KR102555016B1 - 플라즈마 식각 장치 - Google Patents

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김형원
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주식회사 기가레인
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치는, 기판에 대한 플라즈마 식각 공정이 실행되는 공간을 형성하며, 기판의 식각을 위한 반응 가스를 분배하는 가스 분배 플레이트(GDP)와, 상기 공간 내에서 플라즈마 형성을 위하여 전류를 인가하는 제1 전극으로서의 코일이 구비되는 공정 챔버와, 상기 공정 챔버의 내부 공간에서 상기 가스 분배 플레이트에 대향되게 구비되며, 일면에 기판이 지지되고 상기 제1 전극과 전기적으로 상호 작용하여 상기 기판의 식각을 위한 플라즈마를 형성하는 제2 전극을 구비하는 척 및 상기 척을 두르도록 상기 공정 챔버 내에 구비되며, 진공 펌프와 연결되어 상기 공정 챔버 내에서의 식각 공정 시 발생되는 가스의 배기 흐름을 형성하는 배기 흐름 형성부를 포함하며, 상기 배기 흐름 형성부는, 상기 척의 측부를 두르도록 구비되며, 복수 개의 배기홀이 구비되는 수직부재를 포함할 수 있다.

Description

플라즈마 식각 장치{PLASMA ETHCHING APPARATUS}
본 발명은 플라즈마 식각 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 배기 흐름 형성부에 의해 가스의 배기 흐름을 균일하게 형성할 수 있음은 물론 배기 흐름 형성부의 버퍼 공간으로 가스가 이동되기 전에 가스가 버퍼링된 후 버퍼 공간으로 이동되기 때문에 가스의 배기 흐름을 균일하게 할 수 있으며, 이를 통해 기판의 식각 균일도를 증대시킬 수 있는 플라즈마 식각 장치에 관한 것이다.
반도체 및 디스플레이 산업의 발전에 따라 웨이퍼, 유리 등의 기판 가공도 한정된 면적에 원하는 패턴을 극미세화하고 고집적화하는 방향으로 진행되고 있다. 따라서 기판의 박막을 성장시키거나 식각할 때 플라즈마 처리 기술이 널리 활용되고 있다.
플라즈마 처리 장치는 반응 가스를 활성화시켜 챔버 내에서 플라즈마 분위기를 생성한 후, 플라즈마 분위기의 양이온 또는 라디칼이 기판을 식각하도록 하는 식각 공정에 사용되고 있다
이러한 플라즈마 처리 장치는 기판에 대한 식각 공정을 수행하기 위해 반응 가스가 공급되는 공정 챔버를 포함할 수 있다. 일반적으로 공정 챔버의 하부에는 상면에 기판이 안착되어 지지되고 하면에 하부 전극이 배치되는 척이 배치되며, 공정 챔버의 상부에는 고주파 전원을 수신하여 하부 전극과 반응하고 반응 가스를 활성화하여 공정 챔버 내부에 플라즈마 분위기를 생성하는 상부 전극이 배치될 수 있다.
이러한 플라즈마 식각 공정 시, 척의 트레이에 조립된 기판의 내측 및 외측이 균일하게 식각되는 것이 중요하며, 이를 위해 정밀한 균일도 제어 기술의 적용이 요구된다.
기판을 균일하게 식각하기 위해서는 배기의 흐름을 잘 제어하는 것이 요구되는데, 종래의 경우 배기의 흐름 제어가 원활하지 않아서 균일도의 편차가 발생되는 한계가 있었다. 배기의 흐름을 형성하기 위해서, 고진공 펌프(TMP, Turbo Molecular Pump)를 사용하였는데, 고진공 펌프가 구비된 영역에서는 배기의 흐름이 빠르게 형성되고 다른 영역에서는 상대적으로 느린 배기의 흐름이 형성됨으로써 기판의 균일도 제어에 문제가 발생될 수 있었다.
부연하면, 플라즈마가 발생됨으로 인해서 에치 부산물(byproduct)들이 좁은 챔버 안에 증착이 되는데, 이러한 부산물로 인해서 공정 결과가 조금씩 바뀔 수 있으며, 기판의 균일도에 문제가 발생될 수 있다.
