜１０は従来例と略同
様の構成につき説明を省略する。１１は上記注入口１０
のリブ１０ａの外側に接して上記ケース２の上面に対し
垂直に貫通された微小孔（０．５ｍｍ）である。
【０００９】上記の様に構成されたものにおいては、ケ
ース２内にゲル状充填物８や密封用樹脂９を注入して封
止する作用は、従来例と同様であるので説明を省略する
が、樹脂を封入する際、ケース２内の空気や樹脂中の空
気は注入するに従って次第に上部に押しやられ、ケース
２の上蓋の内面２ａとリブ１０ａとで形成される隅に溜
った空気が上記微小孔１１を通ってケース外へ排出され
るので、上蓋の内側２ａに溜まることはない。尚、この
微小孔１１は、注入される樹脂の種類、粘度、温度等が
変わっても、ケース上面から漏出しない程度の寸法が必
要である。
ース２内にゲル状充填物８や密封用樹脂９を注入して封
止する作用は、従来例と同様であるので説明を省略する
が、樹脂を封入する際、ケース２内の空気や樹脂中の空
気は注入するに従って次第に上部に押しやられ、ケース
２の上蓋の内面２ａとリブ１０ａとで形成される隅に溜
った空気が上記微小孔１１を通ってケース外へ排出され
るので、上蓋の内側２ａに溜まることはない。尚、この
微小孔１１は、注入される樹脂の種類、粘度、温度等が
変わっても、ケース上面から漏出しない程度の寸法が必
要である。
【００１０】なお、上記実施例では、微小孔１１を注入
口１０のリブ１０ａの外側に接してケース上面に対し垂
直に貫通するものとしたが、この貫通穴はケース上面に
対して斜めであってもよい。
口１０のリブ１０ａの外側に接してケース上面に対し垂
直に貫通するものとしたが、この貫通穴はケース上面に
対して斜めであってもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上の様に、この発明によれば、半導体
装置のケース上面に、注入口のリブの外側に接して貫通
する微小孔を設ける様に構成したので、樹脂中の気泡が
円滑に排出され、硬化後の樹脂表面の外観が良くなると
共に、絶縁不良がなくなり、品質の向上が図れる効果が
ある。
装置のケース上面に、注入口のリブの外側に接して貫通
する微小孔を設ける様に構成したので、樹脂中の気泡が
円滑に排出され、硬化後の樹脂表面の外観が良くなると
共に、絶縁不良がなくなり、品質の向上が図れる効果が
ある。
【図１】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１の上面図である。
【図３】従来例の樹脂封止型半導体装置を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】図３のものの作用を説明するための断面図であ
る。
る。
１ ケース
２ 銅ベース板
３ 絶縁基板
４ 半導体素子
５ 電極端子
６ 銅パッド
７ アルミワイヤ
８ ゲル状充填物
９ 密封用樹脂
１０ 注入口
１０ａ リブ
１１ 微小孔
Claims (1)
- 【請求項１】 金属ベース板と、この金属ベース板上
に接着された絶縁基板と、この絶縁基板上のパターンに
電気的に接続された半導体素子及び電極端子と、上記金
属ベース板の外縁に固着されたケースと、このケースの
上面に形成され、該ケースの内側に向けてリブをその両
側に有する注入口と、この注入口から注入され、上記ケ
ース内に収納された各部品を封止するゲル状充填物及び
密封用樹脂とを有する半導体装置において、上記注入口
のリブに隣接して上記ケースの上面に上記封入樹脂内の
空気を排出するための微小孔を配設したことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12503591A JPH04326554A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12503591A JPH04326554A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326554A true JPH04326554A (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14900237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12503591A Pending JPH04326554A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04326554A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731001B2 (en) | 2000-08-10 | 2004-05-04 | Denso Corporation | Semiconductor device including bonded wire based to electronic part and method for manufacturing the same |
| WO2010010721A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 日本電気株式会社 | 封止パッケージ、プリント回路基板、電子機器及び封止パッケージの製造方法 |
| JP2016009718A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP12503591A patent/JPH04326554A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731001B2 (en) | 2000-08-10 | 2004-05-04 | Denso Corporation | Semiconductor device including bonded wire based to electronic part and method for manufacturing the same |
| WO2010010721A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 日本電気株式会社 | 封止パッケージ、プリント回路基板、電子機器及び封止パッケージの製造方法 |
| US8525323B2 (en) | 2008-07-25 | 2013-09-03 | Nec Corporation | Encapsulating package, printed circuit board, electronic device and method for manufacturing encapsulating package |
| JP5343969B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2013-11-13 | 日本電気株式会社 | 封止パッケージ、プリント回路基板、電子機器及び封止パッケージの製造方法 |
| JP2016009718A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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