JP2014041760A - 真空処理装置及び膜厚分布調整方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板に製膜処理を実施する際に、基板全面にわたり製膜される膜厚分布を均一にする、ことを目的とする。
【解決手段】高周波電力によりプラズマを形成し、基板をプラズマ処理する薄膜製造装置1は、高周波電力を出力する高周波電源31と、高周波電力の位相を変調する位相変調器33と、基板を保持する対向電極と、放電電極に設けた複数の給電点を有し、高周波電力により対向電極との間にプラズマを形成する放電電極3と、を備え、放電電極3が有する複数の給電点のうち少なくとも一つの給電点に対して、位相変調器33による位相変調波形及び位相変調角度の少なくとも一方が他の給電点と異なるように高周波電力を供給する。
【選択図】図2
【解決手段】高周波電力によりプラズマを形成し、基板をプラズマ処理する薄膜製造装置1は、高周波電力を出力する高周波電源31と、高周波電力の位相を変調する位相変調器33と、基板を保持する対向電極と、放電電極に設けた複数の給電点を有し、高周波電力により対向電極との間にプラズマを形成する放電電極3と、を備え、放電電極3が有する複数の給電点のうち少なくとも一つの給電点に対して、位相変調器33による位相変調波形及び位相変調角度の少なくとも一方が他の給電点と異なるように高周波電力を供給する。
【選択図】図2
Description
本発明は、真空処理装置及び膜厚分布調整方法に関し、特に大電力を投入してプラズマを発生させて処理を行う真空処理装置に関する。
近年、大面積(例えば縦1m以上、横1m以上の大きさ)を有する基板に対して、シリコン等の物質を製膜するのにプラズマ化学蒸着(Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition:PCVD)法を用いたプラズマCVD装置が使用されている。
従来のPCVD装置の製膜方法として、例えば特許文献1には、各放電電極の長手方向の両端から高周波電力を供給し、その位相を揃えて時間的に変化させ、合成波の位相を変化させる位相変調法により、放電電極の長手方向のプラズマ分布を均一化させ、基板の膜厚分布を均一にする方法が開示されている。
従来のPCVD装置の製膜方法として、例えば特許文献1には、各放電電極の長手方向の両端から高周波電力を供給し、その位相を揃えて時間的に変化させ、合成波の位相を変化させる位相変調法により、放電電極の長手方向のプラズマ分布を均一化させ、基板の膜厚分布を均一にする方法が開示されている。
しかしながら、特許文献1に記載の製膜方法を大面積基板に適用した場合においてでも、放電電極周囲の構造物の影響等から放電電極の最外側に位置する電極の長手方向端部に対応する箇所で、局所的に膜厚が薄くなる部分が発生する場合があるという課題がある。
そして、供給するガスの圧力、高周波電力の大きさ、及び高周波電力の位相変化条件等のプラズマ発生に係る製膜パラメータを変化させることにより、基板全体の膜厚分布を変化させることができるが、放電電極全体の均一性を確保しながら、一部の電極のみのプラズマ発生条件を変更することが難しく、局所的な膜厚分布を改善することは困難であった。
そして、供給するガスの圧力、高周波電力の大きさ、及び高周波電力の位相変化条件等のプラズマ発生に係る製膜パラメータを変化させることにより、基板全体の膜厚分布を変化させることができるが、放電電極全体の均一性を確保しながら、一部の電極のみのプラズマ発生条件を変更することが難しく、局所的な膜厚分布を改善することは困難であった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板に製膜処理を実施する際に、基板全面にわたり製膜される膜厚分布を均一にすることができる、真空処理装置及び膜厚分布調整方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の真空処理装置及び膜厚分布調整方法は以下の手段を採用する。
本発明の第一態様に係る真空処理装置は、高周波電力によりプラズマを形成し、基板をプラズマ処理する真空処理装置であって、高周波電力を出力する高周波電源と、前記高周波電力の位相を変調する位相変調器と、前記基板を保持する対向電極と、複数の給電点を有し、前記高周波電力により前記対向電極との間にプラズマを形成する放電電極と、を備え、前記放電電極が有する複数の前記給電点のうち少なくとも一つの前記給電点に対して、前記位相変調器による位相変調波形及び位相変調角度の少なくとも一方が他の前記給電点と異なるように前記高周波電力を供給する。
本構成に係る真空処理装置は、高周波電力によりプラズマを形成し、プラズマにより基板をプラズマ処理するものであって、高周波電力を出力する高周波電源と、高周波電力の位相を変調する位相変調器と、基板を保持する対向電極と、複数の給電点を有し、高周波電力により対向電極との間にプラズマを形成する放電電極と、を備える。
そして、放電電極に高周波電力を供給する際に、放電電極が有する複数の給電点のうち少なくとも一つの給電点に対して、位相変調器による位相変調波形及び位相変調角度の少なくとも一方が他の給電点と異なるように高周波電力が供給されるので、放電電極上において局所的にプラズマ発生条件を変えて適正化することができる。このため、基板に製膜処理を実施する際に、例えば放電電極周囲の構造物や原料ガス流れの影響を受け易いような放電電極の位置に対応する基板製膜の膜厚を、基板の他部分とは別に調整できるようになるので、基板全面にわたり製膜される膜厚分布の調整が可能となる。
