JPH04313219A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH04313219A JPH04313219A JP10458991A JP10458991A JPH04313219A JP H04313219 A JPH04313219 A JP H04313219A JP 10458991 A JP10458991 A JP 10458991A JP 10458991 A JP10458991 A JP 10458991A JP H04313219 A JPH04313219 A JP H04313219A
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- Japan
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばプラズマＣＶ
Ｄ装置、プラズマエッチング装置等のように、プラズマ
を用いて基板を処理するものであって、いわゆる多段平
行平板電極を使用したプラズマ処理装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】この種のプラズマ処理装置の従来例を図
３に示す。 【０００３】図示しない真空排気装置によって真空排気
される真空容器２内に、２本の電極支持棒４が吊り下げ
られた形で収納されている。１０は絶縁物、１２は真空
シール用のパッキンである。この真空容器２内には、ガ
スＧとしてＣＶＤ用の原料ガスやエッチングガスが導入
される。 【０００４】電極支持棒４には、複数枚の電極板６が、
交互にかつ互いの間に等しい間隔Ｌをあけて多段状に重
なるように取り付けられている。 【０００５】各電極板６の上面には、詳細は省略するが
窪みが設けられており、そこに処理すべき基板８が載せ
られる。 【０００６】動作例を説明すると、真空容器２内を真空
排気すると共にその中に所要のガスＧを導入して内部の
圧力を所定範囲（例えば１０−３Ｔｏｒｒ〜数十Ｔｏｒ
ｒ程度）に保ち、かつ両電極支持棒４、４間に高周波電
源１４から高周波電圧を供給すると、それが奇数番目の
電極板６と偶数番目の電極板６との間に印加され、各電
極板６、６間に放電が生じてプラズマが形成され、それ
によって基板８に対して成膜やエッチング等の処理を施
すことができる。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】ところが、上記プラズ
マ処理装置においては、各電極板６間の間隔Ｌを等しく
しているにもかかわらず、奇数番目の電極板６上と偶数
番目の電極板６上とでは、基板８に対する処理能力（例
えば成膜速度やエッチング速度等）の差が大きいという
問題があった。 【０００８】そこでこの発明は、このような点を改善し
て、奇数番目の電極板上と偶数番目の電極板上とで基板
に対する処理能力の差を小さくすることを主たる目的と
する。 【０００９】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、この発明のプラズマ処理装置は、前述したような各電
極板間の間隔の内、奇数番目の間隔と偶数番目の間隔と
に差を付けたことを特徴とする。 【００１０】 【作用】種々の実験を行った結果、電極板間の間隔を従
来例のように等しくせずにむしろ上記のように差を付け
ることで、各基板に対する処理能力の差を小さくできる
ことが分かった。 【００１１】 【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るプラズマ
処理装置を示す概略図である。図３の従来例と同一また
は相当する部分には同一符号を付し、以下においては当
該従来例との相違点を主に説明する。 【００１２】電極板間の間隔に差を付ける方法には色々
あり、特定のものに限定されないが、図１の装置では電
極支持棒４を上下させることでそれに取り付けられた電
極板６を互いに平行を保ちながら上下させることができ
るので、この実施例では一方の電極支持棒４を上または
下にずらして（図１では左側の電極支持棒４を上にずら
している）、奇数番目の間隔Ｌ１ と偶数番目の間隔Ｌ
２ とに差を付けるように（即ちＬ１ ≠Ｌ２ になる
ように）している。 【００１３】そして、上記間隔の差ΔＬ（＝｜Ｌ１ −
Ｌ２ ｜）を種々に変えて、プラズマＣＶＤ法によって
各電極板６上の基板８に対して成膜を行った結果を図２
に示す。このときの成膜条件は次のとおりである。 原料ガスＧの流量：ＳｉＨ４ ０．２リットル
／分ＮＨ３ ３．０リットル／分成膜真空
度 ：１Ｔｏｒｒ 高周波の周波数 ：１５０ＫＨｚ 【００１４】この図から分かるように、電極板間の間隔
の差ΔＬが０ｍｍのときが従来例の場合であるが、この
場合は基板８上の膜厚の均一性は、同一バッチ内の奇数
番目の電極板６上の基板８と偶数番目の電極板６上の基
板８との間で約±８％、各基板８の面内で約±６％であ
った。これに対し、上記間隔の差ΔＬを０．５ｍｍ程度
にすると、基板８上の膜厚の均一性は、バッチ内で±３
％となって従来例の２倍以上に向上するのみならず、面
内においても±３％となって従来例の２倍に向上した。 【００１５】このような良好な結果が得られる理由は明
確ではないが、従来例のように電極板間の間隔Ｌを等し
くしておくと、むしろ奇数番目の電極板６上と偶数番目
の電極板６上とでプラズマの状態に差が生じ、しかも一
