JP5393667B2 - プラズマ処理装置、それを用いた成膜方法およびエッチング方法 - Google Patents

Description

本発明は、プラズマ処理装置、それを用いた成膜方法およびエッチング方法に関する。さらに詳しくは、プラズマ放電を起こさせる第１電極と第２電極がチャンバー内に複数組設置されてなるプラズマ処理装置の構造に関する。

従来のプラズマ処理装置として、電極間でプラズマ放電を起こさせる放電部が、チャンバー内に上下複数組配置された従来技術１のプラズマ処理装置が公知である（例えば、特許文献１参照）。
このプラズマ処理装置は、高周波電源と接続された電極と接地された電極が交互に配置されている。さらに、このプラズマ処理装置において、最上段を除く各段の電極は内部にヒータを有すると共に、最下段を除く各段の電極は、内部に反応性ガスが供給されて各電極間に反応性ガスが噴出するように構成されている。

このように構成された従来技術１のプラズマ処理装置によれば、最上段を除く各段の電極上に基板が設置され、反応性ガスが充填された各電極間でプラズマ放電が生じることによって、基板表面に成膜あるいはエッチング処理が施される。
しかしながら、従来技術１のプラズマ処理装置は、カソード電極とアノード電極とを区別することなく基板が設置され、プラズマ放電も隣り合うすべての電極同士の間で起きるように構成されているため、以下の問題が生じる。
（１）成膜に関しては、カソード電極上で形成された膜とアノード電極上で形成された膜とが混在してしまう。一方、エッチングに関しては、カソード電極上でエッチングされた基板とアノード電極上でエッチングされた基板とが混在してしまう。こられのことは、成膜に適さないカソード電極上へのプロセスを用いるために品質の悪い膜が形成されたり、エッチングに適さないアノード電極上へのプロセスを用いるために不適切なエッチング処理が行われるという、好ましくない結果を招く。
（２）成膜時またはエッチング時に、成膜またはエッチングに適さない電極上へ基板を設置しないことにより前記（１）の問題は解消できるが、各電極間で生じるプラズマ放電を制御することはできない。この結果、隣接する放電部同士の相互干渉が起きるため、各放電部でのプラズマ放電が極めて不安定になる。

このような問題を解消するために、図７に示す従来技術２のプラズマ処理装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
このプラズマ処理装置は、例えば、電源部Ｅと接続されるカソード電極１００および接地されるアノード電極２００からなる放電部が、チャンバー内に上下複数段で配置される。下側のアノード電極２００は、ヒータ２０１を内蔵すると共に、その上面に基板Ｓ１が設置される。一方、カソード電極１００は、内部に矢印で示す反応性ガスＧが導入され、下面に形成された多数の孔から反応性ガスを噴出する。そして、反応性ガス雰囲気下のカソード・アノード電極間でプラズマ放電が発生することにより基板Ｓ１の表面に膜が形成される。
また、図示省略するが、このプラズマ処理装置は、下に配置したカソード電極上に基板を設置し、上にアノード電極を配置することにより、エッチング装置として構成される。この場合、接地されるアノード電極内に反応性ガスが導入され、下面に形成された多数の孔からカソード・アノード電極間に反応性ガスを噴出する。また、電源と接続されるカソード電極内にヒータが設けられる。

さらに、従来技術２のプラズマ装置は、成膜装置とエッチング装置のいずれに構成される場合でも、複数のカソード電極１００に電力を供給する電源部Ｅを共有化するために、カソード電極１００とアノード電極２００の間の電極間距離Ａに対して、一の放電部のアノード電極２００に隣接する他の放電部のカソード電極１００との間の放電部間距離Ｂを２倍以上に設定している。放電部間距離Ｂを電極間距離Ａの２倍以上とすることにより、チャンバー内で複数の放電部が存在してもこれらが相互に干渉することが防止され、成膜またはエッチングが均一で行われるようにしている。

米国特許第４，２６４，３９３号明細書 特開２００６−１２０９２６号公報

しかしながら、図７で示した成膜用プラズマ処理装置の場合、複数の放電部のうちの最上段以外の各段の放電部において、各カソード電極１００の上にはアノード電極２００が存在しているが、最上段の放電部におけるカソード電極１００の上にはアノード電極２００が存在しない。
また、図示省略のエッチング用プラズマ処理装置の場合、複数の放電部のうちの最下段以外の各段の放電部において、各カソード電極の下にはアノード電極が存在しているが、最下段の放電部におけるカソード電極の下にはアノード電極が存在しない。
つまり、最上段または最下段のカソード電極は、他の段のカソード電極のようにアノード電極で上下から挟まれていない。そのため、最上段または最下段のカソード電極についてのインピーダンスが、他の段のカソード電極についてのインピーダンスと異なってしまい、各段のカソード電極への給電量を均一に揃えることができないため、各放電部でのプラズマ放電を均一に揃えることができない。このことは、最上段または最下段の放電部にて行われた成膜またはエッチングと、他の段の放電部にて行われた成膜またはエッチングとが不均一になるという問題に繋がる。

本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、複数の放電部において均一なプラズマ放電を起こすことができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。

かくして、本発明によれば、反応室と、反応室内に対向状に配置されて反応ガス雰囲気下でプラズマ放電させる第１電極および第２電極の組からなる複数の放電部と、擬似電極とを備えるプラズマ処理装置であって、
複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向して第２電極の擬似電極が配置され、
複数の第１電極は電源部に接続され、複数の第２電極および擬似電極は接地されており、
第１電極、第２電極および擬似電極から構成される電極群の並列方向両端の電極のうち、一方は接地された第２電極であり、他方は接地された擬似電極であるプラズマ処理装置、あるいは、
反応室と、反応室内に対向状に配置されて反応ガス雰囲気下でプラズマ放電させる第１電極および第２電極の組からなる複数の放電部と、擬似電極とを備え、
複数の第１電極は電源部に接続され、複数の第２電極は接地され、複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向状に擬似電極が配置され、かつ擬似電極が接地され、第１電極と第２電極と擬似電極は、それぞれの撓み量を揃えるような形状、大きさおよび材質で構成されているプラズマ処理装置が提供される。