이에, 기판의 균일도 제어를 정밀하게 할 수 있는 배기 구조를 구비한 새로운 구성의 플라즈마 식각 장치의 개발이 요구되는 실정이다.
관련 선행기술로는 대한민국특허 등록번호 10-1909100호(플라즈마 처리 장치 및 방법) 등이 있다.
본 발명의 실시예는 메쉬(mesh) 구조를 가지는 수직 방향의 배기 흐름 형성부에 의해 가스의 배기 흐름을 균일하게 형성할 수 있음은 물론 배기 흐름 형성부의 버퍼 공간으로 가스가 이동되기 전에 가스가 버퍼링된 후 버퍼 공간으로 이동되기 때문에 가스의 배기 흐름을 균일하게 할 수 있으며, 이를 통해 기판의 식각 균일도를 증대시킬 수 있는 플라즈마 식각 장치를 제공한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치는, 기판에 대한 플라즈마 식각 공정이 실행되는 공간을 형성하며, 기판의 식각을 위한 반응 가스를 분배하는 가스 분배 플레이트(GDP)와, 상기 공간 내에서 플라즈마 형성을 위하여 전류를 인가하는 제1 전극으로서의 코일이 구비되는 공정 챔버와, 상기 공정 챔버의 내부 공간에서 상기 가스 분배 플레이트에 대향되게 구비되며, 일면에 기판이 지지되고 상기 코일과 전기적으로 상호 작용하여 상기 기판의 식각을 위한 플라즈마를 형성하는 제2 전극을 구비하는 척 및 상기 척을 두르도록 상기 공정 챔버 내에 구비되며, 진공 펌프와 연결되어 상기 공정 챔버 내에서의 식각 공정 시 발생되는 가스의 배기 흐름을 형성하는 배기 흐름 형성부를 포함하며, 상기 배기 흐름 형성부는, 상기 척의 측부를 두르도록 구비되며, 복수 개의 배기홀이 구비되는 수직부재를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 상기 수직부재에 형성되는 복수 개의 배기홀은 메쉬(mesh) 타입으로 상기 수직부재에 규칙적으로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 상기 수직부재와 상기 척의 측부는 상호 이격될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 상기 수직부재는 스테인리스 스틸, 알루미늄을 구비하는 금속 중 어느 하나의 것으로 마련될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 상기 배기 흐름 형성부는, 상기 수직부재의 하단부와 상기 공정 챔버의 내벽 간을 연결하는 수평부재를 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치는, 기판에 대한 플라즈마 식각 공정이 실행되는 공간을 형성하며, 기판의 식각을 위한 반응 가스를 분배하는 가스 분배 플레이트(GDP)와, 상기 공간 내에서 플라즈마 형성을 위하여 전류를 인가하는 제1 전극으로서의 코일이 구비되는 공정 챔버와, 상기 공정 챔버의 내부 공간에서 상기 가스 분배 플레이트에 대향되게 구비되며, 일면에 기판이 지지되고 상기 코일과 전기적으로 상호 작용하여 상기 기판의 식각을 위한 플라즈마를 형성하는 제2 전극을 구비하는 척 및 상기 척과 상기 가스 분배 플레이트 사이에 형성되는 플라즈마 영역을 둘러싸도록 구비되며, 진공 펌프와 연결되어 상기 공정 챔버 내에서의 식각 공정 시 발생되는 가스의 배기 흐름을 형성하는 배기 흐름 형성부를 포함하며, 상기 배기 형성부에는 복수 개의 배기홀이 구비되는 적어도 하나의 수직부재를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 상기 적어도 하나의 수직부재는, 상기 척의 하부에서 상기 척의 직경보다 더 큰 직경을 갖도록 원통 형상으로 마련되며 상기 복수 개의 배기홀이 메쉬 타입으로 규칙적으로 형성되는 제1 수직부재를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 상기 적어도 하나의 수직부재는, 상기 제1 수직부재의 하부에서 상기 가스 분배 플레이트에 이르기까지 구비되며, 상기 제1 수직부재의 직경보다 상대적으로 작은 직경을 갖도록 원통 형상으로 마련되되 상기 복수 개의 배기홀이 메쉬 타입으로 규칙적으로 형성되는 제2 수직부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치는, 상기 척의 하단부의 외연과 상기 제1 수직부재의 상단부 사이에 개재되어 상기 배기 흐름 형성부에 의해 형성되는 공간과 상기 플라즈마 영역을 구획하는 차단부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 상기 적어도 하나의 수직부재는 스테인리스 스틸, 알루미늄을 구비하는 금속 중 어느 하나의 것으로 마련될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 메쉬(mesh) 구조를 가지는 수직 방향의 배기 흐름 형성부에 의해 가스의 배기 흐름을 균일하게 형성할 수 있음은 물론 배기 흐름 형성부의 버퍼 공간으로 가스가 이동되기 전에 가스가 버퍼링된 후 버퍼 공간으로 이동되기 때문에 가스의 배기 흐름을 균일하게 할 수 있으며, 이를 통해 기판의 식각 균일도를 증대시킬 수 있다.
