JP2010123628A - 真空処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極２に設置した基板８との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｊを備え、前記放電電極３ａ〜３ｊのうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極３ａ，３ｊは、前記対向電極２で保持し得る基板８の最大幅よりも外側に位置するように設けられている。
【選択図】図５

Description

本発明は、真空処理装置に関し、特にプラズマを用いて基板に処理を行う真空処理装置に関するものである。

近年、大面積（例えば、高さ（縦）１ｍ以上、幅（横）１ｍ以上の大きさ）を有する基板に対して、シリコン等の物質を製膜するのにプラズマ化学蒸着（Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition：PCVD）法を用いたプラズマＣＶＤ装置が使用されている。このプラズマＣＶＤ装置は、例えば、アモルファス太陽電池や微結晶太陽電池や液晶ディスプレイ用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等に用いられる非晶質シリコン、微結晶シリコン、窒化シリコン等からなる膜の製膜処理等に使用されていて、エッチングによるチャンバや放電電極に付着した膜のクリーニング（セルフクリーニング）する機能を保有するものもある。

上述のプラズマＣＶＤ装置の放電電極としては、棒状の縦電極を略平行に並べた放電電極が用いられることが多く、このような放電電極は超高周波数（３０ＭＨｚから３００ＭＨｚ）の電源を用いて、大面積を有する基板に対して製膜を行う場合に適している（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００８−２０５０８９号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示された放電電極は、その配列方向の寸法が、製膜室内で処理（製造）し得る（すなわち、対向電極の保持手段が保持し得る）基板の最大寸法と同程度のサイズとされている。そのため、放電電極のうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極と向き合う基板の両側端部における膜厚および膜質が、基板の中央部（両側端部を除く部分）における膜厚および膜質と異なってしまうといった問題点があった。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる真空処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を採用した。
本発明に係る真空処理装置は、電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する複数の放電電極を備え、前記放電電極のうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極は、前記対向電極で保持し得る基板の最大幅よりも外側に位置するように設けられている。

本発明に係る真空処理装置によれば、放電電極のうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極が、対向電極で保持し得る基板の最大幅よりも外側に位置するように設けられており、基板の両側端部における境界条件（原料ガスの流量、原料ガスの分布、相互インダクタンス等）が、基板の中央部における境界条件に近づくこととなるので、基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる。

上記真空処理装置において、前記放電電極のうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極の電気特性が、その他の放電電極の電気特性と異なるように構成されているとさらに好適である。

このような真空処理装置によれば、放電電極のうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極の電気特性が個別に制御され、基板の両側端部における境界条件（原料ガスの流量、原料ガスの分布、相互インダクタンス等）が、基板の中央部における境界条件により近づくこととなるので、基板上全体により均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる。

上記真空処理装置において、前記放電電極のうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極は、第１のガス供給系に接続されており、その他の放電電極は、第２のガス供給系に接続されているとさらに好適である。

このような真空処理装置によれば、放電電極のうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極には、第１のガス供給系を介して原料ガスが供給され、その他の放電電極には、第２のガス供給系を介して原料ガスが供給されるようになっており、放電電極のガス条件（原料ガスの流量、原料ガスの組成等）が個別に制御され、基板の両側端部における境界条件（原料ガスの流量、原料ガスの分布、相互インダクタンス等）が、基板の中央部における境界条件により近づくこととなるので、基板上全体により均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる。

上記真空処理装置において、前記対向電極の表面上で、前記放電電極のうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極と向き合う位置に、第１のギャップ調整部材がそれぞれ設けられているとさらに好適である。

このような真空処理装置によれば、第１のギャップ調整部材により、放電電極の表面と基板の表面との間のギャップと、放電電極の表面と第１のギャップ調整部材の表面との間のギャップとが略同じになり、基板の両側端部における境界条件（原料ガスの流量、原料ガスの分布、相互インダクタンス等）が、基板の中央部における境界条件により近づくこととなるので、基板上全体により均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる。

上記真空処理装置において、前記対向電極の表面上で、前記放電電極の上端部および下端部と向き合う位置に、第２のギャップ調整部材がそれぞれ設けられているとさらに好適である。

