JPH04302104A - 積層チップインダクタ - Google Patents
積層チップインダクタInfo
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- JPH04302104A JPH04302104A JP13366991A JP13366991A JPH04302104A JP H04302104 A JPH04302104 A JP H04302104A JP 13366991 A JP13366991 A JP 13366991A JP 13366991 A JP13366991 A JP 13366991A JP H04302104 A JPH04302104 A JP H04302104A
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Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層磁器コンデンサ等
のチップ型電子部品とともに、回路基板上に搭載するの
に好適な積層チップインダクタのインダクタンスの温度
特性を改善したものに関する。
のチップ型電子部品とともに、回路基板上に搭載するの
に好適な積層チップインダクタのインダクタンスの温度
特性を改善したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】チップインダクタは、チップコンデンサ
と組み合わせてＬＣ回路を構成したり、あるいは単独で
回路要素として使用される。このチップインダクタは、
電子機器を軽薄短小化したいとの要望から、チップコン
デンサ等の他の部品と同様、小型化することが要求され
、この要求がしだいに強まってきている。このため、磁
性体中にコイル状の導体層を内装した積層チップインダ
クタが広く用いられるようになっている。
と組み合わせてＬＣ回路を構成したり、あるいは単独で
回路要素として使用される。このチップインダクタは、
電子機器を軽薄短小化したいとの要望から、チップコン
デンサ等の他の部品と同様、小型化することが要求され
、この要求がしだいに強まってきている。このため、磁
性体中にコイル状の導体層を内装した積層チップインダ
クタが広く用いられるようになっている。
【０００３】上記積層チップインダクタは、磁性体材料
シートに導体材料ペーストを所定のパターンで印刷し、
この印刷した磁性体材料シートを積層、圧着し、焼成し
て得られる。上記導体材料ペーストに用いられる導体材
料としては、抵抗値が小さくかつ比較的安価な、Ａｇを
主成分とするものが一般的である。一方、上記磁性体材
料シートに用いられる磁性体材料としては、抵抗値が高
くかつ上記導体材料ペーストに用いられるＡｇの融点９
６０．５℃以下の温度で焼成することができ、所望のイ
ンダクタンス値を得ることが可能であるＣｕ−Ｎｉ−Ｚ
ｎ系フェライト材料等が一般的に用いられている。
シートに導体材料ペーストを所定のパターンで印刷し、
この印刷した磁性体材料シートを積層、圧着し、焼成し
て得られる。上記導体材料ペーストに用いられる導体材
料としては、抵抗値が小さくかつ比較的安価な、Ａｇを
主成分とするものが一般的である。一方、上記磁性体材
料シートに用いられる磁性体材料としては、抵抗値が高
くかつ上記導体材料ペーストに用いられるＡｇの融点９
６０．５℃以下の温度で焼成することができ、所望のイ
ンダクタンス値を得ることが可能であるＣｕ−Ｎｉ−Ｚ
ｎ系フェライト材料等が一般的に用いられている。
【０００４】上記Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト材料等
を焼成して積層チップインダクタの磁性体層として用い
る場合、所望のインダクタンス値Ｌ、品質係数Ｑ等の電
気特性や、十分な機械的強度を得るには、８６０〜８８
０℃の焼成が適している。
を焼成して積層チップインダクタの磁性体層として用い
る場合、所望のインダクタンス値Ｌ、品質係数Ｑ等の電
気特性や、十分な機械的強度を得るには、８６０〜８８
０℃の焼成が適している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記Ｃｕ−
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト等の低温で焼成可能な磁性体材
料を上記の温度で焼成すると、上記の如く磁性体中にコ
