JPH04310642A - マスタリング方法、スタンパおよび光記録媒体 - Google Patents
マスタリング方法、スタンパおよび光記録媒体Info
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- JPH04310642A JPH04310642A JP7640291A JP7640291A JPH04310642A JP H04310642 A JPH04310642 A JP H04310642A JP 7640291 A JP7640291 A JP 7640291A JP 7640291 A JP7640291 A JP 7640291A JP H04310642 A JPH04310642 A JP H04310642A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体のトラック
案内溝、あるいはプリフォーマット信号を記録するピッ
トをより高密度に形成する製造方法に関する。
案内溝、あるいはプリフォーマット信号を記録するピッ
トをより高密度に形成する製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体は、半導体レーザーを光源と
し、７８０ナノメートルから８３０ナノメートルの波長
を持った光を、レンズによって１マイクロメートルから
２マイクロメートルのスポットに絞り込んで情報を再生
、あるいは記録、あるいは消去される。この光記録媒体
上には、記録再生用のレーザースポットを情報の存在す
るトラックに案内するためのトラック案内溝、あるいは
、あらかじめ情報を記録したピットが形成されている。
し、７８０ナノメートルから８３０ナノメートルの波長
を持った光を、レンズによって１マイクロメートルから
２マイクロメートルのスポットに絞り込んで情報を再生
、あるいは記録、あるいは消去される。この光記録媒体
上には、記録再生用のレーザースポットを情報の存在す
るトラックに案内するためのトラック案内溝、あるいは
、あらかじめ情報を記録したピットが形成されている。
【０００３】光記録媒体は、マスタリングと呼ばれる工
程で基板を製造するための金型（スタンパ）を作り、そ
のスタンパと射出成型方によってプラスチック基板を製
造し、さらに基板に記録膜、反射膜などを成膜し製造さ
れる。この中で、本発明にかかわるマスタリング工程は
、ガラス原板にフォトレジストを塗布し、レーザーカッ
ティングマシンと呼ばれる装置で、フォトレジストを露
光し、露光部を現像し、光記録媒体のトラック案内溝、
あるいはプリフォーマット信号ピットを形成し、これを
電鋳を用いて金属板に転写することによって、スタンパ
を製造する方法がとられる。
程で基板を製造するための金型（スタンパ）を作り、そ
のスタンパと射出成型方によってプラスチック基板を製
造し、さらに基板に記録膜、反射膜などを成膜し製造さ
れる。この中で、本発明にかかわるマスタリング工程は
、ガラス原板にフォトレジストを塗布し、レーザーカッ
ティングマシンと呼ばれる装置で、フォトレジストを露
光し、露光部を現像し、光記録媒体のトラック案内溝、
あるいはプリフォーマット信号ピットを形成し、これを
電鋳を用いて金属板に転写することによって、スタンパ
を製造する方法がとられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在のマスタリング工
程に用いられている方法では、作製されるスタンパ上の
溝、あるいはピットの幅は、レーザーカッティングマシ
ーンのレーザービームの径に大きく依存している。しか
しながら、光記録媒体を再生、あるいは、記録するレー
ザービームの波長が短くなり、より高密度な光記録媒体
が必要になった場合、現状のマスタリング工程では、対
応できないという課題を有する。
程に用いられている方法では、作製されるスタンパ上の
溝、あるいはピットの幅は、レーザーカッティングマシ
ーンのレーザービームの径に大きく依存している。しか
しながら、光記録媒体を再生、あるいは、記録するレー
ザービームの波長が短くなり、より高密度な光記録媒体
が必要になった場合、現状のマスタリング工程では、対
