JPH04297031A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04297031A JPH04297031A JP3302091A JP3302091A JPH04297031A JP H04297031 A JPH04297031 A JP H04297031A JP 3302091 A JP3302091 A JP 3302091A JP 3302091 A JP3302091 A JP 3302091A JP H04297031 A JPH04297031 A JP H04297031A
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- Japan
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- wafer
- semiconductor device
- protective film
- forming
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はメタル配線を形成する
工程において、多極型・容量結合型プラズマＣＶＤ装置
の放電を安定に持続することができる半導体装置の製造
方法に関するものである。
工程において、多極型・容量結合型プラズマＣＶＤ装置
の放電を安定に持続することができる半導体装置の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体装置の製造方法によ
り製造した半導体装置の断面図であり、特に図３（ａ）
〜図３（ｃ）はメタル配線を形成する工程から保護膜を
形成する工程までを行った半導体装置の断面図である。 同図において、１はウエハ、２ａはこのウエハ１上に形
成した絶縁膜、２ｂはこのウエハ１の裏面に自然的ある
いは人工的に形成した絶縁膜、３ａはこの絶縁膜２ａ上
に形成したメタル膜、３ｂはこの絶縁膜２ａ上に形成し
たメタル配線、４はこのメタル配線３ｂを形成するため
のレジストパターン、５はこのメタル配線３ｂを形成し
たのちウエハの表面に形成した保護膜である。
り製造した半導体装置の断面図であり、特に図３（ａ）
〜図３（ｃ）はメタル配線を形成する工程から保護膜を
形成する工程までを行った半導体装置の断面図である。 同図において、１はウエハ、２ａはこのウエハ１上に形
成した絶縁膜、２ｂはこのウエハ１の裏面に自然的ある
いは人工的に形成した絶縁膜、３ａはこの絶縁膜２ａ上
に形成したメタル膜、３ｂはこの絶縁膜２ａ上に形成し
たメタル配線、４はこのメタル配線３ｂを形成するため
のレジストパターン、５はこのメタル配線３ｂを形成し
たのちウエハの表面に形成した保護膜である。
【０００３】次に上記構成による半導体装置の製造方法
について説明する。まず、ウエハ１上に絶縁膜２ａを形
成したのち、この絶縁膜２ａ上にメタル膜３ａを形成す
る。そして、このメタル膜３ａを用いてメタル配線３ｂ
を形成するため、レジストパターン４を形成する。そし
て、図３（ｂ）に示すように、メタル配線３ｂを形成す
るが、このメタル配線３ｂの形成によって、ウエハ周囲
で絶縁膜２ａが露出する。また、保護膜５を形成すると
き、図３（ｃ）に示すようにウエハ１の裏面には自然的
または人工的に絶縁膜２ｂが形成される。
について説明する。まず、ウエハ１上に絶縁膜２ａを形
成したのち、この絶縁膜２ａ上にメタル膜３ａを形成す
る。そして、このメタル膜３ａを用いてメタル配線３ｂ
を形成するため、レジストパターン４を形成する。そし
て、図３（ｂ）に示すように、メタル配線３ｂを形成す
るが、このメタル配線３ｂの形成によって、ウエハ周囲
で絶縁膜２ａが露出する。また、保護膜５を形成すると
き、図３（ｃ）に示すようにウエハ１の裏面には自然的
または人工的に絶縁膜２ｂが形成される。
【０００４】図４は従来の多極型・容量結合型プラズマ
ＣＶＤ装置を用いて保護膜を形成する場合を示す図であ
る。同図において、６は高周波電源、７はこの高周波電
源６に接続した電極、８はウエハ１を固定する導電性の
ウエハ押えである。この多極型・容量結合型プラズマＣ
ＶＤ装置は高周波電源６に直接接続した電極７にウエハ
１を設置すると共に、導電性のウエハ押え８によりウエ
ハ１を周囲より固定する。そして、高周波電源６からの
高周波電圧が電極７と導電性のウエハ押え８により、ウ
エハ１の裏面と表面に伝えられ、ウエハ自体が電極の一
部となって、電極７間に電界を与えるしくみになってい
る。
ＣＶＤ装置を用いて保護膜を形成する場合を示す図であ
る。同図において、６は高周波電源、７はこの高周波電
源６に接続した電極、８はウエハ１を固定する導電性の
ウエハ押えである。この多極型・容量結合型プラズマＣ
ＶＤ装置は高周波電源６に直接接続した電極７にウエハ
１を設置すると共に、導電性のウエハ押え８によりウエ
ハ１を周囲より固定する。そして、高周波電源６からの
高周波電圧が電極７と導電性のウエハ押え８により、ウ
エハ１の裏面と表面に伝えられ、ウエハ自体が電極の一
部となって、電極７間に電界を与えるしくみになってい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法、特に多極型・容量結合型プラズマＣＶＤ装置に
よりメタル配線上に保護膜を形成する工程ではウエハ裏
面に絶縁膜が形成されており、またウエハ表面周囲でメ
タル配線の形成時に絶縁膜が露出しているため、ウエハ
が電気的に遮断され、またウエハ表面に荷電粒子が蓄積
されるために、放電の安定な持続が妨害されるので、保
護膜の安定で均一な形成ができないという問題点があっ
た。この発明は上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、多極型・容量結合型プラズマＣＶＤ装置
でウエハ表面に保護膜を形成するとき、高周波電源から
の高周波電圧をウエハに供給し、放電を安定に持続し、
保護膜の安定で均一な形成を実現することを目的とする
。
造方法、特に多極型・容量結合型プラズマＣＶＤ装置に
よりメタル配線上に保護膜を形成する工程ではウエハ裏
面に絶縁膜が形成されており、またウエハ表面周囲でメ
タル配線の形成時に絶縁膜が露出しているため、ウエハ
が電気的に遮断され、またウエハ表面に荷電粒子が蓄積
されるために、放電の安定な持続が妨害されるので、保
護膜の安定で均一な形成ができないという問題点があっ
た。この発明は上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、多極型・容量結合型プラズマＣＶＤ装置
でウエハ表面に保護膜を形成するとき、高周波電源から
の高周波電圧をウエハに供給し、放電を安定に持続し、
保護膜の安定で均一な形成を実現することを目的とする
。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、保護膜を形成する以前のメタル配線の
形成工程において、ウエハ全周のメタルをエッチングせ
ずに残しておくようにしたものである。
置の製造方法は、保護膜を形成する以前のメタル配線の
形成工程において、ウエハ全周のメタルをエッチングせ
ずに残しておくようにしたものである。
【０００７】
【作用】この発明に係る半導体装置の製造方法は、メタ
ル配線形成工程で、エッチングされずにウエハ周囲に残
されたメタルにより、ウエハが電気的に高周波電源につ
ながり、またウエハ表面に到達した荷電粒子が電極へと
導かれ、ウエハ表面に蓄積されにくくなり、放電を安定
に持続する。
ル配線形成工程で、エッチングされずにウエハ周囲に残
されたメタルにより、ウエハが電気的に高周波電源につ
ながり、またウエハ表面に到達した荷電粒子が電極へと
導かれ、ウエハ表面に蓄積されにくくなり、放電を安定
に持続する。
【０００８】
【実施例】図１はこの発明に係る半導体装置の製造方法
の一実施例を示し、特にメタルドライエッチング装置の
処理室内にウエハを装着した状態を示す断面図である。 同図において、９はウエハ１の周囲たとえば５ｍｍ程度
を押えるウエハ全周押え、１０はブロッキングコンデン
サである。
の一実施例を示し、特にメタルドライエッチング装置の
処理室内にウエハを装着した状態を示す断面図である。 同図において、９はウエハ１の周囲たとえば５ｍｍ程度
を押えるウエハ全周押え、１０はブロッキングコンデン
サである。
【０００９】次に上記構成による半導体装置の製造方法
について説明する。まず、ウエハ１上に絶縁膜２ａを形
成したのち、この絶縁膜２ａ上にメタル膜３ａを形成す
る。このメタル膜３ａからメタル配線３ｂを形成するた
め、レジストパターン４を形成する。そして、ドライエ
ッチング装置によりメタル配線３ｂを形成するとき、ウ
エハ全周押え９でウエハ１の周辺を例えば５ｍｍ程度の
メタルを覆いながらエッチングをすると、ウエハ全周押
えがマスクとなり、ウエハ周辺例えば５ｍｍ程度のメタ
ルがエッチングされずに残る。このエッチングされずに
ウエハ１の周囲に残されたメタルにより、ウエハ１が電
気的に高周波電源とつながる。このため、ウエハ１の表
面に到達した荷電粒子が電極へと導かれ、ウエハ１の表
面に蓄積されにくくなり、放電が安定に持続することが
できる。
について説明する。まず、ウエハ１上に絶縁膜２ａを形
成したのち、この絶縁膜２ａ上にメタル膜３ａを形成す
る。このメタル膜３ａからメタル配線３ｂを形成するた
め、レジストパターン４を形成する。そして、ドライエ
ッチング装置によりメタル配線３ｂを形成するとき、ウ
エハ全周押え９でウエハ１の周辺を例えば５ｍｍ程度の
メタルを覆いながらエッチングをすると、ウエハ全周押
えがマスクとなり、ウエハ周辺例えば５ｍｍ程度のメタ
ルがエッチングされずに残る。このエッチングされずに
ウエハ１の周囲に残されたメタルにより、ウエハ１が電
気的に高周波電源とつながる。このため、ウエハ１の表
面に到達した荷電粒子が電極へと導かれ、ウエハ１の表
面に蓄積されにくくなり、放電が安定に持続することが
できる。
【００１０】図２はこの発明に係る半導体装置の製造方
法の他の実施例を示し、特にメタルドライエッチング装
置の処理室内にウエハを装置した状態を示す断面図であ
る。この実施例ではレジスト４をマスクにして、メタル
配線３ｂを形成するものであり、図１に示すように、ウ
エハ全周押え９を用いた場合と同様にできることはもち
ろんである。
法の他の実施例を示し、特にメタルドライエッチング装
置の処理室内にウエハを装置した状態を示す断面図であ
る。この実施例ではレジスト４をマスクにして、メタル
配線３ｂを形成するものであり、図１に示すように、ウ
エハ全周押え９を用いた場合と同様にできることはもち
ろんである。
【００１１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明に
係る半導体装置の製造方法によれば、メタル配線を形成
するとき、ウエハ周辺を例えば５ｍｍ程度のメタルを残
すことにより多極型・容量結合型プラズマＣＶＤの放電
が安定に持続するので、保護膜を安定で、かつ均一に形
成できるという効果がある。
係る半導体装置の製造方法によれば、メタル配線を形成
するとき、ウエハ周辺を例えば５ｍｍ程度のメタルを残
すことにより多極型・容量結合型プラズマＣＶＤの放電
が安定に持続するので、保護膜を安定で、かつ均一に形
成できるという効果がある。
【図１】この発明に係る半導体装置の製造方法の一実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図２】この発明に係る半導体装置の製造方法の他の実
施例を示す図である。
施例を示す図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法により製造した半
導体装置の断面図である。
導体装置の断面図である。
【図４】従来の多極型・容量結合型プラズマＣＶＤ装置
を用いて保護膜を形成する場合を示す図である。
を用いて保護膜を形成する場合を示す図である。
１ ウエハ
２ａ 絶縁膜
２ｂ 絶縁膜
３ａ メタル膜
３ｂ メタル配線
４ レジストパターン
５ 保護膜
６ 高周波電源
７ 電極
８ ウエハ押え
９ ウエハ全周押え
１０ ブロックコンデンサ
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハ基板上にメタル配線を形成し、
このメタル配線の上からウエハ表面を保護する絶縁性の
保護膜を形成する一連の工程において、メタル配線の形
成時に、ウエハ周囲のメタルをエッチングせずに残した
ままメタル配線の上から保護膜を形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3302091A JPH04297031A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3302091A JPH04297031A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04297031A true JPH04297031A (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=12375115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3302091A Pending JPH04297031A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04297031A (ja) |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP3302091A patent/JPH04297031A/ja active Pending
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