JPH04282824A - 処理方法および処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、処理技術に関し、特に
、多品種少量の被処理物の製造や検査などに適用して有
効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の高集積化に伴って、Ａ
ＳＩＣ（特定用途向け集積回路）用ＬＳＩは、必要とす
る品種数が増加し、逆に数量が減少している。このため
、ＡＳＩＣ用ＬＳＩでは、製造する品種数と数量などに
より、ゲートアレイ、マスタスライスなどの標準化手法
が採用されている。

【０００３】一方、半導体集積回路の製造プロセスでは
、後述の電子線露光技術などが用いられ、半導体ウェハ
上に複数の品種の半導体チップパターンを露光すること
が行なわれている。

【０００４】すなわち、半導体集積回路等の製造プロセ
スにおいて、半導体基板に目的の集積回路パターンを転
写する露光工程では、光による露光技術に代えて、株式
会社工業調査会、昭和６１年１１月１８日発行、「電子
材料」１９８６年１１月号別冊Ｐ１１０〜Ｐ１１４に記
載されているように、電子線によるパターンの描画によ
って、半導体基板に塗布されているレジストを露光させ
る電子線露光技術が用いられている。露光後、レジスト
を現像し、それをマスクにして半導体基板を加工するも
のである。

【０００５】上記の電子線露光技術では、従来の光によ
る露光で必要としたマスクを作成することなく、直接半
導体ウェハ上に複数の品種の半導体チップパターンを描
画することができる。

【０００６】また、半導体ウェハ上に加工した識別記号
を読み取り、複数のウェハの仕分け集約を目的としたウ
ェハロット編成装置は、実現されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術におい
ては、下記のような課題が顕在化してきた。

【０００８】すなわち、半導体集積回路の高集積化に伴
って、ＡＳＩＣ用ＬＳＩは、必要とする品種数の増加と
数量の減少が顕著となってきた。特に、大型計算機用の
ＬＳＩでは、製造する品種数が多く、数量が少なくなり
、必要とするＬＳＩ品種の大部分は、計算機一台あたり
一個しか使わないようになっている。このような場合、
同一の半導体ウェハ上に複数の品種を混載するので、半
導体ウェハの枚数が５枚程度と少なくなっている。

【０００９】一方、従来では、上記のウェハの組合せや
ウェハ上に加工するパターンの品種に対応して、ウェハ
ロットを変えることが行なわれている。これは、品種が
異なれば製造プロセスの条件が異なることが多いことか
ら、ウェハロットを変えて対応するものである。このた
め、上記のようなＡＳＩＣ用ＬＳＩの製造ラインでは、
ウェハロット数が増加し、逆にロット内のウェハ枚数が
少なくなり、ウェハロットの管理や処理作業の煩雑化を
きたしている。

【００１０】上記のＡＳＩＣ用ＬＳＩの製造ラインの内
、特に露光工程では、半導体チップ上の素子間配線を変
えることで必要とする品種を得ており、配線パターンを
該当する品種に応じて変えるだけでなく、ロット内のウ
ェハ枚数が少ないため、各ロットの切り替え時における
描画データの転送や露光用マスクの交換などの段取り作
業のために、露光装置に作業者が長時間拘束されるとと
もに、段取り作業が露光作業の所要時間の大半を占めて
スループットの低下を招き、また、作業ミスが発生しや
すくなっている。

【００１１】被加工物であるウェハの加工、検査等の処
理に際して、少量多品種品であることによる処理能力が
低下する場合には、被加工物に識別記号を設け、これを
読み取り、加工部、検査部にその情報を送ることで処理
能力の向上を図るようにするためには、このような生産
管理情報を大型計算機に蓄えて、そこから各装置に指示
を出すアイデアがあるが、大型計算機側の制御システム
だけでなく、各製造プロセス装置側の制御システムの対
応が必要となり、実現上問題が多い。

【００１２】したがって、本発明の目的は、比較的少量
で多品種の被処理物の処理効率を向上させることが可能
な処理方法を提供することにある。

【００１３】本発明の他の目的は、比較的少量で多品種
の被処理物の処理効率を向上させることが可能な処理装
置を提供することにある。

【００１４】本発明の上記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本願に於いて開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。

【００１６】すなわち、本発明の処理方法は、被処理物
に対して、所与の処理情報または処理手段を用いて所望
の処理を施す処理方法であって、複数の被処理物の各々
に記された識別情報を読み取って１または２以上の被処
理物からなるロットを編成する第１の段階と、ロットの
編成情報に基づいて、処理情報または処理手段の使用順
序を決定する第２の段階と、使用順序に基づいて管理さ
れる処理情報または処理手段を用いて、ロットを構成す
る個々の被処理物に対する処理を遂行する第３の段階と
を経ることによって処理を遂行するものである。