応できないという課題を有する。
【０００５】そこで、本発明は、上記従来技術の欠点を
改善するもので、より微細な溝、あるいはピットを形成
する光記録媒体の製造方法を提供することを目的とする
。
改善するもので、より微細な溝、あるいはピットを形成
する光記録媒体の製造方法を提供することを目的とする
。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス原板に
金属、あるいは半導体、あるいは酸化物、あるいは窒化
物の無機質膜を成膜し、前記金属膜上にフォトレジスト
を塗布し、前記フォトレジストをレーザービームによっ
て露光し、前記レーザービームによって露光された前記
フォトレジストを現像処理して、露光部分を除去し、さ
らに前記フォトレジストの露光部分の除去によって露出
した無機質膜をエッチングし、次に前記フォトレジスト
を除去して、無機質膜に溝、あるいはピットを形成し、
前記溝、あるいはピットを電鋳により、金属板に転写し
、さらに前記金属板を型として、プラスチックに前記溝
、あるいはピットを転写することを特徴とする。また、
上記の製造方法において、前記フォトレジストを露光す
るレーザービームをレーザービームの中央の強度が最も
高く、レーザービームの周辺ほど強度の低くなる分布を
持った光とし、前記フォトレジストの露光幅が、前記フ
ォトレジストの前記レーザービーム入射面側が広く、前
記無機質膜に接する面側が狭くなるように露光したこと
を特徴とする。また、シリコンウェハー上にフォトレジ
ストを塗布し、前記フォトレジストをレーザービームに
よって露光し、前記レーザービームによって露光された
前記フォトレジストを現像処理して、露光部分を除去し
、さらに前記フォトレジストの露光部分の除去によって
露出した前記シリコンウェハーをエッチングし、次に前
記フォトレジストを除去して、前記シリコンウェハーに
溝、あるいはピットを形成し、前記溝、あるいはピット
を電鋳により、金属板に転写し、さらに前記金属板を型
として、プラスチックに前記溝、あるいはピットを転写
することを特徴とする。
金属、あるいは半導体、あるいは酸化物、あるいは窒化
物の無機質膜を成膜し、前記金属膜上にフォトレジスト
を塗布し、前記フォトレジストをレーザービームによっ
て露光し、前記レーザービームによって露光された前記
フォトレジストを現像処理して、露光部分を除去し、さ
らに前記フォトレジストの露光部分の除去によって露出
した無機質膜をエッチングし、次に前記フォトレジスト
を除去して、無機質膜に溝、あるいはピットを形成し、
前記溝、あるいはピットを電鋳により、金属板に転写し
、さらに前記金属板を型として、プラスチックに前記溝
、あるいはピットを転写することを特徴とする。また、
上記の製造方法において、前記フォトレジストを露光す
るレーザービームをレーザービームの中央の強度が最も
高く、レーザービームの周辺ほど強度の低くなる分布を
持った光とし、前記フォトレジストの露光幅が、前記フ
ォトレジストの前記レーザービーム入射面側が広く、前
記無機質膜に接する面側が狭くなるように露光したこと
を特徴とする。また、シリコンウェハー上にフォトレジ
ストを塗布し、前記フォトレジストをレーザービームに
よって露光し、前記レーザービームによって露光された
前記フォトレジストを現像処理して、露光部分を除去し
、さらに前記フォトレジストの露光部分の除去によって
露出した前記シリコンウェハーをエッチングし、次に前
記フォトレジストを除去して、前記シリコンウェハーに
溝、あるいはピットを形成し、前記溝、あるいはピット
を電鋳により、金属板に転写し、さらに前記金属板を型
として、プラスチックに前記溝、あるいはピットを転写
することを特徴とする。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明による光記録媒体の製造方法
を示す工程図で、工程は（ａ）から（ｈ）の順に行なわ
れる。１はガラス原板であり、まず（ ｂ）の工程で
ガラス原板上に所定厚みの金属、あるいはシリコン、あ
るいは酸化シリコン、あるいは窒化シリコンなどの無機
質膜が製膜される。次に（ｃ）の工程で原板上にフォト
レジストが塗布される。（ｄ）の工程では、レーザーカ
