JPH04311724A - 強誘電性高分子液晶およびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、オプトエレクトロニク
ス分野、とくに表示素子、光記録媒体、非線形光学素子
などの分野に有用な、常温付近でも強誘電性を示し、電
場に対する応答が速くて動画表示が可能であり、かつ、
大画面や屈曲画面の表示素子として有利に使用しうる新
規な光学的に活性な強誘電性高分子液晶およびその製法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、液晶は代表的な表示材料とし
て知られており、時計、電卓、小型テレビジョン、パー
ソナルコンピュターのディスプレイなどの分野に使用さ
れている。これらの分野では、通常、従来の低分子液晶
をミクロンオーダーの間隔で２枚のガラス基板の間に挟
んで使用している。

【０００３】しかしながら、このような間隔の調整は大
画面および曲面画面では実現することができない。

【０００４】この問題を解決する一つの手段として液晶
を高分子化し、それ自体を成形可能にすることが試みら
れている（ジャーナル　　オブ　　ポリマー　　サイエ
ンス，ポリマー　　レターズ（Ｊ．　Ｐｏｌｙｍ．　Ｓ
ｃｉ．，　Ｐｏｌｙｍ．Ｌｅｔｔ．），Ｅｄ．１３，２
４３（１９７５）、ポリマーブレティン（Ｐｏｌｙｍ．
　Ｂｕｌｌ．），６，　３０９（１９８２）、特開昭５
５−２１４７９号公報など）。

【０００５】しかしながら、従来の高分子化した液晶（
高分子液晶）では、電場などの外的因子の変化に対する
透過光量変化などの応答速度が一般的に遅く、まだ満足
できるものはえられていない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の高分子液晶が有する欠点を克服し、常温付近でも
強誘電性を示し、電場に対する応答が速くて動画表示が
可能であり、かつ、大画面や屈曲画面の表示素子として
有利に使用しうる高分子液晶を提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（Ｉ）
　：

【０００８】

【化８】

【０００９】（式中、Ａは少なくとも２個の炭素原子を
含む４価の基、Ｂは少なくとも２個の炭素原子を含む２
価の基、Ｋは１〜３０の整数で、２つのｋは同じである
必要はない、Ｒ１　、Ｒ２　は、

【００１０】

【化９】

【００１１】（ただし、Ｑは　−ＣＯＯ−　または　−
ＯＣＯ−、Ｒ３　は　−ＣＯＯＲ４　、−ＯＣＯＲ４　
、　−ＯＲ４　または　−Ｒ４　（Ｒ４　は一般式（Ｉ
Ｉ）：

【００１２】

【化１０】

【００１３】（式中、ｍ、ｎは０〜９の整数、ｑは０ま
たは１、Ｒ５　、Ｒ６　は　−ＣＨ３　、　−Ｆ、　−
Ｃｌまたは　−ＣＮ、ただし、Ｒ６　が　−ＣＨ３　の
ばあいにはｎは０ではない、

【００１４】

【化１１】

【００１５】は不整炭素原子を表わす））で表わされる
基を表わす）である）で表わされる繰り返し単位を有し
、光学的に活性な強誘電性高分子液晶、および一般式（
ＩＩＩ）　：

【００１６】

【化１２】

【００１７】（式中、Ａは前記と同じ）で表わされるテ
トラカルボン酸二無水物と、一般式（ＩＶ）：Ｒ１　Ｏ
−（ＣＨ２　）ｋ　−ＯＨ　　　　　　　　　　　　（
ＩＶ）（式中、Ｒ１　、ｋは前記と同じ）および般式（
Ｖ）　：Ｒ２　Ｏ−（ＣＨ２　）ｋ　−ＯＨ　　　　　
　　　　　　　（Ｖ）（式中、Ｒ２　およびｋは前記と
同じ）で表わされる水酸基末端化合物とを反応させて一
般式（ＶＩ）：

【００１８】

【化１３】

【００１９】（式中、Ａ、Ｒ１　、Ｒ２　およびｋは前
記と同じ）で表わされるジカルボン酸をえたのち、塩化
チオニルなどのハロゲン化剤で処理してえられる一般式
（ＶＩＩ）　：

【００２０】

【化１４】

【００２１】（式中、Ａ、Ｒ１　、Ｒ２　およびｋは前
記と同じ）で表わされるジカルボン酸クロリドを一般式
（ＶＩＩＩ）： Ｈ２　Ｎ−Ｂ−ＮＨ２　　　　　　　　　　　　　　　
　　（ＶＩＩＩ）（式中、Ｂは前記と同じ）で表わされ
るジアミンと重縮合させることを特徴とする前記高分子
液晶の製法に関する。