このような真空処理装置によれば、第２のギャップ調整部材により、放電電極の中央部の表面と基板の表面との間のギャップと、放電電極の上端部および下端部の表面と第２のギャップ調整部材の表面との間のギャップとが略同じになり、基板の上端部および下端部における境界条件（原料ガスの流量、原料ガスの分布、相互インダクタンス等）が、基板の中央部における境界条件により近づくこととなるので、基板上全体により均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる。

本発明に係る真空処理装置によれば、基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができるという効果を奏する。

〔第１実施形態〕
以下、本発明に係る薄膜製造装置の第１実施形態について、図１から図５を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る薄膜製造装置の構成を示す概略図であり、薄膜製造装置の側方から見た図である。

本実施形態においては、本発明を製膜条件として製膜圧力が高く、電極基板間の放電距離が狭い高圧狭ギャップ条件により、アモルファス太陽電池や微結晶太陽電池や液晶ディスプレイ用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等に用いられる非晶質シリコン、微結晶シリコン、窒化シリコン等からなる膜の高速製膜処理を行うことが可能な薄膜製造装置に適用して説明する。

図１に示すように、薄膜製造装置（真空処理装置）１には、真空容器である製膜室６と、導電性の板である対向電極２と、対向電極２の温度分布を均一化する均熱板５と、均熱板５および対向電極２を保持する均熱板保持機構１１と、対向電極２との間にプラズマを発生させる放電電極３と、膜が形成される範囲を制限する防着板４と、防着板４を支持する支持部７と、高周波電力を放電電極３に供給する同軸給電部１２ａ，１２ｂおよび整合器１３ａｔ〜１３ｊｔ，１３ａｂ〜１３ｊｂと、製膜室６内の気体を排気する高真空排気部３１および低真空排気部３５と、製膜室６を保持する台３７と、が設けられている。
なお、本図において、ガス供給に関する構成は省略している。

製膜室６は真空容器であり、その内部で基板８に微結晶シリコンｉ層など製膜するものである。製膜室６は台３７上に角度αだけ傾けて保持される。傾きの角度αはｚ方向（鉛直方向）に対して７°から１２°までの範囲内の所定角度である。
製膜室６を傾けて保持することで、対向電極２における基板８における製膜処理面の法線が、ｘ方向に対して角度αだけ上（ｚ方向）に向く。このように基板８を垂直から僅かに傾けることは、装置の設置スペースの増加を抑えながら基板８の自重を利用して少ない手間で基板８を保持することができ、更に基板８と対向電極２の密着性を向上して基板８の温度分布と電位分布とを均一化することができて好ましい。

対向電極２は、基板８を保持可能な保持手段（図示せず）を有する非磁性材料の導電性の板である。セルフクリーニングを行う場合は耐フッ素ラジカル性を備えることが好ましく、ニッケル合金やアルミやアルミ合金の板を使用することが望ましい。
対向電極２は、放電電極３に対向する電極（例えば、接地側電極）となる。対向電極２は、一方の面が均熱板５の表面と密接し、製膜時に他方の面が基板８の表面と密接する。

均熱板５は、内部に温度制御された熱媒体を循環したり、または温度制御されたヒーターを組み込んだりすることで、自身の温度を制御して、全体が概ね均一な温度を有し、接触している対向電極２の温度を均一化する機能を有する。
上述の熱媒体は非導電性媒体であり、水素やヘリウムなどの高熱伝導性ガス、フッ素系不活性液体、不活性オイル、及び純水等が熱媒体として使用できる。中でも１５０℃から２５０℃の範囲でも圧力が上がらずに制御が容易であることから、フッ素系不活性液体（例えば、商品名：ガルデン、Ｆ０５など）の使用が好適である。

均熱板保持機構１１は、均熱板５及び対向電極２を製膜室６の側面（図１の右側の側面）に対して略平行となるように保持するとともに、均熱板５、対向電極２および基板８を、放電電極３に接近離間可能に保持するものである。
均熱板保持機構１１は、製膜時に均熱板５等を放電電極３に接近させて、基板８を放電電極３から、例えば、３ｍｍ〜１０ｍｍの範囲内に位置させることができる。

