JPH04323387A - イオンビームエッチング方法 - Google Patents
イオンビームエッチング方法Info
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- JPH04323387A JPH04323387A JP9034591A JP9034591A JPH04323387A JP H04323387 A JPH04323387 A JP H04323387A JP 9034591 A JP9034591 A JP 9034591A JP 9034591 A JP9034591 A JP 9034591A JP H04323387 A JPH04323387 A JP H04323387A
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- ion beam
- etching
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- etched
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Links
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Landscapes
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- Magnetic Heads (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパターニングしたレジス
トマスクをのせた金属薄膜を面イオンビームでドライエ
ッチングする方法に関する。
トマスクをのせた金属薄膜を面イオンビームでドライエ
ッチングする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば磁気記録の分野で、記録の読み書
きに使用される磁気ヘッド等の製作にあたっては、コイ
ル形成や磁路の形成を行うため、パターニングしたレジ
ストマスクをのせた金属薄膜を、イオン源から照射され
る面イオンビーム、すなわち、途中で絞られることなく
一定の面的拡がりをもって照射されるイオンビームにて
ドライエッチングする方法が採用されている。
きに使用される磁気ヘッド等の製作にあたっては、コイ
ル形成や磁路の形成を行うため、パターニングしたレジ
ストマスクをのせた金属薄膜を、イオン源から照射され
る面イオンビーム、すなわち、途中で絞られることなく
一定の面的拡がりをもって照射されるイオンビームにて
ドライエッチングする方法が採用されている。
【０００３】従来、この種のエッチングでは、一般に、
エッチングを行うための真空チャンバ内の動作ガス圧は
１０−４〔Ｔｏｒｒ〕オーダ程度とされ、電流密度０．
５ｍＡ／ｃｍ２ 程度のアルゴン等不活性ガスイオンビ
ームからなる面イオンビームが使用される。薄膜磁気ヘ
ッド製作の一工程であるコイル部の形成を例にとると、
図２に示すように、例えば円形のＳｉ Ｏ２ 基板１に
厚さ約３μｍの銅薄膜２が形成され、該銅膜上に常法に
より所定の銅コイルパターンを得るようにレジストマス
ク３が形成されてエッチング対象物４が準備される。こ
れに電流密度約０．５ｍＡ／ｃｍ２ のアルゴンイオン
ビーム（直径約１００ｍｍ）が動作ガス圧約２×１０−
４〔Ｔｏｒｒ〕のもとで照射されることで、銅薄膜の露
出部分２１及びレジストマスク３がエッチングされて、
図４に示す如き銅コイルパターン２０が形成される。
エッチングを行うための真空チャンバ内の動作ガス圧は
１０−４〔Ｔｏｒｒ〕オーダ程度とされ、電流密度０．
５ｍＡ／ｃｍ２ 程度のアルゴン等不活性ガスイオンビ
ームからなる面イオンビームが使用される。薄膜磁気ヘ
ッド製作の一工程であるコイル部の形成を例にとると、
図２に示すように、例えば円形のＳｉ Ｏ２ 基板１に
厚さ約３μｍの銅薄膜２が形成され、該銅膜上に常法に
より所定の銅コイルパターンを得るようにレジストマス
ク３が形成されてエッチング対象物４が準備される。こ
れに電流密度約０．５ｍＡ／ｃｍ２ のアルゴンイオン
ビーム（直径約１００ｍｍ）が動作ガス圧約２×１０−
４〔Ｔｏｒｒ〕のもとで照射されることで、銅薄膜の露
出部分２１及びレジストマスク３がエッチングされて、
図４に示す如き銅コイルパターン２０が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
エッチングにより得られる銅コイルパターン２０は、図
４に示すように、角部２２が丸味を帯び、精度よく異方
