JPH04288882A - 赤外線検知装置の製造方法 - Google Patents
赤外線検知装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04288882A JPH04288882A JP3040130A JP4013091A JPH04288882A JP H04288882 A JPH04288882 A JP H04288882A JP 3040130 A JP3040130 A JP 3040130A JP 4013091 A JP4013091 A JP 4013091A JP H04288882 A JPH04288882 A JP H04288882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- detection device
- cdhgte
- crystal
- infrared detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、フォトダイオード・
アレイ型の赤外線検知装置の製造方法に関するものであ
る。
アレイ型の赤外線検知装置の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図１１は例えば特開平１−２４６８７８
号公報に示された従来の２層構造の赤外検出用フォトダ
イオードを示す断面図である。図において、１はＣｄｘ
Ｈｇ１−ｘ Ｔｅよりなる半導体層、２は前記半導体
層１よりも広い禁制帯幅を有する半導体層、３は前記半
導体層１の中に異なる導電性の不純物ドープ層、４はＰ
Ｎ接合、５は例えばＣｄＴｅよりなる基板、６は絶縁膜
、７と８は電極、１１は赤外線である。
号公報に示された従来の２層構造の赤外検出用フォトダ
イオードを示す断面図である。図において、１はＣｄｘ
Ｈｇ１−ｘ Ｔｅよりなる半導体層、２は前記半導体
層１よりも広い禁制帯幅を有する半導体層、３は前記半
導体層１の中に異なる導電性の不純物ドープ層、４はＰ
Ｎ接合、５は例えばＣｄＴｅよりなる基板、６は絶縁膜
、７と８は電極、１１は赤外線である。
【０００３】次に動作について説明する。Ｃｄｘ Ｈｇ
１−ｘ ＴｅはＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体で組成比ｘ
により禁制帯幅が変化し、特にｘ＝０．２ のものは波
長１０μｍ帯の赤外線検知素子として広く利用されてい
る。赤外線１１は基板５の裏面から入射し、半導体層１
中で吸収され、電子・正孔対に変換される。これらのう
ち、拡散によりＰＮ接合４に達成したものが信号電荷と
して寄与することとなる。
１−ｘ ＴｅはＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体で組成比ｘ
により禁制帯幅が変化し、特にｘ＝０．２ のものは波
長１０μｍ帯の赤外線検知素子として広く利用されてい
る。赤外線１１は基板５の裏面から入射し、半導体層１
中で吸収され、電子・正孔対に変換される。これらのう
ち、拡散によりＰＮ接合４に達成したものが信号電荷と
して寄与することとなる。
【０００４】以上のようなフォトダイオードの性能を左
右するものの内、最も重要なものの１つに暗電流がある
。暗電流が少ない程、高い信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を
有するフォトダイオードを得ることができる。この暗電
流は理想的に作られたフォトダイオードでは、拡散電流
または空乏層内での発生・再結合電流により決まる値に
なるが、実際にはＰＮ接合が半導体層１の表面に露出し
ている部分で発生する表面リーク電流の影響が大きく、
これによりフォトダイオードの性能が低下するという問
題がある。そこで、図１１に示すように、半導体層１の
表面にこれよりも広禁制帯幅の半導体層２を設け、半導
体層１の表面に露出しているＰＮ接合部４を覆うように
すれば、半導体層１との界面での界面基位密度は十分小
さくなり、広い禁制帯幅の半導体層２と半導体層１の界
面で発生するリーク電流は無視できる程の大きさとなる