防着板４は、接地されプラズマの広がる範囲を抑えることにより、膜が製膜される範囲を制限するものである。本実施形態の場合、図１に示すように、製膜室６の内側における防着板４の後ろ側（基板８と反対の側）の壁に膜が製膜されないようにしている。

支持部７は、製膜室６の側面（図１における左側の側面）から内側へ垂直に延びている部材である。支持部７は防着板４と結合され、放電電極３における対向電極２と反対側の空間を覆うように防着板４を保持している。それと共に、支持部７は放電電極３と絶縁的に結合され、放電電極３を製膜室６の側面（図１における左側の側面）に対して略平行に保持している。

高真空排気部３１は、粗引き排気された製膜室６内の気体をさらに排気して、製膜室６内を高真空とする高真空排気用の真空ポンプである。弁３２は、高真空排気部３１と製膜室６との経路を開閉する弁である。
低真空排気部３５は、初めに製膜室６内の気体を排気して、製膜室６内を低真空とする粗引き排気用の真空ポンプである。弁３４は、低真空排気部３５と製膜室６との経路を開閉する。

台３７は、上面に配置された保持部３６を介して製膜室６を保持するものである。台３７の内部には低真空排気部３５が配置される領域が形成されている。

図２は、図１の薄膜製造装置の構成の一部を示す部分斜視図である。図３は、図１の複数の放電電極に対する電力の供給を説明する概略図である。
本実施形態においては、１つの製膜室６について、例えば、１０個の放電電極３を備えた薄膜製造装置１に適用して説明するが、放電電極３の数は１０個よりも多くてもよいし、少なくてもよく、特に限定するものではない。
放電電極数は、真空中およびプラズマ生成時の高周波波長による定在波の影響をなくすよう各放電電極の幅を決めることが好ましく、複数の放電電極を並べて設置した状態で基板８の幅よりも大きくなるように配置ことがプラズマの均一化に好ましい。

図２および図３に示すように、製膜室６には、１０個の放電電極３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ，３ｇ，３ｈ，３ｉ，３ｊ（以下、放電電極３ａ〜３ｊと表記する。）が備えられている。放電電極３ａ〜３ｊは、互いに略平行にＸ方向へ伸びる上下に配した２本の横電極と、この横電極の間に互いに略平行にＹ方向へ伸びる複数の板状の縦電極とを組み合わせて構成されたものである。
放電電極３ａの給電点（端部）５３側には、整合器１３ａｔと、高周波給電伝送路１４ａと、同軸給電部１２ａと、熱媒体供給管１５ａおよび原料ガス配管１６ａが設けられている。また、給電点（端部）５４側には、整合器１３ａｂと、高周波給電伝送路１４ｂと、同軸給電部１２ｂと、熱媒体供給管１５ｂおよび原料ガス配管１６ｂが設けられている。

同様に、放電電極３ｂ〜３ｊのそれぞれに対して、給電点５３側には、整合器１３ｂｔ〜１３ｊｔと、高周波給電伝送路１４ａと、同軸給電部１２ａと、熱媒体供給管１５ａおよび原料ガス配管１６ａがそれぞれ設けられている。また、給電点５４側には、整合器１３ｂｂ〜１３ｊｂと、高周波給電伝送路１４ｂと、同軸給電部１２ｂと、熱媒体供給管１５ｂおよび原料ガス配管１６ｂがそれぞれ設けられている。
なお、図２においては、図を見やすくするために整合器１３ａｔ，１３ａｂ，１３ｊｔのみを表示し、他の整合器の表示を省略している。

放電電極３ａ〜３ｊの給電点５３の近傍には、原料ガス配管１６ａが接続されている。同様に、放電電極３ａ〜３ｊの給電点５４の近傍には、原料ガス配管１６ｂが接続されている。原料ガス配管１６ａ，１６ｂからは、放電電極３ａ〜３ｊに原料ガスが供給され、放電電極３ａ〜３ｊは、この原料ガスを対向電極２側（図２中の右側）へ略均一に放出している。