また、本発明の別の観点によれば、反応室と、反応室内に対向状に配置されて反応ガス雰囲気下でプラズマ放電させる第１電極および第２電極の組からなる複数の放電部と、複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向状に配置された擬似電極とを備えるプラズマ処理装置であって、
複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向して第２電極の擬似電極が配置され、
複数の第１電極は電源部に接続され、複数の第２電極および擬似電極は接地されており、
第１電極、第２電極および擬似電極から構成される電極群の並列方向両端の電極のうち、一方は接地された第２電極であり、他方は接地された擬似電極であるプラズマ処理装置を用いて、基板上に半導体膜を成膜する際に、
１つ以上の第２電極に基板を設置し、複数の第２電極および擬似電極を接地し、かつ複数の第１電極に電力を供給した状態で、反応ガスを用いてプラズマ放電させて基板上に成膜することからなる成膜方法が提供される。

また、本発明のさらに別の観点によれば、反応室と、反応室内に対向状に配置されて反応ガス雰囲気下でプラズマ放電させる第１電極および第２電極の組からなる複数の放電部と、複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向状に配置された擬似電極とを備えるプラズマ処理装置であって、
複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向して第２電極の擬似電極が配置され、
複数の第１電極は電源部に接続され、複数の第２電極および擬似電極は接地されており、
第１電極、第２電極および擬似電極から構成される電極群の並列方向両端の電極のうち、一方は接地された第２電極であり、他方は接地された擬似電極であるプラズマ処理装置を用いて、半導体基板または基板上の半導体膜をエッチングする際に、
１つ以上の第１電極に半導体基板または半導体膜を有する基板を設置し、複数の第２電極および擬似電極を接地し、かつ複数の第１電極に電力を供給した状態で、反応ガスを用いてプラズマ放電させて半導体基板または基板上の半導体膜をエッチングすることからなるエッチング方法が提供される。

本発明によれば、複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向状に擬似電極が配置されることにより、この外側の第１電極は擬似電極と第２電極との間に配置された状態となり、この状態は、その他の第１電極が２つの第２電極の間に配置された状態と同じ状態である。
つまり、電源部に接続された複数の第１電極のそれぞれは、接地された電極間（第２電極間または第２電極と擬似電極の間）に配置されているため、複数の放電部にて生じるプラズマ放電を均一な状態に揃えることができる。
特に、図７に示す従来技術２のように、複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極と他の電極とが、同一の電源部に接続されている場合、電源部の調整を行っても外側の第１電極のインピーダンスを他の第１電極のインピーダンスに揃えることが困難であったが、本発明によれば、外側の第１電極のインピーダンスを他の第１電極のインピーダンスに容易に揃えることができる。
この結果、半導体素子の製造プロセスにおける成膜工程またはエッチング工程を高精度に効率よく行うことができる。

本発明のプラズマ処理装置の実施形態１を示す概略構成図である。 本発明のプラズマ処理装置の実施形態２を示す概略構成図である。 本発明のプラズマ処理装置の実施形態３を示す概略構成図である。 本発明のプラズマ処理装置の実施形態４を示す概略構成図である。 本発明のプラズマ処理装置の実施形態５を示す概略構成図である。 本発明のプラズマ処理装置の実施形態７を示す概略構成図である。 従来の成膜用プラズマ処理装置を示す概略構成図である。

本発明のプラズマ処理装置は、反応室と、反応室内に対向状に配置されて反応ガス雰囲気下でプラズマ放電させる第１電極および第２電極の組からなる複数の放電部と、擬似電極とを備え、複数の第１電極は電源部に接続され、複数の第２電極は接地され、複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向状に擬似電極が配置され、かつ擬似電極が接地されている。
ここで、「複数の放電部」とは２つ以上の放電部を意味する。放電部の数（組数）は、特に限定されず、例えば２つ、３つ、４つ、５つ、６つ等が挙げられる。

より具体的に説明すると、このプラズマ処理装置は、反応室に反応ガスを導入するガス導入部と、反応室から反応ガスを排気する排気部と、複数の第１・第２電極と擬似電極を水平状または垂直状に支持しかつ並列させる支持手段とをさらに備える。
ここで、複数の第１・第２電極と擬似電極を水平状に支持しかつ並列させるとは、平行平板型の各電極を水平状に寝かせた状態で上下方向に並べることを意味し、複数の第１・第２電極と擬似電極を垂直状に支持しかつ並列させるとは、平行平板型の各電極を垂直状に立てた状態で左右方向に並べることを意味する。すなわち、このプラズマ処理装置は、第１電極および第２電極からなる平行平板型の放電部（電極体）の複数組を上下方向に並べた上下並列タイプと、平行平板型の放電部の複数組を左右方向に並列した左右並列タイプの両方に適用できるプラズマ処理装置である。
また、本発明において、第１電極と第２電極との相対的な位置は限定されるものではない。つまり、本発明は、プラズマ処理される被処理物である基板が、第１電極と第２電極のどちら側に設置されてもよく、第２電極に基板が設置される場合は成膜用プラズマ処理装置として構成され、第１電極に基板が設置される場合はエッチング用プラズマ処理装置として構成される。

このプラズマ処理装置は、上述のように、複数の第１電極のうちの並列方向（すなわち、上下方向または左右方向）の外側の第１電極の外面側に、擬似電極が対向して配置されている。つまり、この擬似電極は、外側の第１電極が、他の第１電極と同じように２枚の第２電極（接地電極）の間に配置されるようにするための擬似第２電極である。
このようにして擬似電極を配置することにより、複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極についてのインピーダンスを、他の第１電極のインピーダンスに揃えることができる。つまり、各放電部でのプラズマ放電によりプラズマ処理された基板の品質が同等となるように、各第１電極のインピーダンスを同等に揃えることができる。

さらに詳しく説明すると、例えば、同一の電源部にそれぞれ接続された第１電極相互のインピーダンスは、電源部の調整によって同様に揃えることが困難である。
本発明では、外側に配置された第１電極の外面側に擬似電極を配置することによって、同一の電源部にそれぞれ接続された第１電極相互のインピーダンスを同様に揃えることができる。
なお、本発明は、擬似電極に対向する外側の第１電極と、他の１つ以上の第１電極とが、異なる電源部に接続されたプラズマ処理装置も含まれる。この場合、これらの第１電極のインピーダンスのバラツキは、擬似電極を有さないプラズマ処理装置に比べて小さいため、これらの第１電極のインピーダンスをより容易に揃えることができる。

