JPH04319918A - アクティブマトリクス型液晶パネルおよびその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶パネルおよびその製造方法Info
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- JPH04319918A JPH04319918A JP8818691A JP8818691A JPH04319918A JP H04319918 A JPH04319918 A JP H04319918A JP 8818691 A JP8818691 A JP 8818691A JP 8818691 A JP8818691 A JP 8818691A JP H04319918 A JPH04319918 A JP H04319918A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス型
液晶パネルに関する。特に高速のベアＩＣをＣＯＧ実装
した映像用のアクティブマトリクス型液晶パネルに関す
る。
液晶パネルに関する。特に高速のベアＩＣをＣＯＧ実装
した映像用のアクティブマトリクス型液晶パネルに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来この種のアクティブマトリクス型液
晶パネルは、（図３）に示す構成からなっていた。同図
は、要部構成を示す。すなわち、アレイ基板３１と対向
基板３２との間に液晶３３が挟持されており、液晶３３
はシ−ル材３４により封止されている。液晶３３を駆動
する配線３１１は表示部からＩＣ実装部に引き出されて
いる。ＩＣ実装部において、液晶駆動用ＩＣ（ベアＩＣ
）３１２はバンプ３１３により配線３１１と接続され、
ベアＩＣ３１２は保護のため封止樹脂３１４により封止
された構造からなっていた。
晶パネルは、（図３）に示す構成からなっていた。同図
は、要部構成を示す。すなわち、アレイ基板３１と対向
基板３２との間に液晶３３が挟持されており、液晶３３
はシ−ル材３４により封止されている。液晶３３を駆動
する配線３１１は表示部からＩＣ実装部に引き出されて
いる。ＩＣ実装部において、液晶駆動用ＩＣ（ベアＩＣ
）３１２はバンプ３１３により配線３１１と接続され、
ベアＩＣ３１２は保護のため封止樹脂３１４により封止
された構造からなっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この種のアクティブマ
トリクス型液晶パネルでは、通常映像信号供給用の数個
の水平駆動用ベアＩＣと垂直駆動を行うための薄膜トラ
ンジスタ−のゲ−ト信号用の数個のベアＩＣを使用し、
液晶を駆動している。しかし、水平画素数が多くなった
場合、例えば７２０画素では水平駆動用ベアＩＣの駆動
周波数は１４．３ＭＨｚの高速動作が必要となる。この
場合、アレイ基板上の配線では配線抵抗が大きく、正常
に動作しなくなるという課題を有していた。このためア
レイ基板の外周に配線抵抗の不足を除去するために外付
けにてプリント配線板あるいはフレキシブル配線板を用
い、個別にクロックの供給を行うことが必要となり、外
形寸法の小型化が困難であるという課題を有していた。
トリクス型液晶パネルでは、通常映像信号供給用の数個
の水平駆動用ベアＩＣと垂直駆動を行うための薄膜トラ
ンジスタ−のゲ−ト信号用の数個のベアＩＣを使用し、
液晶を駆動している。しかし、水平画素数が多くなった
場合、例えば７２０画素では水平駆動用ベアＩＣの駆動
周波数は１４．３ＭＨｚの高速動作が必要となる。この
場合、アレイ基板上の配線では配線抵抗が大きく、正常
に動作しなくなるという課題を有していた。このためア
レイ基板の外周に配線抵抗の不足を除去するために外付
けにてプリント配線板あるいはフレキシブル配線板を用
い、個別にクロックの供給を行うことが必要となり、外
形寸法の小型化が困難であるという課題を有していた。
【０００４】本発明は上記課題に鑑み、外付けの配線板
をなくし外形寸法の小型化を実現したアクティブマトリ
クス型液晶パネルおよびその製造方法を提供することを
目的とする。
をなくし外形寸法の小型化を実現したアクティブマトリ
クス型液晶パネルおよびその製造方法を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のアクティブマトリクス型液晶パネルは、液晶
駆動用ＩＣをＣＯＧ実装したＩＣ実装部と液晶駆動用Ｔ
ＦＴを具備し液晶を封入した表示部とを設けた透明ガラ
スからなるアレイ基板と、上記アレイ基板と対向する電
極を具備する対向基板との間に液晶を挟持した液晶パネ
ルにおいて、上記ＩＣ実装部の配線を蒸着およびフォト
リソグラフィにより形成した蒸着配線層と上記蒸着配線