ッティングマシンを用いてフォトレジストの露光をおこ
ないこの露光部を現像し、取り除く。（ｅ）の工程では
、フォトレジストの下の無機質膜をエッチングによって
取り除くが、エッチングされる部分は、フォトレジスト
を露光した場所に限られる。（ｆ）の工程では、無機質
膜のマスクの役割をしたフォトレジストを取り除き、（
ｇ）で無機質膜の上に他の金属を電鋳し、この電鋳した
金属を剥がすことによってスタンパを作る。（ｈ）図２
は、本発明による光記録媒体の製造方法を示す工程図で
、工程は（ａ）から（ｈ）の順に行なわれる。８はシリ
コンウェハーであり、まず、（ｂ）の工程でシリコンウ
ェハー上にフォトレジストが塗布される。（ｃ）の工程
では、レーザーカッティングマシンを用いてフォトレジ
ストの露光をおこないこの露光部を現像し、取り除く。 （ｄ）の工程では、フォトレジストの下のシリコンをエ
ッチングによって加工するが、エッチングされる部分は
、フォトレジストを露光した場所に限られる。また、所
望の溝、あるいはピット深さに達するところでエッチン
グを止める。（ｅ）の工程では、マスクの役割をしたフ
ォトレジストを取り除き、（ｆ）でシリコンウェハー上
に他の金属を電鋳し、この電鋳した金属を剥がすことに
よってスタンパを作る（ｇ）。シリコンウェハーを用い
た工程は、ガラス原板を用いた工程に比較して簡単にす
ることが可能である。
を示す工程図で、工程は（ａ）から（ｈ）の順に行なわ
れる。１はガラス原板であり、まず（ ｂ）の工程で
ガラス原板上に所定厚みの金属、あるいはシリコン、あ
るいは酸化シリコン、あるいは窒化シリコンなどの無機
質膜が製膜される。次に（ｃ）の工程で原板上にフォト
レジストが塗布される。（ｄ）の工程では、レーザーカ
ッティングマシンを用いてフォトレジストの露光をおこ
ないこの露光部を現像し、取り除く。（ｅ）の工程では
、フォトレジストの下の無機質膜をエッチングによって
取り除くが、エッチングされる部分は、フォトレジスト
を露光した場所に限られる。（ｆ）の工程では、無機質
膜のマスクの役割をしたフォトレジストを取り除き、（
ｇ）で無機質膜の上に他の金属を電鋳し、この電鋳した
金属を剥がすことによってスタンパを作る。（ｈ）図２
は、本発明による光記録媒体の製造方法を示す工程図で
、工程は（ａ）から（ｈ）の順に行なわれる。８はシリ
コンウェハーであり、まず、（ｂ）の工程でシリコンウ
ェハー上にフォトレジストが塗布される。（ｃ）の工程
では、レーザーカッティングマシンを用いてフォトレジ
ストの露光をおこないこの露光部を現像し、取り除く。 （ｄ）の工程では、フォトレジストの下のシリコンをエ
ッチングによって加工するが、エッチングされる部分は
、フォトレジストを露光した場所に限られる。また、所
望の溝、あるいはピット深さに達するところでエッチン
グを止める。（ｅ）の工程では、マスクの役割をしたフ
ォトレジストを取り除き、（ｆ）でシリコンウェハー上
に他の金属を電鋳し、この電鋳した金属を剥がすことに
よってスタンパを作る（ｇ）。シリコンウェハーを用い
た工程は、ガラス原板を用いた工程に比較して簡単にす
ることが可能である。
【０００８】レーザーカッティングをおこなう場合、フ
ォトレジスト上に焦点を結ぶレーザービームの強度分布
が、慨略図３に示す様な形状になるようにした場合、こ
のビームによって露光されるフォトレジストの断面は、
図４に示すような範囲になる。したがって、図３に示す
ように光の強度が中央部で最も高く、周辺部で除々に小
さくなるようなビーム形状とした場合には、フォトレジ
ストの露光部分を、ビーム入射側で広く、その反対側で
小さくなるようにすることができる。図４に示すように
露光部分を現像処理によって取り除いた後、３のフォト
レジストをマスクとして２の無機質膜をエッチングする
と、無機質膜にレーザー露光をおこなったパターンにし
たがった凹凸を形成することができるが、このパターン
の幅は露光をおこなったレーザービーム幅より小さくな
っている。
ォトレジスト上に焦点を結ぶレーザービームの強度分布
が、慨略図３に示す様な形状になるようにした場合、こ
のビームによって露光されるフォトレジストの断面は、
図４に示すような範囲になる。したがって、図３に示す