上述のように各第１電極のインピーダンスを同様に揃え、各放電部での成膜またはエッチングを精度よく均一に行うために、擬似電極とこれに対向する第１電極との距離を、一の（任意の）放電部の第２電極とこれに隣接する他の放電部の第１電極との間の放電部間距離に揃えるように、擬似電極が配置されることが好ましい。つまり、各放電部でのプラズマ放電によりプラズマ処理された基板の品質がより等しいものとなるように、擬似電極とこれに対向する第１電極との距離を、放電部間距離に合わせる（ほぼ一致させる）ことが好ましい。

本発明に係るプラズマ処理装置は、例えば、擬似電極に対向する第１電極とこの第１電極に隣接する放電部の第１電極とが同一の電源部にそれぞれ接続されているプラズマ処理装置（Ｉ）（例えば、図１参照）と、擬似電極に対向する第１電極とこの第１電極に隣接しない放電部の第１電極とが同一の電源部にそれぞれ接続されているプラズマ処理装置（ＩＩ）（例えば、図５参照）とに対応することができるが、これらに限定されるものではない。
（Ｉ）の場合、擬似電極側の２つ以上の相互に隣接する放電部の第１電極が同一の電源部と接続されている場合も含まれる。また、（ＩＩ）の場合、擬似電極側から３つ以上の放電部が配置され、同一の電源部と接続された擬似電極に対向する第１電極を含む複数の第１電極の間に、異なる電源部に接続された第１電極を有する放電部が配置されている場合を含む。

このプラズマ処理装置において、電源部としては、高周波発生器と、該高周波発生器からの高周波電力を増幅して第１電極に供給する増幅器とを備えて構成されたものを用いることができ、各放電部における第１電極と電源部との接続形態は特に限定されるものではない。
つまり、全組の放電部のうち、一の放電部の第１電極と、それに隣接する他の放電部の第１電極とは、（ａ）同一の高周波発生器に同一の増幅器を介してそれぞれ接続されるか、或いは（ｂ）同一の高周波発生器に個別の増幅器を介してそれぞれ接続されるか、或いは（ｃ）異なる高周波発生器に増幅器を介してそれぞれ接続されることができる。なお、接続形態（ａ）〜（ｃ）の場合、少なくとも２組の放電部は同一の電源部に接続されている。

さらに、（ａ）〜（ｃ）の接続形態に応じて、各放電部における第１電極と第２電極の間の電極間距離Ａに対する、一の放電部の第２電極とこれに隣接する他の放電部の第１電極の間の放電部間距離Ｂは、次のように規定される。
前記接続形態（ａ）の場合、電極間距離Ａに対して放電部間距離Ｂは２倍以上（Ｂ／Ａ≧２）に設定され、かつ擬似電極から対向する第１電極までの距離が放電部間距離Ｂと揃えられ、好ましくは等しく設定される。この接続形態（ａ）の場合、隣接する放電部同士の第１電極は相互に同じ電気系統を介して電源部と接続されるため、隣接する放電部同士のプラズマ放電が相互に干渉しないようにするために電極間距離Ａに対して放電部間距離Ｂは２倍以上必要である。
接続形態（ａ）は、前記（Ｉ）のプラズマ処理装置に対応する。

一方、前記接続形態（ｂ）または（ｃ）の場合、電極間距離Ａに対して放電部間距離Ｂは１．５倍以上（Ｂ／Ａ≧１．５）に設定され、かつ擬似電極から対向する第１電極までの距離が放電部間距離Ｂと揃えられ、好ましくは等しく設定される。接続形態（ｂ）または（ｃ）の場合、隣接する放電部同士の第１電極は相互に異なる電気系統を介して電源部と接続されるため、隣接する放電部同士のプラズマ放電は接続形態（ａ）よりも相互に干渉し難くなり、接続形態（ａ）よりも放電部間距離Ｂを狭くすることが可能である。
接続形態（ｂ）および（ｃ）は、前記（ＩＩ）のプラズマ処理装置に対応する。

ところで、平行に対向して配置された平板状の第１電極、第２電極および擬似電極は、特に、これらが支持手段にて水平状に支持される場合には、自重によって撓みが生じる。この撓みは、電極間距離Ａおよび距離Ｂに影響を与える。
したがって、複数の第１電極についてのインピーダンスをより高精度に揃えることによって、複数の放電部でのプラズマ放電をより高精度に均一に揃える上で、第１電極、第２電極および擬似電極の撓みを考慮することが望ましい。
そのため、本発明では、次のように構成することができる。なお、次の構成は、擬似電極に対向する（隣接する）放電部の第１電極と、１つ以上の他の放電部の第１電極とが、同一の電源部に接続された場合と、擬似電極に対向する放電部の第１電極と、全ての他の放電部の第１電極とが、異なる電源部に接続された場合に適用できる。

（１−１）第２電極と、擬似電極とは、形状、大きさおよび材質のうち少なくとも１つが互いに同一である。これらの第２電極と擬似電極は、形状、大きさおよび材質のうち２つ以上が互いに同一であることが好ましく、３つ全てが互いに同一であることが特に好ましい。
（１−２）擬似電極に隣接する一の放電部の第１電極と、１つ以上の他の放電部の第１電極とが、同一の電源部に接続された場合、前記他の放電部に隣接する放電部の第２電極と、擬似電極とは、形状、大きさおよび材質が互いに同一である。
これらの構成は、後述の実施形態１〜８に適用可能である。

（２）第１電極と第２電極と擬似電極は、それぞれの撓み量を揃えるような形状、大きさおよび材質で構成されている。ここで、「撓み量を揃える」とは、各放電部でのプラズマ放電が被処理物の品質に影響しない程度で揃うように、撓み量が略同一であるという意味である。
これらの構成も、実施形態１〜８に適用可能である。

（３−１）第２電極と、擬似電極とは、同一箇所が接地されている。
（３−２）擬似電極に隣接する一の放電部の第１電極と、１つ以上の他の放電部の第１電極とが、同一の電源部に接続された場合、前記他の放電部に隣接する放電部の第２電極と、擬似電極とは、同一箇所が接地されている。
これらの構成も、実施形態１〜８に適用可能である。