イル状の導体層を内装した積層チップインダクタのイン
グクタンス値が強い正の温度依存性を示す。具体的には
２５℃のインダクタンス値を基準として、通常の使用温
度範囲である−２５℃〜＋８５℃で、−５％〜＋７％程
度のインダクタンス変化を示すという問題点があった。 このため、使用温度範囲においてインダクタンスの温度
依存性のより少ない積層チップインダクタの開発が望ま
れていた。
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト等の低温で焼成可能な磁性体材
料を上記の温度で焼成すると、上記の如く磁性体中にコ
イル状の導体層を内装した積層チップインダクタのイン
グクタンス値が強い正の温度依存性を示す。具体的には
２５℃のインダクタンス値を基準として、通常の使用温
度範囲である−２５℃〜＋８５℃で、−５％〜＋７％程
度のインダクタンス変化を示すという問題点があった。 このため、使用温度範囲においてインダクタンスの温度
依存性のより少ない積層チップインダクタの開発が望ま
れていた。
【０００６】本発明の目的は、イングクタンス値の温度
依存性の少ない積層チップインダクタを提供することに
ある。
依存性の少ない積層チップインダクタを提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、コイルを形成する内部導体層を有するフ
ェライト磁性体層と、このフェライト磁性体層に直接又
は他の層を介して面接合される接合体層を有し、この接
合体層の線膨脹率が上記フェライト磁性体層よりも小さ
い積層チップインダクタを提供するものである。
決するために、コイルを形成する内部導体層を有するフ
ェライト磁性体層と、このフェライト磁性体層に直接又
は他の層を介して面接合される接合体層を有し、この接
合体層の線膨脹率が上記フェライト磁性体層よりも小さ
い積層チップインダクタを提供するものである。
【０００８】
【作用】フェライト磁性体層より線膨脹率の小さい接合
体層をフェライト磁性体層に直接又は他の層を介して面
接合することにより、導体層を形成したフェライト磁性
体層が温度変化により膨脹収縮を行なおうとしても接合
体層がその変形を抑制する。その結果磁性体層と導体層
との間に温度変化により生じる応力も抑制され、導体層
を有するフェライト磁性体層を積層して得られる積層チ
ップインダクタのインダクタンス値の温度依存性を抑制
できる。
体層をフェライト磁性体層に直接又は他の層を介して面
接合することにより、導体層を形成したフェライト磁性
体層が温度変化により膨脹収縮を行なおうとしても接合
体層がその変形を抑制する。その結果磁性体層と導体層
との間に温度変化により生じる応力も抑制され、導体層
を有するフェライト磁性体層を積層して得られる積層チ
ップインダクタのインダクタンス値の温度依存性を抑制
できる。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。
実施例１
（１）フェライトシートの作成
■ 三二酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）４８モル％、ＺｎＯ
２４モル％、ＮｉＯ １８モル％、ＣｕＯ １０
モル％の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料として
ボールミルに仕込み、１５時間湿式混合を行なう。■
得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末
を７５０℃にて１時間仮焼する。■ 得られた仮焼粉
末をボールミルにて１５時間湿式粉砕した後、乾燥して
から解砕し、フェライト粉末を得る。
２４モル％、ＮｉＯ １８モル％、ＣｕＯ １０
モル％の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料として
ボールミルに仕込み、１５時間湿式混合を行なう。■
得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末
を７５０℃にて１時間仮焼する。■ 得られた仮焼粉
末をボールミルにて１５時間湿式粉砕した後、乾燥して
から解砕し、フェライト粉末を得る。
【００１０】■ このフェライト粉末に対してバイン
ダー樹脂１０重量％、トルエン２０重量％、エタノール
２０重量％およびブタノール４０重量％を添加し、ボー