図３に示すように、放電電極３ａ〜３ｊの給電点５３には、高周波電源（電源部）１７ａから高周波電力が供給され、給電点５４には、高周波電源（電源部）１７ｂから高周波電力が供給されている。
図１に示すように、電極３ａ〜３ｊと平行な位置には、基板８を乗せる対向（接地）電極２が配置され、電極３ａ〜３ｊと対向（接地）電極２との間には、高周波電力が給電されることによりプラズマが生成される。

具体的には、高周波電源１７ａから分配器（図示せず）、高周波給電伝送路１４ａ、整合器１３ａｔ〜１３ｈｔ、同軸給電部１２ａの順に介して放電電極３ａ〜３ｊの給電点５３にそれぞれ高周波電力が供給される。同様に、高周波電源１７ｂから分配器（図示せず）、高周波給電伝送路１４ｂ、整合器１３ａｂ〜１３ｈｂ、同軸給電部１２ｂの順に介して放電電極３ａ〜３ｊの給電点５４にそれぞれ高周波電力が供給される。

図４は、図３の放電電極に対する電力の供給を説明する詳細図である。
図４に示すように、同軸給電部１２ａと同軸給電部１２ｂとは、ループ回路２０により電気的に接続されている。ループ回路２０を構成するものとしては、例えば同軸ケーブル等を挙げることができるが、これに限定するものではない。
放電電極３ａ〜３ｊは、複数のショートバー２１およびアースバー２２を介して防着板４と電気的に接続され、防着板４は接地されている。
対向電極２は放電電極３ａ〜３ｊに対向して設けられ、対向電極２は接地されている。

図５は、図１の放電電極、基板および対向電極を上方から見た平面図である。
図５に示すように、本実施形態において、放電電極３ａ〜３ｊはそれぞれ、一つのガス供給系Ｇ１に接続されている。また、放電電極３ａ〜３ｊは、製膜室６内で処理（製造）し得る（すなわち、対向電極２の保持手段（図示せず）が保持し得る）基板８の最大寸法よりも大きなサイズとされており、放電電極３ａ〜３ｊのうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極３ａ，３ｊは、製膜室６内で処理し得る基板８の最大幅（放電電極３ａ〜３ｊの配列方向の寸法）よりも外側に位置するように（すなわち、製膜室６内で処理し得る最大寸法の基板８に対して向き合わない（対向しない）位置に）設けられている。そして、放電電極３ａ〜３ｊ（特に、放電電極３ａ，３ｊ）のパワー（出力）は、製膜の均一性が増すように（基板８上に形成される半導体薄膜の均一性が増すように）調整される。

本実施形態に係る薄膜製造装置１によれば、放電電極３ａ〜３ｊのうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極３ａ，３ｊが、製膜室６内で処理し得る基板８の最大幅よりも外側に位置するように設けられており、基板８の両側端部における境界条件（原料ガスの流量、原料ガスの分布、相互インダクタンス等）が、基板８の中央部における境界条件に近づくこととなるので、基板８上全体に均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる。

〔第２実施形態〕
本発明に係る薄膜製造装置の第２実施形態について説明する。
本実施形態に係る薄膜製造装置は、放電電極３ａ〜３ｊのうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極３ａ，３ｊの電気特性が、その他の放電電極３ｂ〜３ｉの電気特性と異なるように構成されているという点で上述した第１実施形態のものと異なる。その他の構成要素については上述した第１実施形態のものと同じであるので、ここではそれら構成要素についての説明は省略する。

放電電極３ａ，３ｊの電気特性を、その他の放電電極３ｂ〜３ｉの電気特性と異ならせるには、放電電極３ｂ〜３ｉの幅よりも大きいまたは小さい幅を有する放電電極を放電電極３ａ，３ｊの代わりに用いたり、図３または図４に示す給電回路における回路パラメータ（マッチングボックスの定数、コイルのインダクタンス、（Ｌ字型の）同軸給電部１２ａ，１２ｂ（図４参照）の幅や個数等）を変更すればよい。

