JPH04314390A - レーザ光による電子部品のはんだ付け方法 - Google Patents
レーザ光による電子部品のはんだ付け方法Info
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- JPH04314390A JPH04314390A JP3106782A JP10678291A JPH04314390A JP H04314390 A JPH04314390 A JP H04314390A JP 3106782 A JP3106782 A JP 3106782A JP 10678291 A JP10678291 A JP 10678291A JP H04314390 A JPH04314390 A JP H04314390A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，電子部品の外部電極（
チップ形電子部品の端部電極やパッケージ形リード部品
の引出し端子等を含む）を導電パターンのランド面に付
着したクリームはんだと接触させて電子部品をプリント
基板の板面状に搭載した後，レーザ光をクリームはんだ
に照射することにより電子部品をプリント基板にはんだ
付け固定するのに適用されるレーザ光による電子部品の
はんだ付け方法に関するものである。
チップ形電子部品の端部電極やパッケージ形リード部品
の引出し端子等を含む）を導電パターンのランド面に付
着したクリームはんだと接触させて電子部品をプリント
基板の板面状に搭載した後，レーザ光をクリームはんだ
に照射することにより電子部品をプリント基板にはんだ
付け固定するのに適用されるレーザ光による電子部品の
はんだ付け方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に，レーザの発生源としてはＹＡＧ
レーザ，ＣＯ２ レーザがあり，このうちで波長が短い
ことにより金属表面での反射率が低いＹＡＧレーザが主
に用いられている。図５はＹＡＧレーザの加工光学系の
一例を示すものであり，そのＹＡＧレーザを用いたはん
だリフローによると，レーザ光の持つ高いエネルギーで
はんだ付けが瞬時にできる，また，その所要の部位のみ
に熱を集中させて加熱できるから，他への影響が少なく
，光ファイバーを用いればレーザ光を分割することによ
り多点に対するはんだ付けが同時に行え，レーザ光のス
キャンが容易であって多点にレーザ光を多点に移動でき
るところからはんだ付けを自動化し易い等の利点がある
。
レーザ，ＣＯ２ レーザがあり，このうちで波長が短い
ことにより金属表面での反射率が低いＹＡＧレーザが主
に用いられている。図５はＹＡＧレーザの加工光学系の
一例を示すものであり，そのＹＡＧレーザを用いたはん
だリフローによると，レーザ光の持つ高いエネルギーで
はんだ付けが瞬時にできる，また，その所要の部位のみ
に熱を集中させて加熱できるから，他への影響が少なく
，光ファイバーを用いればレーザ光を分割することによ
り多点に対するはんだ付けが同時に行え，レーザ光のス
キャンが容易であって多点にレーザ光を多点に移動でき
るところからはんだ付けを自動化し易い等の利点がある
。
【０００３】然し，クリームはんだの溶融に必要な熱エ
ネルギーを有するレーザ光をクリームはんだに直に照射
すると，はんだ付けランドから孤立するハンダボールが
はんだ付けランドの周辺に発生し易く，このハンダボー
ルを洗浄過程で完全に除去できればよいものの，除去さ
れないで残ると導電パターン間のシートを惹起する原因
となる。
ネルギーを有するレーザ光をクリームはんだに直に照射
すると，はんだ付けランドから孤立するハンダボールが
はんだ付けランドの周辺に発生し易く，このハンダボー
ルを洗浄過程で完全に除去できればよいものの，除去さ
れないで残ると導電パターン間のシートを惹起する原因
となる。
【０００４】そのハンダボールの発生原因はフラックス
，溶剤等で水分がクリームはんだに１０％以上含まれて
いるため，この水分が高い熱エネルギーを有するＹＡＧ
レーザの照射で瞬時に蒸発することによりはんだ成分が
飛散することによるものと考えられる。
，溶剤等で水分がクリームはんだに１０％以上含まれて
いるため，この水分が高い熱エネルギーを有するＹＡＧ
レーザの照射で瞬時に蒸発することによりはんだ成分が
飛散することによるものと考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は，レーザ光を
クリームはんだに照射するのに伴ってはんだボールが発
生するのを防止し，レーザ光を電子部品のはんだ付けに
適切に適用できるようレーザ光による電子部品のはんだ
付け方法を改善することを課題とする。
