JPH0430103A - トレンチ溝付マイクロレンズ - Google Patents
トレンチ溝付マイクロレンズInfo
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- JPH0430103A JPH0430103A JP13672090A JP13672090A JPH0430103A JP H0430103 A JPH0430103 A JP H0430103A JP 13672090 A JP13672090 A JP 13672090A JP 13672090 A JP13672090 A JP 13672090A JP H0430103 A JPH0430103 A JP H0430103A
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- Japan
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- microlens
- trench
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- trench groove
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- Pending
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 11
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Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、トレンチ溝付マイクロレンズに関する。
従来の技術
従来、マイクロレンズの製法として良く知られている方
法としては、イオン交換拡散法及び構造的マイクロレン
ズの作製法がある。まず、そのイオン交換拡散法につい
て説明する。これは、第4図に示すように、ガラス基板
1の表面にCr、W、MO等からなるレジスト膜2を形
成(a、b)した後、HCQ、HNO,等の強酸でガラ
ス基板j内のNa、に、Ca等のイオン3を溶出させる
(C)。次に、その溶出させた部分にCs、TQ、Pb
等のイオン半径の大きく、電子分極率の大きいイオン4
を浸漬させ、イオン交換を行う(d)。
法としては、イオン交換拡散法及び構造的マイクロレン
ズの作製法がある。まず、そのイオン交換拡散法につい
て説明する。これは、第4図に示すように、ガラス基板
1の表面にCr、W、MO等からなるレジスト膜2を形
成(a、b)した後、HCQ、HNO,等の強酸でガラ
ス基板j内のNa、に、Ca等のイオン3を溶出させる
(C)。次に、その溶出させた部分にCs、TQ、Pb
等のイオン半径の大きく、電子分極率の大きいイオン4
を浸漬させ、イオン交換を行う(d)。
次に、ガラス基板l上に形成されたレジスト膜2の除去
を行う(e)。次に、500〜700℃の熱処理を行い
、ガラス材料にCs、TQ、Pb等からなる材料5をイ
オン結合させる(拡散、活性化)(f)。そして、この
ようにして作製されたマイクロレンズ6は、深さ方向a
への拡散よりも幅方向すへの拡散の方が大きな形状とな
る(g)。
を行う(e)。次に、500〜700℃の熱処理を行い
、ガラス材料にCs、TQ、Pb等からなる材料5をイ
オン結合させる(拡散、活性化)(f)。そして、この
ようにして作製されたマイクロレンズ6は、深さ方向a
への拡散よりも幅方向すへの拡散の方が大きな形状とな
る(g)。
次に、構造的マイクロレンズの作製方法について説明す
る。この方法は、第5図〜第7図に示すように各種の方
法がある。まず、第5図に示す金型性では、金型7に溶
融ガラス8を流し込んだ(a)後、冷却して取り出す二
とによりマイクロレンズ9を作製することができる(b
)。また、第6図に示す光反応ガラス法では、光反応性
ガラス基板10上に紫外線(hν)の露光を行いガラス
11を結晶化させた(a)後、熱処理軟化させることに
より光の当たらない部分は軟化平面化し、逆に光が当た
り結晶化した部分は盛り上がり、これによりマイクロレ
ンズ12を作製することができる(b)。さらに、第7
図に示すエツチング成形法では、基板13上にレジスト
膜14を形成しくa)、乾式又は湿式によりエツチング
を行いレジスト膜14を取り除いた(b)後、その形成
された角部のエツチングを行い曲率を形成することによ
ってマイクロレンズ15を作製することができる(c)
。
る。この方法は、第5図〜第7図に示すように各種の方
法がある。まず、第5図に示す金型性では、金型7に溶
融ガラス8を流し込んだ(a)後、冷却して取り出す二
とによりマイクロレンズ9を作製することができる(b
)。また、第6図に示す光反応ガラス法では、光反応性
ガラス基板10上に紫外線(hν)の露光を行いガラス
11を結晶化させた(a)後、熱処理軟化させることに
より光の当たらない部分は軟化平面化し、逆に光が当た
り結晶化した部分は盛り上がり、これによりマイクロレ
ンズ12を作製することができる(b)。さらに、第7
図に示すエツチング成形法では、基板13上にレジスト
膜14を形成しくa)、乾式又は湿式によりエツチング
を行いレジスト膜14を取り除いた(b)後、その形成
された角部のエツチングを行い曲率を形成することによ
ってマイクロレンズ15を作製することができる(c)
。
発明が解決しようとする課題
まず、イオン交換拡散法による方法では、マイクロレン
ズの径は深さ方向よりも平面方向に大きいので、レンズ
の曲率の大きなものは作製することができないという欠
点がある。このため、イオン打ち込み装置を用いて深さ
方向に高濃度のイオンを導入する方法が考えられている
が、高エネルギーで100 K e V−I M e
V程度の非常に大きなものであり、コストの面からも未
だ検討段階である。
ズの径は深さ方向よりも平面方向に大きいので、レンズ
の曲率の大きなものは作製することができないという欠
点がある。このため、イオン打ち込み装置を用いて深さ
方向に高濃度のイオンを導入する方法が考えられている
が、高エネルギーで100 K e V−I M e
V程度の非常に大きなものであり、コストの面からも未
だ検討段階である。
また、構造的マイクロレンズにより作製する方法のうち
、金型法の場合、溶融ガラスの流れ、マイクロレンズ用
金型の面精度、冷却時に部分的に冷却速度がそれぞれ異
なると、基板自体の歪やレンズの歪等が発生する。また
、光反応ガラス法の場合、製法としては単純であるが、
熱処理時に基板の歪が発生した場合、研磨平面の精度向
上を図ることができないという問題がある。さらに、エ
ツチング形成法では、エツチング工程が長く、曲率の精
度は悪くなり、これにより多数レンズを形成した時にレ
ンズの焦点特性に分布が発生することになる。
、金型法の場合、溶融ガラスの流れ、マイクロレンズ用
金型の面精度、冷却時に部分的に冷却速度がそれぞれ異
なると、基板自体の歪やレンズの歪等が発生する。また
、光反応ガラス法の場合、製法としては単純であるが、
熱処理時に基板の歪が発生した場合、研磨平面の精度向
上を図ることができないという問題がある。さらに、エ
ツチング形成法では、エツチング工程が長く、曲率の精
度は悪くなり、これにより多数レンズを形成した時にレ
ンズの焦点特性に分布が発生することになる。
課題を解決するための手段
そこで、このような問題点を解決するために、本発明は
、マイクロレンズの中心部に深さ方向に長いトレンチ溝
を形成し、このトレンチ溝にそのトレンチ壁へのイオン
拡散を行うイオン半径若しくは電子分極率の大きな材料
を充填した。
、マイクロレンズの中心部に深さ方向に長いトレンチ溝
を形成し、このトレンチ溝にそのトレンチ壁へのイオン
拡散を行うイオン半径若しくは電子分極率の大きな材料
を充填した。
作用
このように深さ方向に長いトレンチ溝を有するマイクロ
レンズを作製したことによってマイクロレンズの深さ方
向への集光効率を向上させることができ、しかも、その
深さ方向への集光性が大きくなることにより隣接するマ
イクロレンズ間の光クロストークを小さくすることがで
きる。
レンズを作製したことによってマイクロレンズの深さ方
向への集光効率を向上させることができ、しかも、その
深さ方向への集光性が大きくなることにより隣接するマ
イクロレンズ間の光クロストークを小さくすることがで
きる。
実施例
本発明の第一の実施例を第1図(a)〜(g)に基づい
て説明する。まず、ガラス基板16上にレジスト膜17
を塗布しくa)、その開口部18に異方性エツチングを
行うことによりトレンチ溝19を形成する(b)。次に
、そのトレンチ溝19のトレンチ壁にPb、Cs、TQ
等の高屈折率の材料としてのイオン20を塗布(又は含
浸)させた(c)後、表面のレジスト膜17を除去する
(d)。次に、熱処理による拡散と活性化を行うことに
より(e)、そのトレンチ溝19の周囲に屈折率分布を
もったマイクロレンズ21を作製する(f)。これによ
り、 (g)に示すように、光22が入射した場合、集
光性が深さ方向に大きいマイクロレンズ21を得ること
ができるため、これにより、マイクロレンズ21間の光
クロストークを小さくすることができるようになり、し
かも、マイクロレンズ21の作製位置の精度はその必要
箇所にトレンチ溝19を形成することによって可能とな
る。
て説明する。まず、ガラス基板16上にレジスト膜17
を塗布しくa)、その開口部18に異方性エツチングを
行うことによりトレンチ溝19を形成する(b)。次に
、そのトレンチ溝19のトレンチ壁にPb、Cs、TQ
等の高屈折率の材料としてのイオン20を塗布(又は含
浸)させた(c)後、表面のレジスト膜17を除去する
(d)。次に、熱処理による拡散と活性化を行うことに
より(e)、そのトレンチ溝19の周囲に屈折率分布を
もったマイクロレンズ21を作製する(f)。これによ