本実施形態に係る薄膜製造装置によれば、放電電極３ａ〜３ｊのうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極３ａ，３ｊの電気特性が個別に制御され、基板８の両側端部における境界条件（原料ガスの流量、原料ガスの分布、相互インダクタンス等）が、基板８の中央部における境界条件により近づくこととなるので、基板８上全体により均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる。

〔第３実施形態〕
本発明に係る薄膜製造装置の第３実施形態について、図６を参照して説明する。
図６は、本実施形態に係る放電電極、基板および対向電極を上方から見た平面図である。
本実施形態に係る薄膜製造装置６１は、一つのガス供給系Ｇ１の代わりに、二つのガス供給系Ｇ２，Ｇ３を備えているという点で上述した実施形態のものと異なる。その他の構成要素については上述した実施形態のものと同じであるので、ここではそれら構成要素についての説明は省略する。

図６に示すように、第１のガス供給系Ｇ２は、放電電極３ａ〜３ｊのうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極３ａ，３ｊにそれぞれ接続されており、第２のガス供給系Ｇ３は、放電電極３ａ，３ｊ以外の放電電極、すなわち、放電電極３ｂ〜３ｉに接続されている。

本実施形態に係る薄膜製造装置６１によれば、放電電極３ａ〜３ｊのうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極３ａ，３ｊには、第１のガス供給系Ｇ２を介して原料ガスが供給され、その他の放電電極３ｂ〜３ｉには、第２のガス供給系Ｇ３を介して原料ガスが供給されるようになっており、放電電極３ａ，３ｊのガス条件（原料ガスの流量、原料ガスの組成等）が個別に制御され、基板８の両側端部における境界条件（原料ガスの流量、原料ガスの分布、相互インダクタンス等）が、基板８の中央部における境界条件により近づくこととなるので、基板８上全体により均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる。

〔第４実施形態〕
本発明に係る薄膜製造装置の第４実施形態について、図７を参照して説明する。
図７は、本実施形態に係る放電電極、基板および対向電極を上方から見た平面図である。
本実施形態に係る薄膜製造装置７１には、対向電極２の表面（保持手段（図示せず）により基板８が保持される側の面）上で、製膜室６内で処理し得る基板８の最大幅よりも外側（すなわち、放電電極３ａ，３ｊと向き合う（対向する）位置）に、第１のギャップ調整部材７２がそれぞれ設けられているという点で上述した実施形態のものと異なる。その他の構成要素については上述した実施形態のものと同じであるので、ここではそれら構成要素についての説明は省略する。

図７に示すように、第１のギャップ調整部材７２は、基板８と同程度の板厚を有する薄板状の部材である。すなわち、第１のギャップ調整部材７２の板厚は、放電電極３ｂ〜３ｉの表面（基板８と対向する側の面）と基板８の表面（放電電極３ｂ〜３ｉと対向する側の面）との間のギャップ（隙間）と、放電電極３ａ，３ｊの表面（第１のギャップ調整部材７２と対向する側の面）と第１のギャップ調整部材７２の表面（放電電極３ａ，３ｊと対向する側の面）との間のギャップ（隙間）とが、同程度となるように設定されている。

本実施形態に係る薄膜製造装置７１によれば、第１のギャップ調整部材７２により、放電電極３ｂ〜３ｉの表面と基板８の表面との間のギャップと、放電電極３ａ，３ｊの表面と第１のギャップ調整部材７２の表面との間のギャップとが略同じになり、基板８の両側端部における境界条件（原料ガスの流量、原料ガスの分布、相互インダクタンス等）が、基板８の中央部における境界条件により近づくこととなるので、基板８上全体により均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる。

〔第５実施形態〕
本発明に係る薄膜製造装置の第５実施形態について、図８を参照して説明する。
図８は、本実施形態に係る放電電極、基板および対向電極を側方から見た側面図である。
本実施形態に係る薄膜製造装置８１には、対向電極２の表面（保持手段（図示せず）により基板８が保持される側の面）上で、製膜室６内で処理し得る基板８の最大高さ（放電電極３ａ〜３ｊの長手方向の寸法）よりも外側（すなわち、放電電極３ａ〜３ｊの上端部および下端部と向き合う（対向する）位置）に、第２のギャップ調整部材８２がそれぞれ設けられているという点で上述した実施形態のものと異なる。その他の構成要素については上述した実施形態のものと同じであるので、ここではそれら構成要素についての説明は省略する。

