JP2011222568A

JP2011222568A - 半田層形成方法、配線基板の接続方法及び配線基板の接続装置

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Publication number: JP2011222568A
Application number: JP2010086501A
Authority: JP
Inventors: Chie Hosoda; 千恵細田
Original assignee: Olympus Corp
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 2010-04-02
Filing date: 2010-04-02
Publication date: 2011-11-04

Abstract

【課題】半田成分の飛散を抑えることができる半田層形成方法、配線基板接続方法及び配線基板接続装置を提供すること。
【解決手段】配線基板上に形成された配線パターンにクリーム半田を印刷し、印刷されたクリーム半田にスポット光を照射してクリーム半田に含まれる半田を溶解させ、配線パターン上に半田層を形成する半田層形成方法、配線基板の接続方法及び配線基板の接続装置。配線基板の接続装置１０は、クリーム半田にスポット光を照射する光源１３と、光源がクリーム半田に照射するスポット光の単位時間、単位面積当たりのエネルギー量を制御する制御部１９とを備えている。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線基板に形成された配線パターンにクリーム半田を用いて半田層を形成する半田層形成方法と、前記半田層形成方法を用いた配線基板の接続方法及び配線基板の接続装置に関する。

従来、基板の表面に配線パターンを形成したフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）やリジッド配線板（ＲＰＣ）等の配線基板においては、電子機器の小型化により配線パターンの間隔が微細化している。このため、配線パターンの微細ピッチ化に対応するため、例えば、クリーム半田を配線パターン上に印刷した後、印刷したクリーム半田にレーザ光を照射することによって半田を溶融し、濡れ広がらせることで配線パターンに半田層を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−２４３０８４号公報

ところで、クリーム半田は、半田粉末とフラックスとを主要成分としており、フラックス中にはロジン等のベース材、半田付けをする面の酸化物を除去して清浄化する活性剤、チキソ剤及び揮発性有機溶剤等が含有されている。このため、配線パターン上に印刷したクリーム半田は、レーザ光を照射すると、照射した部分の温度が急激に上昇するため、揮発性有機溶剤が爆発を伴って沸騰し、蒸発する際に半田成分が飛散することがある。

このようにして飛散した半田成分は、レーザ光の照射部周囲に残渣となって付着し、将来的に配線パターン間に付着して電気的な短絡を発生するおそれがある。このため、クリーム半田を使用する際、配線基板は、半田成分の残渣の付着を回避するためにレーザ光を照射する部分の周囲を予めマスキングテープ等でマスキングする必要があり、マスキングテープの貼付や除去を含め、面倒な処理をしなければならないという問題があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、半田成分の飛散を抑えることができる半田層形成方法、配線基板接続方法及び配線基板接続装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の半田層形成方法は、配線基板上に形成された配線パターンにクリーム半田を印刷し、印刷された前記クリーム半田にスポット光を照射して前記クリーム半田に含まれる半田を溶解させ、前記配線パターン上に半田層を形成する半田層形成方法において、印刷された前記クリーム半田にスポット光を照射し、前記クリーム半田に含まれる揮発性有機溶剤を揮発させる揮発工程と、前記揮発性有機溶剤を揮発させた前記クリーム半田にスポット光を照射し、前記クリーム半田に含まれる半田を溶解させ、前記配線パターン上に半田層を形成する溶解工程と、を含むことを特徴とする。

また、本発明の半田層形成方法は、上記の発明において、前記スポット光は、レーザ光であり、前記揮発工程における前記クリーム半田への照射直径は、前記溶解工程における前記クリーム半田への照射直径よりも大きいことを特徴とする。

また、本発明の半田層形成方法は、上記の発明において、前記スポット光は、レーザ光であり、前記溶解工程の単位時間及び単位面積当たりのレーザ光のエネルギー量は、前記揮発工程の単位時間及び単位面積当たりのエネルギー量に比べ、多いことを特徴とする。