ルミルで１５時間混合を行なう。■ 得られたスラリ
ーをドクターブレード法を用いて膜厚８０μｍの長尺な
フェライトグリーンシートを作成する。■ 得られた
フェライトグリーンシートを所定の寸法に切断し、図２
に示すように複数枚のフェライトシート片１、１・・・
を得る。■ これらのフェライトシート片のうちの一
部には、内部コイル用のパターンを形成するために、所
定の位置にスルーホールを穿孔するとともに、Ａｇを主
成分とする導体材料ペーストをスクリーン印刷法によっ
て所定のパターンに塗布し、導体塗布層２１〜２９を形
成する。これらのうち導体塗布層２１、２９はそれぞれ
のフェライトシート片の互いに反対側となる端部まで引
き出し引出電極用導体層とする。
ダー樹脂１０重量％、トルエン２０重量％、エタノール
２０重量％およびブタノール４０重量％を添加し、ボー
ルミルで１５時間混合を行なう。■ 得られたスラリ
ーをドクターブレード法を用いて膜厚８０μｍの長尺な
フェライトグリーンシートを作成する。■ 得られた
フェライトグリーンシートを所定の寸法に切断し、図２
に示すように複数枚のフェライトシート片１、１・・・
を得る。■ これらのフェライトシート片のうちの一
部には、内部コイル用のパターンを形成するために、所
定の位置にスルーホールを穿孔するとともに、Ａｇを主
成分とする導体材料ペーストをスクリーン印刷法によっ
て所定のパターンに塗布し、導体塗布層２１〜２９を形
成する。これらのうち導体塗布層２１、２９はそれぞれ
のフェライトシート片の互いに反対側となる端部まで引
き出し引出電極用導体層とする。
【００１１】（２）接合体シートの作成■ 酸化チタ
ン（ＴｉＯ２）：８６重量％、ＣｕＯ：３．０重量％、
酸化マンガン（Ｍｎ３Ｏ４）：１．０重量％、ＮｉＯ：
５．０重量％及びＡｌ（アルミニウム）−Ｓｉ−Ｂ−Ｎ
ａ−Ｚｒ系ガラス：５．０重量％の比率で秤量したそれ
ぞれの材料を原材料としてボールミルに仕込み、１５時
間湿式混合を行なう。■ 得られた混合物を乾燥して
から粉砕し、得られた粉末を７５０℃で２時間仮焼した
。■ この仮焼した粉末をボールミルにて１５時間湿
式粉砕した後、乾燥してから解砕する。
ン（ＴｉＯ２）：８６重量％、ＣｕＯ：３．０重量％、
酸化マンガン（Ｍｎ３Ｏ４）：１．０重量％、ＮｉＯ：
５．０重量％及びＡｌ（アルミニウム）−Ｓｉ−Ｂ−Ｎ
ａ−Ｚｒ系ガラス：５．０重量％の比率で秤量したそれ
ぞれの材料を原材料としてボールミルに仕込み、１５時
間湿式混合を行なう。■ 得られた混合物を乾燥して
から粉砕し、得られた粉末を７５０℃で２時間仮焼した
。■ この仮焼した粉末をボールミルにて１５時間湿
式粉砕した後、乾燥してから解砕する。
【００１２】■ 得られた粉末に対してバインダー樹
脂１０重量％、トルエン２０重量％、エタノール２０重
量％およびブタノール４０重量％を添加し、ボールミル
で１５時間混合を行なう。■ 得られたスラリーをド
クターブレード法を用いて膜厚８０μｍの長尺な接合体
グリーンシートを作成する。■ この接合体グリーン
シートを所定の寸法に切断し、図２に示すように複数枚
の接合体シート片３、３・・・を得る。
脂１０重量％、トルエン２０重量％、エタノール２０重
量％およびブタノール４０重量％を添加し、ボールミル
で１５時間混合を行なう。■ 得られたスラリーをド
クターブレード法を用いて膜厚８０μｍの長尺な接合体
グリーンシートを作成する。■ この接合体グリーン
シートを所定の寸法に切断し、図２に示すように複数枚
の接合体シート片３、３・・・を得る。
【００１３】（３）積層チップインダクタの作成■
図２に示すように、導体塗布層２１〜２９を有するフェ
ライトシート片１、１・・をこれらの導体塗布層がコイ
ルを形成するように９枚重ね、この重ね体の上面および
下面のそれぞれにさらに導体塗布層を有しないフェライ
トシート片１、１・・・を８枚重ねる。そしてこの得ら
れた重ね体の上面に上記接合体シート片３、３・・・を
１０枚重ね、この得られた重ね体を０．５ｔ／ｃｍ２（
単位平方センチメートル当たり０．５トン）の圧力で圧
着し、積層体を得る。この積層体を所定の寸法形状に裁
断して図３に示す個々の積層チップインダクタ未焼成体
４を得る。■ 得られた積層チップインダクタ未焼成
体４を５００℃で１時間加熱して脱バインダー処理をし
た後、８８０℃で１時間焼成し、図４に示すように内部
導体層をフェライト磁性体層を介して積層し、上下の内
部導体を引出電極とするコイル部５と、絶縁体層部６と