。
右するものの内、最も重要なものの１つに暗電流がある
。暗電流が少ない程、高い信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を
有するフォトダイオードを得ることができる。この暗電
流は理想的に作られたフォトダイオードでは、拡散電流
または空乏層内での発生・再結合電流により決まる値に
なるが、実際にはＰＮ接合が半導体層１の表面に露出し
ている部分で発生する表面リーク電流の影響が大きく、
これによりフォトダイオードの性能が低下するという問
題がある。そこで、図１１に示すように、半導体層１の
表面にこれよりも広禁制帯幅の半導体層２を設け、半導
体層１の表面に露出しているＰＮ接合部４を覆うように
すれば、半導体層１との界面での界面基位密度は十分小
さくなり、広い禁制帯幅の半導体層２と半導体層１の界
面で発生するリーク電流は無視できる程の大きさとなる
。
【０００５】又、表面リーク電流は禁制帯幅に指数関数
的に依存するので、たとえば半導体層１の禁制帯幅を０
．１２ｅＶ（光の吸収端にして１０μｍ）、広禁制帯幅
の半導体層２の禁制帯幅を０．２５ｅＶ、フォトダイオ
ード動作の温度を７７゜Ｋとすれば、広禁制帯幅の半導
体層１０の表面リーク電流は半導体層１の表面リーク電
流に比べ１／１０４ に減少する。従って半導体層１上
に広禁制帯幅の半導体層２を形成することにより、表面
リーク電流の少ないフォトダイオードを得ることが可能
となる。
的に依存するので、たとえば半導体層１の禁制帯幅を０
．１２ｅＶ（光の吸収端にして１０μｍ）、広禁制帯幅
の半導体層２の禁制帯幅を０．２５ｅＶ、フォトダイオ
ード動作の温度を７７゜Ｋとすれば、広禁制帯幅の半導
体層１０の表面リーク電流は半導体層１の表面リーク電
流に比べ１／１０４ に減少する。従って半導体層１上
に広禁制帯幅の半導体層２を形成することにより、表面
リーク電流の少ないフォトダイオードを得ることが可能
となる。
【０００６】図に示すように、赤外線検出素子のＮ側電
極７及びＰ側電極８がそれぞれシリコンＣＣＤのＮ側電
極１６及びＰ側電極１７にインジウムバンプを介して接
続されており、受光素子で検出された信号電荷はインジ
ウムバンプ９を介してＣＣＤ１０に移り、ＣＣＤ１０で
順次転送され、出力増幅器（図示せず）で増幅され、外
部に読み出される。
極７及びＰ側電極８がそれぞれシリコンＣＣＤのＮ側電
極１６及びＰ側電極１７にインジウムバンプを介して接
続されており、受光素子で検出された信号電荷はインジ
ウムバンプ９を介してＣＣＤ１０に移り、ＣＣＤ１０で
順次転送され、出力増幅器（図示せず）で増幅され、外
部に読み出される。
【０００７】また、図１８は図１１の赤外検出素子で検
出した信号電荷を電荷結合素子（以下、ＣＣＤと称す）
を用いて順次転送して読み出す方式を示しており、図に
おいて、図１１と同一符号は同一部分を示し、９はイン
ジウムバンプ、１０はシリコンＣＣＤ、１３はＰ型シリ
コン、１４はＮ型シリコン、１５は絶縁膜、１６はＮ側
電極、１７はＰ側電極である。
出した信号電荷を電荷結合素子（以下、ＣＣＤと称す）
を用いて順次転送して読み出す方式を示しており、図に
おいて、図１１と同一符号は同一部分を示し、９はイン
ジウムバンプ、１０はシリコンＣＣＤ、１３はＰ型シリ
コン、１４はＮ型シリコン、１５は絶縁膜、１６はＮ側
電極、１７はＰ側電極である。
【０００８】以下、図１１の構造の製造方法を図１２〜
１７を用いて説明する。まず、図１２に示すように、Ｃ
ｄＴｅよりなる基板５にＰ型のＣｄｘ Ｈｇ１−ｘ Ｔ
ｅ（ｘ＝０．２ ）よりなる半導体層１、半導体層１よ
りも広禁制帯幅のＰ型のＣｄｘ Ｈｇ１−ｘ Ｔｅ（ｘ
＝０．３ ）よりなる薄い半導体層２を例えばＭＯＣＶ
Ｄ法あるいはＬＰＥ法により成長したウエハを作製する
。
１７を用いて説明する。まず、図１２に示すように、Ｃ
ｄＴｅよりなる基板５にＰ型のＣｄｘ Ｈｇ１−ｘ Ｔ
ｅ（ｘ＝０．２ ）よりなる半導体層１、半導体層１よ
りも広禁制帯幅のＰ型のＣｄｘ Ｈｇ１−ｘ Ｔｅ（ｘ
＝０．３ ）よりなる薄い半導体層２を例えばＭＯＣＶ
Ｄ法あるいはＬＰＥ法により成長したウエハを作製する