また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の配線基板の接続方法は、複数の配線パターンにクリーム半田が印刷された配線基板同士を当接させ、前記複数の配線パターンを互いに当接させた状態で接続する配線基板の接続方法において、前記各配線基板のクリーム半田を互いに当接させた部分にスポット光を照射し、前記クリーム半田に含まれる揮発性有機溶剤を揮発させる揮発工程と、前記クリーム半田を互いに当接させた部分にスポット光を照射し、前記クリーム半田に含まれる半田を溶解させる溶解工程と、前記各配線基板のクリーム半田を互いに当接させた状態に保持して前記溶解した半田を冷却させ、前記配線基板同士を接続する接続工程と、を含むことを特徴とする。

また、本発明の配線基板の接続方法は、上記の発明において、前記スポット光は、レーザ光であり、前記揮発工程における前記クリーム半田への照射直径は、前記溶解工程における前記クリーム半田への照射直径よりも大きいことを特徴とする。

また、本発明の配線基板の接続方法は、上記の発明において、前記スポット光は、レーザ光であり、前記溶解工程の単位時間及び単位面積当たりのレーザ光のエネルギー量は、前記揮発工程の単位時間及び単位面積当たりのエネルギー量に比べ、多いことを特徴とする。

また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の配線基板の接続装置は、複数の配線パターンにクリーム半田が印刷された配線基板同士を、前記複数の配線パターンを互いに対応させて接続する配線基板の接続装置において、前記クリーム半田にスポット光を照射する光源と、前記光源が前記クリーム半田に照射するスポット光の単位時間、単位面積当たりのエネルギー量を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。

また、本発明の配線基板の接続装置は、上記の発明において、前記配線基板同士を載置して互いに直交する３軸方向及び１つの軸回りに回転するステージを備え、前記制御手段は、前記ステージの作動又は前記光源を駆動する電源を制御し、前記光源が前記クリーム半田に照射する前記スポット光の単位時間、単位面積当たりのエネルギー量を変化させることを特徴とする。

本発明によれば、クリーム半田に含まれる揮発性有機溶剤をレーザ光を照射して揮発させた後、クリーム半田に含まれる半田成分をレーザ光によって溶解させるので、半田成分の飛散を抑えることができるという効果を奏する。

図１は、本発明の実施の形態１に係る半田層形成方法及び配線基板の接続方法を適用して配線基板を接続する際に使用する本発明の配線基板の接続装置を示すブロック図である。図２は、レーザ発振器が配線基板に照射するレーザ光の照射直径（一点鎖線）及び配線基板の温度（実線）の時間変化をそれぞれ示す図である。図３は、半田層形成対象の配線基板であるＦＰＣ基板を模式的に示す平面図である。図４は、配線パターンのピッチ，幅及び隣り合う配線パターン間の距離を説明する図３の拡大図である。図５は、図３に示すＦＰＣ基板の配線パターンの上にクリーム半田を印刷した図である。図６は、クリーム半田を印刷したＦＰＣ基板を接続装置のステージに載置した斜視図である。図７は、図６のＦＰＣ基板にレーザ光を照射する揮発工程を示す斜視図である。図８は、図７のＦＰＣ基板にレーザ光を照射する溶解工程を示す斜視図である。図９は、揮発工程及び溶解工程によって配線パターンの表面に半田層が形成されたＦＰＣ基板を模式的に示す平面図である。図１０は、ＲＰＣ基板を模式的に示す平面図である。図１１は、ＦＰＣ基板とＲＰＣ基板をステージに載置した配線基板の接続装置を示すブロック図である。図１２は、ステージに載置されたＦＰＣ基板とＲＰＣ基板の斜視図である。図１３は、ステージに載置されたＦＰＣ基板とＲＰＣ基板のクリーム半田を互いに当接させた部分にレーザ光を照射する揮発工程を示す斜視図である。図１４は、図１３のＦＰＣ基板とＲＰＣ基板とを側方から見た側面図である。図１５は、図１３のクリーム半田を互いに当接させた部分にレーザ光を照射する溶解工程を示す斜視図である。図１６は、直交配置した状態で接続されたＦＰＣ基板とＲＰＣ基板の斜視図である。図１７は、端面同士を突き合わせて接続する場合を説明するＦＰＣ基板とＲＰＣ基板を模式的に示す平面図である。図１８は、レーザ発振器が出力するレーザ光のエネルギー量（一点鎖線）及び配線基板の温度（実線）の時間変化をそれぞれ示す図である。