従って、本構成は、基板に製膜処理を実施する際に、基板全面にわたり製膜される膜厚分布を均一にすることができる。
上記第一態様では、前記放電電極が、各々前記給電点を有する長尺状の分割電極が長手方向と直交する方向に複数配列されており、前記給電点に給電する前記高周波電力の位相変調波形及び位相変調角度の少なくとも一方を、側部の前記分割電極と中央部の前記分割電極とで異ならせることが好ましい。
各々給電点を有する長尺状の分割電極が長手方向と直交する方向に複数配列された放電電極では、放電電極周囲の構造物の影響を受け易い放電電極の最外側に位置する側部の分割電極の端部に対応する基板製膜の膜厚が他の部分に比べて薄くなっていた。
本構成によれば、高周波電力の位相変調波形及び位相変調角度の少なくとも一方を、側部の分割電極と中央部の分割電極とで異ならせることで、側部の分割電極と中央部の分割電極とにおけるプラズマ発生条件を変えることができるので、基板に製膜処理を実施する際に、側部の分割電極の端部に対応する基板製膜の膜厚が他の部分に比べて薄くなることを抑制し、基板全面にわたり製膜される膜厚分布を均一にすることができる。
本構成によれば、高周波電力の位相変調波形及び位相変調角度の少なくとも一方を、側部の分割電極と中央部の分割電極とで異ならせることで、側部の分割電極と中央部の分割電極とにおけるプラズマ発生条件を変えることができるので、基板に製膜処理を実施する際に、側部の分割電極の端部に対応する基板製膜の膜厚が他の部分に比べて薄くなることを抑制し、基板全面にわたり製膜される膜厚分布を均一にすることができる。
上記第一態様では、前記放電電極に供給される前記高周波電力の位相変調波形が、各前記給電点で三角波又は正弦波の何れかに選定されることが好ましい。
上記第一態様では、放電電極に供給される高周波電力の位相変調波形を正弦波とした場合と、三角波とした場合とでは、製膜時間が同じであっても基板製膜の膜厚が異なることが発明者により新たに判明している。
本構成によれば、基板に製膜処理を実施する際に、放電電極に供給される高周波電力の位相変調波形を放電電極の各給電点で三角波又は正弦波のいずれかを適正に選定することで、簡易に基板全面にわたり製膜される膜厚分布を均一にすることができる。
本構成によれば、基板に製膜処理を実施する際に、放電電極に供給される高周波電力の位相変調波形を放電電極の各給電点で三角波又は正弦波のいずれかを適正に選定することで、簡易に基板全面にわたり製膜される膜厚分布を均一にすることができる。
上記第一態様では、前記放電電極に供給される前記高周波電力の位相変調波形は、前記高周波電力の位相差毎に、前記高周波電力の供給時間が異なることが好ましい。
本構成によれば、基板に製膜処理を実施する際に、放電電極の各給電点で高周波電力の位相差毎に、高周波電力の供給時間を異ならせることによって、基板製膜の膜厚の調整が可能となるので、簡易に基板全面にわたり製膜される膜厚分布を均一にすることができる。
本発明の第二態様に係る膜厚分布調整方法は、高周波電力を出力する高周波電源と、前記高周波電力の位相を変調する位相変調器と、基板を保持する対向電極と、複数の給電点を有し、前記高周波電力により前記対向電極との間にプラズマを形成する放電電極と、を備えた真空処理装置において、プラズマにより前記基板に製膜する膜厚分布調整方法であって、前記放電電極が有する複数の前記給電点のうち少なくとも一つの前記給電点に対して、前記位相変調器による位相変調波形及び位相変調角度の少なくとも一方が他の前記給電点と異なるように前記高周波電力を供給する。
上記第二態様では、前記放電電極が、各々前記給電点を有する長尺状の分割電極が長手方向と直交する方向に複数配列され、複数の前記分割電極に供給する前記高周波電力の位相変調波形を決定する第1工程と、複数の前記分割電極に供給する前記高周波電力の位相変調角度を決定する第2工程と、決定した位相変調波形及び位相変調角度の前記高周波電力を前記分割電極毎に供給する第3工程と、を含むことが好ましい。
本発明によれば、基板に製膜処理を実施する際に、基板全面にわたり製膜される膜厚分布を均一にすることができる、という優れた効果を有する。
以下に、本発明に係る真空処理装置及び膜厚分布調整の一実施形態について、図面を参照して説明する。
〔第1実施形態〕
以下、本発明の第1実施形態について説明する。
以下、本発明の第1実施形態について説明する。
真空処理装置として、アモルファス太陽電池や微結晶太陽電池や液晶ディスプレイ用TFT(Thin Film Transistor)等に用いられる非晶質シリコン、微結晶シリコン、窒化シリコン等からなる膜の高速製膜処理を行うことが可能な薄膜製造装置、基板の表面処理を行うプラズマ処理装置の他、大面積のプラズマ処理が必要な表面改質装置やオゾナイザ等、真空から大気圧の広い圧力領域でのプラズマ生成装置等が挙げられる。本実施形態においては、真空処理装置の一例として、基板に製膜処理を実施する薄膜製造装置について説明する。