【００１７】また、本発明になる処理装置は、被処理物
の各々に記された識別情報を読み取る読取手段と、識別
情報に基づいて、１または２以上の被処理物からなるロ
ットを編成するロット制御部と、識別情報および被処理
物のロット編成情報が格納される第１の記憶手段とを備
えたロット編成部と、処理情報および処理手段の少なく
とも一方を用いて被処理物に対する所望の処理を行う処
理機構と、ロット制御部から得られるロット編成情報に
基づいて、処理情報および処理手段の少なくとも一方の
使用順序を決定する処理制御部と、処理情報および処理
手段の管理情報が格納される第２の記憶手段とを備えた
処理部とからなるものである。

【００１８】

【作用】上記した本発明の処理方法によれば、たとえば
、被処理物が多品種少量の場合でも、個々の被処理物の
識別情報に基づいて最適なロット編成を行い、このロッ
ト編成情報に基づいて、各種の被処理物の処理に必要な
処理情報や処理手段の使用順序を決定するので、被処理
物の品種の切り替えなどに伴う処理情報や処理手段の設
定などの段取り作業を作業者を煩わすことなく自動的に
遂行することができ、多品種の被処理物の処理効率が向
上するとともに、処理作業をより的確に遂行することが
できる。

【００１９】また、本発明になる処理装置によれば、た
とえば、被処理物が多品種少量の場合でも、ロット編成
部において、個々の被処理物の識別情報に基づいて最適
なロット編成を行い、処理部では、このロット編成情報
に基づいて、処理制御部が各種の被処理物の処理に必要
な処理情報や処理手段の使用順序を決定するので、被処
理物の品種の切り替えに伴う処理情報や処理手段の設定
などの段取り作業を作業者を煩わすことなく自動的に遂
行することができ、多品種の被処理物の処理効率が向上
するとともに、処理作業をより的確に遂行することがで
きる。

【００２０】

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
である処理方法および装置について詳細に説明する。

【００２１】図１は、本発明の処理方法および処理装置
を、電子線描画に適用した場合の構成の一例の要部を示
すブロック図であり、図２は、その作用の一例を示す説
明図である。

【００２２】電子線描画部Ａは、Ｘ−Ｙテーブルなどか
らなり、半導体ウェハＷが載置される試料台１と、この
試料台１の直上方に設けられ、試料台１上の半導体ウェ
ハＷに対して電子線２を照射する電子線源３と、電子線
源３と試料台１との間における電子線２の経路に配置さ
れ、当該電子線２の制御を行う電子光学系４とを備えて
いる。なお、特に図示しないが、試料台１，電子光学系
４，電子線源３などは、真空チャンバ内に収容されてお
り、半導体ウェハＷの出し入れは図示しないロードロッ
ク室を介して行われる。

【００２３】電子光学系４は、描画制御部５によって制
御されており、この描画制御部５には、半導体メモリな
どからなり、描画データなどが格納されるバッファメモ
リ６が設けられている。

【００２４】さらに、描画制御部５は、入出力制御部（
Ｉ／Ｏ）７を介して、全体の制御を司る制御計算機８お
よび、複数の品種の半導体ウェハＷに関する描画データ
が格納されている、大容量のハードディスク装置などか
らなるデータ記憶部９に接続されている。制御計算機８
は、中央処理装置（ＣＰＵ）８ａおよびディスプレイや
制御卓などからなる制御ターミナル８ｂなどによって構
成されている。

【００２５】電子線描画部Ａは、インターフェイス制御
部（Ｉ／Ｏ）１０を介して、ロット編成部Ｂに接続され
ている。

【００２６】一方、ロット編成部Ｂは、光源１１ａ，光
学系１１ｂ，センサ１１ｃなどからなる読取部１１と、
判定基準データなどが格納されているメモリ１２ａ，比
較器１２ｂなどからなる信号処理部１２と、全体の制御
を行うロット編成制御計算機（ＣＰＵ）１３と、ロット
データ記憶部１４と、電子線描画部Ａとの間におけるイ
ンターフェイス制御を司るインターフェイス制御部１５
とを備えている。ロット編成制御計算機１３は中央処理
装置（ＣＰＵ）１３ａおよびディスプレイや制御卓など
からなる制御ターミナル１３ｂなどによって構成されて
いる。

【００２７】読取部１１は、半導体ウェハＷの一部に記
載されている、英数字やバーコードなどからなる識別情
報Ｗａを光学的に読み取り、センサ１１ｃに得られた画
像データを信号処理部１２に送出し、信号処理部１２は
、比較器１２ｂにおいて、メモリ１２ａに格納されてい
る基準データと照合することにより、当該半導体ウェハ
Ｗの品種などの識別情報Ｗａを認識してロット編成制御
計算機１３に伝達する動作を行う。