（４−１）第２電極と、前記他の放電部の第２電極は、同一箇所が接地されている。
（４−２）擬似電極に隣接する一の放電部の第１電極と、１つ以上の他の放電部の第１電極とが、同一の電源部に接続された場合、前記一の放電部の第２電極と、前記他の放電部の第２電極は、同一箇所が接地されている。
これらの構成も、実施形態１〜８に適用可能である。

（５−１）第１電極は、同一箇所が電源部と接続されている。
（５−２）同一の電源部と接続された複数の第１電極は、同一箇所が電源部と接続されている。
これらの構成も、実施形態１〜８に適用可能である。

（６−１）第２電極と、擬似電極とは、ヒータを内蔵しており、各ヒータは同一の温度で発熱可能なものであることが好ましい。
（６−２）擬似電極に隣接する一の放電部の第１電極と、１つ以上の他の放電部の第１電極とが、同一の電源部に接続された場合、前記他の放電部に隣接する放電部の第２電極と、擬似電極とは、ヒータを内蔵しており、各ヒータは同一の温度で発熱可能なものであることが好ましい。
これらの構成も、実施形態１〜８に適用可能である。
なお、前記の各構成は選択的に組み合わることも可能である。

前記（１−２）、（３−２）、（４−２）、（５−２）および（６−２）の構成は、特に、擬似電極に対向する（隣接する）放電部の第１電極と、１つ以上の他の放電部の第１電極とが、同一の電源部に接続された場合に、同一電源部に接続された複数の第１電極についてのインピーダンスをより高精度に揃える上で好ましい状態である。

前記（１−１）および（１−２）のように構成すれば、第２電極と、擬似電極とについて、それらの自重による撓みの量（撓み量）を揃え易くなり、その第２電極と擬似電極の形状、大きさおよび材質のうち２つ以上を互いに同一とすることにより、それらの自重による撓み量を等しく近づけることができる。好ましくは、その第２電極と擬似電極の大きさおよび材質の全てを互いに同一とすることであり、それによりそれらの撓み量を同等にすることができる。
したがって、これら第２電極と擬似電極が自重により撓んだとしても、各放電部間距離Ｂおよび擬似電極から対向する第１電極までの距離（＝放電部間距離Ｂ）を同等もしくはそれに近づけることができ、その結果、上述のように複数の第１電極についてのインピーダンスをより高精度に揃えることができる。

前記（２）のように構成すれば、各放電部間距離Ｂおよび擬似電極から対向する第１電極までの距離が等しくなることに加え、各放電部におけるプラズマ放電に最適な電極間距離Ａを維持することができ、その結果、上述のように複数の第１電極についてのインピーダンスをより高精度に揃えることができる。
前記（３−１）、（３−２）、（４−１）、（４−２）、（５−１）および（５−２）のように構成すれば、各放電部でのプラズマ放電を安定し易くできる。

前記（６−１）と（６−２）の構成におけるヒータは、被処理物である基板をプラズマ処理する際に加熱するために第２電極に内蔵されているものである。（６−１）と（６−２）の場合、擬似電極にもヒータを内蔵させ、プラズマ処理時、第２電極と同じように、擬似電極を加熱し、好ましくはその第２電極と同じ温度で擬似電極を加熱する。これによって、第２電極および擬似電極の熱による影響を等しくすることができる。また、第２電極および擬似電極を同じ温度に加熱することで、各第１電極の熱による撓みの影響を等しくすることができると共に、各第２電極および擬似電極の間の各第１電極の熱による撓みの影響を等しくすることができ、熱による撓みの影響を等しくすることができる。その結果、上述のように複数の第１電極についてのインピーダンスをより高精度に揃えることができる。

以下、図面を参照しながら、本発明のプラズマ処理装置の具体的な実施形態について説明する。

（実施形態１）
図１は本発明のプラズマ処理装置の実施形態１を示す概略構成図である。
実施形態１のプラズマ処理装置は、被処理物である基板Ｓ１の表面に所望の膜を成膜する上下並列タイプの成膜用プラズマ処理装置であって、反応室Ｒと、反応室Ｒに反応ガスＧ１を導入するガス導入部１ａと、反応室Ｒから反応ガスＧ１を排気する排気部６と、反応室Ｒ内に対向状に配置されて反応ガスＧ１の雰囲気下でプラズマ放電させる第１電極１および第２電極２の組からなる複数の放電部３と、擬似電極４と、複数の第１・第２電極１、２と擬似電極４を水平状に並列して支持する支持手段５とを備える。

また、このプラズマ処理装置において、複数の第１電極１は単一の電源部Ｅにそれぞれ接続され、複数の第２電極２はそれぞれ接地され、複数の第１電極１のうちの並列方向外側の第１電極１の外面側に対向状に擬似電極４が配置され、かつ擬似電極４が接地されている。
図１において、電源部Ｅは、高周波発生器と、高周波発生器からの高周波電力を増幅して第１電極に供給する増幅器とを備えてなり、隣接する放電部同士の第１電極は、前記接続形態（ａ）のように同一の高周波発生器に同一の増幅器を介してそれぞれ接続されている。なお、図１では、放電部３が上下３段で配置されたプラズマ処理装置を例示しているが、放電部３の数は２組或いは４組以上でも構わない。
以下、本発明の各実施形態において、第１電極１をカソード電極１と称し、第２電極２をアノード電極２と称する。

反応室Ｒは、複数の放電部３および擬似電極４を収容する密封可能なチャンバーＣにて構成されている。
チャンバーＣは箱型であり、前記排気部６が接続されている。さらに、チャンバー内壁面には、複数のカソード電極１および複数のアノード電極２を支持する支持手段５が形成されている。
排気部６は、真空ポンプ６ａ、真空ポンプ６ａと反応室Ｒとを接続する排気管６ｂおよび排気管６ｂにおける反応室Ｒと真空ポンプ６ａとの間に配置された圧力制御器６ｃとを備える。

支持手段５は、チャンバーＣの内壁面から水平方向へ所定寸法突出した支持片である。その支持片は、チャンバーＣの内壁面に所定間隔で上下複数箇所に設けられており、平板形状のカソード電極１およびアノード電極２を互いに平行かつ水平状に支持すると共に、擬似電極４を水平状に支持する。実施形態１では、３組のカソード・アノード電極１、２および擬似電極４の下面の四隅をそれぞれ支持するよう、７段の支持手段５が設けられている。