を積層した積層チップインダクタ焼成体７を得る。
図２に示すように、導体塗布層２１〜２９を有するフェ
ライトシート片１、１・・をこれらの導体塗布層がコイ
ルを形成するように９枚重ね、この重ね体の上面および
下面のそれぞれにさらに導体塗布層を有しないフェライ
トシート片１、１・・・を８枚重ねる。そしてこの得ら
れた重ね体の上面に上記接合体シート片３、３・・・を
１０枚重ね、この得られた重ね体を０．５ｔ／ｃｍ２（
単位平方センチメートル当たり０．５トン）の圧力で圧
着し、積層体を得る。この積層体を所定の寸法形状に裁
断して図３に示す個々の積層チップインダクタ未焼成体
４を得る。■ 得られた積層チップインダクタ未焼成
体４を５００℃で１時間加熱して脱バインダー処理をし
た後、８８０℃で１時間焼成し、図４に示すように内部
導体層をフェライト磁性体層を介して積層し、上下の内
部導体を引出電極とするコイル部５と、絶縁体層部６と
を積層した積層チップインダクタ焼成体７を得る。
【００１４】■ この積層チップインダクタ焼成体７
の引出電極が露出する端面に浸漬法により、Ａｇ電極材
料ペーストを塗布し、１５０℃で１５分間乾燥した後、
６００℃にて１０分間塗膜を焼付け、図１に示す外部電
極８、８を有する積層チップインダクタを得る。
の引出電極が露出する端面に浸漬法により、Ａｇ電極材
料ペーストを塗布し、１５０℃で１５分間乾燥した後、
６００℃にて１０分間塗膜を焼付け、図１に示す外部電
極８、８を有する積層チップインダクタを得る。
【００１５】（４）評価試験
図１に示した積層チップインダクタであって、３２１６
形状（長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ）のコイル部５が
１．２ｍｍ、接合体層部６が０．５ｍｍのチップを作成
し、２５℃におけるインダクタンス値〔Ｌ２５〕（μＨ
）と、−２５℃、＋８５℃のそれぞれにおけるインダク
タンス値Ｌ＋８５、Ｌ−２５をＬＣＲメーターを用いる
ことにより測定し、これらの２５℃のインダクタンス値
からの変化率（％）をそれぞれ、△Ｌ＋８５／Ｌ２５
＝（Ｌ＋８５−Ｌ２５）／Ｌ２５×１００、△Ｌ−２
５／Ｌ２５＝（Ｌ−２５−Ｌ２５）／Ｌ２５×１００に
より求め、この計算値と上記測定値を表１に示す。
形状（長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ）のコイル部５が
１．２ｍｍ、接合体層部６が０．５ｍｍのチップを作成
し、２５℃におけるインダクタンス値〔Ｌ２５〕（μＨ
）と、−２５℃、＋８５℃のそれぞれにおけるインダク
タンス値Ｌ＋８５、Ｌ−２５をＬＣＲメーターを用いる
ことにより測定し、これらの２５℃のインダクタンス値
からの変化率（％）をそれぞれ、△Ｌ＋８５／Ｌ２５
＝（Ｌ＋８５−Ｌ２５）／Ｌ２５×１００、△Ｌ−２
５／Ｌ２５＝（Ｌ−２５−Ｌ２５）／Ｌ２５×１００に
より求め、この計算値と上記測定値を表１に示す。
【００１６】なお、コイル部５のフェライト磁性体層と
接合体層部６の線膨脹率（１０−６／℃）（単位℃当た
り１０のマイナス６乗）をディラトメーターにより測定
したところ、コイル部５の部分は１０．１であり、接合
体層部６の部分は９．３であった。これらも併せて表１
に示す。
接合体層部６の線膨脹率（１０−６／℃）（単位℃当た
り１０のマイナス６乗）をディラトメーターにより測定
したところ、コイル部５の部分は１０．１であり、接合
体層部６の部分は９．３であった。これらも併せて表１
に示す。
【００１７】実施例２
実施例１において、接合体層部６の部分の線膨脹率を８
．６にした以外は同様にして積層チップインダクタを作
成し、これについても実施例１と同様の評価試験を行っ
た結果を上記線膨脹率とともに表１に示す。
．６にした以外は同様にして積層チップインダクタを作
成し、これについても実施例１と同様の評価試験を行っ
た結果を上記線膨脹率とともに表１に示す。
【００１８】比較例
実施例１において、接合体層部６を設けなかった以外は
同様にして積層チップインダクタを作成し、これについ
て実施例１と同様の評価試験を行った結果をコイル部の
線膨脹率とともに表１に示す。
同様にして積層チップインダクタを作成し、これについ
て実施例１と同様の評価試験を行った結果をコイル部の
線膨脹率とともに表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１の結果から、実施例１は△Ｌ＋８５／