ように光の強度が中央部で最も高く、周辺部で除々に小
さくなるようなビーム形状とした場合には、フォトレジ
ストの露光部分を、ビーム入射側で広く、その反対側で
小さくなるようにすることができる。図４に示すように
露光部分を現像処理によって取り除いた後、３のフォト
レジストをマスクとして２の無機質膜をエッチングする
と、無機質膜にレーザー露光をおこなったパターンにし
たがった凹凸を形成することができるが、このパターン
の幅は露光をおこなったレーザービーム幅より小さくな
っている。
【０００９】このことを利用することによって、レーザ
ーカティングマシンのレーザービーム幅より微細なパタ
ーンを持ったスタンパを自由に形成することが可能とな
る。また、パターンとパターンの間隔も、レーザービー
ム幅以下にすることが可能になる。図５はその例を示す
もので、３のフォトレジストの露光部は、レーザービー
ムの入射側で重なっているが、無機質膜側では露光部が
分離しているので、無機質膜のエッチング部図５の５は
、完全に分離して形成できる。無機質膜は図５では完全
にガラス原板までエッチングが行なわれているが、途中
でエッチングを止めてもい。その場合はシリコンウェハ
ーを用いた場合と同様になる。 実施例１：厚さ１０ミリメートル、直径２００ミリメー
トルのガラス原板に、シリコン薄膜をスパッタ法により
４５ナノメートル成膜した。このシリコン薄膜の上にフ
ォトレジストを１２０ナノメートルの厚みでスピンコー
ト法で塗布し、ベーキングして固定した。シリコン薄膜
とフォトレジスト層を形成したガラス原板をレーザーカ
ッティングマシンにのせ、４４２ナノメートルの波長を
持ったレーザービームを開口数０．９の対物レンズで絞
り、フォトレジスト上に集光し１．２マイクロメートル
ピッチで螺旋状に露光をおこなった。次に、このフォト
レジストの露光部分を現像して除去した後、リアクティ
ブイオンエッチングによってシリコン薄膜をエッチング
し、フォトレジストを除去した。全体に均一な導電性を
持たせるため、ニッケルをスパッタリングによって１０
ナノメートル成膜し、これを電極としニッケルを３００
マイクロメートル電鋳し、これをガラス原板から剥離し
スタンパを得た。得られたスタンパの表面形状を測定し
たところ、溝の幅は、２００ナノメートルであった。図
６に具体的な溝形状を示す。溝の深さは、シリコン膜の
膜厚に相当し、４５ナノメートルである。 実施例２：直径８インチのシリコンウェハーに、フォト
レジストを１００ナノメートルの厚みでスピンコート法
で塗布し、ベーキングして固定した。フォトレジスト層
を形成したシリコンウェハーをレーザーカッティングマ
シンにのせ、４４２ナノメートルの波長を持ったレーザ
ービームを開口数０．９の対物レンズで絞り、フォトレ
ジスト上に集光し０．８マイクロメートルピッチで、レ
ーザーを周期的に点滅して螺旋状に露光をおこなった。 レーザーの点滅周期は、回転するシリコンウェハー上で
０．５マイクロメートルピッチとなるようにした。次に
、このフォトレジストの露光部分を現像処理した。この
ときの現像パターンの一部を第６図に示す。次にリアク
ティブイオンエッチングによってシリコンウェハーをエ
ッチングし、フォトレジストを除去した。全体に良好な
導電性を持たせるため、ニッケルをスパッタリングによ
って１０ナノメートル成膜し、これを電極としニッケル
を３００マイクロメートル電鋳し、これを剥離しスタン
パを得た。得られたスタンパの表面形状を測定したとこ
ろ、ピットは直径２００ナノメートルの円形であった。 この場合、ピット深さは、エッチング時間によって自由
に変えることができる。また、シリコンウェハーは軽量
であり表面性もよく、反りもないため非常に扱いが容易
である。また、ガラス原板上のシリコン膜と異なり、結
晶方位がそろっているため、エッチングが均一に行なえ
るという利点も有する。 実施例３：厚さ１０ミリメートル、直径２００ミリメー
トルのガラス原板に、シリコン薄膜をスパッタ法により
４５ナノメートル成膜した。このシリコン薄膜の上にフ
ォトレジストを１２０ナノメートルの厚みでスピンコー
ト法で塗布し、ベーキングして固定した。シリコン薄膜
とフォトレジスト層を形成したガラス原板をレーザーカ