この際、各放電部３におけるカソード電極１とアノード電極２との間の電極間距離Ａに対して、一の放電部３のアノード電極２に隣接する他の放電部３のカソード電極１との間の放電部間距離Ｂが２倍以上となり、かつ擬似電極４と最上段のカソード電極１との間の距離が放電部間距離Ｂと等しくなるような高さ位置に、各段の支持手段５は配置されている。例えば、電極間距離Ａは２〜３０ｍｍに設定され、放電部間距離Ｂは４〜６０ｍｍ以上に設定される。なお、面内における電極間距離Ａの精度は、数％以内であることが好ましく、１％以下であること特に好ましい。

各アノード電極２は、内部にヒータ７を有すると共に、上面に基板Ｓ１が設置され、プラズマ放電下の成膜時に基板Ｓ１を加熱する。なお、基板Ｓ１は、シリコン基板やガラス基板などが一般的であるが、特にこれらに限定されるものではない。
また、各アノード電極２は、ステンレス鋼、アルミニウム合金、カーボンなどの、導電性および耐熱性を備えた材料で製作されている。
各アノード電極２の寸法は、薄膜を形成するための基板Ｓ１の寸法に合わせて適当な値に決定されている。例えば、基板Ｓ１の寸法９００〜１５００ｍｍ×４００〜１２００ｍｍに対して、アノード電極２の寸法を１０００〜１５００ｍｍ×６００〜１０００ｍｍにして設計される。
各アノード電極２に内蔵されたヒータ７は、アノード電極２を室温〜３００℃に加熱制御するものであり、例えば、アルミニウム合金中にシースヒータなどの密閉型加熱装置と熱電対などの密閉型温度センサとを内蔵したものを用いることができる。

各カソード電極１は、ステンレス鋼やアルミニウム合金などから作製される。各カソード電極１の寸法は、成膜を行う基板Ｓ１の寸法に合わせて適当な値に設定され、アノード電極２と同じ寸法（平面サイズおよび厚み）で設計されることができる。さらに、各カソード電極１は、アノード電極２と同じ撓み量（剛性）に設定される。この場合、カソード電極１はアノード電極２と同じ形状、大きさおよび材質で構成されてもされなくても、撓み量が同じであればよい。
各カソード電極１は、内部が空洞であると共に、対となるアノード電極２に面するプラズマ放電面には多数の貫通穴が穴明け加工により明けられている。この穴明け加工は、直径０．１ｍｍ〜２ｍｍの円形穴を数ｍｍ〜数ｃｍピッチで行うのが望ましい。
また、各カソード電極１の一端面には、ガス導入部１ａとしてのガス導入管が接続されており、図示しないガス供給源とガス導入部１ａとは接続パイプにて接続されており、反応ガスＧ１がガス供給源からカソード電極２の内部に供給され、多数の貫通穴から基板Ｓ１の表面に向かって噴出するように構成されている。なお、原料ガスとしては、例えば、Ｈ₂で希釈したＳｉＨ₄（モノシラン）ガスが使用される。

また、各カソード電極１へは、電源部Ｅとしてのプラズマ励起電源により電力が供給される。この電力としては、例えば、ＡＣ１．００ＭＨｚ〜６０ＭＨｚの周波数で１０Ｗ〜１００ｋＷの電力が使用され、具体的には、１３．５６ＭＨｚ〜６０ＭＨｚで１０Ｗ〜１０ｋＷが使用される。なお、電源部Ｅとカソード電極１との間の電気経路にインピーダンス整合器、増幅器等（図示省略）が配置されてもよい。

擬似電極４は、アノード電極２と同じ撓み量（剛性）であることが好ましく、同じ材質、形状および大きさで作製されると共に、内部にはアノード電極２のヒータ７と同じヒータ７が内蔵されている。つまり、擬似電極４はアノード電極２と同じ構成である。

このように、実施形態１の成膜用プラズマ処理装置は、前記（１−２）、（２）、（３−２）、（４−２）、（５−２）および（６−２）のように構成されている。

このように構成された成膜用プラズマ処理装置を用いる成膜方法は、基板上に半導体膜を成膜する際に、１つ以上の第２電極に基板を設置し、複数の第２電極および擬似電極を接地し、かつ複数の第１電極に電力を供給した状態で、反応ガスを用いてプラズマ放電させて基板上に成膜する。
さらに詳しく説明すると、膜原料である反応ガスＧ１を所定の流量および圧力でカソード電極１とアノード電極２との間隙に充填し、カソード電極１とアノード電極２とに高周波電力を印加することで、カソード電極１とアノード電極２との間にグロー放電領域（プラズマ放電領域）を発生させ、基板Ｓ１上に非晶質の膜または結晶性の膜を形成することができる。例えば、原料ガスとしてＨ₂で希釈したＳｉＨ₄ガスを使用して、膜厚３００ｎｍのシリコン薄膜を膜厚分布±１０％以内で堆積させることができる。

この際、複数の放電部３におけるカソード電極１のそれぞれは、アノード電極２および擬似電極４の間に配置された同じ状態にあるため、外側のカソード電極１についてのインピーダンスを、他のカソード電極１についてのインピーダンスと同様に揃えることができる。さらには、アノード電極２および擬似電極４を同じ材質、形状および大きさにて構成すると共に、擬似電極４もアノード電極２と同じ温度で最上段のカソード電極１を上方から加熱するため、各電極２、４の撓み量は等しくなる。そのため、各電極間距離Ａは等しくかつ各放電部間距離Ｂは等しくなる。さらに、各カソード電極１はアノード電極２と同じ撓み量に設定されているため、カソード電極１とアノード電極２の間の電極間距離Ａが高精度に保たれる。
これらのことから、実施形態１のプラズマ処理装置によって、半導体素子の製造プロセスにおける成膜工程を高精度に効率よく行うことができる。

（実施形態２）
図２は本発明のプラズマ処理装置の実施形態２を示す概略構成図である。なお、図２において、図１で示した構成要素と同様の構成要素には、同一の符号を付している。
実施形態２のプラズマ処理装置も成膜用プラズマ処理装置であるが、左右並列タイプである点が主に実施形態１（上下並列タイプ）とは異なる。つまり、実施形態２のプラズマ処理装置は、図１で説明した実施形態１の構成のプラズマ処理装置を概ね横倒しにした構成であり、実施形態１と同様に、前記（１−２）、（２）、（３−２）、（４−２）、（５−２）および（６−２）のように構成されている。
図２では、図１で描かれていたチャンバーＣ、支持手段５および排気部６が図示省略されているが、実施形態２のプラズマ処理装置もこれらを備えている。ただし、実施形態２の場合、カソード電極１、アノード電極２および擬似電極４を垂直状に支持するために、チャンバーの上内壁面および下内壁面に設けられて各電極を両側から挟持する支持片が上下方向に突出して支持手段が構成されている。また、アノード電極２における基板設置面には、基板Ｓ１を保持する突起部が形成されている。