図８に示すように、第２のギャップ調整部材８２は、基板８と同程度の板厚を有する薄板状の部材である。すなわち、第２のギャップ調整部材８２の板厚は、放電電極３ｂ〜３ｉの中央部（上端部および下端部を除く部分）の表面（基板８と対向する側の面）と基板８の表面（放電電極３ｂ〜３ｉの中央部と対向する側の面）との間のギャップ（隙間）と、放電電極３ｂ〜３ｉの上端部および下端部の表面（第２のギャップ調整部材８２と対向する側の面）と第２のギャップ調整部材８２の表面（放電電極３ｂ〜３ｉの上端部および下端部と対向する側の面）との間のギャップ（隙間）とが、同程度となるように設定されている。

本実施形態に係る薄膜製造装置８１によれば、第２のギャップ調整部材８２により、放電電極３ｂ〜３ｉの中央部の表面と基板８の表面との間のギャップと、放電電極３ｂ〜３ｉの上端部および下端部の表面と第２のギャップ調整部材８２の表面との間のギャップとが略同じになり、基板８の上端部および下端部における境界条件（原料ガスの流量、原料ガスの分布、相互インダクタンス等）が、基板８の中央部における境界条件により近づくこととなるので、基板８上全体により均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で、適宜必要に応じて組合せ実施、変形実施、および変更実施することができる。

本発明の第１実施形態に係る薄膜製造装置の構成を示す概略図であり、薄膜製造装置の側方から見た図である。 図１の薄膜製造装置の構成の一部を示す部分斜視図である。 図１の複数の放電電極に対する電力の供給を説明する概略図である。 図３の放電電極に対する電力の供給を説明する詳細図である。 図１の放電電極、基板および対向電極を上方から見た平面図である。 本発明の第３実施形態に係る薄膜製造装置の放電電極、基板および対向電極を上方から見た平面図である。 本発明の第４実施形態に係る薄膜製造装置の放電電極、基板および対向電極を上方から見た平面図である。 本発明の第５実施形態に係る薄膜製造装置の放電電極、基板および対向電極を側方から見た側面図である。

符号の説明

１ 薄膜製造装置（真空処理装置）
２ 対向電極
３ 放電電極
３ａ 放電電極
３ｂ 放電電極
３ｃ 放電電極
３ｄ 放電電極
３ｅ 放電電極
３ｆ 放電電極
３ｇ 放電電極
３ｈ 放電電極
３ｉ 放電電極
３ｊ 放電電極
８ 基板
１７ａ 高周波電源（電源部）
１７ｂ 高周波電源（電源部）
５３ 給電点
５４ 給電点
６１ 薄膜製造装置（真空処理装置）
７１ 薄膜製造装置（真空処理装置）
７２ 第１のギャップ調整部材
８１ 薄膜製造装置（真空処理装置）
８２ 第２のギャップ調整部材
Ｇ２ 第１のガス供給系
Ｇ３ 第２のガス供給系

Claims (5)

1. 電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する複数の放電電極を備え、
   前記放電電極のうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極は、前記対向電極で保持し得る基板の最大幅よりも外側に位置するように設けられていることを特徴とする真空処理装置。
2. 前記放電電極のうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極の電気特性が、その他の放電電極の電気特性と異なるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
3. 前記放電電極のうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極は、第１のガス供給系に接続されており、その他の放電電極は、第２のガス供給系に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の真空処理装置。
4. 前記対向電極の表面上で、前記放電電極のうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極と向き合う位置に、第１のギャップ調整部材がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の真空処理装置。
5. 前記対向電極の表面上で、前記放電電極の上端部および下端部と向き合う位置に、第２のギャップ調整部材がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の真空処理装置。

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