JPH0432183A - 赤外線ヒータ - Google Patents
赤外線ヒータInfo
- Publication number
- JPH0432183A JPH0432183A JP13392290A JP13392290A JPH0432183A JP H0432183 A JPH0432183 A JP H0432183A JP 13392290 A JP13392290 A JP 13392290A JP 13392290 A JP13392290 A JP 13392290A JP H0432183 A JPH0432183 A JP H0432183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- average roughness
- base substance
- heating element
- phase growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、絶縁性基体の表面に導電膜からなる発熱体を
形成した赤外線ヒータに関する。
形成した赤外線ヒータに関する。
(従来の技術)
例えば、食品の乾燥や工業用各種部品の乾燥に赤外線ヒ
ータが使用されている。
ータが使用されている。
このような分野で使用される従来の赤外線ヒータとして
は、第7図および第8図に示すような構造のし−タが知
られている。このものは、アルミナなどのような絶縁性
セラミックスからなる円筒形の基体1と、この基体1の
表面に形成された例えばグラファイトなどのようなカー
ボン系の導電膜からなる発熱体2と、上記円筒形基体1
の端部に取り付けられた電力供給端子3.3とで構成さ
れている。
は、第7図および第8図に示すような構造のし−タが知
られている。このものは、アルミナなどのような絶縁性
セラミックスからなる円筒形の基体1と、この基体1の
表面に形成された例えばグラファイトなどのようなカー
ボン系の導電膜からなる発熱体2と、上記円筒形基体1
の端部に取り付けられた電力供給端子3.3とで構成さ
れている。
上記導電膜からなる発熱#2は、円筒形基体1の外表面
にスパッターリングまたは塗布方法などにより付着され
たもので、円筒形基体1の外表面に蛇行形の帯状に形成
され、この蛇行形帯状をなす導電膜2の両端部が上記円
筒形基体1の端部に取り付けられた電力供給端子3.3
に接続されている。
にスパッターリングまたは塗布方法などにより付着され
たもので、円筒形基体1の外表面に蛇行形の帯状に形成
され、この蛇行形帯状をなす導電膜2の両端部が上記円
筒形基体1の端部に取り付けられた電力供給端子3.3
に接続されている。
したがって、電力供給端子3.3を電源に接続すれば導
電膜2に電流が流れ、この導電膜2が発熱して赤外線を
放出する。
電膜2に電流が流れ、この導電膜2が発熱して赤外線を
放出する。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記従来の構造の導電膜2はグラファイ
トなどのようなカーボンを単にスパッターリングまたは
塗布方法により基体表面に付着させたものであるから、
表面の平均粗度が約10μm程度で比較的平滑となって
おり、したがって表面積が小さくて表面の熱放射有効面
積が小さく、熱放射効率が必ずしも良好とはいえなかっ
た。
トなどのようなカーボンを単にスパッターリングまたは
塗布方法により基体表面に付着させたものであるから、
表面の平均粗度が約10μm程度で比較的平滑となって
おり、したがって表面積が小さくて表面の熱放射有効面
積が小さく、熱放射効率が必ずしも良好とはいえなかっ
た。
このため、入力に対する赤外線放射量が少なく、赤外線
放射量を増やしたい場合は入力を大きくするか、ヒータ
を大形化しなければならない不具合があった。
放射量を増やしたい場合は入力を大きくするか、ヒータ
を大形化しなければならない不具合があった。
本発明はこのような事情にもとづきなされたもので、そ
の目的とするところは、入力を増したり大形化すること
なく、熱放射率を高めることができる赤外線ヒータを提
供しようとするものである。
の目的とするところは、入力を増したり大形化すること
なく、熱放射率を高めることができる赤外線ヒータを提
供しようとするものである。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
本発明は、導電膜の表面を平均粗度が20〜60μmと
なるようにしたことを特徴とする。
なるようにしたことを特徴とする。
(作 用)
本発明によれば、導電膜の表面粗度が大きくなるので、
導電膜の実質的な表面積が増し、熱放射効率が向上する
。
導電膜の実質的な表面積が増し、熱放射効率が向上する
。
(実施例)