以下に、本発明の半田層形成方法、配線基板の接続方法及び配線基板の接続装置に係る実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る半田層形成方法及び配線基板の接続方法を適用して配線基板を接続する際に使用する本発明の配線基板の接続装置を示すブロック図である。

配線基板の接続装置（以下、単に「接続装置」という）１０は、図１に示すように、レーザ光の照射部１１、ステージ１８及び制御部１９を備えている。

照射部１１は、図１に示すように、レーザ発振器１３、出射ユニット１６及び受光素子１７を有している。

レーザ発振器１３は、図１に示すように、レーザ媒体、レーザ媒体を励起する励起光源及び励起されたレーザ光を共振増幅する共振器ミラー等を内蔵したＬＤ冷機ＹＡＧレーザ（発振波長１０６４ｎｍ）であり、電源１２から供給される電力によって発振された基板接続用のレーザ光を伝送路となる光ファイバ１４へ出力する。光ファイバ１４へ出力されたレーザ光は、ハーフミラー等のビームスプリッタ１５によって分岐され、一方は出射ユニット１６へ入力され、他方は受光素子１７へ入力される。

出射ユニット１６は、図１に示すように、集光レンズ１６ａ等の光学部品を内蔵しており、入力されたレーザ光Ｌをステージ１８に載置される配線基板に照射する。このとき、出射ユニット１６は、配線基板に形成された配線パターンとレーザ光Ｌが干渉しないように、レーザ光Ｌをスポットにして照射する。

受光素子１７は、ビームスプリッタ１５を介して入力されるレーザ光をもとにレーザ発振器１３が出射するレーザ光の光量（エネルギー量）をモニタし、検出した光量信号を制御部１９へ出力する。

ステージ１８は、接続対象となる配線基板を載置して互いに直交する３軸方向（図１に示すＸ方向，Ｙ方向，Ｚ方向）へ移動可能であり、回転軸Ｘs（図１３参照）の回りに回転させて傾斜可能なステージである。

制御部１９は、予め設定されたプログラムに従ってステージ１８の作動及び電源１２がレーザ発振器１３に出力する電力を制御するもので、例えば、マイクロコンピュータが使用される。ここで、図２は、レーザ発振器が配線基板に照射するレーザ光の照射直径（一点鎖線）及び配線基板の温度（実線）の時間変化をそれぞれ示す図である。このとき、配線基板の温度（実線）は、熱電対等の温度測定手段によって測定した。また、制御部１９は、図２に一点鎖線で示すように、溶解領域の略中間で電源１２からレーザ発振器１３への電力の出力を止め、レーザ光の出力を停止させる。

ここで、図２の揮発領域においては、ステージ１８と出射ユニット１６の集光レンズ１６ａとの距離を集光レンズ１６ａの焦点距離より小さくし、クリーム半田２に照射されるレーザ光の照射直径を一定とすることによってデフォーカスさせる。これにより、レーザ光の照射直径を溶解領域の照射直径よりも大きくする。ここで、図２に示す揮発領域は、配線基板の最高温度が１００℃であるが、揮発性有機溶剤が揮発する温度以上、かつ、半田の溶解温度未満であれば１００℃に限定されるものではない。