Ｌ２５ 、△Ｌ−２５／Ｌ２５が比較例のものに比ベ
０に近付き、インダクタンス値の温度依存性が０に近付
くことがわかり、コイル部と絶縁体層の線膨脹率の差の
大きい実施例２では△Ｌ＋８５／Ｌ２５ 、△Ｌ−２
５／Ｌ２５がともにマイナスになり、インダクタンス値
の温度依存性がマイナスになることがわかる。これらの
ことから、コイル部の磁性体層に線膨脹率の小さい接合
体層を積層した場合にはインダクタンス値の温度依存性
が変化し、両者の線膨脹率の差が大きいほど変化率の差
が大きいことがわかる。
Ｌ２５ 、△Ｌ−２５／Ｌ２５が比較例のものに比ベ
０に近付き、インダクタンス値の温度依存性が０に近付
くことがわかり、コイル部と絶縁体層の線膨脹率の差の
大きい実施例２では△Ｌ＋８５／Ｌ２５ 、△Ｌ−２
５／Ｌ２５がともにマイナスになり、インダクタンス値
の温度依存性がマイナスになることがわかる。これらの
ことから、コイル部の磁性体層に線膨脹率の小さい接合
体層を積層した場合にはインダクタンス値の温度依存性
が変化し、両者の線膨脹率の差が大きいほど変化率の差
が大きいことがわかる。
【００２１】なお、実施例１の接合体層に用いたと同様
の材料で、フェライト材料の焼成体よりも７〜１３％線
膨脹率の小さい接合体層を用いることにより温度依存性
が±２００ｐｐｍ／℃以下のインダクタを得ることがで
きる。
の材料で、フェライト材料の焼成体よりも７〜１３％線
膨脹率の小さい接合体層を用いることにより温度依存性
が±２００ｐｐｍ／℃以下のインダクタを得ることがで
きる。
【００２２】実施例３
実施例１と同様にして積層チップインダクタ焼成体を作
成し、図５に示すように、コイル部５にのみ外部電極９
、９を形成した積層チップインダクタにしても良い。
成し、図５に示すように、コイル部５にのみ外部電極９
、９を形成した積層チップインダクタにしても良い。
【００２３】実施例４
実施例１と同様にして積層チップインダクタ焼成体を作
成し、図６に示すように、コイル部５の引出電極の露出
している部分のみに外部電極１０、１０を形成しても良
い。
成し、図６に示すように、コイル部５の引出電極の露出
している部分のみに外部電極１０、１０を形成しても良
い。
【００２４】実施例５
実施例１に準じて、図７に示すように、コイル部５より
外形寸法を小さくした接合体層１１を形成し、コイル部
５にのみ外部電極１２、１２を形成しても良い。
外形寸法を小さくした接合体層１１を形成し、コイル部
５にのみ外部電極１２、１２を形成しても良い。
【００２５】実施例６
実施例１に準じて、図８に示すように接合体層６と同じ
接合体層１３をコイル部５の下面にも形成してサンドイ
ッチ構造とし、コイル部およびその両側の接合体層に外
部電極１４、１４を形成しても良い。
接合体層１３をコイル部５の下面にも形成してサンドイ
ッチ構造とし、コイル部およびその両側の接合体層に外
部電極１４、１４を形成しても良い。
【００２６】上記はセラミック誘電体の一種の接合体層
を用いたが、本発明の接合体層はこれにかぎらず、他の
セラミック層、フェライト層等、導体層を形成するフェ
ライト磁性体層より線膨脹率の小さい層であればいずれ
でも良い。また、本発明において接合体層を形成する際
に他の層を介するときのこの他の層にはフェライト層、
その他セラミック層等のいずれでも良く、その厚みは薄
いほど好ましい。
を用いたが、本発明の接合体層はこれにかぎらず、他の
セラミック層、フェライト層等、導体層を形成するフェ
ライト磁性体層より線膨脹率の小さい層であればいずれ
でも良い。また、本発明において接合体層を形成する際
に他の層を介するときのこの他の層にはフェライト層、
その他セラミック層等のいずれでも良く、その厚みは薄
いほど好ましい。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、コイルの導体部を内装
するフェライト磁性体層よりも線膨脹率の小さい接合体
層をこのフェライト磁性体層に直接又は他の層を介して
接合したので、フェライト磁性体層の温度変化による膨
脹収縮を抑制することができる。これによりインダクタ
ンス値の温度依存性を小さくすることができ、使用温度
が変わってもインダクタンス値の変化の少ない積層チッ
プインダクタを提供することができる。
するフェライト磁性体層よりも線膨脹率の小さい接合体
層をこのフェライト磁性体層に直接又は他の層を介して
接合したので、フェライト磁性体層の温度変化による膨