つの電極板６上で見てもプラズマの不均一状態が大きく
、このようなプラズマ状態の不均一性がこの発明のよう
に電極板間の間隔に差を付けることで解消できたものと
思われる。 【００１６】なお、前述したように図２における間隔の
差ΔＬはＬ１ とＬ２ の差の絶対値であり、図１の例
のようにＬ１ ＞Ｌ２ のときでも、あるいはこれと逆
にＬ１ ＜Ｌ２ のときでも、差の大きさが同じであれ
ば同様の結果が得られる。 【００１７】また、上記間隔の差ΔＬを具体的にどの程
度にするかは、その装置ごとに最適値を選べば良い。 【００１８】また、この発明は、上記のようなプラズマ
ＣＶＤ法による成膜以外にも、例えばプラズマエッチン
グによる基板８のエッチングにも適用することができ、
それによってバッチ内におけるエッチング速度の均一性
や面内におけるエッチングの均一性を向上させることが
できる。 【００１９】 【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、電極板
間の間隔の内、奇数番目の間隔と偶数番目の間隔とに差
を付けることで、奇数番目の電極板上と偶数番目の電極
板上とで基板に対する処理能力の差を小さくすることが
できる他、各基板の面内における処理の均一性をも向上
させることができる。
Ｄ装置、プラズマエッチング装置等のように、プラズマ
を用いて基板を処理するものであって、いわゆる多段平
行平板電極を使用したプラズマ処理装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】この種のプラズマ処理装置の従来例を図
３に示す。 【０００３】図示しない真空排気装置によって真空排気
される真空容器２内に、２本の電極支持棒４が吊り下げ
られた形で収納されている。１０は絶縁物、１２は真空
シール用のパッキンである。この真空容器２内には、ガ
スＧとしてＣＶＤ用の原料ガスやエッチングガスが導入
される。 【０００４】電極支持棒４には、複数枚の電極板６が、
交互にかつ互いの間に等しい間隔Ｌをあけて多段状に重
なるように取り付けられている。 【０００５】各電極板６の上面には、詳細は省略するが
窪みが設けられており、そこに処理すべき基板８が載せ
られる。 【０００６】動作例を説明すると、真空容器２内を真空
排気すると共にその中に所要のガスＧを導入して内部の
圧力を所定範囲（例えば１０−３Ｔｏｒｒ〜数十Ｔｏｒ
ｒ程度）に保ち、かつ両電極支持棒４、４間に高周波電
源１４から高周波電圧を供給すると、それが奇数番目の
電極板６と偶数番目の電極板６との間に印加され、各電
極板６、６間に放電が生じてプラズマが形成され、それ
によって基板８に対して成膜やエッチング等の処理を施
すことができる。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】ところが、上記プラズ
マ処理装置においては、各電極板６間の間隔Ｌを等しく
しているにもかかわらず、奇数番目の電極板６上と偶数
番目の電極板６上とでは、基板８に対する処理能力（例
えば成膜速度やエッチング速度等）の差が大きいという
問題があった。 【０００８】そこでこの発明は、このような点を改善し
て、奇数番目の電極板上と偶数番目の電極板上とで基板
に対する処理能力の差を小さくすることを主たる目的と
する。 【０００９】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、この発明のプラズマ処理装置は、前述したような各電
極板間の間隔の内、奇数番目の間隔と偶数番目の間隔と
に差を付けたことを特徴とする。 【００１０】 【作用】種々の実験を行った結果、電極板間の間隔を従
来例のように等しくせずにむしろ上記のように差を付け
ることで、各基板に対する処理能力の差を小さくできる
ことが分かった。 【００１１】 【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るプラズマ
処理装置を示す概略図である。図３の従来例と同一また
は相当する部分には同一符号を付し、以下においては当
該従来例との相違点を主に説明する。 【００１２】電極板間の間隔に差を付ける方法には色々
あり、特定のものに限定されないが、図１の装置では電
極支持棒４を上下させることでそれに取り付けられた電
極板６を互いに平行を保ちながら上下させることができ
るので、この実施例では一方の電極支持棒４を上または
下にずらして（図１では左側の電極支持棒４を上にずら
している）、奇数番目の間隔Ｌ１ と偶数番目の間隔Ｌ
２ とに差を付けるように（即ちＬ１ ≠Ｌ２ になる
ように）している。 【００１３】そして、上記間隔の差ΔＬ（＝｜Ｌ１ −
Ｌ２ ｜）を種々に変えて、プラズマＣＶＤ法によって
各電極板６上の基板８に対して成膜を行った結果を図２
に示す。このときの成膜条件は次のとおりである。 原料ガスＧの流量：ＳｉＨ４ ０．２リットル
／分ＮＨ３ ３．０リットル／分成膜真空
度 ：１Ｔｏｒｒ 高周波の周波数 ：１５０ＫＨｚ 【００１４】この図から分かるように、電極板間の間隔
の差ΔＬが０ｍｍのときが従来例の場合であるが、この
場合は基板８上の膜厚の均一性は、同一バッチ内の奇数
番目の電極板６上の基板８と偶数番目の電極板６上の基
板８との間で約±８％、各基板８の面内で約±６％であ
った。これに対し、上記間隔の差ΔＬを０．５ｍｍ程度