また、図２の溶解領域においては、ステージ１８と出射ユニット１６の集光レンズ１６ａとの距離を集光レンズ１６ａの焦点距離に近づけることによってレーザ光の像をジャストフォーカス状態に近付ける。これにより、レーザ光は、照射直径が揮発領域に比べて急激に減少し、小さな面積に収束されて単位面積当たりのエネルギー量が揮発領域よりも増加する。図中、溶解領域において配線基板の温度が１５５℃になる点ｂでは、レーザ光のデフォーカス量は１０ｍｍであり、照射直径に基づく単位面積当たりのエネルギー量は約１５６Ｗ／ｃｍ^２であった。

制御部１９は、図２に示すレーザ光の照射直径と配線基板の温度プロファイルが記憶され、この照射直径と温度プロファイルとの関係をもとに、各工程におけるステージ１８の位置及び電源１２がレーザ発振器１３に出力する電力を制御する。このとき、制御部１９は、受光素子１７から入力される光量信号をもとに電源１２を制御することによってレーザ発振器１３が出射する配線基板を接続する際のレーザ光の光量（エネルギー量）を制御する。

ここで、図３は、半田層形成対象の配線基板であるＦＰＣ基板１を模式的に描いた平面図である。図４は、配線パターンのピッチ，幅及び隣り合う配線パターン間の距離を説明する図３の拡大図である。ＦＰＣ基板１は、図３に示すように、基板１ａ上に配線パターン１ｂが形成されている。ＦＰＣ基板１は、図４に示す配線パターン１ｂのピッチＰ，幅Ｗ及び隣り合う配線パターン間の距離Ｄを、例えば、Ｐ＝１５０μｍ、Ｗ＝７５μｍ、Ｄ＝７５μｍに設定した。

ＦＰＣ基板１は、以下に説明する本発明の半田層形成方法によって配線パターン１ｂに半田層が形成される。このとき、半田層形成方法によって半田層を形成する前処理として、メタルマスクを使用し、図５に示すように、ＦＰＣ基板１の配線パターン１ｂの上にクリーム半田２を印刷する。

メタルマスクは、例えば、アディティブ法によって作製した厚さ７５μｍのものを使用した。また、クリーム半田２は、揮発性有機溶剤として沸点が８２．４℃のイソプロパノールが含まれているＳｎ−５８Ｂｉ半田（半田粒子径２５〜４５μｍ、融点１３９℃）を使用した。但し、配線パターン１ｂに好適に印刷することができれば、他のクリーム半田や他のメタルマスクを使用してもよく、また、エアー式ディスペンサ等のディスペンサ方式によってクリーム半田を印刷してもよい。

そして、クリーム半田２を印刷したＦＰＣ基板１を、図６に示すように、配線パターン１ｂを上側に向けてステージ１８に載置し、半田層形成方法を開始する。

先ず、配線パターン１ｂに印刷したクリーム半田２に沿って、図７に示すように、レーザ発振器１３が発振したレーザ光Ｌをスポットにして照射する（揮発工程）。このとき、制御部１９は、揮発領域の照射直径となるようにステージ１８に制御信号を出力してステージ１８の位置を設定する。このため、クリーム半田２に照射されるレーザ光の像は、デフォーカス状態となる。これにより、クリーム半田２は、揮発性有機溶剤が揮発する温度以上、かつ、半田の溶解温度未満の温度でゆっくりと加熱され、含有する揮発性有機溶剤であるイソプロパノールが緩やかに揮発する。この結果、クリーム半田２は、揮発性有機溶剤の沸騰に伴う半田成分の飛散が抑制される。なお、制御部１９は、揮発領域後、照射直径を減少させて照射するレーザ光の単位時間、単位面積当たりのエネルギー量を増加させてゆく。

次に、揮発性有機溶剤が揮発したクリーム半田２に沿って、図８に示すように、レーザ発振器１３が発振したレーザ光Ｌをスポットにして照射し、揮発工程開始から８秒後に照射を停止する（溶解工程）。このとき、制御部１９は、ステージ１８に制御信号を出力してステージ１８の位置を図７の位置よりも下方へ移動させ、レーザ光の像をデフォーカス状態からジャストフォーカス状態に近付ける。これにより、クリーム半田２には、揮発工程よりも照射直径が小さく、揮発工程よりも単位時間、単位面積当たりのエネルギー量の多いレーザ光が照射される。従って、クリーム半田２は、揮発工程において殆どの揮発性有機溶剤が揮発しているので、揮発性有機溶剤の沸騰に伴う半田成分の飛散が抑制され、半田成分が融解して配線パターン１ｂに濡れ広がる。この結果、ＦＰＣ基板１は、レーザ光の照射が終了すると、融解した半田成分が自然冷却され、配線パターン１ｂの表面に、図９に示すように、半田層Ｓが形成される。

次に、本実施の形態１の配線基板の接続方法を以下に説明する。図１０は、接続対象の配線基板であるＲＰＣ基板３を模式的に描いた平面図である。ＲＰＣ基板３は、図１０に示すように、基板３ａ上に配線パターン３ｂが形成され、配線パターン３ｂのピッチＰ，幅Ｗ及び隣り合う配線パターン間の距離ＤはＦＰＣ基板１と同じに設定されている。

ＲＰＣ基板３は、接続装置１０を使用してＦＰＣ基板１と以下のようにして接続される。このとき、前処理として、予めＦＰＣ基板１の配線パターン１ｂにクリーム半田２を印刷すると共に、予めＲＰＣ基板３の配線パターン３ｂにもクリーム半田２を印刷しておく。

そして、クリーム半田２を印刷したＦＰＣ基板１及びＲＰＣ基板３を、図１１に示すように、ステージ１８に載置し、本発明の配線基板の接続方法を開始する。このとき、ＦＰＣ基板１及びＲＰＣ基板３は、図１２に示すように、ＦＰＣ基板１をステージ１８に水平に載置し、ＦＰＣ基板１の中央にＲＰＣ基板３を直交させて配置する。ＦＰＣ基板１とＲＰＣ基板３とを直交配置する際、クリーム半田２を印刷した配線パターンが互いに対応し、かつ、端部で当接するように配置し、図示しない冶具によって両側からＲＰＣ基板３を保持する。

先ず、ＦＰＣ基板１とＲＰＣ基板３のクリーム半田２を互いに当接させた部分に、図１３に示すように、レーザ発振器１３が発振したレーザ光Ｌをスポットにして順次照射する（揮発工程）。このとき、制御部１９は、上述した図２の揮発領域の照射直径となるようにステージ１８に制御信号を出力してステージ１８の位置を設定する。また、制御部１９は、ステージ１８を回転軸Ｘsの回りに回転させて傾斜させることにより、図１４に示すように、ＦＰＣ基板１とＲＰＣ基板３とが直交する部分に像がデフォーカス状態のレーザ光Ｌを照射する。また、ＦＰＣ基板１とＲＰＣ基板３にレーザ光Ｌが干渉しないようにする。これにより、クリーム半田２は、揮発性有機溶剤が揮発する温度以上、かつ、半田の溶解温度未満の温度でゆっくりと加熱される。なお、制御部１９は、揮発領域後、照射直径を減少させて照射するレーザ光の単位時間、単位面積当たりのエネルギー量を増加させてゆく。

次に、揮発性有機溶剤が揮発したクリーム半田２を互いに当接させた部分に、図１５に示すように、レーザ発振器１３が発振したレーザ光Ｌをスポットにして順次照射する（溶解工程）。このとき、制御部１９は、ステージ１８に制御信号を出力してステージ１８の位置を図１３に示す溶解工程の場合における位置よりも下方へ移動させ、レーザ光の像をデフォーカス状態からジャストフォーカス状態に近付ける。これにより、揮発工程よりも単位時間、単位面積当たりのエネルギー量の多いレーザ光が照射されると共に、揮発工程において殆どの揮発性有機溶剤が揮発しているので、クリーム半田２は、半田成分が融解して配線パターン１ｂと配線パターン３ｂとが当接した部分に濡れ広がる。このとき、クリーム半田２は、含有する揮発性有機溶剤が揮発しているため、揮発性有機溶剤の沸騰に伴う半田成分の飛散が抑制される。