図1は、太陽電池パネルに用いられるシリコン薄膜の製膜に用いる薄膜製造装置の構成を示す概略構成図である。薄膜製造装置1は、真空容器である製膜室6、導電性の板である対向電極2、対向電極2の温度分布を均一化する均熱板5、均熱板5及び対向電極2を保持する均熱板保持機構11、対向電極2との間にプラズマを発生させる放電電極3、膜が形成される範囲を制限する防着板4、防着板4を支持する支持部7、後述する高周波電源からの高周波電力を放電電極3に供給する同軸給電部12a,12b、整合器13、製膜室6内の気体を排気する高真空排気部20、低真空排気部21及び製膜室6を保持する台22を備えている。なお、本図において、ガス供給に関する構成は省略している。
製膜室6は、真空容器であり、その内部で基板8に微結晶シリコン膜等を製膜する。製膜室6は、台22上で鉛直方向に対してα=7°〜12°傾けて保持されている。このため、対向電極2の基板8の製膜処理面の法線が、水平方向に対して7°〜12°上に向く。基板8を鉛直方向から僅かに傾けることは、装置の設置スペースの増加を抑えながら基板8の自重を利用して少ない手間で基板8を保持し、更に基板8と対向電極2の密着性を向上して基板8の温度分布と電位分布を均一化することができて好ましい。
また、製膜室6は、鉛直方向に対してα=90°、すなわち水平方向に保持されていてもよい。この場合、装置の設置スペースは基板サイズに応じて必要となるものの、基板8の自重を全部利用して基板8を対向電極2へ密着性させるので、基板8の温度分布と電位分布を更に均一化させる場合には好ましい。
また、製膜室6は、鉛直方向に対してα=90°、すなわち水平方向に保持されていてもよい。この場合、装置の設置スペースは基板サイズに応じて必要となるものの、基板8の自重を全部利用して基板8を対向電極2へ密着性させるので、基板8の温度分布と電位分布を更に均一化させる場合には好ましい。
対向電極2は、基板8を保持可能な保持手段(図示せず)を有する非磁性材料の導電性の板である。セルフクリーニングを行う場合は耐フッ素ラジカル性を備えることが好ましく、ニッケル合金、アルミやアルミ合金の板を使用することが望ましい。対向電極2は、放電電極3に対向する電極(例えば、接地側電極)となる。対向電極2は、一方の面が均熱板5の表面に密接し、製膜時に他方の面が基板8の表面と密接するようになっている。
均熱板5は、内部に温度制御された熱媒体を循環させたり、または温度制御されたヒーターを組み込むことで、自身の温度を制御して、全体を概ね均一な温度とし、接触している対向電極2の温度を所定温度に均一化する機能を有する。ここで、熱媒体は、非導電性媒体であり、水素やヘリウム等の高熱伝導性ガス、フッ素系不活性液体、不活性オイル、及び純水等が使用でき、特に、150℃〜250℃の範囲でも圧力が上がらずに制御が容易であることから、フッ素系不活性液体(例えば商品名:ガルデン、F05等)の使用が好適である。
均熱板保持機構11は、均熱板5及び対向電極2を製膜室6の側面(図1の右側)に対して略平行となるように保持すると共に、均熱板5、対向電極2及び基板8を、放電電極3に接近離間可能に保持する。また、均熱板保持機構11は、製膜時に均熱板5等を放電電極3に接近させて、基板8を放電電極3から、例えば3mmから10mmの範囲内に位置させることができる。
防着板4は、接地されプラズマの広がる範囲を抑えることにより、膜が製膜される範囲を制限するものであり、放電電極3における対向電極2と反対側の空間を覆うように支持部7で保持されている。本実施形態の場合、図1に示すように、製膜室6の内側における防着板4の後ろ側(基板8と反対の側)の壁に膜が製膜されないようにしている。
支持部7は、製膜室6の側面(図1における左側の側面)から内側へ垂直に延びる部材であり、支持部7は防着板4と結合され、放電電極3における対向電極2と反対側の空間を覆うように防着板4を保持している。また、支持部7は放電電極3と絶縁的に結合され、放電電極3を製膜室6の側面(図1における左側の側面)に対して略平行に保持している。
高真空排気部20は、粗引き排気された製膜室6内の気体をさらに排気して、製膜室6内を高真空とする高真空排気用の真空ポンプである。弁23は、高真空排気部20と製膜室6との経路を開閉する弁である。
低真空排気部21は、初めに製膜室6内の気体を排気して、製膜室6内を低真空とする粗引き排気用の真空ポンプである。弁24は、低真空排気部21と製膜室6との経路を開閉する。
低真空排気部21は、初めに製膜室6内の気体を排気して、製膜室6内を低真空とする粗引き排気用の真空ポンプである。弁24は、低真空排気部21と製膜室6との経路を開閉する。
台22は、上面に配置された保持部25を介して製膜室6を保持するものである。台22の内部には低真空排気部21が配置される領域が形成されている。
図2は、放電電極3に対する電力の供給を説明する概略図である。
放電電極3は、各々給電点を有する長尺状の分割電極30が長手方向と直交する方向に複数配列されている。本第1実施形態に係る放電電極3は、両端部が給電点であり、一例として、6個の長尺状の分割電極30(分割電極30_1〜30_6)で構成されている。以下の説明において、側部電極とは分割電極30_1,30_6を示し、中央部電極とは分割電極30_2〜30_5を示す。