性エッチングされておらず、目的とする銅コイルパター
ンが得られない。そこで本発明は、パターニングしたレ
ジストマスクをのせた金属薄膜を面イオンビームにより
ドライエッチングするイオンビームエッチング方法であ
って、従来よりも精度よく異方性エッチングを行える方
法を提供することを目的とする。
エッチングにより得られる銅コイルパターン２０は、図
４に示すように、角部２２が丸味を帯び、精度よく異方
性エッチングされておらず、目的とする銅コイルパター
ンが得られない。そこで本発明は、パターニングしたレ
ジストマスクをのせた金属薄膜を面イオンビームにより
ドライエッチングするイオンビームエッチング方法であ
って、従来よりも精度よく異方性エッチングを行える方
法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は前記目的達成
のため研究を重ねた結果、かかる角部に丸味がでる従来
エッチングは、イオンビームが真空チャンバ内の中性ガ
ス分子に衝突することによりその方向を乱され、それに
よってレジストマスクや金属薄膜に対して斜めに入射す
るイオンビーム成分が生じることにより発生すること、
従って真空チャンバ内の動作ガス圧を従来一般に採用さ
れているガス圧よりももっと低下させれば中性ガス分子
が減少し、それだけイオンビームの散乱が減少し、精度
の良い異方性エッチングが可能になることを見出し、本
発明を完成した。
のため研究を重ねた結果、かかる角部に丸味がでる従来
エッチングは、イオンビームが真空チャンバ内の中性ガ
ス分子に衝突することによりその方向を乱され、それに
よってレジストマスクや金属薄膜に対して斜めに入射す
るイオンビーム成分が生じることにより発生すること、
従って真空チャンバ内の動作ガス圧を従来一般に採用さ
れているガス圧よりももっと低下させれば中性ガス分子
が減少し、それだけイオンビームの散乱が減少し、精度
の良い異方性エッチングが可能になることを見出し、本
発明を完成した。
【０００６】すなわち本発明は、パターニングしたレジ
ストマスクをのせた金属薄膜を面イオンビームによりド
ライエッチングするイオンビームエッチング方法におい
て、該エッチング処理を動作ガス圧５×１０−５〔Ｔｏ
ｒｒ〕以下の高真空下で行うことを特徴とするイオンビ
ームエッチング方法を提供するものである。前記動作ガ
ス圧は５×１０−５〔Ｔｏｒｒ〕より高くなると、この
種のエッチングに一般的に用いられる面イオンビーム（
φ１００ｍｍ、０．５ｍＡ／ｃｍ２ 程度まで）の範囲
では、所望の異方性エッチングを達成し難い。従って、
使用する真空発生装置の能力にもよるが、前記５×１０
−５〔Ｔｏｒｒ〕以下で低い方が好ましい。なお、前記
イオンビームとしては、アルゴン等の不活性ガスイオン
ビーム等が考えられる。
ストマスクをのせた金属薄膜を面イオンビームによりド
ライエッチングするイオンビームエッチング方法におい
て、該エッチング処理を動作ガス圧５×１０−５〔Ｔｏ
ｒｒ〕以下の高真空下で行うことを特徴とするイオンビ
ームエッチング方法を提供するものである。前記動作ガ
ス圧は５×１０−５〔Ｔｏｒｒ〕より高くなると、この
種のエッチングに一般的に用いられる面イオンビーム（
φ１００ｍｍ、０．５ｍＡ／ｃｍ２ 程度まで）の範囲
では、所望の異方性エッチングを達成し難い。従って、
使用する真空発生装置の能力にもよるが、前記５×１０
−５〔Ｔｏｒｒ〕以下で低い方が好ましい。なお、前記
イオンビームとしては、アルゴン等の不活性ガスイオン
ビーム等が考えられる。
【０００７】
【作用】本発明方法によると、動作ガス圧が従来採用さ
れていた一般的な動作ガス圧よりも低下しているだけエ
ッチング処理空間における中性ガス量が減少しており、
イオンビームはそれだけ中性ガス分子に衝突して散乱す
る機会が少なく、真っ直ぐ被エッチング面に到達し、精
度よく異方性エッチングを行える。
れていた一般的な動作ガス圧よりも低下しているだけエ
ッチング処理空間における中性ガス量が減少しており、
イオンビームはそれだけ中性ガス分子に衝突して散乱す
る機会が少なく、真っ直ぐ被エッチング面に到達し、精
度よく異方性エッチングを行える。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の方法例を図１に概略構成を示
すイオンビームエッチング装置５を用いて、図２に示す
エッチング対象物４をエッチングする場合を例にとり説
明する。装置５は、エッチング処理のための真空チャン
バ５１、該チャンバに接続した真空発生装置５２、該チ
ャンバに設けたアルゴンイオンビーム源５３、エッチン
グ対象物支持具５４を備えている。