【００２２】

【実施例】本発明の強誘電性高分子液晶は、一般式（Ｉ
）　：

【００２３】

【化１５】

【００２４】で表わされる繰り返し単位を有する。

【００２５】前記一般式（Ｉ）　におけるＡは、少なく
とも２個の炭素原子を含む４価の基である。Ａの具体例
としては、たとえば

【００２６】

【化１６】

【００２７】（Ｒ７　は、

【００２８】

【化１７】

【００２９】である）、

【００３０】

【化１８】

【００３１】などをあげることができる。

【００３２】前記一般式（Ｉ）　におけるＢは、少なく
とも２個の炭素原子を含む２価の基である。Ｂの具体例
としては、たとえば

【００３３】

【化１９】

【００３４】（Ｒ７　は前記と同じ）、

【００３５】

【化２０】

【００３６】

【化２１】

【００３７】などをあげることができる。

【００３８】一般式（Ｉ）　におけるＲ１　およびＲ２
　は、それぞれ

【００３９】

【化２２】

【００４０】（式中、Ｑは　−ＣＯＯ−　または　−Ｏ
ＣＯ−　であり、Ｒ３　は　−ＣＯＯＲ４　、−ＯＣＯ
Ｒ４　、　−ＯＲ４　または　−Ｒ４　）である。

【００４１】Ｒ４　は一般式（ＩＩ）：

【００４２】

【化２３】

【００４３】で表わされる基である。

【００４４】一般式（ＩＩ）において、ｍおよびｎはそ
れぞれ０〜９の整数を表わす。また、ｑは０または１で
ある。

【００４５】Ｒ５　およびＲ６　は、それぞれ　−ＣＨ
３　、　−Ｆ、　−Ｃｌまたは　−ＣＮである。ただし
、Ｒ６　が　−ＣＨ３　のばあいには、ｎは０ではない
。また、

【００４６】

【化２４】

【００４７】は不整炭素原子を表わす。

【００４８】Ｒ１　、Ｒ２　の具体例としては、たとえ
ば

【００４９】

【化２５】

【００５０】

【化２６】

【００５１】などをあげることができる。

【００５２】一般式（Ｉ）　で表わされる繰り返し単位
の好ましい具体例としては、たとえば

【００５３】

【化２７】

【００５４】で表わされる繰り返し単位があげられる。

【００５５】本発明の高分子液晶の数平均分子量は通常
４，０００　〜１，０００，０００　の範囲である。分
子量が４，０００　未満では該高分子液晶のフィルムや
膜としての成形性に支障が生じるばあいがあり、一方、
１，０００，０００　をこえると応答速度が遅いなどの
好ましくない効果が現われることがある。数平均分子量
のとくに好ましい範囲は、通常８，０００　〜４００，
０００　である。数平均分子量がこの範囲内にあるもの
は機械的製膜法を用いたばあいにも製膜性が良好であり
、延伸倍率を高めることができ、その結果、高分子液晶
中の液晶ユニットの配向度を高めることができ、とくに
コントラスト比を向上させることができる。

【００５６】本発明の高分子液晶は、光学的に活性であ
り、かつ、強誘電性を有する。

【００５７】前記光学的に活性であるとは、その物質の
中を直線偏光が進行する際、偏光面が回転する性質であ
り、旋光性ともいう。また偏光面の回転の角度を旋光度
で表わす。本発明の高分子液晶の旋光度は

【００５８】

【数１】

【００５９】のごとき値を有する。

【００６０】本発明の高分子液晶が光学的に活性である
ため、当該材料が強誘電性を示す。

【００６１】また、前記強誘電性を有するとは、電場の
印加なしに自発分極が存在し、この分極が電場の印加に
より反転可能な性質のことであり、本発明の高分子液晶
は、たとえば自発分極がＰｓ＝１０〜２０ｎＣのごとき
値を有する。

【００６２】本発明の高分子液晶が強誘電性を有するた
め、自発分極が存在し、電場を印加するとこの分極が高
速で反転し、光透過のスイッチングが可能になる。また
メモリー性も有する。