放電電極3は、各々給電点を有する長尺状の分割電極30が長手方向と直交する方向に複数配列されている。本第1実施形態に係る放電電極3は、両端部が給電点であり、一例として、6個の長尺状の分割電極30(分割電極30_1〜30_6)で構成されている。以下の説明において、側部電極とは分割電極30_1,30_6を示し、中央部電極とは分割電極30_2〜30_5を示す。
なお、本第1実施形態においては、1つの製膜室6について6個の分割電極30を備えた薄膜製造装置1に適用して説明するが、分割電極30の数は6個よりも多くてもよいし、少なくてもよく、特に限定するものではない。
また、分割電極30の数は、真空中及びプラズマ生成時の高周波波長による定在波の影響をなくすよう各分割電極30の幅を決めることが好ましく、複数の分割電極30を並べて設置した状態で基板8の幅よりも少し大きくなるように配置することがプラズマの均一化に好ましい。
また、側部電極及び中央部電極の分け方も一例であり、分割電極30_1,30_2,30_5,30_6を側部電極とし、分割電極30_3,30_4のみを中央部電極としてもよい。
また、分割電極30の数は、真空中及びプラズマ生成時の高周波波長による定在波の影響をなくすよう各分割電極30の幅を決めることが好ましく、複数の分割電極30を並べて設置した状態で基板8の幅よりも少し大きくなるように配置することがプラズマの均一化に好ましい。
また、側部電極及び中央部電極の分け方も一例であり、分割電極30_1,30_2,30_5,30_6を側部電極とし、分割電極30_3,30_4のみを中央部電極としてもよい。
各分割電極30の給電点(両端部)には、高周波電力を出力する高周波電源31、及び高周波電源31と分割電極30とのインピーダンスを整合させる整合器13が設けられている。
そして、各分割電極30の給電点には、高周波電源31が出力する高周波電力の電圧波形の位相が時間的に変化して各々供給される。これにより、図1に示されるように放電電極3と平行な位置には、基板8を載置すると共に設置されている対向電極2が配置されているので、放電電極3と対向電極2との間には、高周波電力が給電され、また図示しない製膜用原料ガスが放電電極3から噴出して供給されることにより、プラズマが生成されて基板8に製膜処理が行われる。
なお、高周波電源31は、発振器32から出力された所定の周波数(例えば、略10MHzから略100MHzまでの間であって、好ましくは60MHz)の信号であって、位相変調器33によって位相が変調された信号に基づいて、高周波電力を出力する。
そして、図2に示されるように、本第1実施形態に係る薄膜製造装置1は、2つの位相変調器33(位相変調器33A,33B)を備えている。位相変調器33Aは、側部電極に高周波電力を供給する高周波電源31から出力される高周波電力の位相を変調し、位相変調器33Bは、中央部電極に高周波電力を供給する高周波電源31から出力される高周波電力の位相を変調する。
このように、本第1実施形態に係る薄膜製造装置1は、放電電極3を構成する複数の分割電極30のうち側部電極と中央部電極で別々に位相変調器33が設けられている。従って、側部電極と中央部電極とで異なる位相変調角度や位相変調波形の選定が可能とされている。
また、本第1実施形態に係る薄膜製造装置1は、放電電極3が複数の分割電極30で構成されているが、1つの放電電極3に複数の給電点が存在するものでもよい。この場合、放電電極3の側部に対応する給電点と、放電電極3の中央部に対応する給電点で別々に位相変調器33が設けられている。従って、放電電極側部と放電電極中央部とで異なる位相変調角度や位相変調波形の選定が可能とされている。
また、本第1実施形態に係る薄膜製造装置1は、放電電極3が複数の分割電極30で構成されているが、1つの放電電極3に複数の給電点が存在するものでもよい。この場合、放電電極3の側部に対応する給電点と、放電電極3の中央部に対応する給電点で別々に位相変調器33が設けられている。従って、放電電極側部と放電電極中央部とで異なる位相変調角度や位相変調波形の選定が可能とされている。
ここで、図3を参照して、従来の放電電極3に対する電力の供給について説明する。
図3に示されるように、従来の薄膜製造装置50は、位相変調器を一つのみ備え、一つの位相変調器33Cによって、複数の高周波電源31が出力する高周波電力に対して、同一の電圧波形の位相を変調していた。
図3に示されるように、従来の薄膜製造装置50は、位相変調器を一つのみ備え、一つの位相変調器33Cによって、複数の高周波電源31が出力する高周波電力に対して、同一の電圧波形の位相を変調していた。
図4は、従来の薄膜製造装置50で製膜した場合の製膜速度の分布を示す模式図である。図4において、上下方向が放電電極3を構成する分割電極30_1〜30_6の配列方向に対応する。また、左右方向が放電電極3の長手方向、すなわち基板8の長手方向に対応する。
なお、図4に示される製膜を行った際の放電電極3のサイズは、例えば、長さ:略1500mm×幅:略190mm×6個の分割電極30である。また、製膜条件は、表1に示されるとおりである。
なお、図4に示される製膜を行った際の放電電極3のサイズは、例えば、長さ:略1500mm×幅:略190mm×6個の分割電極30である。また、製膜条件は、表1に示されるとおりである。
従来の薄膜製造装置50で製膜した場合には、図4に示されるように、基板8の中央部分では比較的良好な均一製膜速度を得ることができるが、側部電極の長手方向端部(図4の円で囲まれた領域)に対応する基板製膜の製膜速度が遅く、側部電極の長手方向端部に膜厚が薄い部分が生じるという問題があった。
