JPH04294326A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH04294326A
JPH04294326A JP3059156A JP5915691A JPH04294326A JP H04294326 A JPH04294326 A JP H04294326A JP 3059156 A JP3059156 A JP 3059156A JP 5915691 A JP5915691 A JP 5915691A JP H04294326 A JPH04294326 A JP H04294326A
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JP
Japan
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liquid crystal
varistor
glass substrate
sintered
crystal display
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Pending
Application number
JP3059156A
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English (en)
Inventor
Katsumasa Kawashima
川嶋 克正
Toshiro Nagase
俊郎 長瀬
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、非線形素子として焼結
体バリスタ素子を用いた液晶表示装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】現在、例えば液晶テレビの画像表示装置
には大別して単純マトリクス方式とアクティブマトリク
ス方式とがある。単純マトリクス方式は直角をなして設
けられた一組の帯状電極群(行電極群と列電極群)の間
に複数の液晶画素を行列状に配して接続したものであり
、これら帯状電極間に駆動回路によって所定の電圧を印
加して液晶画素を作動させる。この方式は、構造が簡単
なため低価格でシステムを実現できるという利点がある
が、各液晶画素でのクロストークが生じるため、画素の
コントラストが低く、液晶テレビの画像表示を行なう際
、画質の低下は避けられないものであった。
【0003】これに対し、アクティブマトリクス方式は
、各液晶画素毎にスイッチを設けて電圧を保持するもの
であり、液晶表示装置を時分割駆動しても液晶画素が選
択時の電圧を保持することができるため、表示容量の増
大が可能で、コントラスト等の画質に関する特性が良く
、液晶テレビの高画質画像表示を実現できるものである
。しかしながら、アクティブマトリクス方式にあっては
、構造が複雑となって製造コストが高くなってしまうと
いう欠点があった。例えば、スイッチング素子として薄
膜トランジスタを用いるTFT型では、その製造工程に
おいて5枚以上のフォトマスクを用いて5層以上の薄膜
を重ねるため、製品歩留まりを上げることが困難である
【0004】上記のようなことから、コントラスト等の
画質に関する特性が良くかつ構造簡単にして低コストな
方式の液晶表示装置の実現が望まれており、このような
要求を実現する方式として、焼結体バリスタ素子を用い
た二端子素子型液晶表示装置が注目されている。
【0005】二端子素子型の液晶表示装置は単純マトリ
クス方式に改良を加えて、図7に示すように行電極1と
列電極2との間に液晶画素4と所定のしきい値電圧で導
通する焼結体バリスタ素子3とを電気的に直列に配して
接続したものであり、図8に示すような焼結体バリスタ
素子3の非線形な電流−電圧特性を利用したものである
。すなわち、単純マトリクス方式における時分割駆動で
は、図9に示すように液晶画素がオン(光透過率が90
%)する電圧V90とオフ(光透過率が10%)する電
圧V10との比γ(=V90/V10=(V10+ΔV
)/V10)から、各液晶画素間のクロストークを生ず
ることなく許容される最大の走査線数Nmax は、 Nmax =((γ2 +1)/(γ2 −1))2で
あり、γの値が小さい方が走査線数が多くなって液晶テ
レビ表示に有利である。これに対し、二端子素子型では
、焼結体バリスタ素子3によりそのしきい値電圧Vv 
を超えた分の電圧が液晶画素4に印加されるようにして
、焼結体バリスタ素子を設けない場合の液晶画素の動作
電圧(図10参照)を焼結体バリスタ素子を設けること
によってそのしきい値電圧Vv だけ高くしている(図
11参照)。この結果、前記γの値はV90/V10か
ら(Vv +V90)/(Vv +V10)に改善され
、γ値の低下によって最大走査線数Nmax の増加が
図られ、良質な液晶表示を実現することができる。
【0006】従来のバリスタを用いた二端子素子型液晶
表示装置を図1及び図3から図6に示す。
【0007】図3に示すように、下側ガラス基板上に行
電極11それぞれに対して多数の画素電極12が一定の
間隔d1 をもって設けられ、行電極11と画素電極1
2とは各焼結体バリスタ素子13で一定のしきい値電圧
Vv をもって接続されている。液晶画素一つについて
みると、図1及び図4に示すように、下側ガラス基板1
0上に行電極11と画素電極12とを所定の間隔d1 
を隔てて設け、これら行電極11と画素電極12とを酸
化亜鉛(ZnO)からなる焼結体バリスタ素子13で接
続してある。そして、これらの上部に列電極15、及び
カラーフィルタ16が設けられた上側ガラス基板17と
の間に液晶14が注入充填してある。ここで使用される
液晶14は、通常TN(ツイストネマチック)型の液晶
が一般的であり、液晶は光シャッターとして用いられる
【0008】この場合、下側ガラス基板10、液晶層及
び上側ガラス基板17との間に液晶を配向させるための
配向膜層18が設置され、下側ガラス基板10と上側ガ
ラス基板17の外側に偏光板19が設置される。そして
、画像表示の際のコントラスト及び駆動等の面から、良
好な画質を得るためには、下側ガラス基板と上側ガラス
基板間距離d2 が短く、均一である事が必要である。 この対策として、バリスタ素子以上厚みのスペーサーガ
ラスビーズ20を上下ガラス基板間に分散させる事によ
り、下側ガラス基板と上側ガラス基板間の距離d2 を
均一にしていた。
【0009】行電極11に印加された電圧に基づいて液
晶14をスイッチ駆動する焼結体バリスタ素子13は、
図6に示すように、ZnO単結晶粒子131 の表面を
Mn、Co酸化物等の無機質絶縁膜132 で被覆した
バリスタ粒子13a からなり、図5に示すように、こ
れらバリスタ粒子13a をガラスフリット13b で
焼結したものである。このような焼結体バリスタ素子1
3においては、粒径約5μmのバリスタ粒子1個あたり
約3Vのしきい値電圧が得られる。したがって、行電極
11と画素電極12との間隔d1 を25μmに設定す
れば、この間隔d1 内に存在する実質的に直列5個の
バリスタ粒13a を介して行電極11と画素電極12
とが接続され、これら電極11、12間には5個×3V
=15Vのしきい値電圧が得られる。すなわち、このし
きい値電圧を越えた電圧が印加された時に液晶14が駆
動される状態になり、他の液晶素子への印加電圧の影響
を排除して、クロストークの発生を防止する事ができる
【0010】しかしながら、以上述べた様な従来の構造
の液晶表示装置では、下側基板上に形成する個々の焼結
体バリスタ素子層において、バリスタ層の表面が平滑で
はなく、凹凸状に形成され、スペーサーとして用いてい
るガラスビーズの高さ以上のバリスタ素子が存在する為
、配向膜のピンホール及びクラック等により、焼結体バ
リスタ層と上側列電極間で導通してしまい、むらのない
、鮮明な画像表示を達成する液晶表示装置を得る事が困
難であった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の事
情に鑑みなされたもので、下側ガラス基板上に形成する
焼結体バリスタ素子と上側列電極間の導通を防止する事
により、むらのない、鮮明な画像表示を達成する液晶表
示装置を得ることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶表示装
置は、下側ガラス基板上に形成する焼結体バリスタ素子
上にガラス体と有機バインダーを用いて絶縁層を形成し
た構造を特徴とするものである。
【0013】本発明に係る液晶表示装置を実施例に基づ
いて具体的に説明する。図2は、本発明の一実施例に係
る液晶表示装置の示す断面図である。図2に示すように
、本実施例の液晶表示装置は、下側ガラス基板10に行
電極11、画素電極12、二端子素子として焼結体バリ
スタ素子層13が設けられ、そして当該焼結体バリスタ
上にガラス体と有機バインダーを用いて形成した絶縁層
21が設けてある。ガラス体としては、ガラスビーズ、
ガラス短繊維、ガラス粉等を用いる事ができる。そして
、列電極15、及びカラーフィルタ16が設けられた上
側ガラス基板17と下側ガラス基板の間にTN型液晶1
4が注入充填してある。なお、TN型液晶を用いている
ため、下側ガラス基板10、液晶層及び上側ガラス基板
17との間に液晶を配向させるための配向膜層18が設
置され、下側ガラス基板10と上側ガラス基板17の外
側に偏向板19が設置されている構成である。
【0014】
【作用】本発明では、下側ガラス基板上にガラス体と有
機バインダーを用いて絶縁層を形成する事により、焼結
体バリスタ上に良好な絶縁層が形成される。そして、バ
リスタ素子上に絶縁層を形成したもの自体をスペーサー
として用いているため、上下ガラス基板間の距離をより
均一に保つことができる。その上、バリスタ層状の平滑
性が増すため、ピンホール及びクラック等の発生を減少
させる事ができ、焼結体バリスタと上側列電極間の導通
を防ぐ事ができる。
【0015】
【実施例】本発明のの液晶表示装置は、次のような工程
で製造される。先ず、下側ガラス基板10上にマグネト
ロンスパッタ装置を用いてITO(酸化インジウム〜酸
化スズ膜)を厚さ1100  に成膜し、これにフォト
プロセスによりレジストパターンを形成して酸化第二鉄
:塩酸=1:3のエッチング液にて行電極11及び画素
電極12を形成する。更に原料となるZnOの粉を12
00℃で1時間焼結した後、これをボールミルで粉砕し
てエアー分級し、5μm 〜10μm のZnO単結晶
粒子を得る。 そして、コバルト、マンガンの各硝酸塩をMn(NO3
)2 ・5H2O、Co(NO3)2・6H2Oに換算
して各0.5mol%を蒸留水に溶解し、その水溶液に
ZnO単結晶粒子を加えて混合し、220℃で1時間焼
成した後、1250℃で1時間焼成してバリスタ特性を
有するバリスタ粉を得た。
【0016】このバリスタ粉に、ガラスフリットを25
重量%及びバインダーとしてエチルセルロース(粘度5
0cps)を10重量%加え、溶剤としてカルビトール
を用いてペースト化する。
【0017】このペーストを下側ガラス基板上にシルク
スクリーン印刷で焼結体素子パターンに印刷しこれを4
20℃で30分焼成して焼結体バリスタ素子層を形成す
る。そして、紫外線硬化樹脂として積水ファインケミカ
ル(株)製商品名「フォトレックA704」を98%、
粒径5μmの球状のガラスビーズ2%の比率でペースト
化したインキを当該焼結体バリスタ素子層上にシルクス
クリーン印刷で印刷する。そして、紫外線照射すること
により、ガラスビーズが紫外線硬化樹脂の硬化により、
バリスタ素子上に固定化され、ガラスビーズと紫外線硬
化樹脂の混合された約5μm の絶縁層21が形成され
る。 そしてその後、ポリイミド系下部配向膜18を塗布焼成
する。
【0018】次に、上部配向膜18、ITO膜から成る
列電極15、カラーフィルタ16、が設けられている上
側ガラス基板17にガラスビーズを2.5重量%混ぜた
接着用エポキシ樹脂をシルクスクリーン印刷により印刷
し、下側ガラス基板10とアライメントして貼り合わせ
、加圧加熱し接着させる。ついで、このパネルに液晶と
してTN型液晶を接着部の一部に設けた封入口より充填
する。そして下側ガラス基板10及び上側ガラス基板1
7の外側に偏光板19を設置する。
【0019】上記のような焼結体バリスタ素子上にガラ
スビーズと有機バインダーとして、紫外線硬化樹脂を用
いて絶縁層を形成した構造にすることにより、焼結体バ
リスタ上に良好な絶縁層が形成される。そして、バリス
タ素子上に絶縁層を形成したもの自体をスペーサーとし
て用いているため、上下ガラス基板間の距離をより均一
に保つことができる。その上、バリスタ層状の平滑性が
増すため、ピンホール及びクラック等の発生を減少させ
ることができ、焼結体バリスタと上側列電極間の導通を
防ぐことができる。
【0020】また、本発明に用いたガラスビーズをバリ
スタ上に固定化するために用いたバインダーは、紫外線
硬化樹脂のみならず、電子線硬化樹脂、その他の有機バ
インダー接着剤の中でバリスタ素子の特性を損なうこと
がなく、かつ印刷法を用いてバリスタ素子上に成形する
事ができるものであれば適用することができる。
【0021】そして、本発明に用いた液晶は、TN型の
みならず、ゲストホストタイプ、高分子分散型液晶を用
いた液晶表示装置にも、もちろん適用することができる
【0022】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、下側ガラス基板上に形成する焼結体バリスタ層上
にガラス体と有機バインダを用いて絶縁層を形成する事
により、焼結体バリスタ層と上側列電極間の導通の防止
を容易に実現することができる。従って、むらのない、
鮮明な画像表示を達成する液晶表示装置を得ることが可
能となる。
【0023】
【図面の簡単な説明】
【図1】バリスタ素子を用いた従来の液晶表示装置の一
例を示す断面図である。
【図2】本発明の焼結体バリスタ素子を用いた液晶表示
装置の一実施例を示す断面図である。
【図3】一般的な液晶表示装置の電極形状の一例を示す
平面図である。
【図4】図3の液晶表示装置の一画素の部分拡大平面図
である
【図5】図1中のバリスタ要部の拡大図である。
【図6】バリスタ粒子の断面図である。
【図7】二端子素子型液晶表示装置の等価回路図である
【図8】焼結体バリスタ素子の電圧−電流特性を示すグ
ラフ図である。
【図9】単純マトリックス方式の液晶画素の動作特性を
示すグラフ図である。
【図10】焼結体バリスタ素子を用いない場合の液晶画
素の動作特性を示すグラフ図である。
【図11】焼結体バリスタ素子を用いた場合の液晶画素
の動作特性を示すグラフ図である。
【符号の説明】
10    下側ガラス基板 11    行電極 12    画素電極 13    焼結体バリスタ素子 13a   バリスタ素子 13b   ガラスフリット 14    液晶 15    列電極 16    カラーフィルタ 17    下側ガラス基板 18    配向膜 19    偏光板 20    スペーサーガラスビーズ 21    ガラスビーズと紫外線硬化樹脂で形成され
た絶縁層 131  ZnO単結晶粒子 132  無機質絶縁膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ガラス基板上の行電極と画素電極を焼結体
    バリスタ素子を用いて接続した液晶表示装置において、
    下側ガラス基板上の焼結体バリスタ素子上にガラス体と
    有機バインダーを主成分とする絶縁層を形成したことを
    特徴とする液晶表示装置。
JP3059156A 1991-03-22 1991-03-22 液晶表示装置 Pending JPH04294326A (ja)

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JP3059156A JPH04294326A (ja) 1991-03-22 1991-03-22 液晶表示装置

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