。
【０００９】次に、図１３に示すように、広禁制帯幅の
半導体層２を半導体層１の達する深さまでエッチングし
、図１４に示すように、ＺｎＳ 膜を１μｍ程度蒸着し
、写真製版法を用いてマスク１２を形成する。続いて、
Ｎ型の不純物を拡散または注入によりドープし、図１５
に示すようなＰＮ接合４を形成する。このとき広禁制帯
幅の半導体層２は極薄いドープ層が形成される。
半導体層２を半導体層１の達する深さまでエッチングし
、図１４に示すように、ＺｎＳ 膜を１μｍ程度蒸着し
、写真製版法を用いてマスク１２を形成する。続いて、
Ｎ型の不純物を拡散または注入によりドープし、図１５
に示すようなＰＮ接合４を形成する。このとき広禁制帯
幅の半導体層２は極薄いドープ層が形成される。
【００１０】続いて、図１６に示すようにマスク１２、
広禁制帯幅の半導体基板中の薄いドープ層を除去する。 次に、図１７に示すように、絶縁膜６を形成するととも
に、Ｎ側電極７及びＰ側電極８を形成し、フォトダイオ
ードを完成する。
広禁制帯幅の半導体基板中の薄いドープ層を除去する。 次に、図１７に示すように、絶縁膜６を形成するととも
に、Ｎ側電極７及びＰ側電極８を形成し、フォトダイオ
ードを完成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来の構造では不純物
ドープ領域部に相当する広禁制帯幅の半導体層を除去し
なければならず、そこには段差が発生することとなり、
この段差により絶縁膜が剥がれたり、また、本素子をイ
ンジウムバンプ電極を用いてＣＣＤに接続する場合に、
バンプの形成が極めて困難となるという問題があった。
ドープ領域部に相当する広禁制帯幅の半導体層を除去し
なければならず、そこには段差が発生することとなり、
この段差により絶縁膜が剥がれたり、また、本素子をイ
ンジウムバンプ電極を用いてＣＣＤに接続する場合に、
バンプの形成が極めて困難となるという問題があった。
【００１２】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、段差を生じることなく、画素形
成部以外のＣｄＨｇＴｅ層の上に広禁制帯幅のＣｄＨｇ
Ｔｅ層を形成する赤外線検知装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
ためになされたもので、段差を生じることなく、画素形
成部以外のＣｄＨｇＴｅ層の上に広禁制帯幅のＣｄＨｇ
Ｔｅ層を形成する赤外線検知装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明に係る赤外線検
知装置の製造方法は、光有機金属気相成長法（以下、光
ＭＯＣＶＤ法という。）により、画素部のＣｄＨｇＴｅ
層と画素部以外の広い禁制帯幅を持つＣｄＨｇＴｅ層を
選択的に形成したものである。
知装置の製造方法は、光有機金属気相成長法（以下、光
ＭＯＣＶＤ法という。）により、画素部のＣｄＨｇＴｅ
層と画素部以外の広い禁制帯幅を持つＣｄＨｇＴｅ層を
選択的に形成したものである。
【００１４】
【作用】この発明においては、画素部となる部分にのみ
ＣｄＨｇＴｅ層を光ＭＯＣＶＤ法により選択的に形成す
る第１の工程と画素部以外の部分に広禁制帯幅のＣｄＨ
ｇＴｅ層を光ＭＯＣＶＤ法により選択的に形成する第２
の工程により、段差がなく所定の部分が広禁制帯幅な結
晶であるＣｄＨｇＴｅ結晶が形成される。
ＣｄＨｇＴｅ層を光ＭＯＣＶＤ法により選択的に形成す
る第１の工程と画素部以外の部分に広禁制帯幅のＣｄＨ
ｇＴｅ層を光ＭＯＣＶＤ法により選択的に形成する第２
の工程により、段差がなく所定の部分が広禁制帯幅な結
晶であるＣｄＨｇＴｅ結晶が形成される。
【００１５】
【実施例】実施例１．
以下、この発明の一実施例を図について説明する。図１
はこの発明の一実施例による赤外線検知装置の構造を示
す断面図である。図において、１はＣｄＨｇＴｅ層、２
は広禁制帯幅のＣｄＨｇＴｅ層、３は前記ＣｄＨｇＴｅ
層１及び２の中に異なる導電型の不純物をドープして形
成した不純物ドープ層、４はＰＮ接合部、５は例えばＣ
ｄＴｅより成る基板、６は絶縁膜、７，８は電極、９は
