JPH04287937A - プリント配線板 - Google Patents
プリント配線板Info
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- JPH04287937A JPH04287937A JP3055391A JP3055391A JPH04287937A JP H04287937 A JPH04287937 A JP H04287937A JP 3055391 A JP3055391 A JP 3055391A JP 3055391 A JP3055391 A JP 3055391A JP H04287937 A JPH04287937 A JP H04287937A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
- H05K3/426—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in substrates without metal
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
- H05K3/428—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in substrates having a metal pattern
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はフリップチップ対応のプ
リント配線板に関する。
リント配線板に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、実装部品としてのICチップを、
導電用パターンが設けられたプリント配線板に実装する
のに、ICチップが収納されたパッケージのリードを前
記パターンにハンダ付けする方法がある。このようにI
Cチップをパッケージ化したものをプリント配線板に実
装すると、プリント配線板における実装の高密度化が図
れないことになる。そこで、高密度化を図るためにIC
チップを直接導電用パターンにハンダ付けしてプリント
配線板に実装している。
導電用パターンが設けられたプリント配線板に実装する
のに、ICチップが収納されたパッケージのリードを前
記パターンにハンダ付けする方法がある。このようにI
Cチップをパッケージ化したものをプリント配線板に実
装すると、プリント配線板における実装の高密度化が図
れないことになる。そこで、高密度化を図るためにIC
チップを直接導電用パターンにハンダ付けしてプリント
配線板に実装している。
【0003】このようなプリント配線板として、例えば
図10および図11に示すようなものがある。図10お
よび図11においてガラス・エポシキ樹脂からなる絶縁
基板101には導体パターン102が設けられており、
この導体パターン102は絶縁基板101の表面に圧着
された銅箔の第1導電層103と、この第1導電層10
3の上に銅めっきされた第2導電層104とからなって
いる。導電パターン102の接続部102aにシリコン
からなるICチップ105のバンプ106をハンダ付け
して、ICチップ105を実装している。
図10および図11に示すようなものがある。図10お
よび図11においてガラス・エポシキ樹脂からなる絶縁
基板101には導体パターン102が設けられており、
この導体パターン102は絶縁基板101の表面に圧着
された銅箔の第1導電層103と、この第1導電層10
3の上に銅めっきされた第2導電層104とからなって
いる。導電パターン102の接続部102aにシリコン
からなるICチップ105のバンプ106をハンダ付け
して、ICチップ105を実装している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】導体パターン102の
接続部102aをICチップ105のバンプ106にハ
ンダ付けするときには、絶縁基板101とICチップ1
05とがハンダの融点以上の温度に加熱されることにな
る。ところで、絶縁基板101のガラス・エポシキ樹脂
の方は熱膨張係数が大きく、ICチップ105のシリコ
ンの方は熱膨張係数は小さい。そうすると、ガラス・エ
ポシキ樹脂とシリコンとは熱膨張率が大きく相異するこ
とから、冷却したときにバンプ106と導体パターン1
02との接続部分には熱応力が発生することになる。導
体パターン102の第1導電層103は絶縁基板101
に圧着されているために、この第1導電層103は変形
することができず、このため前記接続部分にはクラック
が発生し、接続不良になるという問題点があった。
接続部102aをICチップ105のバンプ106にハ
ンダ付けするときには、絶縁基板101とICチップ1
05とがハンダの融点以上の温度に加熱されることにな
る。ところで、絶縁基板101のガラス・エポシキ樹脂
の方は熱膨張係数が大きく、ICチップ105のシリコ
ンの方は熱膨張係数は小さい。そうすると、ガラス・エ
ポシキ樹脂とシリコンとは熱膨張率が大きく相異するこ
とから、冷却したときにバンプ106と導体パターン1
02との接続部分には熱応力が発生することになる。導
体パターン102の第1導電層103は絶縁基板101
に圧着されているために、この第1導電層103は変形
することができず、このため前記接続部分にはクラック
が発生し、接続不良になるという問題点があった。
【0005】ところで、ICチップ105をパッケージ
に収納し、パッケージに取り付けられたリードを接続部
にハンダ付けする場合には、このリードが前記バンプ1
06に対してかなり大きいので前記熱応力によるクラッ
クが発生しない。
に収納し、パッケージに取り付けられたリードを接続部
にハンダ付けする場合には、このリードが前記バンプ1
06に対してかなり大きいので前記熱応力によるクラッ
クが発生しない。
【0006】本発明は、ICチップ105のバンプ10
6と導体パターン102との接続部102aにハンダ付
けするときに、クラックが発生するのを防止したプリン
ト配線板を提供することを目的とする。
6と導体パターン102との接続部102aにハンダ付
けするときに、クラックが発生するのを防止したプリン
ト配線板を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明にあっては、実装部品との接続部を有
する導体パターンが絶縁基板に設けられたプリント配線
板において、前記接続部を前記実装部品とは接続させず
に絶縁基板に圧着された第1導電層と、前記実装部品と
接続し、前記基板に対して剥離・摺動可能な第2導電層
とから構成したものである。
るために、本発明にあっては、実装部品との接続部を有
する導体パターンが絶縁基板に設けられたプリント配線
板において、前記接続部を前記実装部品とは接続させず
に絶縁基板に圧着された第1導電層と、前記実装部品と
接続し、前記基板に対して剥離・摺動可能な第2導電層
とから構成したものである。
【0008】
【作用】実装部品を導体パターンにハンダ付けして接続
すると、この接続部分は冷却したときに熱応力によるク
ラックが発生し、接続不良となる虞が生じる。しかし、
第2導電層は第1導電層とは異なり絶縁基板から剥離可
能であるので、前記接続部分に発生する熱応力は第2導
電層の接続部が剥離・摺動して変形することで小さく抑
えることができる。
すると、この接続部分は冷却したときに熱応力によるク
ラックが発生し、接続不良となる虞が生じる。しかし、
第2導電層は第1導電層とは異なり絶縁基板から剥離可
能であるので、前記接続部分に発生する熱応力は第2導
電層の接続部が剥離・摺動して変形することで小さく抑
えることができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
1ないし図7は本発明に係るプリント配線板の一実施例
を示す図である。
1ないし図7は本発明に係るプリント配線板の一実施例
を示す図である。
【0010】図1に示すようにガラス・エポシキ樹脂製
の絶縁基板1の上には銅箔の第1導電層2a,2bが強
く圧着されており、このため第1導電層2a,2bは絶
縁基板1に強固に接着している。
の絶縁基板1の上には銅箔の第1導電層2a,2bが強
く圧着されており、このため第1導電層2a,2bは絶
縁基板1に強固に接着している。
【0011】次に、図2に示すように絶縁基板1にスル
ーホール用の下孔3をドリル等によって穿設する。また
、次に実装部分1a以外の第1導電層2aをマスキング
し、前記実装部分1aに位置する第1導電層2aをエッ
チングする。次に、図3に示すように無電解めっきで絶
縁基板1に導電性を付与したのち銅を電気めっきし表,
裏側の第1導電層2a,2bをめっき層4によって接続
する。次に、図4に示すように、めっき層4の必要な部
分をマスキングし、このめっき層4露出部分をエッチン
グして除去し、第2導電層5を形成する。次に、第2導
電層5の接続部5aをソルダーレジスト等でマスキング
し、図5に示すように接続部5aに接続方法に適した金
,錫,ハンダ等の皮膜を形成し、このとき同時にバンプ
5bを形成する。
ーホール用の下孔3をドリル等によって穿設する。また
、次に実装部分1a以外の第1導電層2aをマスキング
し、前記実装部分1aに位置する第1導電層2aをエッ
チングする。次に、図3に示すように無電解めっきで絶
縁基板1に導電性を付与したのち銅を電気めっきし表,
裏側の第1導電層2a,2bをめっき層4によって接続
する。次に、図4に示すように、めっき層4の必要な部
分をマスキングし、このめっき層4露出部分をエッチン
グして除去し、第2導電層5を形成する。次に、第2導
電層5の接続部5aをソルダーレジスト等でマスキング
し、図5に示すように接続部5aに接続方法に適した金
,錫,ハンダ等の皮膜を形成し、このとき同時にバンプ
5bを形成する。
【0012】このように図6および図7に示すように導
体パターン6は第1導電層2a,2bと第2導電層5と
からなり、第1導電層2a,2bは絶縁基板1に強固に
接着されているが、第2導電層5は絶縁基板1と第2導
電層2a,2bに電気めっきされているだけなので、第
2導電層5は内部応力によって絶縁基板1から剥離・摺
動して容易に変形することが可能である。
体パターン6は第1導電層2a,2bと第2導電層5と
からなり、第1導電層2a,2bは絶縁基板1に強固に
接着されているが、第2導電層5は絶縁基板1と第2導
電層2a,2bに電気めっきされているだけなので、第
2導電層5は内部応力によって絶縁基板1から剥離・摺
動して容易に変形することが可能である。
【0013】そこで、シリコンからなるICチップ7を
実装部分1aに直接実装するのだが、このICチップ7
の接続部にも接続方法に適した金,錫,ハンダ等の皮膜
を形成し、このとき同時にバンプ8が形成される。IC
チップ7のバンプ8と導体パターン6のバンプ5bとに
フラックスを塗布した後にこれらをハンダ付けする。こ
のとき、シリコン製のICチップ7とガラス・エポキシ
樹脂製の絶縁基板1とはハンダの融点以上の温度に加熱
される。
実装部分1aに直接実装するのだが、このICチップ7
の接続部にも接続方法に適した金,錫,ハンダ等の皮膜
を形成し、このとき同時にバンプ8が形成される。IC
チップ7のバンプ8と導体パターン6のバンプ5bとに
フラックスを塗布した後にこれらをハンダ付けする。こ
のとき、シリコン製のICチップ7とガラス・エポキシ
樹脂製の絶縁基板1とはハンダの融点以上の温度に加熱
される。
【0014】ここで、前記したようにガラス・エポキシ
樹脂の熱膨張係数は大きく、シリコンの熱膨張係数は小
さい。このため、バンプ8とバンプ5bとの接続部分は
、冷却したときに熱応力によるクラックが発生し、接続
不良となる虞が生じる。しかし、第2導電層5は第1導
電層2a,2bとは異なり前記したように絶縁基板1か
ら剥離・摺動可能であるので、前記接続部分に発生する
熱応力は第2導電層5の接続部5aが剥離して変形する
ことで小さく抑えることができる。したがって、前記接
続部分にクラックが発生するのを防止し、この接続部分
が接続不良となる様なことはない。
樹脂の熱膨張係数は大きく、シリコンの熱膨張係数は小
さい。このため、バンプ8とバンプ5bとの接続部分は
、冷却したときに熱応力によるクラックが発生し、接続
不良となる虞が生じる。しかし、第2導電層5は第1導
電層2a,2bとは異なり前記したように絶縁基板1か
ら剥離・摺動可能であるので、前記接続部分に発生する
熱応力は第2導電層5の接続部5aが剥離して変形する
ことで小さく抑えることができる。したがって、前記接
続部分にクラックが発生するのを防止し、この接続部分
が接続不良となる様なことはない。
【0015】次に、本発明に係るプリント配線板の第2
実施例を図8および図9に示す。同図に示すように第1
導電層11とこれに電気めっきした第2導電層12とを
曲折して形成したものである。このため、第2導電層1
2の接続部分12aは、剥離・摺動して一層容易に変形
することができ、バンプ8とバンプ12bの接続部分に
発生する熱応力を一層小さく抑えることができる。また
、接続部分12aの先端に第1導電層11を絶縁基板1
3に残しているので、加工段階で導体パターン14の接
続部分12aが絶縁基板13から剥れるのが防止される
。
実施例を図8および図9に示す。同図に示すように第1
導電層11とこれに電気めっきした第2導電層12とを
曲折して形成したものである。このため、第2導電層1
2の接続部分12aは、剥離・摺動して一層容易に変形
することができ、バンプ8とバンプ12bの接続部分に
発生する熱応力を一層小さく抑えることができる。また
、接続部分12aの先端に第1導電層11を絶縁基板1
3に残しているので、加工段階で導体パターン14の接
続部分12aが絶縁基板13から剥れるのが防止される
。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第2導電層は第1導電層とは異なり、絶縁基板から剥離
・摺動可能であるので、実装部品と導体パターンとの接
続部分に発生する熱応力は第2導電層の接続部が剥離・
摺動して変形することで小さく抑えることができる。し
たがって、前記接続部分にクラックが発生するのを防止
し、この接続部分が接続不良となる様なことはない。
第2導電層は第1導電層とは異なり、絶縁基板から剥離
・摺動可能であるので、実装部品と導体パターンとの接
続部分に発生する熱応力は第2導電層の接続部が剥離・
摺動して変形することで小さく抑えることができる。し
たがって、前記接続部分にクラックが発生するのを防止
し、この接続部分が接続不良となる様なことはない。
【図1】本発明に係るプリント配線板の製造工程を示す
断面図。
断面図。
【図2】本発明に係るプリント配線板の製造工程を示す