또한, 메쉬 구조를 가지는 수직 방향의 배기 흐름 형성부에 의해 가스의 배기 흐름을 균일하게 형성할 수 있음은 물론 플라즈마 영역을 작게 함으로써 플라즈마에 대한 효율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 수직으로 단면 처리한 사시도이다.
도 2는 도 1의 정면도이다.
도 3은 도 2를 개략적으로 나타낸 도면으로서 배기의 흐름을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 수직으로 단면 처리한 사시도이다.
도 5는 도 4의 정면도이다.
도 6은 도 5를 개략적으로 나타낸 도면으로서 배기의 흐름을 나타낸 도면이다.
본 발명의 이점 및/또는 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 수직으로 단면 처리한 사시도이고, 도 2는 도 1의 정면도이며, 도 3은 도 2를 개략적으로 나타낸 도면으로서 배기의 흐름을 나타낸 도면이다.
이들 도면에 도시된 것처럼, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치(100)는, 가스 분배 플레이트(120) 등이 장착되는 공정 챔버(110)와, 그 내에 구비되는 척(140)과, 공정 챔버(110) 내에서의 기판(W)에 대한 식각 공정 시 발생되는 가스의 배기 흐름을 형성하는 배기 흐름 형성부(150)를 포함할 수 있다.
각각의 구성에 대해 설명하면, 본 실시예의 공정 챔버(110)는, 기판(W)에 대한 플라즈마 식각 공정이 실행되는 공간을 형성하는 것으로 그 내부 공간은 개략적으로 원통 형상을 가질 수 있다.
공정 챔버(110)의 내부 공간의 바닥에는 공정 챔버(110) 내로 반응 가스를 분배하는 가스 분배 플레이트(120)가 구비되며, 그 바깥에는 공간 내에서 플라즈마를 형성할 수 있도록 자장을 형성하는 코일(130)이 구비될 수 있다.
아울러, 가스 분배 플레이트(120)의 내측에는, 자세히 도시하지는 않았지만, 전류가 인가되는 제1 전극(130)으로서의 코일(130) 및 인슐레이터(125)가 구비되며, 코일(130)로 전류를 인가하기 위한 제1 전원 공급부(미도시)가 구비될 수 있다.
이러한 구성에 의해서, 코일(130)의 전류 인가로 인해 자장이 형성된 공정 챔버(110)의 내부 공간으로 가스 분배 플레이트(120)를 통해 반응 가스를 분배하면서코일(130) 및 후술할 제2 전극(145)의 전기적인 상호 작용에 의해서 플라즈마를 형성할 수 있으며, 이를 통해 기판(W)에 대한 플라즈마 식각 공정을 실행할 수 있다.
한편, 본 실시예의 척(140)은, 도 1 및 도 2에 도시된 것처럼, 제1 전극(125) 및 제2 전극(145) 사이에 배치되도록 공정 챔버(110) 내에서 상부에 구비되며, 척(140)의 하단면에 기판(W)이 안착되어 기판(W)을 견고하게 지지할 수 있다.