実施形態２のプラズマ処理装置も、実施形態１と同様に、膜原料である反応ガスＧ１を所定の流量および圧力でカソード電極１とアノード電極２との間隙に充填し、カソード電極１とアノード電極２とに高周波電力を印加することで、カソード電極１とアノード電極２との間にグロー放電領域（プラズマ放電領域）を発生させ、基板Ｓ１上に非晶質の膜または結晶性の膜を形成することができる。

この際、複数の放電部３におけるカソード電極１のそれぞれは、アノード電極２および擬似電極４の間に配置された同じ状態にあるため、インピーダンスが揃う。
また、実施形態２のプラズマ処理装置は、各電極１、２、４が垂直に支持された左右並列タイプであるため、実施形態１における各電極のような撓みの影響は少ない上、擬似電極４もアノード電極２と同じ温度で外側（図２では左側）のカソード電極１を横から加熱するため、各電極間距離Ａおよび各放電部間距離Ｂの変動はほとんどない。
これらのことから、実施形態２のプラズマ処理装置によっても、半導体素子の製造プロセスにおける成膜工程を高精度に効率よく行うことができる。

（実施形態３）
図３は本発明のプラズマ処理装置の実施形態３を示す概略構成図である。なお、図３において、図１で示した構成要素と同様の構成要素には、同一の符号を付している。
実施形態３のプラズマ処理装置は、上下並列タイプのエッチング用プラズマ処理装置であって、実施形態１と同様に、カソード電極１１とアノード電極１２からなる放電部１３の複数組と擬似電極１４を備えると共に、図示しないチャンバー、支持手段および排気部を備えている。

実施形態３が実施形態１と異なる主な点は、各放電部１３において、カソード電極１１とアノード電極１２が上下逆に配置されており、電源部Ｅと接続されるカソード電極１１上に基板Ｓ２を設置し、接地されるアノード電極１２を基板Ｓ２の上方に配置したことである。ただし、実施形態３の場合、接地される擬似電極１４は、最下段のカソード電極１１の下方に配置される。

この場合、実施形態３のアノード電極１２は、実施形態１のカソード電極１と同様に、内部に反応ガスＧ２を導入するためのガス導入部１２ａを有すると共に、下面には反応性ガスＧ２を噴出する多数の貫通穴を有している。
また、実施形態３のカソード電極１１は、実施形態１のアノード電極２と同様に、内部にヒータ１７が設けられている。
また、擬似電極１４は、アノード電極１２と同一の構成とすることができる。ただし、擬似電極１４は、ガス供給源と接続しても接続しなくてもよく、接続した場合でも反応ガスは供給されなくてよい。

実施形態３も実施形態１と同様に、前記（１−２）、（２）、（３−２）、（４−２）、（５−２）および（６−２）のように構成されている。また、実施形態３は実施形態１と同様に、各放電部１３におけるカソード電極１１とアノード電極１２との間の電極間距離Ａに対して、一の放電部１３のカソード電極１１に隣接する他の放電部１３のアノード電極１２との間の放電部間距離Ｂが２倍以上となり、かつ擬似電極１４と最下段のカソード電極１１との間の距離が放電部間距離Ｂと等しくなるように設定されている。例えば、電極間距離Ａは２〜３０ｍｍに設定され、放電部間距離Ｂは４〜６０ｍｍ以上に設定される。なお、面内における電極間距離Ａの精度は、数％以内であることが好ましく、１％以下であること特に好ましい。

このように構成されたエッチング用プラズマ処理装置を用いるエッチング方法は、半導体基板または基板上の半導体膜をエッチングする際に、１つ以上の第１電極に半導体基板または半導体膜を有する基板を設置し、複数の第２電極および擬似電極を接地し、かつ複数の第１電極に電力を供給した状態で、反応ガスを用いてプラズマ放電させて半導体基板または基板上の半導体膜をエッチングする。
さらに詳しく説明すると、例えば、フッ素系ガスをアルゴンなどの不活性ガスで希釈したエッチングガスである反応ガスＧ２を所定の流量および圧力でカソード電極１１とアノード電極１２との間隙に充填し、カソード電極１１とアノード電極１２とに高周波電力を印加することで、カソード電極１１とアノード電極１２との間にグロー放電領域（プラズマ放電領域）を発生させ、基板Ｓ２（例えばシリコン基板）を１０ｎｍ／ｓ以上の速度で効率よくエッチングすることができる。

この際、複数の放電部１３におけるカソード電極１１のそれぞれは、アノード電極１２および擬似電極１４の間に配置された同じ状態にあるため、インピーダンスが揃う。
さらには、アノード電極１２および擬似電極１４を同じ材質、形状および大きさにて構成すると共に、擬似電極１４も最下段のカソード電極１１にて加熱されるため、各電極１２、１４の撓み量は等しくなり、各電極間距離Ａは等しくかつ各放電部間距離Ｂは等しくなる。さらに、カソード電極１１とアノード電極２は同じ撓み量に設定されているため、カソード電極１とアノード電極２の間の電極間距離Ａが高精度に保たれる。
これらのことから、実施形態３のプラズマ処理装置によって、半導体素子の製造プロセスにおけるエッチング工程を高精度に効率よく行うことができる。

（実施形態４）
図４は本発明のプラズマ処理装置の実施形態４を示す概略構成図である。なお、図４において、図３で示した構成要素と同様の構成要素には、同一の符号を付している。
実施形態４のプラズマ処理装置もエッチング用プラズマ処理装置であるが、左右並列タイプである点が主に実施形態３（上下並列タイプ）とは異なる。つまり、実施形態４のプラズマ処理装置は、図３で説明した実施形態３の構成のプラズマ処理装置を概ね横倒しにした構成である。
実施形態４のプラズマ処理装置も、実施形態３と同様に、カソード電極１１とアノード電極１２からなる放電部１３の複数組と擬似電極１４を備えると共に、図示しないチャンバー、支持手段および排気部を備えている。ただし、実施形態４の場合、カソード電極１１、アノード電極１２および擬似電極１４を垂直状に支持するために、チャンバーの上内壁面および下内壁面に設けられて各電極を両側から挟持する支持片が上下方向に突出して支持手段が構成されている。また、アノード電極１２における基板設置面には、基板Ｓ２を保持する突起部が形成されている。