にすると、基板８上の膜厚の均一性は、バッチ内で±３
％となって従来例の２倍以上に向上するのみならず、面
内においても±３％となって従来例の２倍に向上した。 【００１５】このような良好な結果が得られる理由は明
確ではないが、従来例のように電極板間の間隔Ｌを等し
くしておくと、むしろ奇数番目の電極板６上と偶数番目
の電極板６上とでプラズマの状態に差が生じ、しかも一
つの電極板６上で見てもプラズマの不均一状態が大きく
、このようなプラズマ状態の不均一性がこの発明のよう
に電極板間の間隔に差を付けることで解消できたものと
思われる。 【００１６】なお、前述したように図２における間隔の
差ΔＬはＬ１ とＬ２ の差の絶対値であり、図１の例
のようにＬ１ ＞Ｌ２ のときでも、あるいはこれと逆
にＬ１ ＜Ｌ２ のときでも、差の大きさが同じであれ
ば同様の結果が得られる。 【００１７】また、上記間隔の差ΔＬを具体的にどの程
度にするかは、その装置ごとに最適値を選べば良い。 【００１８】また、この発明は、上記のようなプラズマ
ＣＶＤ法による成膜以外にも、例えばプラズマエッチン
グによる基板８のエッチングにも適用することができ、
それによってバッチ内におけるエッチング速度の均一性
や面内におけるエッチングの均一性を向上させることが
できる。 【００１９】 【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、電極板
間の間隔の内、奇数番目の間隔と偶数番目の間隔とに差
を付けることで、奇数番目の電極板上と偶数番目の電極
板上とで基板に対する処理能力の差を小さくすることが
できる他、各基板の面内における処理の均一性をも向上
させることができる。
【図１】 この発明の一実施例に係るプラズマ処理装
置を示す概略図である。
置を示す概略図である。
【図２】 電極板間の間隔の差と膜厚の均一性との関
係の一例を示すグラフである。
係の一例を示すグラフである。
【図３】 従来のプラズマ処理装置の一例を示す概略
図である。
図である。
２ 真空容器
４ 電極支持棒
６ 電極板
８ 基板
１４ 高周波電源
Claims (1)
- 【請求項１】 ガスが導入される真空容器内に、基板
を載せる複数枚の電極板であって互いの間に間隔をあけ
て平行に重ねられたものを収納し、その奇数番目の電極
板と偶数番目の電極板との間に高周波電圧を印加するよ
うにしたプラズマ処理装置において、前記各電極板間の
間隔の内、奇数番目の間隔と偶数番目の間隔とに差を付
けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10458991A JPH04313219A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10458991A JPH04313219A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313219A true JPH04313219A (ja) | 1992-11-05 |
Family
ID=14384625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10458991A Pending JPH04313219A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04313219A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1650326A2 (en) | 2004-10-22 | 2006-04-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| JP2008261010A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
| WO2009147993A1 (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置、それを用いた成膜方法およびエッチング方法 |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP10458991A patent/JPH04313219A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1650326A2 (en) | 2004-10-22 | 2006-04-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| JP2008261010A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
| WO2009147993A1 (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置、それを用いた成膜方法およびエッチング方法 |
| JP5393667B2 (ja) * | 2008-06-02 | 2014-01-22 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置、それを用いた成膜方法およびエッチング方法 |
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