이러한 플라즈마 식각 장치(100)의 구성으로 인해서, 도 3에 개략적으로 도시된 바와 같이, 플라즈마 영역(110S)에서 플라즈마가 생성될 수 있고, 이로 인해 기판(W)에 대한 식각 공정이 이루어질 수 있는데, 식각 공정 시 발생되는 가스의 배기 흐름이 원활하게 이루어져야 기판(W)에 대한 식각의 균일도를 높일 수 있다.
이를 위해서, 본 실시예의 플라즈마 식각 장치(100)는, 배기의 흐름이 원활하게 이루어질 수 있도록 배기 흐름 형성부(150)를 포함할 수 있다. 배기 흐름 형성부(150)는 가스의 배기 흐름의 어느 영역에서 빨리 이루어지거나 또는 다른 영역에서 상대적으로 느리게 이루어지는 것을 방지함으로써 전체적으로 배기 흐름이 균일하게 이루어질 수 있도록 하며, 이러한 배기 흐름 형성에 의해서 기판(W)의 식각이 균일하게 이루어질 수 있다.
종래에는, 배기 흐름을 위한 구성이 플라즈마 영역(110S) 바로 상부에 수평 방향으로 구비되는 경우가 있었으며, 이의 경우 가스의 배기 흐름이 원활하게 이루어지지 않았다. 특히 배기 흐름을 형성하기 위한 진공 펌프에 인접한 부분에서 상대적으로 더 빠른 배기 흐름이 형성되었고, 그로부터 먼 영역에서는 상대적으로 더 느린 배기 흐름이 형성됨으로써 기판(W) 식각의 균일도가 저하될 우려가 있었다.
그런데, 본 실시예의 배기 흐름 형성부(150)는, 배기 흐름이 수직이 아닌 수평 방향으로 이루어질 수 있도록 수직 방향을 가지는 수직부재(151)를 구비하며, 아울러 배기 흐름 형성부(150)와 척(140)의 측부가 이격됨으로써 그 사이가 버퍼링 효과가 발생되는 공간(151S, 도 3 참조)으로 작용함으로써 가스의 배기 흐름이 균일하게 형성될 수 있다.
본 실시예의 배기 흐름 형성부(150)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 것처럼, 척(140)의 두르도록 공정 챔버(110) 내에 구비되며, 고진공을 발생시키는 진공 펌프(160)와 연결되어 공정 챔버(110) 내에서의 식각 공정 시 발생되는 가스의 배기 흐름을 형성할 수 있다.
이러한 배기 흐름 형성부(150)는, 도 2 및 도 3에 도시된 것처럼, 복수 개의 배기홀(152)이 구비되는 수직부재(151)와, 수직부재(151)의 하단부와 공정 챔버(110)의 내벽 간을 연결하는 수평부재(155)를 포함할 수 있으며, 이러한 수직부재(151)와 수평부재(155)의 구조로 인해 공정 챔버(110)의 내부 공간과 구획된 버퍼 공간(150S)을 형성할 수 있다.
도 3에 개략적으로 도시된 것처럼, 가스가 척(140)의 측부와 수직부재(151) 사이로 이동된 후 방향을 전환하여 수직부재(151)에 형성된 복수 개의 배기홀(152, 도 2 참조)을 통해 버퍼 공간(150S)으로 이동된 다음, 버퍼 공간(150S)에 작용되는 배기 흐름을 위한 진공 펌프(160)의 작동에 의해 원활하게 배출될 수 있다.
본 실시예의 수직부재(151)는 척(140)의 측부를 전체적으로 감싸도록 원통 형상으로 마련될 수 있으며, 복수 개의 배기홀(152)이 규칙적으로 구비될 수 있다.
부연하면, 복수 개의 배기홀(152)은, 도 2에 도시된 것처럼, 메쉬(mesh) 타입의 홀일 수 있으며, 수직부재(151)의 전 영역에 규칙적으로 형성될 수 있다. 이러한 메쉬 타입의 홀 구조로 인해, 가스가 균일하게 이동될 수 있음은 물론 수직부재(151)의 면적을 최대화할 수 있어 가스의 흐름의 균일하면서도 신속하게 이루어질 수 있다.
아울러, 전술한 것처럼, 척(140)과 수직부재(151)의 이격 구조로 인하여서 가스가 그 사이 영역(151S)에서 버퍼링된 후 버퍼 공간(150S)으로 이동되기 때문에 가스의 배기 흐름을 더욱 균일하게 할 수 있다. 즉, 가스의 배기 흐름에 있어서 공정 챔버(110)의 여러 영역에서 편차가 발생될 수 있는데, 수직부재(151)를 통하여 가스가 수평으로 이동되고, 또한 그 전에 버퍼링을 위한 공간(151S)을 둠으로써 균일한 가스의 흐름을 구현할 수 있는 것이다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 메쉬(mesh) 구조를 가지는 수직 방향의 배기 흐름 형성부(150)에 의해 가스의 배기 흐름을 균일하게 형성할 수 있음은 물론 배기 흐름 형성부(150)의 버퍼 공간(150S)으로 가스가 이동되기 전에 가스가 버퍼링된 후 버퍼 공간(150S)으로 이동되기 때문에 가스의 배기 흐름을 균일하게 할 수 있으며, 이를 통해 기판(W)의 식각 균일도를 증대시킬 수 있다.
한편, 이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치에 대해서 설명하되 전술한 일 실시예의 장치와 실질적으로 대응되는 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 수직으로 단면 처리한 사시도이고, 도 5는 도 4의 정면도이며, 도 6은 도 5를 개략적으로 나타낸 도면으로서 배기의 흐름을 나타낸 도면이다.
이들 도면에 도시된 것처럼, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치(200)는, 전술한 일 실시예의 장치(100, 도 1 내지 도 3 참조)와 배기 흐름 형성부(250)의 구성에 있어서 차이가 있다.
본 실시예의 배기 흐름 형성부(250)는, 도 4 및 도 5에 도시된 것처럼, 척(240)과 가스 분배 플레이트(220) 사이에 형성되는 플라즈마 영역(210S)을 둘러싸도록 구비될 수 있다.
이러한 배기 흐름 형성부(250)는 배기 흐름을 형성하는 진공 펌프(260)와 연결되어 공정 챔버(210) 내에서의 식각 공정 시 발생되는 가스의 배기 흐름을 형성할 수 있다.
본 실시예의 배기 흐름 형성부(250)는, 도 4 및 도 5에 도시된 것처럼, 복수 개의 배기홀(252)이 구비되는 2개의 수직부재(251, 255), 즉 제1 수직부재(251) 및 제2 수직부재(255)를 포함할 수 있다.
먼저, 본 실시예의 제1 수직부재(251)는 척(240)의 하부에서 척(240)의 직경보다 더 큰 직경을 갖도록 원통 형상으로 마련되며 복수 개의 배기홀(252)이 메쉬 타입으로 규칙적으로 형성될 수 있다.
본 실시예의 제2 수직부재(255)는 제1 수직부재(251)의 하부에서 가스 분배 플레이트(220)에 이르기까지 구비되며 제1 수직부재(251)의 직경보다 상대적으로 작은 직경을 갖도록 원통 형상으로 마련되되 복수 개의 배기홀(252)이 메쉬 타입으로 규칙적으로 형성될 수 있다.
이러한 수직부재(251, 255)들의 구성으로 인해, 플라즈마 발생 시 발생되는 가스는 제1 수직부재(251) 및 제2 수직부재(255)의 배기홀(252)을 통해 바로 버퍼 공간(250S)으로 이동될 수 있고, 도 6에 도시된 것처럼, 버퍼 공간(250S)에 작용되는 배기 흐름을 위한 진공 펌프(260)의 작동에 의해 원활하게 배출될 수 있다.
이처럼, 수직부재(251, 255)들로 인해 가스의 배기 흐름의 원활하게 이루어질 수 있고, 이를 통해 기판(W)의 식각 균일도를 증대시킬 수 있다.
한편, 도 5 및 도 6을 참조하면, 수직부재(251, 255)들이 플라즈마 영역(210S)을 두르도록 마련되기 때문에 플라즈마가 발생되는 공간을 줄일 수 있으며 이를 통해 플라즈마에 대한 효율을 높일 수 있다.
부연하면, 플라즈마 영역(210S)을 작게 하게 그 내에 질소 등과 같은 기체를 계속 공급함으로써 공정을 진행하기 전에 공정 챔버(210) 내에 쌓여 있는 부산물들을 일정한 컨디션으로 만들 수 있으며, 이를 통해 플라즈마에 대한 효율을 높일 수 있을 뿐만 아니라 기판(W)의 식각 균일도를 향상시킬 수 있다.
아울러, 도 5를 참조하면, 척(240)의 하단부의 외연과 제1 수직부재(251)의 상단부 사이에는 배기 흐름 형성부(250)에 의해 형성되는 버퍼 공간(250S)과 플라즈마 영역(210S)을 구획하는 차단부재(270)가 구비될 수 있다. 이러한 차단부재(270)를 통해 식각 공정 시 발생되는 가스가 버퍼 공간(250S)으로 이동된 후 다시 플라즈마 영역(210S) 등으로 재유입되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 메쉬 구조를 가지는 수직 방향의 배기 흐름 형성부(250)에 의해 가스의 배기 흐름을 균일하게 형성할 수 있음은 물론 플라즈마 영역(210S)을 작게 함으로써 플라즈마에 대한 효율을 높일 수 있다.
지금까지 본 발명에 따른 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허 청구의 범위뿐 아니라 이 특허 청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 플라즈마 식각 장치
110: 공정 챔버
120: 가스 분배 플레이트
125: 인슐레이터
130: 코일(제1 전극)
140: 척
145: 제2 전극
150: 배기 흐름 형성부
151: 수직부재
152: 배기홀
155: 수평부재
160: 진공 펌프

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
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  5. 삭제
  6. 기판에 대한 플라즈마 식각 공정이 실행되는 공간을 형성하며, 기판의 식각을 위한 반응 가스를 분배하는 가스 분배 플레이트(GDP)와, 상기 공간 내에서 플라즈마 형성을 위하여 전류를 인가하는 제1 전극으로서의 코일이 구비되는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버의 내부 공간에서 상기 가스 분배 플레이트에 대향되게 구비되며, 일면에 기판이 지지되고 상기 코일과 전기적으로 상호 작용하여 상기 기판의 식각을 위한 플라즈마를 형성하는 제2 전극을 구비하는 척; 및
    상기 척과 상기 가스 분배 플레이트 사이에 형성되는 플라즈마 영역을 둘러싸도록 구비되며, 진공 펌프와 연결되어 상기 공정 챔버 내에서의 식각 공정 시 발생되는 가스의 배기 흐름을 형성하는 배기 흐름 형성부;
    를 포함하며,
    상기 배기 흐름 형성부에는 복수 개의 배기홀이 구비되는 적어도 하나의 수직부재를 포함하며,
    상기 적어도 하나의 수직부재는,
    상기 척의 하부에서 상기 척의 직경보다 더 큰 직경을 갖도록 원통 형상으로 마련되며 상기 복수 개의 배기홀이 메쉬 타입으로 규칙적으로 형성되는 제1 수직부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 수직부재는,
    상기 제1 수직부재의 하부에서 상기 가스 분배 플레이트에 이르기까지 구비되며, 상기 제1 수직부재의 직경보다 상대적으로 작은 직경을 갖도록 원통 형상으로 마련되되 상기 복수 개의 배기홀이 메쉬 타입으로 규칙적으로 형성되는 제2 수직부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 척의 하단부의 외연과 상기 제1 수직부재의 상단부 사이에 개재되어 상기 배기 흐름 형성부에 의해 형성되는 공간과 상기 플라즈마 영역을 구획하는 차단부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 수직부재는 스테인리스 스틸, 알루미늄을 구비하는 금속 중 어느 하나의 것으로 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
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