脹収縮を抑制することができる。これによりインダクタ
ンス値の温度依存性を小さくすることができ、使用温度
が変わってもインダクタンス値の変化の少ない積層チッ
プインダクタを提供することができる。
【図１】本発明の第１、第２の実施例の積層チップイン
ダクタの斜視図である。
ダクタの斜視図である。
【図２】上記実施例の第１の製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】上記実施例の第２の製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図４】上記実施例の第３の製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図５】本発明の第３の実施例の積層チップインダクタ
の斜視図である。
の斜視図である。
【図６】本発明の第４の実施例の積層チップインダクタ
の斜視図である。
の斜視図である。
【図７】本発明の第５の実施例の積層チップインダクタ
の斜視図である。
の斜視図である。
【図８】本発明の第６の実施例の積層チップインダクタ
の斜視図である。
の斜視図である。
５ コイル部
６、１１、１３ 接合体層
Claims (1)
- 【請求項１】 コイルを形成する内部導体層を有する
フェライト磁性体層と、このフェライト磁性体層に直接
又は他の層を介して面接合される接合体層を有し、この
接合体層の線膨脹率が上記フェライト磁性体層よりも小
さい積層チップインダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13366991A JPH04302104A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 積層チップインダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13366991A JPH04302104A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 積層チップインダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302104A true JPH04302104A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=15110145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13366991A Withdrawn JPH04302104A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 積層チップインダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04302104A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011009644A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Tdk Corp | フェライトコアおよび電子部品 |
| WO2013038752A1 (ja) * | 2011-09-14 | 2013-03-21 | 株式会社村田製作所 | インダクタ素子およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP13366991A patent/JPH04302104A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011009644A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Tdk Corp | フェライトコアおよび電子部品 |
| WO2013038752A1 (ja) * | 2011-09-14 | 2013-03-21 | 株式会社村田製作所 | インダクタ素子およびその製造方法 |
| JPWO2013038752A1 (ja) * | 2011-09-14 | 2015-03-23 | 株式会社村田製作所 | インダクタ素子およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |