JPH0430326B2 - - Google Patents

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JPH0430326B2
JPH0430326B2 JP8571484A JP8571484A JPH0430326B2 JP H0430326 B2 JPH0430326 B2 JP H0430326B2 JP 8571484 A JP8571484 A JP 8571484A JP 8571484 A JP8571484 A JP 8571484A JP H0430326 B2 JPH0430326 B2 JP H0430326B2
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mold
rubber
silicon carbide
vulcanization
vulcanization molding
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JP8571484A
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ゴムの加硫成形用金型に関する。更
に詳しくは、ハロゲン含有ゴムの加硫成形に用い
られた場合などにも、金型の非汚染性および離型
性にすぐれた加硫成形用金型に関する。
一般に、金型表面はメツキ処理されており、実
用的には工業用クロムメツキ、ニツケルメツキ、
無電解ニツケルメツキの3種が施されており、ゴ
ムの加硫成形用金型には、殆んどの場合工業用ク
ロムメツキが施されている。
工業用クロムメツキは、耐摩耗性、耐食性、耐
熱性、離型性などの点ですぐれているので、ゴム
の加硫成形用金型に用いられているものの、その
表面酸化膜は塩化水素、フツ化水素などに侵され
易いという欠点を有している。そのため、アクリ
ルゴム、クロロプレンゴム、エピクロルヒドリン
ゴムなどのハロゲン含有ゴムの加硫成形に工業用
クロムメツキ金型を用いると、金型の汚染と離型
性の点で満足されず、これらの点は製品の良し悪
しおよび生産性に直接影響する重要な因子である
ので、その点の解決が強く望まれている。
従来一般的に行われているこれらの解決方法
は、金型汚染性の問題の解決については、金型表
面にみられる配合薬品、重合体中の非ゴム分など
の堆積や加硫時の反応生成物の堆積、更には熱分
解によつて生成したハロゲン化水素ガスなどによ
る腐食などに原因するカス付きを一定加硫成形回
数毎にアルカリ洗浄などの手段で除去するという
煩雑な方法であり、また離型性の問題の解決につ
いては、離型剤の使用が行われているが、これに
よつて生産性が低下し、型冷えや不良品の発生な
どがみられていた。
本発明者らは、離型剤などを用いることなく、
金型非汚染性および離型性を高め、しかも耐摩耗
性の点でもすぐれているゴムの加硫成形用金型を
得るべく鋭意検討の結果、金型のゴム接触部分に
炭化けい素合金の高周波スパツタリング薄膜を形
成させることにより、かかる課題が効果的に解決
し得ることを見出した。従つて、本発明は、かか
るゴムの加硫成形用金型に係る。
高周波スパツタリングは、炭化けい素とこれと
合金化される物質、例えばステンレス鋼SUS304
との複合ターゲツトを用いて行われる。ステンレ
ス鋼SUS304との複合ターゲツトは、例えば直径
6インチ、厚さ1/2インチの円板状SUS304の一
方の両面に、直径2インチ、厚さ1/4インチの円
板状炭化けい素焼結体を2枚対をなす位置にそれ
ぞれステンレス鋼ねじを用いて押止めして用い
る。
スパツタリング操作は、例えば第1図に示され
るような態様に従つて行われる。即ち、クロムメ
ツキ金型1,1′をトリクロルエタン液中で超音
波洗浄し、続いて同じトリクロルエタンの蒸気脱
脂を行ない、スパツタリング処理室2内の基板テ
ーブル3上に搭載する。次に、処理室内を、油回
転ポンプによつて10-2Torrのオーダー迄排気し、
続いて油拡散ポンプで更に高真空となるように排
気した。減圧度が10-6Torrのオーダーになつた
ら、処理室内にアルゴンガスを導入し、メインバ
ルブを調節して5×10-3Torrとした後、下部電
極たる基板テーブルに周波数13.56MHzの高周波
を印加してスパツタエツチングを行ない、金型表
面の酸化膜などを除去する。次に、上部電極たる
炭化けい素合金ターゲツト4側に高周波を印加し
て、基板テーブルを回転させながらスパツタリン
グを行なつた。このような一連の操作によつて、
金型表面は清浄化されると同時にその表面層の酸
化膜が除去され、次いでそこに金型基質との密着
力が良好な炭化けい素−ステンレス鋼SUS304合
金薄膜を形成させる。
このようにして形成された合金薄膜の一例につ
いて、光電子分光法による成分組成の分析結果を
示すと次の如くである。
Sio 20.5重量% Fe 23.7 Cr 3.7 Ni 5.1 Si 1.0 O 46.0 次に、耐摩耗性の目安となる表面硬さを、クロ
ムメツキ薄膜および炭化けい素焼結体と比較しな
がら示すと次の如くである。
本発明合金薄膜(厚さ約16μm)
Hv:約2000Kg/mm2(加重25g) クロムメツキ薄膜(厚さ約20μm)
Hv:約700Kg/mm2(加重25g) 炭化けい素焼結体 Hv:2800Kg/mm2 更に、アクリルゴムを用いて、加硫成形試験を
行なつた。
本発明に係る金型: 離型剤を用いなくとも、約600〜700回の加硫成
形回数を経験させた後、金型の成形面をアルカリ
洗浄すればよい。
クロムメツキした金型: 離型剤を用いたが、約200〜300回の加硫成形回
数を経験したら、金型の成形面をアルカリ洗浄し
なければならなかつた。
このように、本発明に係る金型は、金型非汚染
性および離型性を高め、しかも耐摩耗性の点でも
すぐれており、ハロゲン含有ゴムの加硫成形に有
効に用いることができる。なお、金型が複数個の
分割型などから構成されている場合には、各分割
型のゴム接触部分のみに高周波スパツタリング薄
膜を設ければ十分であり、このような部分的な薄
膜の形成は、分割型などを適当に部分的に覆いな
がらスパツタリング処理することによつて行われ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明で行われるスパツタリング処
理における被処理金型とターゲツトとの配置を示
した概略図である。 符号の説明、1,1′……金型、2……スパツ
タリング処理室、3……基板テーブル、4……炭
化けい素合金ターゲツト。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 金型のゴム接触部分に炭化けい素合金の高周
    波スパツタリング薄膜を形成させたゴムの加硫成
    形用金型。 2 炭化けい素合金が炭化けい素とステンレス鋼
    SUS304との合金である特許請求の範囲第1項記
    載の加硫成形用金型。 3 ハロゲン含有ゴムの加硫成形に用いられる特
    許請求の範囲第1項または第2項記載の加硫成形
    用金型。
JP8571484A 1984-04-27 1984-04-27 ゴムの加硫成形用金型 Granted JPS60229717A (ja)

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JP2002249887A (ja) * 2000-12-20 2002-09-06 Seiko Epson Corp 装飾品の表面処理方法および装飾品
US7001675B2 (en) * 2003-06-04 2006-02-21 Winsky Technology Ltd. Method of forming a nanocomposite coating

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