すイオンビームエッチング装置５を用いて、図２に示す
エッチング対象物４をエッチングする場合を例にとり説
明する。装置５は、エッチング処理のための真空チャン
バ５１、該チャンバに接続した真空発生装置５２、該チ
ャンバに設けたアルゴンイオンビーム源５３、エッチン
グ対象物支持具５４を備えている。
【０００９】図２に示すエッチング対象物４をそのレジ
ストマスク３をイオンビーム源５３に向けて支持具５４
に支持させ、チャンバ５１内を真空発生装置５２にて５
×１０−５〔Ｔｏｒｒ〕の高真空状態に維持し、イオン
ビーム源５３から電流密度０．５ｍＡ／ｃｍ２ のアル
ゴンの面イオンビーム（直径１００ｍｍ）５３１を該対
象物に照射したところ、銅薄膜の露出部２１及びレジス
トマスク３が精度良く異方性エッチングされ、図３に示
すように、角度２０１に実用上問題となる丸味、削れの
ない精度のよい目的とする銅コイルパターン２００が形
成された。
ストマスク３をイオンビーム源５３に向けて支持具５４
に支持させ、チャンバ５１内を真空発生装置５２にて５
×１０−５〔Ｔｏｒｒ〕の高真空状態に維持し、イオン
ビーム源５３から電流密度０．５ｍＡ／ｃｍ２ のアル
ゴンの面イオンビーム（直径１００ｍｍ）５３１を該対
象物に照射したところ、銅薄膜の露出部２１及びレジス
トマスク３が精度良く異方性エッチングされ、図３に示
すように、角度２０１に実用上問題となる丸味、削れの
ない精度のよい目的とする銅コイルパターン２００が形
成された。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、パ
ターニングしたレジストマスクをのせた金属薄膜を面イ
オンビームによりドライエッチングするイオンビームエ
ッチング方法であって、従来よりも精度よく異方性エッ
チングを行える方法を提供することができる。
ターニングしたレジストマスクをのせた金属薄膜を面イ
オンビームによりドライエッチングするイオンビームエ
ッチング方法であって、従来よりも精度よく異方性エッ
チングを行える方法を提供することができる。
【図１】本発明方法を実施するイオンビームエッチング
装置例の概略構成図である。
装置例の概略構成図である。
【図２】エッチング対象物例の断面図である。
【図３】図２の対象物の本発明によるエッチング後の断
面図である。
面図である。
【図４】図２の対象物の従来例によるエッチング後の断
面図である。
面図である。
１ 基板
２ 銅薄膜
３ レジストマスク
４ エッチング対象物
５ エッチング装置
５１ 真空チャンバ
５２ 真空発生装置
５３ イオンビーム源
５３１ 面イオンビーム
５４ 支持具
Claims (1)
- 【請求項１】 パターニングしたレジストマスクをの
せた金属薄膜を面イオンビームによりドライエッチング
するイオンビームエッチング方法において、該エッチン
グ処理を動作ガス圧５×１０−５〔Ｔｏｒｒ〕以下の高
真空下で行うことを特徴とするイオンビームエッチング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9034591A JPH04323387A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | イオンビームエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9034591A JPH04323387A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | イオンビームエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04323387A true JPH04323387A (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=13995943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9034591A Withdrawn JPH04323387A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | イオンビームエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04323387A (ja) |
-
1991
- 1991-04-22 JP JP9034591A patent/JPH04323387A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |