JPH0431254Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0431254Y2 JPH0431254Y2 JP1986064499U JP6449986U JPH0431254Y2 JP H0431254 Y2 JPH0431254 Y2 JP H0431254Y2 JP 1986064499 U JP1986064499 U JP 1986064499U JP 6449986 U JP6449986 U JP 6449986U JP H0431254 Y2 JPH0431254 Y2 JP H0431254Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- crucible
- transparent
- cylindrical body
- transparent quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title | 
|---|---|---|---|
| JP1986064499U JPH0431254Y2 (OSRAM) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title | 
|---|---|---|---|
| JP1986064499U JPH0431254Y2 (OSRAM) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date | 
|---|---|
| JPS62175077U JPS62175077U (OSRAM) | 1987-11-06 | 
| JPH0431254Y2 true JPH0431254Y2 (OSRAM) | 1992-07-28 | 
Family
ID=30900710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date | 
|---|---|---|---|
| JP1986064499U Expired JPH0431254Y2 (OSRAM) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 
Country Status (1)
| Country | Link | 
|---|---|
| JP (1) | JPH0431254Y2 (OSRAM) | 
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title | 
|---|---|---|---|---|
| JPH0729871B2 (ja) * | 1987-12-03 | 1995-04-05 | 信越半導体 株式会社 | 単結晶引き上げ用石英るつぼ | 
| JP4548962B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2010-09-22 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボ及びこれを用いたシリコン単結晶の引き上げ方法 | 
| JP2003081689A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Kusuwa Kuorutsu:Kk | 合成石英ルツボおよび製造方法 | 
| JP5121760B2 (ja) * | 2009-03-16 | 2013-01-16 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶の引き上げを行う方法 | 
| JP5289293B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2013-09-11 | 株式会社Sumco | 単結晶引上げ用石英ルツボ | 
| JP5289294B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2013-09-11 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ | 
| JP5685894B2 (ja) | 2010-11-05 | 2015-03-18 | 信越半導体株式会社 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法 | 
| JP5741163B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2015-07-01 | 信越半導体株式会社 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法 | 
| JP5488519B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2014-05-14 | 信越半導体株式会社 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法 | 
| JP5668717B2 (ja) * | 2012-04-19 | 2015-02-12 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 | 
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title | 
|---|---|---|---|---|
| JPS59213697A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶半導体引上装置 | 
- 
        1986
        - 1986-04-28 JP JP1986064499U patent/JPH0431254Y2/ja not_active Expired
 
Also Published As
| Publication number | Publication date | 
|---|---|
| JPS62175077U (OSRAM) | 1987-11-06 | 
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title | 
|---|---|---|
| JP3764776B2 (ja) | 単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法 | |
| US6106610A (en) | Quartz glass crucible for producing silicone single crystal and method for producing the crucible | |
| US6136092A (en) | Quart crucible with large diameter for pulling single crystal and method of producing the same | |
| JP4948504B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ方法 | |
| JPH0431254Y2 (OSRAM) | ||
| JP2004059410A (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法 | |
| JP4526034B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ | |
| Chevy | Improvement of growth parameters for Bridgman-grown InSe crystals | |
| JP2923720B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ | |
| JP4803784B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法 | |
| US5895527A (en) | Single crystal pulling apparatus | |
| US4957712A (en) | Apparatus for manufacturing single silicon crystal | |
| JP4233059B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 | |
| JPH03115188A (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JPH0653634B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボの再生方法 | |
| JPH03177388A (ja) | るつぼを含まないゾーン引張り法による酸素含有量の高いケイ素インゴットの製造方法 | |
| JP2602442B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ | |
| JPH0616926Y2 (ja) | 単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ | |
| US20240035198A1 (en) | Systems and methods for forming single crystal silicon ingots with crucibles having a synthetic liner | |
| JP2864058B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ | |
| JPH0259486A (ja) | 石英るつぼ | |
| JPH0543381A (ja) | 溶融層法用単結晶成長装置及び該装置を用いた単結晶中の酸素濃度制御方法 | |
| JPS6117489A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2735741B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPH0383888A (ja) | 単結晶引き上げ装置 |