以下本発明について、第1図ないし第5図に示す実施例
にもとづき説明する。
にもとづき説明する。
図に示す赤外線ヒータは、基本的構造は従来と同様であ
り、11は絶縁性円筒形の基体、12はこの基体11の
表面に形成された導電膜12からなる発熱体、13.1
3は上記円筒形基体11の端部に取り付けられた電力供
給端子である。
り、11は絶縁性円筒形の基体、12はこの基体11の
表面に形成された導電膜12からなる発熱体、13.1
3は上記円筒形基体11の端部に取り付けられた電力供
給端子である。
本実施例の円筒形基体11は、ボロンナイトライドなど
のような絶縁性セラミックスにより形成されており、こ
の基体11は気相成長法により製造されている。
のような絶縁性セラミックスにより形成されており、こ
の基体11は気相成長法により製造されている。
上記ボロンナイトライドの気相成長法により形成された
基体11は、例えば内径12mm、外径14 mm、長
さ250amの真円の円筒形になっている。
基体11は、例えば内径12mm、外径14 mm、長
さ250amの真円の円筒形になっている。
この基体11の表面に形成された導電膜12からなる発
熱体は、グラファイトなどのようなカボン系材料からな
り、この基体11の表面に気相成長法により形成されて
いる。
熱体は、グラファイトなどのようなカボン系材料からな
り、この基体11の表面に気相成長法により形成されて
いる。
上記導電膜12からなる発熱体は円筒形基体11の外表
面に軸方向に長い蛇行形をなす帯状に形成されている。
面に軸方向に長い蛇行形をなす帯状に形成されている。
この場合、膜厚は100μm1帯の幅は5■、隣接する
帯間の間隔は0.6ma+に形成されている。
帯間の間隔は0.6ma+に形成されている。
そして、この導電膜12は第3図に示すように微細な凹
凸面12aとされており、この凹凸面12aの平均粗度
は20〜60μmに設定されている。ここで平均粗度と
は、凹凸面12aを構成する凹部が半球面をなしている
と仮定してその平均深さ(−半径)に相当するものであ
る。
凸面12aとされており、この凹凸面12aの平均粗度
は20〜60μmに設定されている。ここで平均粗度と
は、凹凸面12aを構成する凹部が半球面をなしている
と仮定してその平均深さ(−半径)に相当するものであ
る。
このような平均粗度を得るために、導電膜12の表面は
例えばサンドブラスト加工などの手段で凹凸面12aを
形成しである。
例えばサンドブラスト加工などの手段で凹凸面12aを
形成しである。
このような蛇行形導電膜13の端部は、基体11の端部
に固定された電力供給端子13.13に接続されている
。なお、これら端子13.13は基体11に対して導電
性耐熱接着剤などにより接合されている。
に固定された電力供給端子13.13に接続されている
。なお、これら端子13.13は基体11に対して導電
性耐熱接着剤などにより接合されている。
このような構成のヒータについて、作用を説明する。
電力供給端子13.13を電源に接続すると、導電膜1
2に電流が流れこの導電膜12が発熱する。この場合、
導電膜12は円筒形基体11の外表面に軸方向に長い蛇
行形をなす帯状に形成され、軸方向に所定長さを有する
とともに周方向に一定間隔をなして配置されているので
、所定の長さに亘りかつ周方向に均等に赤外線を放出す
ることができる。
2に電流が流れこの導電膜12が発熱する。この場合、
導電膜12は円筒形基体11の外表面に軸方向に長い蛇
行形をなす帯状に形成され、軸方向に所定長さを有する
とともに周方向に一定間隔をなして配置されているので
、所定の長さに亘りかつ周方向に均等に赤外線を放出す
ることができる。
この場合、導電膜12の表面は微細な凹凸面12aとし
、この平均粗度を20〜60μmに規制したので、有効
発熱面積が大きくなり、熱放射効率が向上する。
、この平均粗度を20〜60μmに規制したので、有効
発熱面積が大きくなり、熱放射効率が向上する。
すなわち、導電膜12の表面が微細な凹凸面12aとな
っているから、実質的な表面積が増え、入力に対する赤
外線放射量を多くすることができる。
っているから、実質的な表面積が増え、入力に対する赤
外線放射量を多くすることができる。
これらの効果について実験した結果を説明する。
上記実施例に記載した寸法、大きさのヒータは、入力が
2KWの場合に約600℃となるもので、このような構
成で導電膜12の表面の平均粗度を15μm120μm
140μm160μmおよび70μmとした各赤外線ヒ
ータをそれぞれ5本づつ製造した。
2KWの場合に約600℃となるもので、このような構
成で導電膜12の表面の平均粗度を15μm120μm
140μm160μmおよび70μmとした各赤外線ヒ
ータをそれぞれ5本づつ製造した。
従来のヒータおよびこれら各ヒータにおいて、波長2.