り、 (g)に示すように、光22が入射した場合、集
光性が深さ方向に大きいマイクロレンズ21を得ること
ができるため、これにより、マイクロレンズ21間の光
クロストークを小さくすることができるようになり、し
かも、マイクロレンズ21の作製位置の精度はその必要
箇所にトレンチ溝19を形成することによって可能とな
る。
上述したように、マイクロレンズ21の中心部に深さ方
向に長いトレンチ溝19を作製することによって、マイ
クロレンズ21の深さ方向への集光効率を向上させるこ
とができると共に、その深さ方向への集光性が大きくな
ることによって隣接するマイクロレンズ19間の光クロ
ストークを小さくすることが可能となる。
向に長いトレンチ溝19を作製することによって、マイ
クロレンズ21の深さ方向への集光効率を向上させるこ
とができると共に、その深さ方向への集光性が大きくな
ることによって隣接するマイクロレンズ19間の光クロ
ストークを小さくすることが可能となる。
次に、本発明の第二の実施例を第2図(a)〜(g)に
基づいて説明する。まず、ガラス基板23上にレジスト
膜24を塗布しくa)、その開口部25に等方性エツチ
ングを行う(b)。次に、異方性エツチングを行いトレ
ンチ溝26を形成する(C)。次に、それらトレンチ溝
26のトレンチ壁に、Pb、Cs、TΩ等の材料として
のイオン27を含浸させる(d)。次に、レジスト膜2
4の除去後、熱処理を行うことによって(e)、トレン
チ溝26のトレンチ開口部26aが一定の拡がりをもっ
たマイクロレンズ28を作製することができる(f)。
基づいて説明する。まず、ガラス基板23上にレジスト
膜24を塗布しくa)、その開口部25に等方性エツチ
ングを行う(b)。次に、異方性エツチングを行いトレ
ンチ溝26を形成する(C)。次に、それらトレンチ溝
26のトレンチ壁に、Pb、Cs、TΩ等の材料として
のイオン27を含浸させる(d)。次に、レジスト膜2
4の除去後、熱処理を行うことによって(e)、トレン
チ溝26のトレンチ開口部26aが一定の拡がりをもっ
たマイクロレンズ28を作製することができる(f)。
そして、(g)に示すように、広い開口のトレンチ開口
部26aを有するトレンチ溝26に光22 (hν)を
入射させることによって、集光面積を大きくして深さ方
向に長く集光させることが可能となる。また、そのよう
な集光面積を広くとる方法としては、等方性エツチング
と異方性エツチングとを組合わせることにより作製する
ことができる。
部26aを有するトレンチ溝26に光22 (hν)を
入射させることによって、集光面積を大きくして深さ方
向に長く集光させることが可能となる。また、そのよう
な集光面積を広くとる方法としては、等方性エツチング
と異方性エツチングとを組合わせることにより作製する
ことができる。
次に、これまで述べたような方法により作製したトレン
チ溝付マイクロレンズの具体例について述べる。第3図
は、完全密着型等倍センサの採光窓にトレンチ付マイク
ロレンズを応用したものである。基板29の上部にはト
レンチ開口部を有する。トレンチ溝30が形成されたマ
イクロレンズ31が設けられており、また、その他の部
品として基板29の上部には読取り用のセンサ32や接
着剤33が設けられている。これにより、基板29の裏
面から光22を入射させることによってトレンチ溝30
を有するマイクロレンズ31を通過した光22は集光さ
れ、ローラ34により送られてきた原稿35の表面に光
が照射され、これにより反射された光22はセンサ32
に検出されその原稿画像の読取りが行われることになる
。
チ溝付マイクロレンズの具体例について述べる。第3図
は、完全密着型等倍センサの採光窓にトレンチ付マイク
ロレンズを応用したものである。基板29の上部にはト
レンチ開口部を有する。トレンチ溝30が形成されたマ
イクロレンズ31が設けられており、また、その他の部
品として基板29の上部には読取り用のセンサ32や接
着剤33が設けられている。これにより、基板29の裏
面から光22を入射させることによってトレンチ溝30
を有するマイクロレンズ31を通過した光22は集光さ
れ、ローラ34により送られてきた原稿35の表面に光
が照射され、これにより反射された光22はセンサ32
に検出されその原稿画像の読取りが行われることになる
。
従って、このようにトレンチ溝30をもつマイクロレン
ズ31を作製することによって、集光性の向上を図るこ
とができるため明信号が大きくなり、クロストークによ
る暗信号を小さくすることができるようになり、これに
より、従来に比べてS/Nの大きなセンサデバイスを得
ることができる。
ズ31を作製することによって、集光性の向上を図るこ
とができるため明信号が大きくなり、クロストークによ
る暗信号を小さくすることができるようになり、これに
より、従来に比べてS/Nの大きなセンサデバイスを得
ることができる。
発明の効果
本発明は、マイクロレンズの中心部に深さ方向に長いト
レーンチ溝を形成し、このトレンチ溝にそのトレンチ壁
へのイオン拡散を行うイオン半径若しくは電子分極率の
大きな材料を充填したので、マイクロレンズの深さ方向
への集光性を大きくとることができ、しかも、集光効率
を向上させることが可能となるものである。また、その
深さ方向への集光性が大きくなることにより隣接するマ
イクロレンズ間の光クロストークを小さくすることがで
きるものである。さらに、トレンチ溝のトレンチ開口部
を拡げることによって、集光面積を大きくとることがで
き、光利用効率を一段と高めることができるものである
。
レーンチ溝を形成し、このトレンチ溝にそのトレンチ壁
へのイオン拡散を行うイオン半径若しくは電子分極率の
大きな材料を充填したので、マイクロレンズの深さ方向
への集光性を大きくとることができ、しかも、集光効率
を向上させることが可能となるものである。また、その
深さ方向への集光性が大きくなることにより隣接するマ
イクロレンズ間の光クロストークを小さくすることがで
きるものである。さらに、トレンチ溝のトレンチ開口部
を拡げることによって、集光面積を大きくとることがで
き、光利用効率を一段と高めることができるものである
。
第1図は本発明の第一の実施例を示す工程図、第2図は
本発明の第二の実施例を示す工程図、第3図は完全密着
型等倍センサの採光窓にトレンチ溝付マイクロレンズを
応用した例を示す説明図、第4図は従来のイオン交換拡
散法によりマイクロレンズを作製する工程図、第5図な
いし第7図は各種の構造的マイクロレンズの作製方法を
示す工程図である。 19・・・トレンチ溝、20・・・材料、21・・・マ
イクロレンズ、26・・・トレンチ溝、27・・・材料
、28・・・マイクロレンズ、30・・・トレンチ溝、
31・・・マイクロレンズ 出 願 人 株式会社 リ コ / ゾ
本発明の第二の実施例を示す工程図、第3図は完全密着
型等倍センサの採光窓にトレンチ溝付マイクロレンズを
応用した例を示す説明図、第4図は従来のイオン交換拡
散法によりマイクロレンズを作製する工程図、第5図な
いし第7図は各種の構造的マイクロレンズの作製方法を
示す工程図である。 19・・・トレンチ溝、20・・・材料、21・・・マ
イクロレンズ、26・・・トレンチ溝、27・・・材料
、28・・・マイクロレンズ、30・・・トレンチ溝、
31・・・マイクロレンズ 出 願 人 株式会社 リ コ / ゾ
Claims (1)
- マイクロレンズの中心部に深さ方向に長いトレンチ溝を
形成し、このトレンチ溝にそのトレンチ壁へのイオン拡
散を行うイオン半径若しくは電子分極率の大きな材料を
充填したことを特徴とするトレンチ溝付マイクロレンズ
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13672090A JPH0430103A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | トレンチ溝付マイクロレンズ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13672090A JPH0430103A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | トレンチ溝付マイクロレンズ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0430103A true JPH0430103A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15181920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13672090A Pending JPH0430103A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | トレンチ溝付マイクロレンズ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0430103A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0749403A (ja) * | 1993-04-12 | 1995-02-21 | Hughes Aircraft Co | マイクロ光学素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP13672090A patent/JPH0430103A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0749403A (ja) * | 1993-04-12 | 1995-02-21 | Hughes Aircraft Co | マイクロ光学素子の製造方法 |
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