【００６３】このような本発明の高分子液晶は、その相
転移温度の測定から、カイラルスメクチックＣ層液晶状
態が常温付近の温度で実現することが確認されている。

【００６４】本発明の高分子液晶は、通常の製膜法、た
とえばキャスティング法、延伸法などによって厚さ数μ
ｍ〜数十μｍのフィルムに形成して用いることができる
。フィルム状の高分子液晶は、２枚の通常のガラス基板
はもとより、大型のガラス基板、曲面状のガラス基板、
ポリエステルフィルムなどの間に挟んで液晶ディスプレ
イ、電気光学シャッターなどの種々のオプトエレクトロ
ニクスの分野に利用することができる。また適当な溶媒
に溶解した高分子液晶溶液をガラス基板面などの基板面
に塗布し、溶媒を蒸発させることによって、直接基板面
上に密着した状態でフィルム化することもできる。

【００６５】本発明の高分子液晶はスメクチック相を発
現する液晶性と、成形が容易であるという典型的なポリ
マーの性質とを併有しているため、オプトエレクトロニ
クス、情報記憶などの数多くの分野に応用可能である。 たとえば、種々の形状のディジタル表示ディスプレイな
どの液晶ディスプレイ、電気光学シャッターなどの種々
の電気光学デバイスとして使用することができる。

【００６６】なお、本発明の高分子液晶には、必要に応
じて前記高分子液晶同士の混合、他のポリマーとの混合
、安定剤、可塑剤などを含めた種々の無機、有機化合物
や金属類などの添加物の添加など、当業界においてよく
知られている種々の方法を適用してもよい。

【００６７】つぎに前記一般式（Ｉ）　で表わされる繰
り返し単位を有する本発明の高分子液晶の製法の一例に
ついて説明する。

【００６８】まず、一般式（ＩＩＩ）　：

【００６９】

【化２８】

【００７０】（式中、Ａは前記と同じ）で表わされるテ
トラカルボン酸二無水物と、一般式（ＩＶ）：Ｒ１　Ｏ
−（ＣＨ２　）ｋ　−ＯＨ　　　　　　　　　　（ＩＶ
）（式中、Ｒ１　およびｋは前記と同じ）および一般式
（Ｖ）　： Ｒ２　Ｏ−（ＣＨ２　）ｋ　−ＯＨ　　　　　　　　　
　（Ｖ）（式中、Ｒ２　およびｋは前記と同じ）で表わ
される水酸基末端化合物とが反応せしめられる。

【００７１】前記テトラカルボン酸二無水物の具体例と
しては、たとえば

【００７２】

【化２９】

【００７３】などがあげられる。

【００７４】さらに、前記水酸基末端化合物の具体例と
しては、たとえば

【００７５】

【化３０】

【００７６】などがあげられる。

【００７７】前記反応はトルエン、ベンゼンなどの溶媒
中で還流下１〜２時間行なわれ、一般式（ＶＩ）：

【０
０７８】

【化３１】

【００７９】（式中、Ａ、Ｒ１　、Ｒ２　およびｋは前
記と同じ）で表わされるジカルボン酸がえられる。

【００８０】これを、たとえば過剰の塩化チオニル中で
１〜２時間還流させることにより一般式（ＶＩＩ）　：

【００８１】

【化３２】

【００８２】（式中、Ａ、Ｒ１　、Ｒ２　およびｋは前
記と同じ）で表わされるジカルボン酸クロリドに変換し
たのち、通常該ジカルボン酸に対し等モルの一般式（Ｖ
ＩＩＩ）：Ｈ２　Ｎ−Ｂ−ＮＨ２　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　（ＶＩＩＩ）（式中、Ｂは前記
と同じ）で表わされるジアミンと極性溶媒中でトリエチ
ルアミンあるいはピリジンなどの塩酸トラップ剤の存在
下で重縮合させることにより、一般式（Ｉ）　で表わさ
れる本発明の高分子液晶が製造される。

【００８３】一般式（ＶＩＩＩ）で表わされるジアミン
の具体例としては、たとえば

【００８４】

【化３３】

【００８５】などがあげられる。

【００８６】極性溶媒としてはＮ−メチル−２−　ピロ
リドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド
などが用いられる。反応温度は０〜１００　℃、好まし
くは５０〜６０℃が適当である。

【００８７】なお、前記説明において、たとえば、ピロ
メリト酸エステルのばあいなどには、１位と３位にエス
テルが存在するようなものしか例示されていないが、た
とえば１位と４位にエステルが存在するような立体異性
体あるいはそれらの混合している物であってもよい。

【００８８】つぎに、本発明の高分子液晶およびその製
法について、実施例によりさらに詳細に説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。

【００８９】実施例１ （１）４−（　４′−　（１１−　ヒドロキシウンデカ
ニルオキシ）ベンゾイルオキシ）安息香酸２−メチルブ
チルエステルの合成 （ｉ）４−　ヒドロキシ安息香酸２−メチルブチルエス
テルの合成 ４−ヒドロキシ安息香酸２４．６ｇ（０．１７８　ｍｏ
ｌ）　と（Ｓ）−（−）−２−メチルブタノール１９．
０ｇ（０．２１５ｍｏｌ　）とをトルエン１２０ｍｌ　
中、濃硫酸０．７　ｍｌの存在下で２０時間還流した。 反応液を炭酸水素ナトリウムで中和したのち濃縮し、濃
縮液をエタノールに溶解させて活性炭で処理をした。そ
ののち、エタノール溶液を濃縮して目的物３６．９ｇを
えた（収率９９％）。

【００９０】（ｉｉ）４−（　４′−　（アセトキシ）
ベンゾイルオキシ）安息香酸２−メチルブチルエステル
の合成４−アセトキシ安息香酸５．６６ｇ（０．３１４
　ｍｏｌ）　を塩化チオニル２０ｇ中で８０℃で２時間
還流したのち、減圧濃縮して酸クロリド体をえた。４−
ヒドロキシ安息香酸２−メチルブチルエステル６．５４
ｇ（０．３１４　ｍｏｌ）　とトリエチルアミン５ｍｌ
の乾燥テトラヒドロフラン３５ｍｌの溶液に、前記酸ク
ロライドとテトラヒドロフラン３５ｍｌとからの溶液を
滴下したのち、１０時間撹拌した。トリエチルアミン塩
酸塩を濾別したのち、濾液を濃縮して粗結晶をえた。こ
れをエタノールから再結晶させ、目的物である無色結晶
３．９３ｇをえた（収率３４％）。

【００９１】（ｉｉｉ）４−（　４′−　（ヒドロキシ
）ベンゾイルオキシ）安息香酸２−メチルブチルエステ
ルの合成（ｉｉ）でえたエステル体３．７　ｇ（０．０
１０　ｍｏｌ）　のエーテル５０ｍｌの溶液にベンジル
アミン５．３５ｇ（０．０５０　ｍｏｌ）　を加えて１
０時間撹拌した。反応液に５Ｎ塩酸を１０ｍｌ加え、ベ
ンジルアミンを塩酸塩として析出させ、これを濾別した
。えられた濾液を濃縮して目的とするヒドロキシ体を無
色液体として３．１　ｇえた（収率９５％）。

【００９２】（ｉｖ）４−（　４′−　（１１−　ヒド
ロキシウンデカニルオキシ）ベンゾイルオキシ）安息香
酸２−メチルブチルエステルの合成 （ｉｉｉ）　でえたヒドロキシ体３．１０ｇ（０．００
９４５ｍｏｌ）と１１−　ブロモウンデカノール２．３
７ｇ（０．００９４５ｍｏｌ）とをメチルエチルケトン
６０ｍｌ中、炭酸カリウム４．５６ｇの存在下で２０時
間還流し、炭酸カリウムを濾別したのち、濾液を濃縮し
た。濃縮物をカラムクロマトグラフィーにて精製し、目
的物である無色結晶２．８８ｇをえた（収率６１％）。

【００９３】　１Ｈ　ＮＭＲ　スペクトル分析結果δ０
．５　〜２．０（２７Ｈ）、δ３．５０（２Ｈ）、δ３
．９０（４Ｈ）、δ６．８０（４Ｈ）、δ７．８５（４
Ｈ） ＩＲスペクトル分析結果 ＯＨ基に由来する吸収　　：３６００〜３０００ｃｍ−
１エステルに由来する吸収：１７１０ｃｍ−１、１２５
０ｃｍ−１エーテルに由来する吸収：１１００ｃｍ−１
（２）ピロメリト酸ジエステルの合成 前記の４−（　４′−　（１１−　ヒドロキシウンデカ
ニルオキシ）ベンゾイルオキシ）安息香酸２−メチルブ
チルエステル２．８８ｇ（５．７８ｍｍｏｌ）とピロメ
リト酸二無水物０．６３ｇ（２．８９ｍｍｏｌ）とをト
ルエン１５ｍｌ中で２時間還流した。反応液を濃縮し、
エタノールに溶解させ、活性炭で処理したのち、再び濃
縮し、目的とするピロメリト酸エステルを無色固体とし
て２．９８ｇえた（収率８５％）。