ッティングマシンにのせ、４４２ナノメートルの波長を
持ったレーザービームを開口数０．９の対物レンズで絞
り、フォトレジスト上に集光した。ただし、同一平面で
焦点を結びかつ、０．５マイクロメートル離れた２つの
ビームを用いた。この２つのカッティング用ビームを一
方を連続で照射しながら、他方を周期的に点滅させ溝と
ピットの両方を同時に形成した。カッティングは１．０
マイクロメートルピッチで露光をおこなった。次に、こ
のフォトレジストの露光部分を現像処理した。このとき
現像のパターンの一部を第７図に示す。次にリアクティ
ブイオンエッチングによってシリコン薄膜をエッチング
し、フォトレジストを除去した。全体に均一な導電性を
持たせるため、ニッケルをスパッタリングによって１０
ナノメートル成膜し、これを電極としニッケルを３００
マイクロメートル電鋳し、これをガラス原板から剥離し
スタンパを得た。得られたスタンパの表面形状を測定し
たところ、ピットは直径２００ナノメートルの円形であ
った。 実施例４：ガラス原板上に成膜する膜として、酸化シリ
コン膜を用いた。実施例１と同様の実験を行なったとこ
ろ、ほぼ同じ結果が得られた。また、上記も膜を、窒化
シリコン膜、アルミニウム膜とした場合も同様であった
。 実施例５：厚さ１０ミリメートル、直径２００ミリメー
トルのガラス原板に、シリコン薄膜をスパッタ法により
６０ナノメートル成膜した。このシリコン薄膜の上にフ
ォトレジストを１００ナノメートルの厚みでスピンコー
ト法で塗布し、ベーキングして固定した。シリコン薄膜
とフォトレジスト層を形成したガラス原板をレーザーカ
ッティングマシンにのせ、４４２ナノメートルの波長を
持ったレーザービームを開口数０．９の対物レンズで絞
り、フォトレジスト上に集光し１．６マイクロメートル
ピッチで螺旋状に露光をおこなった。次に、このフォト
レジストの露光部分を現像して除去した後、プラズマエ
ッチングによってシリコン薄膜をエッチングし、フォト
レジストを除去した。全体に均一な導電性を持たせるた
め、ニッケルをスパッタリングによって１０ナノメート
ル成膜し、これを電極としニッケルを３００マイクロメ
ートル電鋳し、これをガラス原板から剥離しスタンパを
得た。得られたスタンパの表面形状を測定したところ、
溝の幅は、４００ナノメートルであった。この幅は、従
来のフォトレジストのみで形成される溝幅とほぼ同じで
ある。このスタンパからポリカーボネート製の基板を射
出成形法によって作製し、この基板を用いて光磁気記録
ディスクを作り、従来の同一溝ピッチの基板と記録され
た信号の狭帯域Ｓ／Ｎ比（Ｃ／Ｎ比）を測定したところ
、雑音レベルが２ｄＢ改善されていることが分かった。
ーカティングマシンのレーザービーム幅より微細なパタ
ーンを持ったスタンパを自由に形成することが可能とな
る。また、パターンとパターンの間隔も、レーザービー
ム幅以下にすることが可能になる。図５はその例を示す
もので、３のフォトレジストの露光部は、レーザービー
ムの入射側で重なっているが、無機質膜側では露光部が
分離しているので、無機質膜のエッチング部図５の５は
、完全に分離して形成できる。無機質膜は図５では完全
にガラス原板までエッチングが行なわれているが、途中
でエッチングを止めてもい。その場合はシリコンウェハ
ーを用いた場合と同様になる。 実施例１：厚さ１０ミリメートル、直径２００ミリメー
トルのガラス原板に、シリコン薄膜をスパッタ法により
４５ナノメートル成膜した。このシリコン薄膜の上にフ
ォトレジストを１２０ナノメートルの厚みでスピンコー
ト法で塗布し、ベーキングして固定した。シリコン薄膜
とフォトレジスト層を形成したガラス原板をレーザーカ
ッティングマシンにのせ、４４２ナノメートルの波長を
持ったレーザービームを開口数０．９の対物レンズで絞
り、フォトレジスト上に集光し１．２マイクロメートル
ピッチで螺旋状に露光をおこなった。次に、このフォト
レジストの露光部分を現像して除去した後、リアクティ
ブイオンエッチングによってシリコン薄膜をエッチング
し、フォトレジストを除去した。全体に均一な導電性を
持たせるため、ニッケルをスパッタリングによって１０
ナノメートル成膜し、これを電極としニッケルを３００
マイクロメートル電鋳し、これをガラス原板から剥離し
スタンパを得た。得られたスタンパの表面形状を測定し
たところ、溝の幅は、２００ナノメートルであった。図
６に具体的な溝形状を示す。溝の深さは、シリコン膜の
膜厚に相当し、４５ナノメートルである。 実施例２：直径８インチのシリコンウェハーに、フォト
レジストを１００ナノメートルの厚みでスピンコート法
で塗布し、ベーキングして固定した。フォトレジスト層
を形成したシリコンウェハーをレーザーカッティングマ
シンにのせ、４４２ナノメートルの波長を持ったレーザ
ービームを開口数０．９の対物レンズで絞り、フォトレ
ジスト上に集光し０．８マイクロメートルピッチで、レ
ーザーを周期的に点滅して螺旋状に露光をおこなった。 レーザーの点滅周期は、回転するシリコンウェハー上で
０．５マイクロメートルピッチとなるようにした。次に
、このフォトレジストの露光部分を現像処理した。この
ときの現像パターンの一部を第６図に示す。次にリアク
ティブイオンエッチングによってシリコンウェハーをエ
ッチングし、フォトレジストを除去した。全体に良好な
導電性を持たせるため、ニッケルをスパッタリングによ
って１０ナノメートル成膜し、これを電極としニッケル
を３００マイクロメートル電鋳し、これを剥離しスタン
パを得た。得られたスタンパの表面形状を測定したとこ
ろ、ピットは直径２００ナノメートルの円形であった。 この場合、ピット深さは、エッチング時間によって自由
に変えることができる。また、シリコンウェハーは軽量
であり表面性もよく、反りもないため非常に扱いが容易
である。また、ガラス原板上のシリコン膜と異なり、結
晶方位がそろっているため、エッチングが均一に行なえ
るという利点も有する。 実施例３：厚さ１０ミリメートル、直径２００ミリメー
トルのガラス原板に、シリコン薄膜をスパッタ法により
４５ナノメートル成膜した。このシリコン薄膜の上にフ
ォトレジストを１２０ナノメートルの厚みでスピンコー
ト法で塗布し、ベーキングして固定した。シリコン薄膜
とフォトレジスト層を形成したガラス原板をレーザーカ
ッティングマシンにのせ、４４２ナノメートルの波長を
持ったレーザービームを開口数０．９の対物レンズで絞
り、フォトレジスト上に集光した。ただし、同一平面で
焦点を結びかつ、０．５マイクロメートル離れた２つの
ビームを用いた。この２つのカッティング用ビームを一
方を連続で照射しながら、他方を周期的に点滅させ溝と
ピットの両方を同時に形成した。カッティングは１．０
マイクロメートルピッチで露光をおこなった。次に、こ
のフォトレジストの露光部分を現像処理した。このとき
現像のパターンの一部を第７図に示す。次にリアクティ
ブイオンエッチングによってシリコン薄膜をエッチング
し、フォトレジストを除去した。全体に均一な導電性を
持たせるため、ニッケルをスパッタリングによって１０
ナノメートル成膜し、これを電極としニッケルを３００
マイクロメートル電鋳し、これをガラス原板から剥離し
スタンパを得た。得られたスタンパの表面形状を測定し
たところ、ピットは直径２００ナノメートルの円形であ
った。 実施例４：ガラス原板上に成膜する膜として、酸化シリ
コン膜を用いた。実施例１と同様の実験を行なったとこ
ろ、ほぼ同じ結果が得られた。また、上記も膜を、窒化
シリコン膜、アルミニウム膜とした場合も同様であった
。 実施例５：厚さ１０ミリメートル、直径２００ミリメー
トルのガラス原板に、シリコン薄膜をスパッタ法により
６０ナノメートル成膜した。このシリコン薄膜の上にフ
ォトレジストを１００ナノメートルの厚みでスピンコー
ト法で塗布し、ベーキングして固定した。シリコン薄膜
とフォトレジスト層を形成したガラス原板をレーザーカ
ッティングマシンにのせ、４４２ナノメートルの波長を
持ったレーザービームを開口数０．９の対物レンズで絞
り、フォトレジスト上に集光し１．６マイクロメートル
ピッチで螺旋状に露光をおこなった。次に、このフォト
レジストの露光部分を現像して除去した後、プラズマエ
ッチングによってシリコン薄膜をエッチングし、フォト
レジストを除去した。全体に均一な導電性を持たせるた
め、ニッケルをスパッタリングによって１０ナノメート
ル成膜し、これを電極としニッケルを３００マイクロメ
ートル電鋳し、これをガラス原板から剥離しスタンパを
得た。得られたスタンパの表面形状を測定したところ、
溝の幅は、４００ナノメートルであった。この幅は、従
来のフォトレジストのみで形成される溝幅とほぼ同じで
ある。このスタンパからポリカーボネート製の基板を射
出成形法によって作製し、この基板を用いて光磁気記録
ディスクを作り、従来の同一溝ピッチの基板と記録され
た信号の狭帯域Ｓ／Ｎ比（Ｃ／Ｎ比）を測定したところ
、雑音レベルが２ｄＢ改善されていることが分かった。
【００１０】本実施例では、実施例５を除きリアクティ
ブイオンエッチングを用いたが、本発明の目的にしたが
って、エッチング幅が大きくならない方法であれば、他
のドライエッチング法を用いても何ら差しつかえない。
ブイオンエッチングを用いたが、本発明の目的にしたが
って、エッチング幅が大きくならない方法であれば、他
のドライエッチング法を用いても何ら差しつかえない。
【００１１】
【発明の効果】実施例に示したように、本発明を用いる
ことによって、現状のマスタリング方法では得ることの
できない、微細なパターンを持ったスタンパを製造する
ことが可能となる。作製される溝、ピットの幅や長さは
、カッティングのレーザービーム幅でなく、フォトレジ
ストの厚み、レーザービーム強度などにより制御可能で
ある。また、本発明を用いた場合、従来のフォトレジス
トだけを用いた場合に比較して、溝、ピットの淵の部分
が滑らかであり、得られたスタンパを用いて製作した光
記録媒体のＳ／Ｎ比が改善されるという効果も持ってい
る。したがって、高密度なパターンを必要としない従来
の用途であっても、効果があることが分かる。
ことによって、現状のマスタリング方法では得ることの
できない、微細なパターンを持ったスタンパを製造する
ことが可能となる。作製される溝、ピットの幅や長さは
、カッティングのレーザービーム幅でなく、フォトレジ
ストの厚み、レーザービーム強度などにより制御可能で
ある。また、本発明を用いた場合、従来のフォトレジス
トだけを用いた場合に比較して、溝、ピットの淵の部分
が滑らかであり、得られたスタンパを用いて製作した光
記録媒体のＳ／Ｎ比が改善されるという効果も持ってい
る。したがって、高密度なパターンを必要としない従来
の用途であっても、効果があることが分かる。
【図１】本発明の光記録媒体の製造方法の工程を示す概
略図である。
略図である。
【図２】本発明の光記録媒体の製造方法の工程を示す概
略図である。
略図である。
【図３】レーザーカッティングマシンにおけるレーザー
ビームのビーム強度分布を示す説明図である。
ビームのビーム強度分布を示す説明図である。
【図４】フォトレジストの露光領域を示す断面図である
、。
、。
【図５】フォトレジストの露光領域とエッチング領域の
関係を示す断面図である。
関係を示す断面図である。
【図６】本発明の製造方法によって作成されたスタンパ
の表面形状を示す断面図である。
の表面形状を示す断面図である。
【図７】フォトレジストの露光領域を示す平面図である
。
。
【図８】フォトレジストの露光領域を示す平面図である
。
。
【符号の説明】
１ ガラス原板
２ 無機質膜
３ フォトレジスト
４ 露光部
５ エッチング
６ 電鋳
７ スタンパ
８ シリコンウェハー
９ 現像部
１０ 非露光部
１１ 無機質膜の露出部
Claims (4)
- 【請求項１】ガラス原板に金属、あるいは半導体、ある
いは酸化物、あるいは窒化物の無機質膜を成膜し、前記
無機質膜上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジ
ストをレーザービームによって露光し、前記レーザービ
ームによって露光された前記フォトレジストを現像処理
して、露光部分を除去し、さらに前記フォトレジストの
露光部分の除去によって露出した前記無機質膜をエッチ
ングし、次に前記フォトレジストを除去して、前記無機
質膜に溝、あるいはピットを形成し、前記溝、あるいは
ピットを電鋳により、金属板に転写し、さらに前記金属
板を型として、プラスチックに前記溝、あるいはピット
を転写することを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】請求項１の製造方法において、前記フォト