クリームはんだに照射するのに伴ってはんだボールが発
生するのを防止し，レーザ光を電子部品のはんだ付けに
適切に適用できるようレーザ光による電子部品のはんだ
付け方法を改善することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
レーザ光による電子部品のはんだ付け方法においては，
導電パターンのランド面に付着したクリームはんだと外
部電極を接触させて，電子部品をプリント基板の板面上
に搭載した後，レーザ光をクリームはんだに照射するこ
とにより電子部品をプリント基板にはんだ付け固定する
のにあたり，当初はクリームはんだの溶融に必要な熱エ
ネルギーよりも相対的に少ない熱エネルギーを有するレ
ーザ光を照射し，そのレーザ光の熱エネルギーをクリー
ムはんだの溶融に必要なエネルギー量にまで徐々に増大
させてクリームはんだに照射するようにされている。同
請求項２のはんだ付け方法においては，レーザ光の光量
を調整することによりレーザ光の熱エネルギーを徐々に
増大するようにされている。同請求項３のはんだ付け方
法においては，レーザ光の発振乃至遮断用の絞りシャッ
ターの開きでレーザ光の光量を調整するようにされてい
る。同請求項４または５のはんだ付け方法においては，
絞りシャッターの開きによるレーザ光の光量調整として
絞りシャッターの開き時間または開き径による手段が採
用されている。また，絞りシャッターによるレーザ光の
光量調整の他に，同請求項６のはんだ付け方法において
はビームスプリッタの光透過率でレーザ光の光量を調整
するようにされている。同請求項７のはんだ付け方法に
おいては，光透過率の異なる複数個の反射ミラーをビー
ムスプリッタに備え，その複数個の反射ミラーをレーザ
光の光軸上に切換え移動させてレーザ光の光量を調整す
るようにされている。
レーザ光による電子部品のはんだ付け方法においては，
導電パターンのランド面に付着したクリームはんだと外
部電極を接触させて，電子部品をプリント基板の板面上
に搭載した後，レーザ光をクリームはんだに照射するこ
とにより電子部品をプリント基板にはんだ付け固定する
のにあたり，当初はクリームはんだの溶融に必要な熱エ
ネルギーよりも相対的に少ない熱エネルギーを有するレ
ーザ光を照射し，そのレーザ光の熱エネルギーをクリー
ムはんだの溶融に必要なエネルギー量にまで徐々に増大
させてクリームはんだに照射するようにされている。同
請求項２のはんだ付け方法においては，レーザ光の光量
を調整することによりレーザ光の熱エネルギーを徐々に
増大するようにされている。同請求項３のはんだ付け方
法においては，レーザ光の発振乃至遮断用の絞りシャッ
ターの開きでレーザ光の光量を調整するようにされてい
る。同請求項４または５のはんだ付け方法においては，
絞りシャッターの開きによるレーザ光の光量調整として
絞りシャッターの開き時間または開き径による手段が採
用されている。また，絞りシャッターによるレーザ光の
光量調整の他に，同請求項６のはんだ付け方法において
はビームスプリッタの光透過率でレーザ光の光量を調整
するようにされている。同請求項７のはんだ付け方法に
おいては，光透過率の異なる複数個の反射ミラーをビー
ムスプリッタに備え，その複数個の反射ミラーをレーザ
光の光軸上に切換え移動させてレーザ光の光量を調整す
るようにされている。
【０００７】
【作 用】本発明の請求項１に係る電子部品のレーザ
光によるはんだ付け方法では，当初はクリームはんだの
溶融に必要な熱エネルギーよりも相対的に少ない熱エネ
ルギーを有するレーザ光をクリームはんだに照射し，そ
のエネルギー量を徐々に増大させてクリームはんだを溶
融させるため，このクリームはんだに含まれる水分が急
激に蒸発しないことにより，水分の蒸発に伴ってはんだ
成分が飛散することによるハンダボールの発生を防ぐこ
とができる。そのレーザ光のエネルギー調整にあたって
は１〜５秒間程度の時間範囲で行えるところから，電子
部品のはんだ付け速度を大幅に遅延化することもない。 請求項２に係るはんだ付け方法ではレーザ光の熱エネル
ギーをレーザ光の光量調整で行うから，レーザ光の加工
光学系における機構の簡単な操作でレーザ光の熱エネル
ギーを簡単に調整するよう制御することができる。その
一例として，同請求項３に係るはんだ付け方法ではレー
ザ光の発振乃至遮断用絞りシャッターの開き調整で行う
ものであり，同請求項４に係るはんだ付け方法では絞り
シャッターの開き時間を制御し，或いは同請求項５に係
るはんだ付け方法では絞りシャッターの開き径を制御す
ることによりレーザ光の熱エネルギーを調整するもので
あるから，レーザ光の加工光学系に大幅な変更を加えな
くてもレーザ光の熱エネルギーを正確且つ容易に調整す
ることができる。また，同請求項６に係るはんだ付け方
法ではレーザ光の光量をビームスプリックによる光透過
率で調整するものであるから，同請求項３に係るはんだ
付け方法と同様にレーザ光の熱エネルギーを正確且つ容
易に調整することができる。そのビームスプリッタによ
る光透過率の変更にあたっては，同請求項７によるはん
だ付け方法では光透過率の異なる複数個の反射ミラーを
ビームスプリタに備え，その複数個の反射ミラーをレー
ザ光の光軸上に切換え移動させてレーザ光の光量を調整
するから，簡単な機構で確実な切換えを行うことができ
る。
光によるはんだ付け方法では，当初はクリームはんだの
溶融に必要な熱エネルギーよりも相対的に少ない熱エネ
ルギーを有するレーザ光をクリームはんだに照射し，そ
のエネルギー量を徐々に増大させてクリームはんだを溶
融させるため，このクリームはんだに含まれる水分が急
激に蒸発しないことにより，水分の蒸発に伴ってはんだ
成分が飛散することによるハンダボールの発生を防ぐこ
とができる。そのレーザ光のエネルギー調整にあたって
は１〜５秒間程度の時間範囲で行えるところから，電子
部品のはんだ付け速度を大幅に遅延化することもない。 請求項２に係るはんだ付け方法ではレーザ光の熱エネル
ギーをレーザ光の光量調整で行うから，レーザ光の加工
光学系における機構の簡単な操作でレーザ光の熱エネル
ギーを簡単に調整するよう制御することができる。その
一例として，同請求項３に係るはんだ付け方法ではレー
ザ光の発振乃至遮断用絞りシャッターの開き調整で行う
ものであり，同請求項４に係るはんだ付け方法では絞り
シャッターの開き時間を制御し，或いは同請求項５に係
るはんだ付け方法では絞りシャッターの開き径を制御す
ることによりレーザ光の熱エネルギーを調整するもので
あるから，レーザ光の加工光学系に大幅な変更を加えな
くてもレーザ光の熱エネルギーを正確且つ容易に調整す
ることができる。また，同請求項６に係るはんだ付け方
法ではレーザ光の光量をビームスプリックによる光透過
率で調整するものであるから，同請求項３に係るはんだ
付け方法と同様にレーザ光の熱エネルギーを正確且つ容
易に調整することができる。そのビームスプリッタによ
る光透過率の変更にあたっては，同請求項７によるはん
だ付け方法では光透過率の異なる複数個の反射ミラーを
ビームスプリタに備え，その複数個の反射ミラーをレー
ザ光の光軸上に切換え移動させてレーザ光の光量を調整
するから，簡単な機構で確実な切換えを行うことができ
る。
【０００８】
【実施例】このレーザ光による電子部品のはんだ付け方
法は，主として表面実装型の電子部品をプリント基板に
装着するのに適用されている。具体的にはチップ部品の
端部電極或いはフラットパッケージ型リード部品の外部
端子を含む外部電極を導電パターンのランド面に付着し
たクリームはんだと接触させて，電子部品をプリント基
板の板面上に搭載した後，そのクリームはんだにレーザ
光を照射することにより溶融させて外部端子をランド面
にはんだ付け固定するのに適用されている。
法は，主として表面実装型の電子部品をプリント基板に
装着するのに適用されている。具体的にはチップ部品の
端部電極或いはフラットパッケージ型リード部品の外部
端子を含む外部電極を導電パターンのランド面に付着し
たクリームはんだと接触させて，電子部品をプリント基
板の板面上に搭載した後，そのクリームはんだにレーザ
光を照射することにより溶融させて外部端子をランド面
にはんだ付け固定するのに適用されている。
【０００９】茲で，レーザ光としてはＹＡＧレーザ，Ｃ
Ｏ２ レーザを用いることができる。このうち，ＣＯ２
レーザは１０．６３μｍの波長を有し，ＹＡＧレーザ
は１０．６５μｍを有する。そのため，ＹＡＧレーザは
波長が相対的に短いことにより金属表面での光反射率が
小さく且つ基板による吸収率が小さくて基板を損傷せず
，集光されたレーザ光が１０９Ｗ／ｃｍ２ というエネ
ルギー密度の高い熱源を得られるところから好ましい。
Ｏ２ レーザを用いることができる。このうち，ＣＯ２
レーザは１０．６３μｍの波長を有し，ＹＡＧレーザ
は１０．６５μｍを有する。そのため，ＹＡＧレーザは
波長が相対的に短いことにより金属表面での光反射率が
小さく且つ基板による吸収率が小さくて基板を損傷せず
，集光されたレーザ光が１０９Ｗ／ｃｍ２ というエネ
ルギー密度の高い熱源を得られるところから好ましい。
【００１０】レーザ光の加工光学系としては図５で一例
を示すと同様なものを適用することができ，図中Ｂはレ
ーザ光の光軸，Ｐはクリームはんだではんだ付け回走さ
れる電子部品を搭載したプリント基板，１はレーザ発振
器，２は光軸調整用全反射ミラー，３はレーザ光の発振