断面図。
断面図。
【図3】本発明に係るプリント配線板の製造工程を示す
断面図。
断面図。
【図4】本発明に係るプリント配線板の製造工程を示す
断面図。
断面図。
【図5】本発明に係るプリント配線板の製造工程を示す
断面図。
断面図。
【図6】このプリント配線板の第1実施例を示す断面図
。
。
【図7】同平面図。
【図8】このプリント配線板の第2実施例を示す断面図
。
。
【図9】同平面図。
【図10】従来のプリント配線板を示す断面図。
【図11】同平面図。
1…絶縁基板、2a,2b…第1導電層、5…第2導電
層、6…導体パターン。
層、6…導体パターン。
Claims (1)
- 【請求項1】 実装部品との接続部を有する導体パタ
ーンが絶縁基板に設けられたプリント配線板において、
前記接続部を前記実装部品とは接続させずに絶縁基板に
圧着された第1導電層と、前記実装部品と接続し、前記
絶縁基板に対して剥離・摺動可能な第2導電層とから構
成したことを特徴とするプリント配線板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3055391A JPH04287937A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | プリント配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3055391A JPH04287937A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | プリント配線板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04287937A true JPH04287937A (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=12306989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3055391A Pending JPH04287937A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | プリント配線板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04287937A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7307339B2 (en) | 2003-10-17 | 2007-12-11 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having curved leads offset from the center of bonding pads |
AT511758A3 (de) * | 2011-05-17 | 2013-12-15 | Ksg Leiterplatten Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Halbzeuges für eine ein- oder mehrlagige Leiterplatte und Halbzeug |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP3055391A patent/JPH04287937A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7307339B2 (en) | 2003-10-17 | 2007-12-11 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having curved leads offset from the center of bonding pads |
AT511758A3 (de) * | 2011-05-17 | 2013-12-15 | Ksg Leiterplatten Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Halbzeuges für eine ein- oder mehrlagige Leiterplatte und Halbzeug |
AT511758B1 (de) * | 2011-05-17 | 2014-03-15 | Ksg Leiterplatten Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Halbzeuges für eine ein- oder mehrlagige Leiterplatte und Halbzeug |
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