レジストを露光するレーザービームを、レーザービーム
の中央の強度が最も高く、レーザービームの周辺ほど強
度の低くなる分布を持った光とし、前記フォトレジスト
の露光幅が、前記フォトレジストの前記レーザービーム
入射面側が広く、前記無機質膜に接する面側が狭くなる
ように露光したことを特徴とする光記録媒体の製造方法
。 - 【請求項３】シリコンウェハー上にフォトレジストを塗
布し、前記フォトレジストをレーザービームによって露
光し、前記レーザービームによって露光された前記フォ
トレジストを現像処理して、露光部分を除去し、さらに
前記フォトレジストの露光部分の除去によって露出した
前記シリコンウェハーをエッチングし、次に前記フォト
レジストを除去して、前記シリコンウェハーに溝、ある
いはピットを形成し、前記溝、あるいはピットを電鋳に
より、金属板に転写し、さらに前記金属板を型として、
プラスチックに前記溝、あるいはピットを転写すること
を特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】請求項３の製造方法において、前記フォト
レジストを露光するレーザービームをレーザービームの
中央の強度が最も高く、レーザービームの周辺ほど強度
の低くなる分布を持った光とし、前記フォトレジストの
露光幅が、前記フォトレジストの前記レーザービーム入
射面側が広く、前記シリコンウェハーに接する面側が狭
くなるように露光したことを特徴とする光記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07640291A JP3186078B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | マスタリング方法、スタンパおよび光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07640291A JP3186078B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | マスタリング方法、スタンパおよび光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04310642A true JPH04310642A (ja) | 1992-11-02 |
| JP3186078B2 JP3186078B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=13604282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07640291A Expired - Lifetime JP3186078B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | マスタリング方法、スタンパおよび光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3186078B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07121913A (ja) * | 1993-10-19 | 1995-05-12 | Nec Corp | 光ディスク製造用スタンパ及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-04-09 JP JP07640291A patent/JP3186078B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07121913A (ja) * | 1993-10-19 | 1995-05-12 | Nec Corp | 光ディスク製造用スタンパ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3186078B2 (ja) | 2001-07-11 |
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