次いで、ＦＰＣ基板１とＲＰＣ基板３とを直交配置した状態を保持しながら融解した半田成分を自然冷却し、互いに対応する配線パターン１ｂ，３ｂの部分でＦＰＣ基板１とＲＰＣ基板３とを半田Ｓによって接続する（接続工程）。これにより、図１６に示すように、ＦＰＣ基板１とＲＰＣ基板３は、直交配置した状態で接続される。

ここで、ＦＰＣ基板１とＲＰＣ基板３は、クリーム半田２を互いに当接させた部分以外のクリーム半田２については、上述した半田層形成方法によってクリーム半田２にレーザ光を照射し、それぞれの配線パターン１ｂ及び配線パターン３ｂに半田層を形成する。

本実施の形態１の半田層形成方法、配線基板の接続方法及び配線基板の接続装置には、光源として、ＬＤ励起ＹＡＧレーザ（波長：１０６４ｎｍ）を用いた。但し、波長の短いレーザである半導体レーザ（波長：９０５ｎｍ〜９２８ｎｍ）等を利用して、エネルギー量が本実施形態１と同等になるように設定し、利用することも出来る。あるいは、キセノンランプを光源とした光ビームを利用しても良い。

以上のように、実施の形態１の半田層形成方法、配線基板の接続方法及び配線基板の接続装置によれば、配線パターン上に半田層を形成する前にクリーム半田を加熱してクリーム半田に含まれる揮発性有機溶剤を揮発させるので、クリーム半田を加熱して半田成分を溶融する際の揮発性有機溶剤の沸騰に伴う半田成分の飛散を抑制することができる。

尚、本発明の配線基板の接続方法は、上記のようにＦＰＣ基板１とＲＰＣ基板３とを直交配置して接続する場合の他、図１７（ａ）に示すように端面同士を対向させ、図１７（ｂ）に示すように端面同士を突き合わせて接続する場合にも適用することができる。

（実施の形態２）
次に、本発明の配線基板の半田層形成方法及び接続方法に係る実施の形態２について図面を参照して以下に説明する。実施の形態１は、レーザ発振器１３に対するステージ１８の位置を変えることによって、レーザ発振器１３が出射したレーザ光の像をデフォーカス状態とジャストフォーカス状態とに変更すること、即ち、レーザ光の照射直径を変更することで、配線基板に照射されるレーザ光の単位時間、単位面積当たりのエネルギー量を揮発工程と溶解工程とで変化させた。これに対して、実施の形態２は、レーザ発振器１３が出射するレーザ光のエネルギー量を変更することで、配線基板に照射されるレーザ光の単位時間、単位面積当たりのエネルギー量を揮発工程と溶解工程とで変化させている。

図１８は、レーザ発振器１３が出力するレーザ光のエネルギー量（一点鎖線）と、配線基板の温度（実線）を示す図である。制御部１９は、電源１２を制御することにより、図１８の一点鎖線で示すように、揮発工程でレーザ発振器１３が出力するレーザ光の単位時間、単位面積当たりのエネルギー量に比べ、溶解工程でレーザ発振器１３が出力するレーザ光の単位時間、単位面積当たりのエネルギー量が多くなるように制御する。

これにより、揮発工程においてクリーム半田２に含まれる揮発性有機溶剤を揮発させた後、溶解工程において、半田成分を融解させて配線パターン１ｂと配線パターン３ｂとを接続させるので、揮発性有機溶剤の沸騰に伴うクリーム半田２に含まれる半田成分の飛散を抑制しつつ、ＦＰＣ基板１とＲＰＣ基板３とを接続することができる。