5〜5.0mμ領域の放射効率を調べた結果を第4図に
示す。
5〜5.0mμ領域の放射効率を調べた結果を第4図に
示す。
第4図の結果から、平均粗度が大きくなる程熱放射効率
は向上する傾向が認められる。
は向上する傾向が認められる。
しかしながら、平均粗度が15μmの場合は、従来に比
べて僅か1〜2%の向上しか認められず、この程度であ
れば測定誤差や製造ばらつきの範囲と認定され、したが
って平均粗度を20μm以上とするのが良好である。
べて僅か1〜2%の向上しか認められず、この程度であ
れば測定誤差や製造ばらつきの範囲と認定され、したが
って平均粗度を20μm以上とするのが良好である。
平均粗度を20μm以上にすれば、放射効率は5〜13
%の向上が認められる。
%の向上が認められる。
また、第5図は赤外線放射量の経時変化について調べた
もので、従来のヒータの点灯時間0の場合を100%と
した相対値で表しである。
もので、従来のヒータの点灯時間0の場合を100%と
した相対値で表しである。
この特性図から、導電膜12の平均粗度が大きくなる程
赤外線の放射量が増すことが判り、しかも平均粗度が1
5μm120μm140μmおよび60μmの場合は点
灯500時間後でも経時変化、つまり特性の低下が少な
い。
赤外線の放射量が増すことが判り、しかも平均粗度が1
5μm120μm140μmおよび60μmの場合は点
灯500時間後でも経時変化、つまり特性の低下が少な
い。
これに対し、平均粗度が70μmより大きい場合は、点
灯300時間を過ぎると特性の低下が生じた。これは表
面が粗すぎるため、空気中の埃やごみが凹凸面に滞積し
、これが原因して熱放射機能の低下を招くためである。
灯300時間を過ぎると特性の低下が生じた。これは表
面が粗すぎるため、空気中の埃やごみが凹凸面に滞積し
、これが原因して熱放射機能の低下を招くためである。
したがって、これらの実験結果から、導電膜12の平均
粗度を20〜60gmにすれば良いことが判る。
粗度を20〜60gmにすれば良いことが判る。
このようなことから、入力を格別に増大したり、大形化
することなく赤外線放出量を多くすることができる。
することなく赤外線放出量を多くすることができる。
なお、上記実施例においては、導電膜12の平均粗度を
20〜60μmにするため、完成した導電膜12の表面
をサンドブラスト加工により成形したが、本発明はこれ
に限らず、第6図に示すように、予め円筒基体11の表
面を凹凸面11aに成形しておき、この凹凸面11aに
グラファイトなどのようなカーボン系材料からなる導電
膜12を気相成長法により形成すれば、この導電膜12
の表面に自動的に微細な凹凸面12aを作ることができ
、このような構造であっても同様の効果を奏する。
20〜60μmにするため、完成した導電膜12の表面
をサンドブラスト加工により成形したが、本発明はこれ
に限らず、第6図に示すように、予め円筒基体11の表
面を凹凸面11aに成形しておき、この凹凸面11aに
グラファイトなどのようなカーボン系材料からなる導電
膜12を気相成長法により形成すれば、この導電膜12
の表面に自動的に微細な凹凸面12aを作ることができ
、このような構造であっても同様の効果を奏する。
また、上記実施例では、円筒形基体11を気相成長法に
よるボロンナイトライドにより形成し、かつ導電膜12
をカーボン系材料で気相成長法により形成したが、本発
明はこれらの構成に限らず、基体は従来のように、アル
ミナなどを加圧成形して焼成したものであってよく、導
電膜12もスパッターリングまたは塗布方法などにより
形成してもよい。
よるボロンナイトライドにより形成し、かつ導電膜12
をカーボン系材料で気相成長法により形成したが、本発
明はこれらの構成に限らず、基体は従来のように、アル
ミナなどを加圧成形して焼成したものであってよく、導
電膜12もスパッターリングまたは塗布方法などにより
形成してもよい。
そしてまた、ヒータの形状は円筒形、円柱形に限らず、
円板や角板などのようなプレート形ヒータであってもよ
い。
円板や角板などのようなプレート形ヒータであってもよ
い。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、導電膜表面の平均
粗度を20〜60μmにしたので、導電膜の表面積が大
きくなり、熱放射有効面積が増すので熱放射効率が向上
する。このため、入力に対する赤外線放射量が多くなり
、人力を大きくしたりヒータを大形化することなく赤外
線放射量を多くすることができる。
粗度を20〜60μmにしたので、導電膜の表面積が大
きくなり、熱放射有効面積が増すので熱放射効率が向上
する。このため、入力に対する赤外線放射量が多くなり
、人力を大きくしたりヒータを大形化することなく赤外
線放射量を多くすることができる。
第1図ないし第5図は本発明の一実施例を示し、第1図
はヒータの側面図、第2図は第1図中■−■線の断面図
、第3図は導電膜を拡大した断面図、第4図および第5
図はそれぞれ特性図、第6図は本発明の他の実施例を示
す導電膜を拡大した断面図、第7図および第8図は従来
の構造を示し、第7図はヒータの側面図、第8図は第7
図中■−■線の断面図である。 11・・・円筒形基体、12・・・導電膜、12a・・
・凹凸面、13・・・端子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
はヒータの側面図、第2図は第1図中■−■線の断面図
、第3図は導電膜を拡大した断面図、第4図および第5
図はそれぞれ特性図、第6図は本発明の他の実施例を示
す導電膜を拡大した断面図、第7図および第8図は従来
の構造を示し、第7図はヒータの側面図、第8図は第7
図中■−■線の断面図である。 11・・・円筒形基体、12・・・導電膜、12a・・