乃至は遮断用の絞りシャッター，４はビームエクスパン
ダ，５はビームスプリッタ，６は集光レンズ，７は透過
ミラーである。その光学系中，ビームスプリッタ５はレ
ーザ光をはんだ付け部位に集中するべく電子部品のはん
だ付け部位を特定，微調整する画像処理光学系を構成す
るものとして組付けられている。画像処理光学中，８は
カメラ，９はリレーレンズ，１０は照明光，１１はダイ
クロイックミラーを示す。
を示すと同様なものを適用することができ，図中Ｂはレ
ーザ光の光軸，Ｐはクリームはんだではんだ付け回走さ
れる電子部品を搭載したプリント基板，１はレーザ発振
器，２は光軸調整用全反射ミラー，３はレーザ光の発振
乃至は遮断用の絞りシャッター，４はビームエクスパン
ダ，５はビームスプリッタ，６は集光レンズ，７は透過
ミラーである。その光学系中，ビームスプリッタ５はレ
ーザ光をはんだ付け部位に集中するべく電子部品のはん
だ付け部位を特定，微調整する画像処理光学系を構成す
るものとして組付けられている。画像処理光学中，８は
カメラ，９はリレーレンズ，１０は照明光，１１はダイ
クロイックミラーを示す。
【００１１】クリームはんだとしてはＳｎ／Ｐｂはんだ
粒を含むものが一般的に使用され，ＳＮ／Ｐｂ／Ａｇ，
Ｓｎ／Ａｇ，Ｓｎ／Ｓｂ等のはんだ粒を含むものを用い
ることもできる。その他に，はんだの組成分としてはロ
ジン，溶剤，必要に応じて活性剤，チクソトロピック性
付与剤があり，このクリームはんだは通常２１０〜２４
０℃程度で溶融する。
粒を含むものが一般的に使用され，ＳＮ／Ｐｂ／Ａｇ，
Ｓｎ／Ａｇ，Ｓｎ／Ｓｂ等のはんだ粒を含むものを用い
ることもできる。その他に，はんだの組成分としてはロ
ジン，溶剤，必要に応じて活性剤，チクソトロピック性
付与剤があり，このクリームはんだは通常２１０〜２４
０℃程度で溶融する。
【００１２】そのクリームはんだにレーザ光を照射する
ことにより電子部品をプリント基板にはんだ付け固定す
るのにあたり，本発明に係るはんだ付け方法においては
当初はクリームはんだの溶融に必要な熱エネルギーより
も相対的に少ない熱エネルギーを有するレーザ光を照射
し，この熱エネルギーを徐々に増大させてクリームはん
だに照射するようにする。その熱エネルギーはレーザ光
の光量を調整すれば，上述したレーザ光の加工光学系中
で簡単に制御することができる。このレーザ光の加工光
学系中においてはレーザ光の発振乃至は遮断用絞りシャ
ッター３の開きを調整し，或いはビームスプリッタ５で
光透過率を調整することによりレーザ光の熱エネルギー
を容易に制御することができる。
ことにより電子部品をプリント基板にはんだ付け固定す
るのにあたり，本発明に係るはんだ付け方法においては
当初はクリームはんだの溶融に必要な熱エネルギーより
も相対的に少ない熱エネルギーを有するレーザ光を照射
し，この熱エネルギーを徐々に増大させてクリームはん
だに照射するようにする。その熱エネルギーはレーザ光
の光量を調整すれば，上述したレーザ光の加工光学系中
で簡単に制御することができる。このレーザ光の加工光
学系中においてはレーザ光の発振乃至は遮断用絞りシャ
ッター３の開きを調整し，或いはビームスプリッタ５で
光透過率を調整することによりレーザ光の熱エネルギー
を容易に制御することができる。
【００１３】図１，２は絞りシャッター３によるレーザ
の光量を調整する場合を示し，この場合にはシャッター
膜３ａの駆動源としてパルスモータ３ｂを備えることに
より絞りシャッター３の駆動を制御することができる。 そのパルスモータ３ｂによるときには回転数を変えれば
絞りシャッター３ａの開き時間を調整でき，レーザ光の
単位時間当りの発振量を制御することにより同一のレー
ザ光照射経路系でレーザ光の熱エネルギーを容易に調整
できる。また，モルスモータ３ｂのパルス数を変えてシ
ャッター膜３ｂの開口径を制御することによっても，同
様にレーザ光の光量による熱エネルギーの調整を同様に
行うことができる。
の光量を調整する場合を示し，この場合にはシャッター
膜３ａの駆動源としてパルスモータ３ｂを備えることに
より絞りシャッター３の駆動を制御することができる。 そのパルスモータ３ｂによるときには回転数を変えれば
絞りシャッター３ａの開き時間を調整でき，レーザ光の
単位時間当りの発振量を制御することにより同一のレー
ザ光照射経路系でレーザ光の熱エネルギーを容易に調整
できる。また，モルスモータ３ｂのパルス数を変えてシ
ャッター膜３ｂの開口径を制御することによっても，同
様にレーザ光の光量による熱エネルギーの調整を同様に
行うことができる。
【００１４】上述したレーザ光の加工光学系においては
絞りシャッター３によるレーザ光量の調整に代え或いは