【００９４】えられたピロメリト酸ジエステルを、　１
Ｈ　ＮＭＲ　スペクトル分析、ＩＲスペクトル分析によ
り同定し、目的物であることを確認した。

【００９５】　１Ｈ　ＮＭＲ　スペクトル分析結果δ０
．５　〜２．０（５４Ｈ）、δ３．４　〜４．３（１２
Ｈ）、δ６．７（４Ｈ）　、δ７．０（２Ｈ）　、δ７
．８（４Ｈ） ＩＲスペクトル分析結果 カルボン酸に由来する吸収：３７００〜２４００ｃｍ−
１、１７１０ｃｍ−１エステルに由来する吸収　　：１
７３０ｃｍ−１、１２５０ｃｍ−１（３）ポリアミド（
高分子液晶）の合成前記でえられたピロメリト酸ジエス
テル２．９８ｇ（２．４５　ｍｍｏｌ）　を塩化チオニ
ル３ｍｌ中で２時間還流し、過剰の塩化チオニルを減圧
下留去して酸クロリドをえた。ＩＲスペクトル分析によ
り、１７８０ｃｍ−１に酸クロリドの吸収があることを
確認した。

【００９６】えられた酸クロリドとＮ−メチル−２−　
ピロリドン２０ｍｌとからの溶液に、ジアミノジフェニ
ルエーテル０．４９ｇ（２．４５　ｍｍｏｌ）およびト
リエチルアミン０．５ｍｌ　とＮ−メチル−２−　ピロ
リドン３０ｍｌとからの溶液を撹拌しながら室温で添加
した。そののち、５０℃で２．５　時間撹拌を続けたの
ち、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾別して、撹拌
しながら濾液を水に投入しポリマーを析出させた。 析出したポリマーを濾別したのち、水、エタノールの順
序で洗浄し、乾燥して目的のポリアミドを２．０ｇ（収
率５９％）えた。

【００９７】えられたポリアミドを　１Ｈ　ＮＭＲ　ス
ペクトル分析、ＩＲスペクトル分析、ＧＰＣ　測定、Ｔ
Ｇ−ＤＴＡ分析により同定した。

【００９８】　１Ｈ　ＮＭＲ　スペクトル分析結果δ０
．７５〜２．０（５．４Ｈ）　、δ４．００（６Ｈ）、
δ６．５　〜８．０（１８Ｈ）　１Ｈ　ＮＭＲ　スペク
トル分析の結果のチャートを図１に示す。

【００９９】ＩＲスペクトル分析結果 アミドに由来する吸収：３２５０ｃｍ−１、１６５５ｃ
ｍ−１、１５５０ｃｍ−１、１４００ｃｍ−１ 長鎖アルキルに由来する吸収：２９１０ｃｍ−１エステ
ルに由来する吸収：１２５０ｃｍ−１エーテルに由来す
る吸収：１１００ｃｍ−１ＩＲスペクトル分析の結果の
チャートを図２に示す。

【０１００】ＧＰＣ　測定結果 ポリスチレン換算で数平均分子量（Ｍｎ　）１１０００
ＴＧ−ＤＴＡ分析結果 結果を図３に示す。図３に示すようにＴＧ曲線において
重量減少が１５０℃付近から３６８　℃付近まで急激に
進行し、３６８　℃付近から５６７　℃付近まで落ち着
き、さらに５６７　℃付近から減少が始まっている。５
６７　℃までの７１％の重量減少はポリアミドから側鎖
の液晶基が離脱したばあいの重量減少が７２％であるの
とよく一致している。また、１５０　℃以上の温度では
ポリアミドは離脱反応によりポリイミドに変換してしま
い、もとのポリアミドに戻らないという下記の結果とも
よく一致している。

【０１０１】えられたポリアミドの液晶としての特性を
しらべるために転移温度の測定および液晶相の確認をそ
れぞれＤＳＣ　および偏向顕微鏡により行なった。また
、電界応答速度を測定した。

【０１０２】相転移温度の測定結果

【０１０３】

【数２】

【０１０４】ｇｌａｓｓ　：ガラス状態ＳｍＡ：スメク
チックＡ相液晶状態 ＳｍＣ＊　：カイラルスメクチックＣ相液晶状態電界応
答速度の測定結果 ２０×１０ｍｍのＩＴＯ　付きガラス基板の間にポリア
ミドを挟みスペーサーで厚さを１０μｍに調整し、５×
１０６　Ｖ／ｍの電場をかけ、その際の透過光量の変化
（０→９０％）の応答時間を測定した。

【０１０５】１３０　℃で２５０　％に１ｃｍ／秒の速
度で一軸延伸配向させたフィルムに交流電界２×１０６
　Ｖ／ｍを印加し、透過光量の変化を測定したところ、
コントラスト比２０：１および７０℃での応答時間３ｍ
ｓ　をえた。

【０１０６】

【発明の効果】本発明の高分子液晶は、広い温度領域で
カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊　）を示し、また
強誘電性を安定して示し、電場に対する高速応答性を有
するなど優れた液晶特性を有している。しかも種々の製
膜法によって数十μｍ以下の薄く、平面性が良好で、か
つ安定なフィルムを容易にうることができ、また、高倍
率延伸が容易であり、その結果、ポリマー中の液晶基の
配向性の向上、さらにはコントラスト比などの液晶特性
を著しく向上させることができるなど、実用上有利な高
分子液晶である。したがって、本発明の高分子液晶は動
画表示にも大画面や屈曲画面の表示素子としても有利に
使用することができ、オプトエレクトロニクス分野にお
ける種々の電気光学デバイスとして有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１でえられたポリアミド（高分子液晶）
の　１Ｈ　ＮＭＲ　スペクトル分析結果を表わすチャー
トである。

【図２】実施例１でえられたポリアミドのＩＲスペクト
ル分析結果を表わすチャートである。

【図３】実施例１でえられたポリアミドのＴＧ−ＤＴＡ
測定結果を表わすチャートである。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　一般式（Ｉ）　： 【化１】 （式中、Ａは少なくとも２個の炭素原子を含む４価の基
   、Ｂは少なくとも２個の炭素原子を含む２価の基、ｋは
   １〜３０の整数で、２つのｋは同じである必要はない、
   Ｒ１　、Ｒ２　は、 【化２】 （ただし、Ｑは　−ＣＯＯ−　または　−ＯＣＯ−　、
   Ｒ３　は　−ＣＯＯＲ４　、−ＯＣＯＲ４　、　−ＯＲ
   ４　または　−Ｒ４　（Ｒ４　は一般式（ＩＩ）： 【化３】 （式中、ｍ、ｎは０〜９の整数、ｑは０または１、Ｒ５
   　、Ｒ６　は　−ＣＨ３　、　−Ｆ、　−Ｃｌまたは　
   −ＣＮ、ただし、Ｒ６　が　−ＣＨ３　のばあいにはｎ
   は０ではない、【化４】 は不整炭素原子を表わす））で表わされる基を表わす）
   である）で表わされる繰り返し単位を有し、光学的に活
   性な強誘電性高分子液晶。
2. 【請求項２】　　一般式（ＩＩＩ）　：【化５】 （式中、Ａは前記と同じ）で表わされるテトラカルボン
   酸二無水物と、一般式（ＩＶ）： Ｒ１　Ｏ−（ＣＨ２　）ｋ　−ＯＨ　　　　　　　　　
   　　　（ＩＶ）（式中、Ｒ１　、ｋは前記と同じ）およ
   び一般式（Ｖ）　：Ｒ２　Ｏ−（ＣＨ２　）ｋ　−ＯＨ
   　　　　　　　　　　　　（Ｖ）（式中、Ｒ２　および
   ｋは前記と同じ）で表わされる水酸基末端化合物とを反
   応させて一般式（ＶＩ）：【化６】 （式中、Ａ、Ｒ１　、Ｒ２　およびｋは前記と同じ）で
   表わされるジカルボン酸をえたのち、ハロゲン化剤で処
   理してえられる一般式（ＶＩＩ）　： 【化７】 （式中、Ａ、Ｒ１　、Ｒ２　およびｋは前記と同じ）で
   表わされるジカルボン酸クロリドを一般式（ＶＩＩＩ）
   ：Ｈ２　Ｎ−Ｂ−ＮＨ２　　　　　　　　　　　　　　
   　　　（ＶＩＩＩ）（式中、Ｂは前記と同じ）で表わさ
   れるジアミンと重縮合させることを特徴とする請求項１
   記載の光学的に活性な強誘電性高分子液晶の製法。