実施形態４も実施形態１と同様に、前記（１−２）、（２）、（３−２）、（４−２）、（５−２）および（６−２）のように構成されている。また、実施形態４のプラズマ処理装置も、実施形態３と同様に、例えば、フッ素系ガスをアルゴンなどの不活性ガスで希釈したエッチングガスである反応ガスＧ２を所定の流量および圧力でカソード電極１１とアノード電極１２との間隙に充填し、カソード電極１１とアノード電極１２とに高周波電力を印加することで、カソード電極１１とアノード電極１２との間にグロー放電領域（プラズマ放電領域）を発生させ、基板Ｓ２（例えばシリコン基板）を１０ｎｍ／ｓ以上の速度で効率よくエッチングすることができる。

この際、複数の放電部１３におけるカソード電極１１のそれぞれは、アノード電極１２および擬似電極１４の間に配置された同じ状態にあるため、インピーダンスが揃う。
また、実施形態４のプラズマ処理装置は各電極１１、１２、１４が垂直に支持された左右並列タイプであるため、実施形態３における各電極のような撓みの影響は少ない上、擬似電極１４も外側（図３では左側）のカソード電極１１にて加熱されているため、各電極間距離Ａは等しく、かつ各放電部間距離Ｂは等しくなる。
これらのことから、実施形態３のプラズマ処理装置によって、半導体素子の製造プロセスにおけるエッチング工程を高精度に効率よく行うことができる。

（実施形態５）
図５は本発明のプラズマ処理装置の実施形態５を示す概略構成図である。なお、図５において、図１で示した構成要素と同様の構成要素には、同一の符号を付している。
実施形態５のプラズマ処理装置は、図１で示した実施形態１と同じ上下並列タイプの成膜用プラズマ処理装置であり、主に複数のカソード電極１と電源部Ｅとの接続形態が実施形態１と異なる以外は同様の構成である。

つまり、このプラズマ処理装置の場合、少なくとも２組の放電部３におけるカソード電極１はそれぞれ同一の電源部Ｅと接続され、さらに、隣接する放電部３同士のカソード電極１は、前記接続形態（ｂ）のように同一の高周波発生器に個別の増幅器を介してそれぞれ接続されるか、或いは前記接続形態（ｃ）のように異なる高周波発生器に増幅器を介してそれぞれ接続される。つまり、隣接する放電部３同士のカソード電極１は、異なる電気系統を介して電源部Ｅと接続される。なお、図５では、電源部Ｅを２つ描いているが、これは必ずしも個別の高周波発生器を用いることを意図しているのではない。
このように各カソード電極１を電源部Ｅと接続することにより、電極間距離Ａに対して放電部間距離Ｂを１．５倍以上と実施形態１よりも狭めることができる。

また、同一電気系統で接続される複数の放電部３において、それぞれのカソード電極１と給電位置の相対的な位置関係が同一であり、かつそれぞれのアノード電極２と接地位置の相対的な位置関係が同一であることが好ましい。ここで、「相対的な位置関係が同一」とは、平面的にカソード電極１を見たときの給電位置が各カソード電極１で同一であり、かつ平面的にアノード電極２を見たときの接地位置が各アノード電極２で同一であることを意味している。
このようにすれば、同一電気系統で接続される複数の放電部３において、電源部Ｅからそれぞれのカソード電極１に対してより均等に電力を供給することができる。

すなわち、実施形態５も実施形態１と同様に、前記（１−２）、（２）、（３−２）、（４−２）、（５−２）および（６−２）のように構成されている。
特に、（１）、（３−２）、（４−２）、（５−２）および（６−２）について詳しく説明すれば、例えば図５中の真中（上から３番目）の放電部３は、それとは異なる電源部Ｅと接続された２番目と４番目の放電部３に上下を挟まれている環境にある。１番目の放電部３は３番目の放電部３と同じ環境にあることが好ましいため、１番目の放電部３の第１電極１に対向する擬似電極４は、３番目の放電部３の第１電極１に対向する２番目の放電部３の第２電極２と同じ形状、大きさおよび材質で形成され、かつ同じ接地箇所とされ、かつ同じくヒータを内蔵している。この場合、擬似電極４は、２番目の放電部３の第２電極２に限らず、４番目の放電部３の第２電極２と同様であってもよい。また、実施形態５の場合、異なる電源部Ｅに接続される放電部同士は、第１電極１の構成が同一でも異なってもよく、かつ第２電極の構成が同一でも異なってもよい。

（実施形態６）
図５では上下並列タイプの成膜用プラズマ処理装置を説明したが、これを概ね横倒しにした構造の左右並列タイプの成膜用プラズマ処理装置としてもよい（図示省略）。実施形態６も実施形態１と同様に、前記（１−２）、（２）、（３−２）、（４−２）、（５−２）および（６−２）のように構成されている。

（実施形態７）
図６は本発明のプラズマ処理装置の実施形態７を示す概略構成図である。なお、図６において、図３で示した構成要素と同様の構成要素には、同一の符号を付している。
実施形態６のプラズマ処理装置は、上下並列タイプのエッチング用プラズマ処理装置であって、主に複数のカソード電極１１と電源部Ｅとの接続形態が実施形態３と異なる以外は同様の構成である。

つまり、このプラズマ処理装置の場合、少なくとも２組の放電部１３におけるカソード電極１１はそれぞれ同一の電源部Ｅと接続され、さらに、隣接する放電部１３同士のカソード電極１１は、前記接続形態（ｂ）のように同一の高周波発生器に個別の増幅器を介してそれぞれ接続されるか、或いは前記接続形態（ｃ）のように異なる高周波発生器に増幅器を介してそれぞれ接続される。つまり、隣接する放電部１３同士のカソード電極１１は、異なる電気系統を介して電源部Ｅと接続される。なお、図６では、電源部Ｅを２つ描いているが、これらは必ずしも個別の電源部であることを意図しているのではない。
このように各カソード電極１１を電源部Ｅと接続することにより、電極間距離Ａに対して放電部間距離Ｂを１．５倍以上と実施形態３よりも狭めることができる。