インジウムバンプ、１０はシリコンＣＣＤ、１１は素子
に入射する赤外線である。
はこの発明の一実施例による赤外線検知装置の構造を示
す断面図である。図において、１はＣｄＨｇＴｅ層、２
は広禁制帯幅のＣｄＨｇＴｅ層、３は前記ＣｄＨｇＴｅ
層１及び２の中に異なる導電型の不純物をドープして形
成した不純物ドープ層、４はＰＮ接合部、５は例えばＣ
ｄＴｅより成る基板、６は絶縁膜、７，８は電極、９は
インジウムバンプ、１０はシリコンＣＣＤ、１１は素子
に入射する赤外線である。
【００１６】次に、図１に示す赤外線検知装置の製造方
法の一例について、図２を用いて説明する。まず、図２
に示すように、例えばＣｄＴｅ基板５の上にＭＯＣＶＤ
法で組成比ｘ＝０．２ のＰ型Ｃｄ０．２ Ｈｇ０．８
Ｔｅ層１を約１０〜１５μｍ成長する。
法の一例について、図２を用いて説明する。まず、図２
に示すように、例えばＣｄＴｅ基板５の上にＭＯＣＶＤ
法で組成比ｘ＝０．２ のＰ型Ｃｄ０．２ Ｈｇ０．８
Ｔｅ層１を約１０〜１５μｍ成長する。
【００１７】次に、図３に示す工程について説明する。
ここで、この工程で使用する光ＭＯＣＶＤ法による結晶
成長について説明する。光ＭＯＣＶＤ法が通常のＭＯＣ
ＶＤ法と異なるのは、成長を行なう結晶上にレーザー光
や水銀ランプ等の光を照射することのみである。光が照
射された部分では原料である有機金属が光を吸収するこ
とにより分解が促進されて、結晶の成長速度が速くなる
。
成長について説明する。光ＭＯＣＶＤ法が通常のＭＯＣ
ＶＤ法と異なるのは、成長を行なう結晶上にレーザー光
や水銀ランプ等の光を照射することのみである。光が照
射された部分では原料である有機金属が光を吸収するこ
とにより分解が促進されて、結晶の成長速度が速くなる
。
【００１８】ＣｄＨｇＴｅの光ＭＯＣＶＤ成長において
は雑誌（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ，Ｖ
ｏｌ．８，Ｎｏ２，１９９０ Ｉｒｖｉｎｅｔａｌ．）
に記載されているように、アルゴンイオンレーザー光を
照射した部分では、照射しない部分より１０倍の速度で
ＣｄＨｇＴｅ結晶が成長する。従って光ＭＯＣＶＤ法を
用いることにより、成長を行なう結晶上の光を照射した
部分にＣｄＨｇＴｅ結晶の選択成長を行なうことが可能
である。
は雑誌（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ，Ｖ
ｏｌ．８，Ｎｏ２，１９９０ Ｉｒｖｉｎｅｔａｌ．）
に記載されているように、アルゴンイオンレーザー光を
照射した部分では、照射しない部分より１０倍の速度で
ＣｄＨｇＴｅ結晶が成長する。従って光ＭＯＣＶＤ法を
用いることにより、成長を行なう結晶上の光を照射した
部分にＣｄＨｇＴｅ結晶の選択成長を行なうことが可能
である。
【００１９】上記の光ＭＯＣＶＤ法により、図３に示す
ようにマスクを用いて画素形成部分にのみ例えばアルゴ
ンイオンレーザー光を照射して、前記ＣｄＨｇＴｅ層１
と同じ組成のＰ型Ｃｄ０．２ Ｈｇ０．８ Ｔｅ層１ａ
を形成する。画素形成部に約２μｍの厚さのＣｄＨｇＴ
ｅ層１ａを形成する。同時に画素形成部以外の部分には
０．２ μｍ以下の厚さのＣｄＨｇＴｅ層１ｂが形成さ
れる。
ようにマスクを用いて画素形成部分にのみ例えばアルゴ
ンイオンレーザー光を照射して、前記ＣｄＨｇＴｅ層１
と同じ組成のＰ型Ｃｄ０．２ Ｈｇ０．８ Ｔｅ層１ａ
を形成する。画素形成部に約２μｍの厚さのＣｄＨｇＴ
ｅ層１ａを形成する。同時に画素形成部以外の部分には
０．２ μｍ以下の厚さのＣｄＨｇＴｅ層１ｂが形成さ
れる。
【００２０】次に図４に示すように、前記の光ＭＯＣＶ
Ｄ法により前記マスクの反転マスクを用いて、前記画素
形成部以外の部分にアルゴンイオンレーザー光を照射し
て、例えば組成比ｘ＝０．３ の広禁制帯幅のＣｄ０．
３ Ｈｇ０．７ Ｔｅ層２を前記Ｃｄ０．２ Ｈｇ０．
８ Ｔｅ層１ａと同じ厚さだけ約２μｍ形成する。同時
に画素形成部には０．２ μｍ以下の厚さのＣｄ０．３
Ｈｇ０．７ Ｔｅ層２ａが形成される。上記行程によ
り形成されたＣｄＨｇＴｅ結晶は段差のない、平坦な表
面を持つ。
Ｄ法により前記マスクの反転マスクを用いて、前記画素
