JPH04305948A - プローブ装置 - Google Patents
プローブ装置Info
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- JPH04305948A JPH04305948A JP1255091A JP1255091A JPH04305948A JP H04305948 A JPH04305948 A JP H04305948A JP 1255091 A JP1255091 A JP 1255091A JP 1255091 A JP1255091 A JP 1255091A JP H04305948 A JPH04305948 A JP H04305948A
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- Japan
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- probe
- electrode pad
- crystal
- contact
- probe needle
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- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プローブ装置に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ上に形成されたＩＣチップ
を測定するには、テスタに接続されたタングステン製プ
ロ−ブ針の後端部をプリント基板の導体パターンに半田
付けしてプロービングカードを構成し、図３に示すよう
にプローブ針１の先端を半導体ウエハ２の電極パッド３
に立たせて電気的に接触させることにより各種の電気的
特性を測定するようにしている。
を測定するには、テスタに接続されたタングステン製プ
ロ−ブ針の後端部をプリント基板の導体パターンに半田
付けしてプロービングカードを構成し、図３に示すよう
にプローブ針１の先端を半導体ウエハ２の電極パッド３
に立たせて電気的に接触させることにより各種の電気的
特性を測定するようにしている。
【０００３】しかし、このプローブ針１はプリント基板
上に手作業で固定しているため、その製造が極めて煩雑
で、コストアップとなり、しかも、半導体集積回路の高
密度化、高集積化に伴い、１チップ内に形成される電極
パッド列である１００μｍピッチ程度以下にプローブ針
を並べるのには精度的におのずから限界がある。また、
チップのパッドは、将来的に更に微細化する方向にあり
、それに対応可能なプローブが益々必要となってきてい
る。
上に手作業で固定しているため、その製造が極めて煩雑
で、コストアップとなり、しかも、半導体集積回路の高
密度化、高集積化に伴い、１チップ内に形成される電極
パッド列である１００μｍピッチ程度以下にプローブ針
を並べるのには精度的におのずから限界がある。また、
チップのパッドは、将来的に更に微細化する方向にあり
、それに対応可能なプローブが益々必要となってきてい
る。
【０００４】更に、図４に示すように半導体ウエハ４上
に形成されたＩＣチップの電極パッド５は、半導体集積
回路の高密度化並びに高集積化に伴って、アルミニュウ
ムの電極パッドに変わって金膜層（Ａｕ）のパッド５を
突起状に蒸着する技術が提案されている。
に形成されたＩＣチップの電極パッド５は、半導体集積
回路の高密度化並びに高集積化に伴って、アルミニュウ
ムの電極パッドに変わって金膜層（Ａｕ）のパッド５を
突起状に蒸着する技術が提案されている。
【０００５】このＡｕの電極パッド５に上記したタング
ステン製のプローブ針１が接触すると、プローブ針１の
先端によってやわらかいＡｕのパッド５が削れて孔があ
くおそれがあり、そのため、配線工程のときにこのＡｕ
の電極パッド５が接触不良となる問題がある。
ステン製のプローブ針１が接触すると、プローブ針１の
先端によってやわらかいＡｕのパッド５が削れて孔があ
くおそれがあり、そのため、配線工程のときにこのＡｕ
の電極パッド５が接触不良となる問題がある。
【０００６】このような問題に対応する手段として、図
５に示すように絶縁基板例えば水晶板６の表面にエッチ
ング技術によりプロ−ブ針列である電極パターン７を形
成した水晶プローブ８が提案されている。この水晶プロ
ーブ８は、水晶の異方性エッチング特性（Ｘ：Ｙ：Ｚ＝
６：１：１００）の性質を利用して製造するプローブで
あり、微細ピッチの必要とされる電極を多数同時に形成
できる点で有用なプローブとして注目されている。
５に示すように絶縁基板例えば水晶板６の表面にエッチ
ング技術によりプロ−ブ針列である電極パターン７を形
成した水晶プローブ８が提案されている。この水晶プロ
ーブ８は、水晶の異方性エッチング特性（Ｘ：Ｙ：Ｚ＝
６：１：１００）の性質を利用して製造するプローブで
あり、微細ピッチの必要とされる電極を多数同時に形成
できる点で有用なプローブとして注目されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この水晶プローブ８の
先端をＡｕの電極パッド５の上面に接触させて電気的検
査をする場合、金蒸着した電極パターン７の先端部分が
接触時に剥がれるおそれがあり、そのため、後工程での
配線工程で接続不良等を引き起こすという問題点があっ
た。
先端をＡｕの電極パッド５の上面に接触させて電気的検
査をする場合、金蒸着した電極パターン７の先端部分が
接触時に剥がれるおそれがあり、そのため、後工程での
配線工程で接続不良等を引き起こすという問題点があっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、テスタに接続
されたプロ−ブ針と被検査体の電極パッドを電気的接触
させて検査するプロ−ブ装置において、前記プロ−ブ針
の側面を被検査体の電極パッドのエッジ部分に接触させ
て検査するプローブ装置である。
されたプロ−ブ針と被検査体の電極パッドを電気的接触
させて検査するプロ−ブ装置において、前記プロ−ブ針
の側面を被検査体の電極パッドのエッジ部分に接触させ
て検査するプローブ装置である。
【０００９】
【実施例】次に本発明プロ−ブ装置の一実施例を図面を
参照して説明する。図１は、本発明におけるＩＣの電気
的特性検査に使用するプロービングカードであり、図２
は、水晶プローブと電極パッドの接触状態を示した拡大
断面図である。
参照して説明する。図１は、本発明におけるＩＣの電気
的特性検査に使用するプロービングカードであり、図２
は、水晶プローブと電極パッドの接触状態を示した拡大
断面図である。
【００１０】図１において、カード本体例えばプリント
基板１０に水晶プローブ１１を被検査ＩＣチップの電極
パッドパタ−ンに対応位置決めして固定したプロービン
グカード１２を示したものである。このプロービングカ
ードは、被検査ＩＣチップの多数の電極パッド列と電気
的特性の検査を行なうテスタ（図示しない）との接続を
行なう接続体である。
基板１０に水晶プローブ１１を被検査ＩＣチップの電極
パッドパタ−ンに対応位置決めして固定したプロービン
グカード１２を示したものである。このプロービングカ
ードは、被検査ＩＣチップの多数の電極パッド列と電気
的特性の検査を行なうテスタ（図示しない）との接続を
行なう接続体である。
【００１１】この水晶プローブ１１は、絶縁基板である
水晶板上に、通常の印刷技術例えばエッチング技術によ
り微細化ピッチ状に印刷で配線パターンを印刷する。こ
れは水晶板上に金属膜層をスパッタし、この上に金をス
パッタすることにより形成し、更に、水晶板上にエッチ
ング技術により電極パターンを形成する。この電極パタ
−ンはＩＣの装置技術を利用できるため、高集積化に対
応可能な構成となるのが特徴である。この水晶プローブ
１１の電極パターンは、半導体ウエハ１３における各Ｉ
Ｃチップの電極パッド１４に接触させるためのくし刃状
のプロ−ブ針１５を形成している。
水晶板上に、通常の印刷技術例えばエッチング技術によ
り微細化ピッチ状に印刷で配線パターンを印刷する。こ
れは水晶板上に金属膜層をスパッタし、この上に金をス
パッタすることにより形成し、更に、水晶板上にエッチ
ング技術により電極パターンを形成する。この電極パタ
−ンはＩＣの装置技術を利用できるため、高集積化に対
応可能な構成となるのが特徴である。この水晶プローブ
１１の電極パターンは、半導体ウエハ１３における各Ｉ
Ｃチップの電極パッド１４に接触させるためのくし刃状
のプロ−ブ針１５を形成している。
【００１２】この水晶プローブ１１を、ガラス或はセラ
ミックス等で形成したテーパ状台座１６の所望するテー
パ面１７に固定する。図２に示すように、水晶プローブ
１１におけるプロ−ブ針１５の側面（腹面部分）１８を
被検査体である半導体ウエハ１３におけるＩＣチップの
電極パッド１４のエッジ部分１９に接触させて電気的接
続をとり、テスタにより検査する。
ミックス等で形成したテーパ状台座１６の所望するテー
パ面１７に固定する。図２に示すように、水晶プローブ
１１におけるプロ−ブ針１５の側面（腹面部分）１８を
被検査体である半導体ウエハ１３におけるＩＣチップの
電極パッド１４のエッジ部分１９に接触させて電気的接
続をとり、テスタにより検査する。
【００１３】このように、プロ−ブ針１５の側面１８を
半導体ウエハ１３におけるＩＣチップの電極パッド１４
のエッジ部分１９に接触させて検査すると、パッド１４
の上面が従来のタングステンプロ−ブのように削られる
ことがなく、且つ確実なコンタクトが得られる。
半導体ウエハ１３におけるＩＣチップの電極パッド１４
のエッジ部分１９に接触させて検査すると、パッド１４
の上面が従来のタングステンプロ−ブのように削られる
ことがなく、且つ確実なコンタクトが得られる。
【００１４】上記実施例では水晶プロ−ブの例について
説明したが、ベ−スは水晶に限らず絶縁性を有すればセ
ラミックスでも石英でも何れでもよい。
説明したが、ベ−スは水晶に限らず絶縁性を有すればセ
ラミックスでも石英でも何れでもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明のプローブ装
置は、プローブ針の側面部分を被検査体における電極パ
ッドのエッジ部分に接触させて検査することかできるた
め、パッド上面を削ることなく、従って後工程での配線
工程で配線不良等を引き起こすことがない、信頼性の高
いプローブ装置を提供できる。
置は、プローブ針の側面部分を被検査体における電極パ
ッドのエッジ部分に接触させて検査することかできるた
め、パッド上面を削ることなく、従って後工程での配線
工程で配線不良等を引き起こすことがない、信頼性の高
いプローブ装置を提供できる。
【図１】プロービングカードの断面図である。
【図２】水晶プローブと電極パッドの接触状態を示した
部分拡大図である。
部分拡大図である。
【図３】従来のプローブ針と電極パッドの接触状態を示
した断面図である。
した断面図である。
【図４】従来のプローブ針と電極パッドの接触状態を示
した断面図である。
した断面図である。
【図５】従来の水晶プローブと電極パッドの接触状態を
示した断面図である。
示した断面図である。
１０ プリント基板
１１ 水晶プローブ
１３ 半導体ウエハ
１４ 電極パッド
１５ プロ−ブ針
１８ 側面
１９ エッジ部分
Claims (1)
- 【請求項１】 テスタに接続されたプロ−ブ針と被検
査体の電極パッドを電気的接触させて検査するプローブ
装置において、前記プロ−ブ針の側面を被検査体の電極
パッドのエッジ部分に接触させて検査することを特徴と
するプローブ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1255091A JPH04305948A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | プローブ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1255091A JPH04305948A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | プローブ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04305948A true JPH04305948A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=11808444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1255091A Pending JPH04305948A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | プローブ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04305948A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004198352A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Yamaha Corp | 導通試験方法及びそれに用いるプローブユニット |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP1255091A patent/JPH04305948A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004198352A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Yamaha Corp | 導通試験方法及びそれに用いるプローブユニット |
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