また、同一電気系統で接続される複数の放電部１３において、それぞれのカソード電極１１と給電位置の相対的な位置関係が同一であり、かつそれぞれのアノード電極１２と接地位置の相対的な位置関係が同一であることが好ましい。ここで、「相対的な位置関係が同一」とは、平面的にカソード電極１１を見たときの給電位置が各カソード電極１１で同一であり、かつ平面的にアノード電極１２を見たときの接地位置が各アノード電極１２で同一であることを意味している。
このようにすれば、同一電気系統で接続される複数の放電部１３において、電源部Ｅからそれぞれのカソード電極１１に対してより均等に電力を供給することができる。
すなわち、実施形態７も実施形態１と同様に、前記（１−２）、（２）、（３−２）、（４−２）、（５−２）および（６−２）のように構成されている。

（実施形態８）
図６では上下並列タイプのエッチング用プラズマ処理装置を説明したが、これを概ね横倒しにした構造の左右並列タイプのエッチング用プラズマ処理装置としてもよい（図示省略）。実施形態８も実施形態１と同様に、前記（１−２）、（２）、（３−２）、（４−２）、（５−２）および（６−２）のように構成されている。

（他の実施形態）
前記実施形態１〜８では、擬似電極に対向する（隣接する）放電部の第１電極と、１つ以上の他の放電部の第１電極とが、同一の電源部に接続された場合を例示したが、擬似電極に対向する放電部の第１電極と、全ての他の放電部の第１電極とが、異なる電源部に接続されていてもよい。

本発明のプラズマ処理装置は、例えば、太陽電池、ＴＦＴ、感光体などの各種半導体素子の製造プロセスにおける成膜工程に使用されるＣＶＤ装置またはエッチング工程に使用されるＲＩＥ装置などに適用可能である。

１、１１ 第１電極（カソード電極）
１ａ、１２ａ、１４ａ ガス導入部
２、１２ 第２電極（アノード電極）
３、１３ 放電部
４、１４ 擬似電極
５ 支持手段（支持片）
６ 排気部
７、１７ ヒータ
Ａ 電極間距離
Ｂ 放電部間距離
Ｃ チャンバー
Ｅ 電源部
Ｇ１、Ｇ２ 反応ガス
Ｒ 反応室
Ｓ１、Ｓ２ 基板（被処理物）

Claims (12)

1. 反応室と、反応室内に対向状に配置されて反応ガス雰囲気下でプラズマ放電させる第１電極および第２電極の組からなる複数の放電部と、擬似電極とを備えるプラズマ処理装置であって、
   複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向して第２電極の擬似電極が配置され、
   複数の第１電極は電源部に接続され、複数の第２電極および擬似電極は接地されており、
   第１電極、第２電極および擬似電極から構成される電極群の並列方向両端の電極のうち、一方は接地された第２電極であり、他方は接地された擬似電極であるプラズマ処理装置。
2. 反応室と、反応室内に対向状に配置されて反応ガス雰囲気下でプラズマ放電させる第１電極および第２電極の組からなる複数の放電部と、擬似電極とを備え、
   複数の第１電極は電源部に接続され、複数の第２電極は接地され、複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向状に擬似電極が配置され、かつ擬似電極が接地され、第１電極と第２電極と擬似電極は、それぞれの撓み量を揃えるような形状、大きさおよび材質で構成されているプラズマ処理装置。
3. 擬似電極に対向する第１電極と、他の１つ以上の第１電極とが、同一の電源部に接続されている請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
4. 擬似電極とこれに対向する第１電極との距離を、一の放電部の第２電極とこれに隣接する他の放電部の第１電極との間の放電部間距離に揃えるように、擬似電極が配置される請求項１〜３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
5. 第２電極と、擬似電極とは、形状、大きさおよび材質のうち少なくとも一つが互いに同一である請求項１〜４のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
6. 第２電極と、擬似電極とは、同一箇所が接地されている請求項１〜５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
7. 第１電極は、同一箇所が電源部と接続されている請求項１〜６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
8. 第２電極と、擬似電極とは、ヒータを内蔵している請求項１〜９のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
9. 反応室と、反応室内に対向状に配置されて反応ガス雰囲気下でプラズマ放電させる第１電極および第２電極の組からなる複数の放電部と、複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向状に配置された擬似電極とを備えるプラズマ処理装置であって、
   複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向して第２電極の擬似電極が配置され、
   複数の第１電極は電源部に接続され、複数の第２電極および擬似電極は接地されており、
   第１電極、第２電極および擬似電極から構成される電極群の並列方向両端の電極のうち、一方は接地された第２電極であり、他方は接地された擬似電極であるプラズマ処理装置を用いて、基板上に半導体膜を成膜する際に、
   １つ以上の第２電極に基板を設置し、複数の第２電極および擬似電極を接地し、かつ複数の第１電極に電力を供給した状態で、反応ガスを用いてプラズマ放電させて基板上に成膜することからなる成膜方法。
10. 第２電極および擬似電極を加熱する請求項９に記載の成膜方法。
11. 反応室と、反応室内に対向状に配置されて反応ガス雰囲気下でプラズマ放電させる第１電極および第２電極の組からなる複数の放電部と、複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向状に配置された擬似電極とを備えるプラズマ処理装置であって、
    複数の第１電極のうちの並列方向外側の第１電極の外面側に対向して第２電極の擬似電極が配置され、
    複数の第１電極は電源部に接続され、複数の第２電極および擬似電極は接地されており、
    第１電極、第２電極および擬似電極から構成される電極群の並列方向両端の電極のうち、一方は接地された第２電極であり、他方は接地された擬似電極であるプラズマ処理装置を用いて、半導体基板または基板上の半導体膜をエッチングする際に、
    １つ以上の第１電極に半導体基板または半導体膜を有する基板を設置し、複数の第２電極および擬似電極を接地し、かつ複数の第１電極に電力を供給した状態で、反応ガスを用いてプラズマ放電させて半導体基板または基板上の半導体膜をエッチングすることからなるエッチング方法。
12. 第１電極を加熱する請求項１１に記載のエッチング方法。

Images