表2は、従来の薄膜製造装置50で製膜した場合の分割電極30_1〜30_6毎に対応する基板製膜の膜厚分布の均一性(以下、「膜厚分布率」という。)を比較した表である。
なお、膜厚分布率は、下記(1)式から求められる。
表2に示されるように中央部電極(分割電極30_2〜30_5)に対応する基板製膜は膜厚分布率が±7.5%〜±10.1%であるのに対して、側部電極(分割電極30_1,30_6)に対応する基板製膜の膜厚分布率は±18.5%〜±21.7%であり、側部電極の膜厚分布率は中央部電極に比べて、約2倍ほど大きな分布となっている。この原因としては防着板4やアース電路等の放電電極3の周囲における構造物の影響や原料ガス流れの濃度変化の影響によると考えられる。
次に、放電電極3に供給される高周波電力の位相や電圧波形により基板製膜への膜厚分布について検討する。
図5は、整合器13の端部から中央部までの距離(電気長)を1/4波長とした長さの放電電極3で、位相差を固定した場合の放電電極3上の電圧分布を示す模式図であり、図5の左右方向が放電電極3の長手方向である。図5では、位相差として0°の場合と±180°の場合を示している。
図5に示されるように、高周波の電圧分布は、放電電極3の中央を境界にして対称的な電圧定在波分布となる。位相差が0°の場合において放電電極3の長手方向の中央が、電圧定在波の腹となり、放電電極3の長手方向端部(給電点)が、電圧定在波の節となる。一方、位相差が180°の場合において放電電極3の長手方向の中央部が、電圧定在波の節となり、放電電極3の長手方向端部(給電点)が、電圧定在波の腹となる。
図5に示されるように、高周波の電圧分布は、放電電極3の中央を境界にして対称的な電圧定在波分布となる。位相差が0°の場合において放電電極3の長手方向の中央が、電圧定在波の腹となり、放電電極3の長手方向端部(給電点)が、電圧定在波の節となる。一方、位相差が180°の場合において放電電極3の長手方向の中央部が、電圧定在波の節となり、放電電極3の長手方向端部(給電点)が、電圧定在波の腹となる。
図6は、放電電極3に供給する高周波電力の位相変調角度のみを変化させた場合の膜厚分布を示す模式図である。なお、図6において、分割電極30_1〜30_6が図6の下上方向に配列されており、図6の左右方向が基板8(放電電極3)の長手方向である。
図6の例では、位相変調角度±165°を基準とし、位相変調角度±145°における膜厚変化量及び位相変調角度±185°における膜厚変化量を示している。
図6の例では、位相変調角度±165°を基準とし、位相変調角度±145°における膜厚変化量及び位相変調角度±185°における膜厚変化量を示している。
図6に示されるように、位相変調角度を広げる(±165°から±185°へ変化)と基板8の長手方向端部における膜厚が厚くなり、基板8の中央部における膜厚が薄くなる。これは位相変調角度を広げることで電圧定在波の腹の位置が基板8の長手方向端部に移動するためと考えられる。
一方、位相変調角度を狭める(±165°から±145°へ変化)と基板8の長手方向端部における膜厚が薄くなり、基板8の中央部における膜厚が厚くなる。これは位相変調角度を狭めることで電圧定在波の腹の位置が基板8の中央部に移動するためと考えられる。
図7は、放電電極3に供給する高周波電力の位相変調波形として、三角波及び正弦波(以下、「sin波」という。)を用いた場合の位相差分布を示す模式図である。
位相変調波形を三角波とした場合は、位相差0°から位相差90°の変化に要する時間と位相差90°から位相差180°の変化に要する時間が同じ時間aである。このように、位相変調波形を三角波とした場合は、各位相差における位相差の変化に要する時間(位相変化速度)は一定のため、各位相差角度に対応する放電電極3の長手方向の各位置における高周波電圧の腹部分が滞在する時間(頻度)は一定となる。
一方、位相変調波形をsin波とした場合は、位相差0°から位相差90°の変化に要する時間bに比べ、位相差90°から位相差180°の変化に要する時間cが長化しているように、位相差が大きくなるほど位相差の変化に要する時間が長くなる。このため、位相変調波形をsin波とした場合は、位相差180°における高周波の電圧の腹に相当する位置では、放電電極3の長手方向端部で高周波電圧の腹部分が滞在する時間(頻度)が長くなる。
図8は、放電電極3に供給する高周波電力の位相変調波形に三角波を用いた場合とsin波を用いた場合の膜厚分布を示す模式図である。
図8に示されるように、三角波に比べてsin波の方が放電電極3の長手方向端部の膜厚が厚くなる。これは上述のように、三角波と比較してsin波の方が、大きな位相差の電圧部分の滞在時間が増加し、放電電極3の端部に高周波電圧の腹部分が滞在する時間が長くなるためである。
図8に示されるように、三角波に比べてsin波の方が放電電極3の長手方向端部の膜厚が厚くなる。これは上述のように、三角波と比較してsin波の方が、大きな位相差の電圧部分の滞在時間が増加し、放電電極3の端部に高周波電圧の腹部分が滞在する時間が長くなるためである。
このように、放電電極3に供給される高周波電力の位相変調波形をsin波とした場合と、三角波とした場合とでは、製膜時間が同じであっても、基板8に製膜処理した際の膜厚が異なることが、発明者により新たに判明した。
以上説明したような図5〜8に示される結果から、側部電極の位相変調波形として三角波及びsin波の何れか適正なものを用い、かつ適切な位相変調角度を選定することで、側部電極の電圧の腹の滞在時間を調整し、側部電極の長手方向端部の膜厚を増加できることが分かった。
そこで、本第1実施形態に係る薄膜製造装置1は、放電電極3が有する複数の給電点のうち少なくとも一つの給電点に対して、位相変調器33による位相変調波形及び位相変調角度の少なくとも一方が他の給電点と異なるように高周波電力を供給する。これにより、放電電極3上において局所的にプラズマ発生条件を変えることができ、製膜される膜厚分布の調整が可能となる。従って、本第1実施形態に係る薄膜製造装置1は、基板8に製膜される膜厚分布を均一にすることができる。
特に本第1実施形態に係る放電電極3は、各々給電点を有する長尺状の分割電極30が長手方向と直交する方向に複数配列されているので、高周波電力の位相変調波形及び位相変調角度の少なくとも一方を、側部電極と中央部電極とで異ならせる。これにより、側部電極と中央部電極とにおけるプラズマ発生条件を変えることができるので、側部電極の端部に対応する基板製膜の膜厚が他の部分に比べて薄くなること(図4の円で囲まれた領域に示した側部電極の長手方向端部に対応する基板製膜の製膜速度が遅いこと)を抑制し、基板8全面にわたり製膜される膜厚分布を均一にすることができる。
図9,図10は、本第1実施形態に係る膜厚分布調整工程の流れを示すフローチャートである。なお、本第1実施形態では、一例として、高周波電力の位相変調波形及び位相変調角度の両方を、側部電極と中央部電極とで異ならせる。また、膜厚分布調整工程では、適宜基板8に製膜した膜厚の測定が行われる。
まず、ステップ100では、各高周波電源31の反射電力の調整を行う。反射電力の調整は、整合器13を調整することにより行われる。
次のステップ102では、平均反射率が5%以下であるか否かを判定し、肯定判定の場合は、ステップ104へ移行し、否定判定の場合は、ステップ100へ戻り、引き続き反射電力の調整を行う。なお、平均反射率とは、高周波電源31から供給される高周波電力(投入電力)で反射電力を除算(反射電力/投入電力)した値である。
次のステップ104では、製膜条件を選定する。なお、この製膜条件の選定では、中央部電極及び側部電極共に、位相変調波形及び位相変調角度として同じものが選定される。
次のステップ106では、位相変調角度の調整を行い、基板8に製膜を行う。
次のステップ108では、膜全体における膜厚分布率が±25%以下であるか否かを判定し、肯定判定の場合は、ステップ110へ移行し、否定判定の場合は、ステップ106へ戻り、位相変調角度の調整を行い、再び製膜を行う。
ステップ110では、中央部電極に対応する基板製膜の膜厚分布率が±10%以下であるか否かを判定し、肯定判定の場合は、ステップ112へ移行し、否定判定の場合は、ステップ106へ戻り、位相変調角度の調整を行い、再び製膜を行う。
ステップ112では、側部電極に対応する基板製膜の膜厚分布率が±10%以下であるか否かを判定し、肯定判定の場合は、ステップ114へ移行し、否定判定の場合は、後述する側部電極調整工程へ移行する。
ステップ114では、基板8全面にわたる膜全体における膜厚分布率が±10%以下であるか否かを判定し、肯定判定の場合は、膜厚分布調整工程を終了し、否定判定の場合は、ステップ116へ移行し、膜厚分布率が±10%以下となるまで、側部電極及び中央部電極の位相変調角度調整、及び分割電極30毎の供給電力を調整する。
次に、ステップ112において否定判定となった場合に移行する側部電極調整工程について図10を参照して説明する。
まず、ステップ200では、側部電極の位相変調波形を選定する。すなわち、それまでの側部電極の位相変調波形が三角波である場合は、sin波が選定される一方、それまでの側部電極の位相変調波形がsin波である場合は、三角波が選定される。
次のステップ202では、側部電極の位相変調角度の調整を行う。例えば、放電電極3の長手方向端部に対応する基板製膜の膜厚が薄い場合は、位相変調角度をより広くする。
次のステップ204では、側部電極に対応する基板製膜の膜厚分布率が±10%以下であるか否かが判定され、肯定判定の場合は、ステップ206へ移行し、否定判定の場合は、ステップ200へ戻る。
ステップ206では、中央部電極に対応する基板製膜の膜厚分布率が±10%以下であるか否かが判定され、肯定判定の場合は、ステップ114へ移行し、否定判定の場合は、ステップ208へ移行する。
ステップ208では、中央部電極に対応する基板製膜の膜厚分布率が±10%以下となるまで、中央部電極の位相変調角度が調整される。
なお、位相変調波形をsin波と三角波とで変更する方が、位相変調角度を調整するよりも、薄厚に与える影響が大きい。そのため、側部電極調整工程では、位相変調波形を各給電点で三角波又は正弦波の何れかに選定した後に、側部電極や中央部電極の位相変調角度を調整し、膜厚を微調整することにより、膜厚を均一化させる。
図11は、図9,10に示される膜厚分布調整工程を実施した場合の膜厚分布を示す模式図である。
図11に示される膜厚分布を得た製膜では、側部電極の端部に対応する基板製膜の薄膜を厚くするために、側部電極の位相変調波形としてsin波を用い、中央部電極の位相変調波形として三角波を用いた。また、位相変調角度については側部電極を±120°に選定し、中央部電極を±185°に選定した。なお、位相変調角度については膜厚分布結果を確認しながら膜厚分布が良くなるように選定すればよく、上記の値に限定されない。
さらに、位相変調周波数を側部電極と中央部電極とで同一とし、全ての分割電極30_1〜30_6に対して20kHzとした。これは側部電極と中央部電極とで異なった位相変調周波数を用いた場合、側部電極と中央部電極とで大きな位相差が生じることで定在波の干渉が生じて膜厚分布が不均一になる可能性が生じるためである。
図11に示される製膜を行った際の製膜条件は、表3に示されるとおりである。
表4は、図11に示される膜厚分布において分割電極30_1〜30_6毎の膜厚分布の均一性(以下、「膜厚分布率」という。)を比較した表である。
表4に示されるように、本第1実施形態に係る膜厚分布調整工程で製膜した場合、側部電極に対応する基板製膜の膜厚分布率を±9.5%〜9.8%まで改善することができ、中央部電極に対応する基板製膜の膜厚分布率についても±7.2%〜8.1%と従来(表2に示される結果)と同等の結果が得ることができた。
このように、本第1実施形態に係る膜厚分布調整工程では、分割電極30において側部電極と中央部電極で別々に位相変調を行うために、位相変調角度及び位相変調波形を個別に設定することにより、大面積基板周囲においても、局所的な薄部を無くし膜厚分布を改善できるので、基板8に製膜処理を実施する際に、基板8全面にわたり製膜される膜厚分布を均一にする。
このように、本第1実施形態に係る膜厚分布調整工程では、分割電極30において側部電極と中央部電極で別々に位相変調を行うために、位相変調角度及び位相変調波形を個別に設定することにより、大面積基板周囲においても、局所的な薄部を無くし膜厚分布を改善できるので、基板8に製膜処理を実施する際に、基板8全面にわたり製膜される膜厚分布を均一にする。
〔第2実施形態〕
以下、本発明の第2実施形態について説明する。
以下、本発明の第2実施形態について説明する。
なお、本第2実施形態に係る薄膜製造装置1の構成は、図1,2に示す第1実施形態に係る薄膜製造装置1の構成と同様であるので説明を省略する。
上述した第1実施形態では、側部電極の長手方向端部に対応する基板製膜の膜厚が薄い場合に、側部電極の長手方向端部の膜厚が厚くなるように位相変調波形としてsin波を用いたが、放電電極3の長手方向の中央部に対応する基板製膜が薄い場合や厚い部分と薄い部分の膜厚差が大きい場合、位相変調波形をsin波とすることでは、膜厚を十分に均一にできない可能性がある。
そこで、本第2実施形態では、位相変調波形として、以下に説明するような任意に作成した波形を用いる。
まず、予めいくつかの位相差における放電電極3の長手方向に対応する基板製膜の製膜速度分布又は膜厚分布を計測する。
図12は、一例として位相差を0°,±90°,±180°とした場合における膜厚分布を示す模式図である。図12に示されるように、位相差に応じて膜厚分布は異なっていおり、位相差が大きいほど膜厚は厚くなる。
図12は、一例として位相差を0°,±90°,±180°とした場合における膜厚分布を示す模式図である。図12に示されるように、位相差に応じて膜厚分布は異なっていおり、位相差が大きいほど膜厚は厚くなる。
次に、上記膜厚分布の結果に基づいて、放電電極3の長手方向に対応する基板製膜の膜厚分布を均一にするために必要となる各位相差での製膜時間割合を計算し、その時間割合で周期的に変化する任意波形を作成する。
図13は、作成した任意波形の一例を示すグラフである。図13に示されるように、上記膜厚分布の結果に基づいて、膜厚が薄い部分の位相差での時間が長くなるような波形が作成される。図13の例では、位相差が大きいほど製膜時間が短くなるように任意波形が作成される。
図13は、作成した任意波形の一例を示すグラフである。図13に示されるように、上記膜厚分布の結果に基づいて、膜厚が薄い部分の位相差での時間が長くなるような波形が作成される。図13の例では、位相差が大きいほど製膜時間が短くなるように任意波形が作成される。
そして、本第2実施形態に係る薄膜製造装置1は、作成した任意波形を位相変調波形として用いて製膜を行う。
これにより膜厚が薄い部分に相当する位相差での製膜時間が長くなり、薄い部分の膜厚が相対的に厚くなるため、基板8全面にわたり膜厚分布が改善される。
これにより膜厚が薄い部分に相当する位相差での製膜時間が長くなり、薄い部分の膜厚が相対的に厚くなるため、基板8全面にわたり膜厚分布が改善される。
以上説明したように、本第2実施形態では、放電電極3に供給される高周波電力の位相変調波形は、放電電極3に供給される高周波電力の位相差毎に、高周波電力の供給時間が異なることによって、基板製膜の膜厚の調整が可能となり、簡易に基板8に製膜される膜厚分布を基板8全面に渡り均一にすることができる。
なお、任意波形は、側部電極と中央部電極とで異なるものとしてもよいし、分割電極30毎に異なるものとしてもよい。
以上、本発明を、上記各実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記各実施形態に多様な変更又は改良を加えることができ、該変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
例えば、上記各実施形態では、放電電極3として、各々給電点を有する長尺状の分割電極30が長手方向と直交する方向に複数配列されている電極とする形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、放電電極は、給電点が複数あればよく、例えば、放電電極を、各々給電点を有する複数の電極がマトリクス状に配列された平面電極とする形態としてもよい。
また、位相変調波形は、アモルファス太陽電池や微結晶太陽電池等、製膜する膜質に応じて異なるものとしてもよい。
さらに製膜処理する膜種は薄膜シリコン系を主体とした実施形態を示したが、これに限定するものではない。なおここで、シリコン系とはシリコン(Si)、シリコンカーバイト(SiC)、シリコンゲルマニウム(SiGe)、シリコンナイトライド(SiNx)やシリコンオキサイド(SiOx)等を含む総称であり、アモルファスシリコン系と結晶質シリコン系と含むものである。
さらに製膜処理する膜種は薄膜シリコン系を主体とした実施形態を示したが、これに限定するものではない。なおここで、シリコン系とはシリコン(Si)、シリコンカーバイト(SiC)、シリコンゲルマニウム(SiGe)、シリコンナイトライド(SiNx)やシリコンオキサイド(SiOx)等を含む総称であり、アモルファスシリコン系と結晶質シリコン系と含むものである。
また、上記各実施形態で説明した膜厚分布調整工程の流れも一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよい。
1 薄膜製造装置
2 対向電極
3 放電電極
8 基板
30 分割電極
31 高周波電源
33 位相変調器
2 対向電極
3 放電電極
8 基板
30 分割電極
31 高周波電源
33 位相変調器
Claims (6)
- 高周波電力によりプラズマを形成し、基板をプラズマ処理する真空処理装置であって、
高周波電力を出力する高周波電源と、
前記高周波電力の位相を変調する位相変調器と、
前記基板を保持する対向電極と、
複数の給電点を有し、前記高周波電力により前記対向電極との間にプラズマを形成する放電電極と、
を備え、
前記放電電極が有する複数の前記給電点のうち少なくとも一つの前記給電点に対して、前記位相変調器による位相変調波形及び位相変調角度の少なくとも一方が他の前記給電点と異なるように前記高周波電力を供給する真空処理装置。 - 前記放電電極は、各々前記給電点を有する長尺状の分割電極が長手方向と直交する方向に複数配列されており、前記給電点に給電する前記高周波電力の位相変調波形及び位相変調角度の少なくとも一方を、側部の前記分割電極と中央部の前記分割電極とで異ならせる請求項1記載の真空処理装置。
- 前記放電電極に供給される前記高周波電力の位相変調波形は、各前記給電点で三角波又は正弦波の何れかに選定される請求項1又は請求項2記載の真空処理装置。
- 前記放電電極に供給される前記高周波電力の位相変調波形は、前記高周波電力の位相差毎に、前記高周波電力の供給時間が異なる請求項1又は請求項2記載の真空処理装置。
- 高周波電力を出力する高周波電源と、前記高周波電力の位相を変調する位相変調器と、基板を保持する対向電極と、複数の給電点を有し、前記高周波電力により前記対向電極との間にプラズマを形成する放電電極と、を備えた真空処理装置において、プラズマにより前記基板に製膜する膜厚分布調整方法であって、
前記放電電極が有する複数の前記給電点のうち少なくとも一つの前記給電点に対して、前記位相変調器による位相変調波形及び位相変調角度の少なくとも一方が他の前記給電点と異なるように前記高周波電力を供給する膜厚分布調整方法。 - 前記放電電極は、各々前記給電点を有する長尺状の分割電極が長手方向と直交する方向に複数配列され、
複数の前記分割電極に供給する前記高周波電力の位相変調波形を決定する第1工程と、
複数の前記分割電極に供給する前記高周波電力の位相変調角度を決定する第2工程と、
決定した位相変調波形及び位相変調角度の前記高周波電力を前記分割電極毎に供給する第3工程と、
を含む請求項5記載の膜厚分布調整方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012183425A JP2014041760A (ja) | 2012-08-22 | 2012-08-22 | 真空処理装置及び膜厚分布調整方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family Applications (1)
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JP2012183425A Pending JP2014041760A (ja) | 2012-08-22 | 2012-08-22 | 真空処理装置及び膜厚分布調整方法 |
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-
2012
- 2012-08-22 JP JP2012183425A patent/JP2014041760A/ja active Pending
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