・凹凸面、13・・・端子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (2)
- (1)絶縁性基体の表面に導電膜からなる発熱体を設け
た赤外線ヒータにおいて、 上記導電膜表面の平均粗度を20〜60μmとしたこと
を特徴とする赤外線ヒータ。 - (2)上記導電膜は基体の表面に気相成長法によって形
成したことを特徴とする第1の請求項に記載の赤外線ヒ
ータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13392290A JPH0432183A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 赤外線ヒータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13392290A JPH0432183A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 赤外線ヒータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0432183A true JPH0432183A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15116226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13392290A Pending JPH0432183A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 赤外線ヒータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0432183A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5643483A (en) * | 1994-04-11 | 1997-07-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Ceramic heater made of fused silica glass having roughened surface |
WO2002045138A1 (fr) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif ceramique chauffant permettant la production de semi-conducteurs et dispositifs d'inspection |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP13392290A patent/JPH0432183A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5643483A (en) * | 1994-04-11 | 1997-07-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Ceramic heater made of fused silica glass having roughened surface |
WO2002045138A1 (fr) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif ceramique chauffant permettant la production de semi-conducteurs et dispositifs d'inspection |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4213717B2 (ja) | 赤外線電球及び加熱装置 | |
WO2020057313A1 (zh) | 烘烤烟具及其加热组件 | |
CN219422197U (zh) | 气溶胶产生装置及其发热结构 | |
WO2024103877A1 (zh) | 气溶胶产生装置及其发热结构 | |
CN114788585A (zh) | 加热组件及气溶胶生成装置 | |
CN115736366A (zh) | 气溶胶产生装置及发热结构 | |
JPS5941276B2 (ja) | 発熱体 | |
JPH07335182A (ja) | 放射装置 | |
WO2024103879A1 (zh) | 气溶胶产生装置及其发热结构 | |
JPH0432184A (ja) | 赤外線ヒータ | |
JPH0432183A (ja) | 赤外線ヒータ | |
CN219762489U (zh) | 气溶胶产生装置及其发热结构、发热体 | |
JPH11214125A (ja) | 発熱体 | |
JP4324453B2 (ja) | 赤外線電球及び加熱装置 | |
CN220044932U (zh) | 气溶胶产生装置及发热结构 | |
JPH0420868B2 (ja) | ||
CN218869425U (zh) | 储热体、加热组件及加热不燃烧烟具 | |
CN219762488U (zh) | 气溶胶产生装置及发热结构 | |
CN220293066U (zh) | 发热结构及气溶胶产生装置 | |
JPH07280207A (ja) | ラジアントチューブ | |
JP3002990B1 (ja) | 均熱ヒ―タ | |
JPH0425808Y2 (ja) | ||
JPS5833661Y2 (ja) | 遠赤外線加熱素子 | |
JP2578336Y2 (ja) | パイプ加熱装置 | |
JP2511301B2 (ja) | SiC発熱体 |