共に用いて，ビームスプリッタ５によるレーザ光量の調
整を行うようにできる。図３，４はビームスプリッタ５
による場合を示し，そのビームスプリッタ５においては
光透過率の異なる複数個の反射ミラー５０，５１…を備
え，この複数個の反射ミラー５０，５１…をレーザ光の
光軸上に切換え移動することによりレーザ光の光量を調
整するようにできる。その反射ミラー５０，５１…の切
換え移動機構は各反射ミラー５０，５１…を並べてホル
ダー５２で一体に保持し，このホルダー５２をパルスモ
ータ５３で回動するボールネジ５４に螺合することによ
りホルダー５２をボールネジ５４の回転で軸線に沿って
移動するよう構成すればよい。
絞りシャッター３によるレーザ光量の調整に代え或いは
共に用いて，ビームスプリッタ５によるレーザ光量の調
整を行うようにできる。図３，４はビームスプリッタ５
による場合を示し，そのビームスプリッタ５においては
光透過率の異なる複数個の反射ミラー５０，５１…を備
え，この複数個の反射ミラー５０，５１…をレーザ光の
光軸上に切換え移動することによりレーザ光の光量を調
整するようにできる。その反射ミラー５０，５１…の切
換え移動機構は各反射ミラー５０，５１…を並べてホル
ダー５２で一体に保持し，このホルダー５２をパルスモ
ータ５３で回動するボールネジ５４に螺合することによ
りホルダー５２をボールネジ５４の回転で軸線に沿って
移動するよう構成すればよい。
【００１５】その絞りシャッター３またはビームスプリ
タ５を用いては当初はクリームはんだの溶融に必要な熱
エネルギに対して５０％程度の熱エネルギーを有するレ
ーザ光を照射し，これを６０％，８０％，１００％と段
階的に増大させて照射するようにする。その光量調整は
１〜５秒程度或いは５秒以上でも行え，この途上でクリ
ームはんだに含まれる水分は徐々に蒸発すると共にはん
だ成分も溶融させるようにできるから，はんだボールが
発生するのを抑えることができる。
タ５を用いては当初はクリームはんだの溶融に必要な熱
エネルギに対して５０％程度の熱エネルギーを有するレ
ーザ光を照射し，これを６０％，８０％，１００％と段
階的に増大させて照射するようにする。その光量調整は
１〜５秒程度或いは５秒以上でも行え，この途上でクリ
ームはんだに含まれる水分は徐々に蒸発すると共にはん
だ成分も溶融させるようにできるから，はんだボールが
発生するのを抑えることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上の如く，本発明に係るレーザ光によ
る電子部品のはんだ付け方法によれば，既存のレーザ光
の加工光学系を活用することによりはんだボールを発生
させないで電子部品を確実にはんだ付け回走することが
できる。
る電子部品のはんだ付け方法によれば，既存のレーザ光
の加工光学系を活用することによりはんだボールを発生
させないで電子部品を確実にはんだ付け回走することが
できる。
【図１】本発明に係るレーザ光による電子部品のはんだ
付け方法において，レーザ光の光量を調整するのに用い
られる絞りシャッターの説明図である。
付け方法において，レーザ光の光量を調整するのに用い
られる絞りシャッターの説明図である。
【図２】図１の絞りシャッターによる光量調整状態を示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】本発明に係るはんだ付け方法において，レーザ
光の光量を調整するのに用いられるビームスプリッタの
説明図である。
光の光量を調整するのに用いられるビームスプリッタの
説明図である。
【図４】図３のビームスプリッタを切換え移動する駆動
機構の説明図である。
機構の説明図である。
【図５】一般例に係るレーザ光の加工光学系を示す説明
図である。
図である。
Claims (7)
- 【請求項１】 導電パターンのランド面に付着したク
リームはんだと外部電極を接触させて，電子部品をプリ
ント基板の板面上に搭載した後，レーザ光をクリームは
んだに照射することにより，電子部品をプリント基板に
はんだ付け固定するのにあたり，当初はクリームはんだ
の溶融に必要な熱エネルギーよりも相対的に少ない熱エ
ネルギーを有するレーザ光を照射し，そのレーザ光の熱
エネルギーをクリームはんだの溶融に必要なエネルギー
量にまで徐々に増大させてクリームはんだに照射するよ
うにしたことを特徴とするレーザ光による電子部品のは
んだ付け方法。 - 【請求項２】 上記レーザ光の光量を調整するように
したことを特徴とする請求項１のはんだ付け方法。 - 【請求項３】 上記レーザ光の光量をレーザ光の発振
乃至は遮断用絞りシャッターの開きで調整するようにし
たことを特徴とする請求項２のはんだ付け方法。 - 【請求項４】上記レーザ光の光量を絞りシャッターの開