尚、上記実施の形態においては、ＦＰＣ基板１とＲＰＣ基板３とは同じ大きさであった。しかし、接続する配線基板は、配線パターンのピッチ、幅、配線パターン間の距離が同じであれば、同じ大きさでなくてもよい。

以上のように、本発明の半田層形成方法、配線基板の接続方法及び配線基板の接続装置は、配線パターンが形成された配線基板で使用して半田成分の飛散を抑制するのに有用である。

１ＦＰＣ基板
１ｂ配線パターン
２クリーム半田
３ＲＰＣ基板
３ｂ配線パターン
１０接続装置
１１照射部
１２電源
１３レーザ発振器
１４光ファイバ
１５ビームスプリッタ
１６出射ユニット
１７受光素子
１８ステージ
１９制御部
Ｌレーザ光
Ｓ半田層

Claims

配線基板上に形成された配線パターンにクリーム半田を印刷し、印刷された前記クリーム半田にスポット光を照射して前記クリーム半田に含まれる半田を溶解させ、前記配線パターン上に半田層を形成する半田層形成方法において、
印刷された前記クリーム半田にスポット光を照射し、前記クリーム半田に含まれる揮発性有機溶剤を揮発させる揮発工程と、
前記揮発性有機溶剤を揮発させた前記クリーム半田にスポット光を照射し、前記クリーム半田に含まれる半田を溶解させ、前記配線パターン上に半田層を形成する溶解工程と、
を含むことを特徴とする半田層形成方法。
前記スポット光は、レーザ光であり、前記揮発工程における前記クリーム半田への照射直径は、前記溶解工程における前記クリーム半田への照射直径よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の半田層形成方法。
前記スポット光は、レーザ光であり、前記溶解工程の単位時間及び単位面積当たりのレーザ光のエネルギー量は、前記揮発工程の単位時間及び単位面積当たりのエネルギー量に比べ、多いことを特徴とする請求項１に記載の半田層形成方法。
複数の配線パターンにクリーム半田が印刷された配線基板同士を当接させ、前記複数の配線パターンを互いに当接させた状態で接続する配線基板の接続方法において、
前記各配線基板のクリーム半田を互いに当接させた部分にスポット光を照射し、前記クリーム半田に含まれる揮発性有機溶剤を揮発させる揮発工程と、
前記クリーム半田を互いに当接させた部分にスポット光を照射し、前記クリーム半田に含まれる半田を溶解させる溶解工程と、
前記各配線基板のクリーム半田を互いに当接させた状態に保持して前記溶解した半田を冷却させ、前記配線基板同士を接続する接続工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の接続方法。
前記スポット光は、レーザ光であり、前記揮発工程における前記クリーム半田への照射直径は、前記溶解工程における前記クリーム半田への照射直径よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の配線基板の接続方法。
前記スポット光は、レーザ光であり、前記溶解工程の単位時間及び単位面積当たりのレーザ光のエネルギー量は、前記揮発工程の単位時間及び単位面積当たりのエネルギー量に比べ、多いことを特徴とする請求項４に記載の配線基板の接続方法。
複数の配線パターンにクリーム半田が印刷された配線基板同士を、前記複数の配線パターンを互いに対応させて接続する配線基板の接続装置において、
前記クリーム半田にスポット光を照射する光源と、
前記光源が前記クリーム半田に照射するスポット光の単位時間、単位面積当たりのエネルギー量を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする配線基板の接続装置。
配線基板同士を載置して互いに直交する３軸方向及び１つの軸回りに回転するステージを備え、
前記制御手段は、前記ステージの作動又は前記光源を駆動する電源を制御し、前記光源が前記クリーム半田に照射する前記スポット光の単位時間、単位面積当たりのエネルギー量を変化させることを特徴とする請求項７に記載の配線基板の接続装置。