形成部以外の部分にアルゴンイオンレーザー光を照射し
て、例えば組成比ｘ＝０．３ の広禁制帯幅のＣｄ０．
３ Ｈｇ０．７ Ｔｅ層２を前記Ｃｄ０．２ Ｈｇ０．
８ Ｔｅ層１ａと同じ厚さだけ約２μｍ形成する。同時
に画素形成部には０．２ μｍ以下の厚さのＣｄ０．３
Ｈｇ０．７ Ｔｅ層２ａが形成される。上記行程によ
り形成されたＣｄＨｇＴｅ結晶は段差のない、平坦な表
面を持つ。
【００２１】次に、図５に示すように、上記行程により
形成されたＣｄＨｇＴｅ結晶の表面の全面をエッチング
してＣｄ０．３ Ｈｇ０．７ Ｔｅ層２ａを取り除く。 次に図６に示すように、ＺｎＳ 膜を１μｍ程度蒸着し
、写真製版法を用いてマスク１２を形成する。この時、
マスク１２により、前記ＣｄＨｇＴｅ層１の表面は全て
露出される。続いて、Ｎ型不純物を拡散または注入によ
りドープし、図７に示すようなＰＮ接合４を形成する。
形成されたＣｄＨｇＴｅ結晶の表面の全面をエッチング
してＣｄ０．３ Ｈｇ０．７ Ｔｅ層２ａを取り除く。 次に図６に示すように、ＺｎＳ 膜を１μｍ程度蒸着し
、写真製版法を用いてマスク１２を形成する。この時、
マスク１２により、前記ＣｄＨｇＴｅ層１の表面は全て
露出される。続いて、Ｎ型不純物を拡散または注入によ
りドープし、図７に示すようなＰＮ接合４を形成する。
【００２２】続いて、図８に示すようにマスク１２を除
去する。次に、図９に示すように、絶縁膜６を形成する
とともにＮ側電極７及びＰ側電極８を形成して、フォト
ダイオードを完成する。次に図１０に示すように、イン
ジウムバンプ９を形成してシリコンＣＣＤ１０に接続す
る。
去する。次に、図９に示すように、絶縁膜６を形成する
とともにＮ側電極７及びＰ側電極８を形成して、フォト
ダイオードを完成する。次に図１０に示すように、イン
ジウムバンプ９を形成してシリコンＣＣＤ１０に接続す
る。
【００２３】次に、以上のように形成された赤外線検知
装置の動作について説明する。図１に示すように、素子
に赤外線１１が入射すると、Ｃｄ０．２Ｈｇ０．８ Ｔ
ｅ層１で１０μｍの波長の赤外線が吸収され、電子正孔
対が発生し、このうちＰＮ接合部４に達したものがイン
ジウムバンプ９を介してシリコンＣＣＤ１０に信号とし
て送られる。
装置の動作について説明する。図１に示すように、素子
に赤外線１１が入射すると、Ｃｄ０．２Ｈｇ０．８ Ｔ
ｅ層１で１０μｍの波長の赤外線が吸収され、電子正孔
対が発生し、このうちＰＮ接合部４に達したものがイン
ジウムバンプ９を介してシリコンＣＣＤ１０に信号とし
て送られる。
【００２４】このような本実施例の構造では、Ｃｄ０．
２ Ｈｇ０．８Ｔｅ層１内のＰＮ接合部４が表面に露出
しておらず、広禁制帯幅のＣｄ０．３ Ｈｇ０．７ Ｔ
ｅ層２に接している構造となっているので、従来例と同
様に表面リーク電流を低減することができる。
２ Ｈｇ０．８Ｔｅ層１内のＰＮ接合部４が表面に露出
しておらず、広禁制帯幅のＣｄ０．３ Ｈｇ０．７ Ｔ
ｅ層２に接している構造となっているので、従来例と同
様に表面リーク電流を低減することができる。
【００２５】本実施例の作製方法では、図５に示すよう
に、ＣｄＨｇＴｅ結晶の表面が段差がなく平坦であるの
で、従来例に比べて絶縁膜６がはがれることが少なく、
又インジウムバンプ９の形成行程を容易かつ制御性、再
現性よく行なうことができる。
に、ＣｄＨｇＴｅ結晶の表面が段差がなく平坦であるの
で、従来例に比べて絶縁膜６がはがれることが少なく、
又インジウムバンプ９の形成行程を容易かつ制御性、再
現性よく行なうことができる。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、光Ｍ
ＯＣＶＤ法により画素部にのみＣｄＨｇＴｅ層を選択的
に形成する第１の工程と画素部以外の部分に広禁制帯幅
のＣｄＨｇＴｅ層を選択的に形成する第２の工程により
、段差がなく、所定の部分が広禁制帯幅のＣｄＨｇＴｅ
結晶を作製するようにしたので、絶縁膜がはがれること
が少なく、又バンプの形成工程を容易かつ制御性、再現
性よく行なうことができる。
ＯＣＶＤ法により画素部にのみＣｄＨｇＴｅ層を選択的
に形成する第１の工程と画素部以外の部分に広禁制帯幅
のＣｄＨｇＴｅ層を選択的に形成する第２の工程により
、段差がなく、所定の部分が広禁制帯幅のＣｄＨｇＴｅ
結晶を作製するようにしたので、絶縁膜がはがれること
が少なく、又バンプの形成工程を容易かつ制御性、再現
性よく行なうことができる。
【図１】この発明に係る赤外線検知装置の構造を示す断
面図である。
面図である。
【図２】この発明の一実施例による赤外線検知装置の製
造方法の第１工程を示す図である。
造方法の第１工程を示す図である。
【図３】この発明の一実施例による赤外線検知装置の製
造方法の第２工程を示す図である。
造方法の第２工程を示す図である。
【図４】この発明の一実施例による赤外線検知装置の製
造方法の第３工程を示す図である。
造方法の第３工程を示す図である。
【図５】この発明の一実施例による赤外線検知装置の製
造方法の第４工程を示す図である。
造方法の第４工程を示す図である。
【図６】この発明の一実施例による赤外線検知装置の製
造方法の第５工程を示す図である。
造方法の第５工程を示す図である。
【図７】この発明の一実施例による赤外線検知装置の製
造方法の第６工程を示す図である。
造方法の第６工程を示す図である。
【図８】この発明の一実施例による赤外線検知装置の製
造方法の第７工程を示す図である。
造方法の第７工程を示す図である。
【図９】この発明の一実施例による赤外線検知装置の製
造方法の第８工程を示す図である。
造方法の第８工程を示す図である。
【図１０】この発明の一実施例による赤外線検知装置の
製造方法の第９工程を示す図である。
製造方法の第９工程を示す図である。
【図１１】従来の赤外線検知装置の構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図１２】従来の赤外線検知装置の製造方法の第１工程
を示す図である。
を示す図である。
【図１３】従来の赤外線検知装置の製造方法の第２工程
を示す図である。
を示す図である。
【図１４】従来の赤外線検知装置の製造方法の第３工程
を示す図である。
を示す図である。
【図１５】従来の赤外線検知装置の製造方法の第４工程
を示す図である。
を示す図である。
【図１６】従来の赤外線検知装置の製造方法の第５工程
を示す図である。
を示す図である。
【図１７】従来の赤外線検知装置の製造方法の第６工程
を示す図である。
を示す図である。
【図１８】従来の赤外線検知装置をバンプ電極を介して
ＣＣＤに接続した様子を示す図である。
ＣＣＤに接続した様子を示す図である。
１ ＣｄＨｇＴｅ層
２ 広禁制帯幅のＣｄＨｇＴｅ層
３ 不純物ドープ層
４ ＰＮ接合
５ 基板
６ 絶縁膜
７，８ 電極
９ バンプ
１０ シリコンＣＣＤ
１１ 赤外線
Claims (1)
- 【請求項１】 カドミウム・水銀・テルル（ＣｄＨｇ
Ｔｅ）結晶を用いたフォトダイオード型の赤外線検出器
において、受光部となるＣｄＨｇＴｅ層と該ＣｄＨｇＴ
ｅ層以外の部分に広い禁制帯幅を持つＣｄＨｇＴｅ層を
光有機金属気層成長法（光ＭＯＣＶＤ法）により選択的
に形成することを特徴とする赤外線検知装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3040130A JPH04288882A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 赤外線検知装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3040130A JPH04288882A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 赤外線検知装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04288882A true JPH04288882A (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=12572226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3040130A Pending JPH04288882A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 赤外線検知装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04288882A (ja) |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP3040130A patent/JPH04288882A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI463647B (zh) | 固態成像裝置及其製造方法，及成像設備 | |
| US6657194B2 (en) | Multispectral monolithic infrared focal plane array detectors | |
| US9673347B2 (en) | Minority carrier based HgCdTe infrared detectors and arrays | |
| JPH0714996A (ja) | 赤外線検出器とその製造方法 | |
| JP3236624B2 (ja) | 光感応性電子素子、その素子を使用したカラーセンサー、及びその素子の製造方法 | |
| JPH05267695A (ja) | 赤外線撮像装置 | |
| JP2959460B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0828493B2 (ja) | 光検知器 | |
| US5241196A (en) | Photoresponsive device including composition grading and recessed contacts for trapping minority carriers | |
| Jones et al. | High performance MW and LW IRFPAs made from HgCdTe grown by MOVPE | |
| US5187378A (en) | Photodetector | |
| US5198370A (en) | Method for producing an infrared detector | |
| US5229321A (en) | Method of diffusing mercury into a crystalline semiconductor material including mercury | |
| JP2000188407A (ja) | 赤外線検知素子 | |
| JPH04288882A (ja) | 赤外線検知装置の製造方法 | |
| EP0142891B1 (fr) | Dispositif à couplage de charges sensible au rayonnement infrarouge et procédé de réalisation d'un tel dispositif | |
| JPH07105522B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001274451A (ja) | 半導体撮像素子およびその製造方法 | |
| KR100525169B1 (ko) | ＨｇＣｄＴｅ 광다이오드 제조방법 | |
| JP2751702B2 (ja) | 赤外線検出器およびその製造方法 | |
| JPH02226777A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| JPH01223779A (ja) | 赤外線検出器 | |
| JPH11121772A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR930010128B1 (ko) | 수직방향으로 pin구조를 갖는 포토다이오드의 제조방법 | |
| JP2798927B2 (ja) | 半導体受光装置及びその製造方法 |