き時間で調整するようにしたことを特徴とする請求項３
のはんだ付け方法。 - 【請求項５】 上記レーザ光の光量を絞りシャッター
の開き径で調整するようにしたことを特徴とする請求項
３のはんだ付け方法。 - 【請求項６】 上記レーザ光の光量をビームスプリッ
タの光透過率で調整するようにしたことを特徴とする請
求項２のはんだ付け方法。 - 【請求項７】 上記光透過率の異なる複数個の反射ミ
ラーをビームスプリッタに備え，その複数個の反射ミラ
ーをレーザ光の光軸上に切換え移動させてレーザ光の光
量を調整するようにしたことを特徴とする請求項６のは
んだ付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3106782A JP2534590B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | レ―ザ光による電子部品のはんだ付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3106782A JP2534590B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | レ―ザ光による電子部品のはんだ付け方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04314390A true JPH04314390A (ja) | 1992-11-05 |
| JP2534590B2 JP2534590B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=14442475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3106782A Expired - Fee Related JP2534590B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | レ―ザ光による電子部品のはんだ付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2534590B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010103166A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Canon Inc | リードレス電子部品の実装方法及び実装構造 |
| JP2012015477A (ja) * | 2010-05-31 | 2012-01-19 | Tosei Electro Beam Kk | レーザはんだ付け装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101428372B (zh) * | 2008-11-26 | 2011-05-25 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | 一种半导体激光焊接方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60500204A (ja) * | 1983-01-24 | 1985-02-21 | フオ−ド モ−タ− カンパニ− | レ−ザはんだ付け法 |
| JPS61263296A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | 株式会社日立製作所 | 端子接続方法および装置 |
| JPH02306693A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Toshiba Corp | 電子部品の実装半田付け方法 |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP3106782A patent/JP2534590B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2012015477A (ja) * | 2010-05-31 | 2012-01-19 | Tosei Electro Beam Kk | レーザはんだ付け装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2534590B2 (ja) | 1996-09-18 |
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