層上に電界メッキにより形成したメッキ配線層との２層
からなる構成を有している。
に本発明のアクティブマトリクス型液晶パネルは、液晶
駆動用ＩＣをＣＯＧ実装したＩＣ実装部と液晶駆動用Ｔ
ＦＴを具備し液晶を封入した表示部とを設けた透明ガラ
スからなるアレイ基板と、上記アレイ基板と対向する電
極を具備する対向基板との間に液晶を挟持した液晶パネ
ルにおいて、上記ＩＣ実装部の配線を蒸着およびフォト
リソグラフィにより形成した蒸着配線層と上記蒸着配線
層上に電界メッキにより形成したメッキ配線層との２層
からなる構成を有している。
【０００６】この構成を実現するには、蒸着およびフォ
トリソグラフィによりアレイ基板の配線パタ−ンを形成
するアレイ工程と、上記アレイ基板上のＩＣ実装部のみ
をメッキする電界メッキ工程と、メッキ用配線を分離し
所定の外形寸法に切断する切断工程と、配向膜を印刷・
ラビング処理を行いアレイ基板と対向基板との間に液晶
を挟持・封入するパネル組み立て工程と、液晶駆動用Ｉ
Ｃ（ベアＩＣ）をＣＯＧ実装するＣＯＧ工程と、外部回
路との電気回路の接続をするための部材を付加する実装
工程とからなる製造方法によるものである。
トリソグラフィによりアレイ基板の配線パタ−ンを形成
するアレイ工程と、上記アレイ基板上のＩＣ実装部のみ
をメッキする電界メッキ工程と、メッキ用配線を分離し
所定の外形寸法に切断する切断工程と、配向膜を印刷・
ラビング処理を行いアレイ基板と対向基板との間に液晶
を挟持・封入するパネル組み立て工程と、液晶駆動用Ｉ
Ｃ（ベアＩＣ）をＣＯＧ実装するＣＯＧ工程と、外部回
路との電気回路の接続をするための部材を付加する実装
工程とからなる製造方法によるものである。
【０００７】
【作用】この構成による作用は次のようになる。すなわ
ち、実装部に電界メッキを施しているので、配線のみに
メッキが施され配線抵抗として、高速ＩＣを駆動するの
に十分な低抵抗を実現することができる。さらに、配線
以外はメッキされることがないので配線間の短絡の発生
がないものである。また、電界メッキを用いているので
表示部の配線の膜厚は従来と同じであり、液晶駆動に必
要な液晶層の厚み、いわゆる液晶セル厚の均一性も同一
であり、画像品位を損なうことがないものである。
ち、実装部に電界メッキを施しているので、配線のみに
メッキが施され配線抵抗として、高速ＩＣを駆動するの
に十分な低抵抗を実現することができる。さらに、配線
以外はメッキされることがないので配線間の短絡の発生
がないものである。また、電界メッキを用いているので
表示部の配線の膜厚は従来と同じであり、液晶駆動に必
要な液晶層の厚み、いわゆる液晶セル厚の均一性も同一
であり、画像品位を損なうことがないものである。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１に基づいて説明
する。図１は、本発明の要部構成を示す。すなわち、液
晶駆動用ＩＣ１１１をＣＯＧ実装したＩＣ実装部１１と
液晶駆動用ＴＦＴを具備し液晶１２１を封入した表示部
１２とを設けた透明ガラスからなるアレイ基板１３と、
上記アレイ基板１３と対向する電極を具備する対向基板
１４との間に液晶１２１を挟持し、液晶１２１はシ−ル
材１２２により封止した液晶パネル１０において、上記
ＩＣ実装部１１の配線１１２を蒸着およびフォトリソグ
ラフィにより形成した例えば、膜厚５００ｎｍのＡｌ蒸
着膜からなる蒸着配線層１１２ａと上記蒸着配線層１１
２ａ上に電界メッキにより形成した例えば、箔厚５μｍ
のＡｕメッキからなるメッキ配線層１１２ｂとの２層に
て構成した。液晶駆動用ＩＣ１１１は、バンプ１１３に
より配線１１２と接合された。接合後、液晶駆動用ＩＣ
１１１は、封止樹脂１１４により保護した。
する。図１は、本発明の要部構成を示す。すなわち、液
晶駆動用ＩＣ１１１をＣＯＧ実装したＩＣ実装部１１と
液晶駆動用ＴＦＴを具備し液晶１２１を封入した表示部
１２とを設けた透明ガラスからなるアレイ基板１３と、
上記アレイ基板１３と対向する電極を具備する対向基板
１４との間に液晶１２１を挟持し、液晶１２１はシ−ル
材１２２により封止した液晶パネル１０において、上記
ＩＣ実装部１１の配線１１２を蒸着およびフォトリソグ
ラフィにより形成した例えば、膜厚５００ｎｍのＡｌ蒸
着膜からなる蒸着配線層１１２ａと上記蒸着配線層１１
２ａ上に電界メッキにより形成した例えば、箔厚５μｍ
のＡｕメッキからなるメッキ配線層１１２ｂとの２層に
て構成した。液晶駆動用ＩＣ１１１は、バンプ１１３に
より配線１１２と接合された。接合後、液晶駆動用ＩＣ
１１１は、封止樹脂１１４により保護した。
【０００９】上記の構成を実現するために、図２に示し
た製造方法にて行った。すなわち、アレイ工程２１にお
いて蒸着およびフォトリソグラフィを行いアレイ基板１
３の配線パタ−ンおよびＴＦＴを形成した。この際配線
１１２には膜厚５００ｎｍのＡｌ薄膜を用いた。次に電
界メッキ工程２２において、アレイ基板１３上のＩＣ実
装部１１のみをメッキするべくメッキマスクを塗布し、
軟質Ａｕ電界メッキを行い箔厚５μｍとした。電界メッ
キ後、メッキマスクを発煙硝酸に除去した。切断工程２
２にて、メッキ用配線を分離し所定の外形寸法に切断し
た。続いてパネル組み立て工程２４において、アレイ基
板１３と対向基板１４に配向膜を印刷・ラビング処理を
行った。さらに、アレイ基板１３上にシ−ル材１２２を
印刷したのち液晶セル厚を保持するガラスビ−ズを分散
し対向基板１４とを接着した後、液晶１２１を注入・封
止した。次にＣＯＧ工程２５をおこなった。この工程に
おいて、ベアＩＣ１１１をＣＯＧ実装し、ＩＣ保護のた
め樹脂封止した。最後に実装工程２６にて、外部回路と
の電気回路の接続をするための部材、例えばフレキシブ
ルプリント配線板を導電性接着剤を用いて接続し、液晶
パネルの組み立てを完了するものである。
た製造方法にて行った。すなわち、アレイ工程２１にお
いて蒸着およびフォトリソグラフィを行いアレイ基板１
３の配線パタ−ンおよびＴＦＴを形成した。この際配線
１１２には膜厚５００ｎｍのＡｌ薄膜を用いた。次に電
界メッキ工程２２において、アレイ基板１３上のＩＣ実
装部１１のみをメッキするべくメッキマスクを塗布し、
軟質Ａｕ電界メッキを行い箔厚５μｍとした。電界メッ
キ後、メッキマスクを発煙硝酸に除去した。切断工程２
２にて、メッキ用配線を分離し所定の外形寸法に切断し
た。続いてパネル組み立て工程２４において、アレイ基
板１３と対向基板１４に配向膜を印刷・ラビング処理を
行った。さらに、アレイ基板１３上にシ−ル材１２２を
印刷したのち液晶セル厚を保持するガラスビ−ズを分散
し対向基板１４とを接着した後、液晶１２１を注入・封
止した。次にＣＯＧ工程２５をおこなった。この工程に
おいて、ベアＩＣ１１１をＣＯＧ実装し、ＩＣ保護のた
め樹脂封止した。最後に実装工程２６にて、外部回路と
の電気回路の接続をするための部材、例えばフレキシブ
ルプリント配線板を導電性接着剤を用いて接続し、液晶
パネルの組み立てを完了するものである。
【００１０】本発明にかかる液晶パネルにて、画素数４
８０Ｖ×７２０Ｈ、駆動周波数１４．３ＭＨｚのＩＣを
使用し、その動作に問題のないことを確認した。
８０Ｖ×７２０Ｈ、駆動周波数１４．３ＭＨｚのＩＣを
使用し、その動作に問題のないことを確認した。
【００１１】
【発明の効果】本発明の構成にかかるアクティブマトリ
クス型液晶パネルよれば、実装部の配線抵抗が低いため
高速駆動のＩＣを使用することができる。且つ外付けの
プリント配線板を利用する事なく液晶パネルを構成する
ことができるので、従来の液晶パネルより小さい外形寸
法にて構成できるものである。
クス型液晶パネルよれば、実装部の配線抵抗が低いため
高速駆動のＩＣを使用することができる。且つ外付けの
プリント配線板を利用する事なく液晶パネルを構成する
ことができるので、従来の液晶パネルより小さい外形寸
法にて構成できるものである。
【図１】本発明の実施例におけるアクティブマトリクス
型液晶パネルの要部構成を示す図
型液晶パネルの要部構成を示す図
【図２】本発明の実施例におけるアクティブマトリクス
型液晶パネルの製造方法のフロ−チャ−トを示す図
型液晶パネルの製造方法のフロ−チャ−トを示す図
【図
３】従来例におけるアクティブマトリクス型液晶パネル
の要部構成を示す図
３】従来例におけるアクティブマトリクス型液晶パネル
の要部構成を示す図
１０ 液晶パネル
１１ ＣＯＧ実装部
１１１ 駆動用ＩＣ
１１２ 配線
１２ 表示部
１２１ 液晶
１２２ シ−ル材
１３ アレイ基板
１４ 対向基板
Claims (2)
- 【請求項１】 液晶駆動用ＩＣをＣＯＧ実装したＩＣ
実装部と液晶駆動用ＴＦＴを具備し液晶を封入した表示
部とを設けた透明ガラスからなるアレイ基板と、上記ア
レイ基板と対向する電極を具備する対向基板との間に液
晶を挟持した液晶パネルにおいて、上記ＩＣ実装部の配
線を蒸着およびフォトリソグラフィにより形成した蒸着
配線層と上記蒸着配線層上に電界メッキにより形成した
メッキ配線層との２層からなることを特徴とするアクテ
ィブマトリクス型液晶パネル。 - 【請求項２】 蒸着およびフォトリソグラフィにより
アレイ基板の配線パタ−ンを形成するアレイ工程と、上
記アレイ基板上のＩＣ実装部のみをメッキする電界メッ
キ工程と、メッキ用配線を分離し所定の外形寸法に切断
する切断工程と、配向膜を印刷・ラビング処理を行いア
レイ基板と対向基板との間に液晶を挟持・封入するパネ
ル組み立て工程と、液晶駆動用ＩＣをＣＯＧ実装するＣ
ＯＧ工程と、外部回路との電気回路の接続をするための
部材を付加する実装工程とからなることを特徴とするア
クティブマトリクス型液晶パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8818691A JPH04319918A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | アクティブマトリクス型液晶パネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8818691A JPH04319918A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | アクティブマトリクス型液晶パネルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04319918A true JPH04319918A (ja) | 1992-11-10 |
Family
ID=13935872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8818691A Pending JPH04319918A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | アクティブマトリクス型液晶パネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04319918A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0794451A1 (en) * | 1996-03-06 | 1997-09-10 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, method of manufacturing the same and electronic apparatus |
| EP1371498A1 (en) | 1998-08-28 | 2003-12-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Fluorescent latent image transfer film, fluorescent latent image, transfer method using the same, and security pattern formed matter |
| KR100472355B1 (ko) * | 1997-11-01 | 2005-08-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 글래스콘넥터및그제조방법 |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP8818691A patent/JPH04319918A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0794451A1 (en) * | 1996-03-06 | 1997-09-10 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, method of manufacturing the same and electronic apparatus |
| US5847796A (en) * | 1996-03-06 | 1998-12-08 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device with driver element thicker than a first substrate and on a second substrate and method of manufacturing |
| KR100472355B1 (ko) * | 1997-11-01 | 2005-08-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 글래스콘넥터및그제조방법 |
| EP1371498A1 (en) | 1998-08-28 | 2003-12-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Fluorescent latent image transfer film, fluorescent latent image, transfer method using the same, and security pattern formed matter |
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