【００２８】ロット編成制御計算機１３は、読取部１１
および信号処理部１２を介して得られた個々の半導体ウ
ェハＷの識別情報Ｗａに基づいて、一つまたは複数の半
導体ウェハＷからなる最適なロット編成を算出し、得ら
れたロット編成データをロットデータ記憶部１４に格納
する動作を行う。ロット編成部Ｂは、インターフェイス
制御部１５を介して電子線描画部Ａと接続されており、
後述のような情報の授受動作が可能になっている。

【００２９】以下、本実施例における処理方法および処
理装置の作用の一例を説明する。

【００３０】本実施例の場合には、たとえば図３に例示
されるようなプロセスフロー中における電子線描画処理
を行う場合について説明する。

【００３１】まず、ロット編成部Ｂにおいては、レジス
ト塗布工程以前などにおいて任意のロットｋ１，ｋ２を
なして、図示しないカセットなどに装填されて到来する
複数の半導体ウェハＷの識別情報Ｗａを、読取部１１お
よび信号処理部１２において読み取り、個々の半導体ウ
ェハＷの識別情報Ｗａの内容に応じて、後の電子線描画
処理に都合の良い組み合わせを決定し、１枚または複数
枚の半導体ウェハＷからなる新たなロットｋを編成する
とともに、この新たなロットｋの情報はロットデータ記
憶部１４に格納される。

【００３２】そして、ロットｋに編成された半導体ウェ
ハＷは、目的の電子線描画部Ａに搬送される。

【００３３】一方、電子線描画部Ａにおいては、前述の
ロット編成部Ｂにおいて新たに編成されたロットｋが到
来すると、当該ロットｋに関する情報を、インターフェ
イス制御部１０，１５を介して、ロット編成部Ｂのロッ
トデータ記憶部１４から読み出す。そして、この読み出
されたデータに基づいて、必要な描画データＤ１および
描画データＤ２を、付属のデータ記憶部９から読み出し
て、半導体メモリなどからなるバッファメモリ６にまと
めて転送する。この描画データの転送と同時に、試料台
１における図示しないロードロック室には、ロットｋを
構成する半導体ウェハＷが纏めて装填される。

【００３４】そして、半導体ウェハＷは、順次自動的に
試料台１に載置され、描画制御部５は、前述のようにし
てすでにバッファメモリ６に転送されている描画データ
Ｄ１を用いて、電子線源３や電子光学系４を適宜制御し
、目的のパターンを当該半導体ウェハＷ（＃１１）に描
画した後、次の半導体ウェハＷ（＃１２）と入れ替えて
、描画動作を継続し、この動作を繰り返すことにより、
異なる描画データＤ１およびＤ２を用いる複数種の半導
体ウェハＷ（＃１１〜＃２３）を、ロードロック室を介
した出し入れ操作無しに、連続して処理する。この様子
を図２の（ａ）に示す。

【００３５】すなわち、従来のように、それ以前の任意
の工程において編成されたロットｋ１およびロットｋ２
をそのまま受け入れて描画処理を行う場合には、たとえ
ば描画パターンが共通な場合でも、異なる品種は別々の
ロットに属することになるため、同図（ｂ）に示される
ように、個々の半導体ウェハＷ毎に、ロードロック室に
おける真空破壊および真空回復動作を伴う冗長な出し入
れが必要となり、また、その都度、描画データＤ１，Ｄ
２の転送を行うので、各ロットが小さい場合には、作業
者が長時間にわたって拘束されることになる。

【００３６】これに対して、本実施例の場合には、ロッ
ト編成部Ｂにおいて、予め、電子線描画部Ａにおける描
画処理に適したロットｋが編成されているため、半導体
ウェハＷの出し入れや、データ記憶部９からバッファメ
モリ６への描画データの転送の時間や労力が確実に減少
し、多品種の半導体ウェハＷに対する電子線描画処理に
おける所要時間や、作業者の拘束時間が確実に減少する
。このため、単位時間当たりに描画処理される半導体ウ
ェハＷの枚数（スループット）を増大させることができ
る。また作業者の錯誤などによる処理不良の発生が確実
に減少する。

【００３７】図４は、本発明の他の実施例である処理方
法および処理装置の構成の一例を示すブロック図である
。

【００３８】この図４の実施例の場合には、マスクまた
はレチクルを用いた露光処理を行う露光工程に適用した
ものである。

【００３９】すなわち、複数の露光装置Ｐの各々は、マ
スク（レチクル）Ｍを用いて半導体ウェハＷに対する露
光処理を行う露光部２０と、記憶部２２に格納された情
報に基づいて、この露光部２０の動作を制御する露光制
御部２１と、当該露光装置Ｐの全体を制御する制御計算
機（ＣＰＵ）２３とを備えている。特に図示しないが、
制御計算機２３は、作業者が操作する操作卓やディスプ
レイなどを備えている。

【００４０】一方、各露光装置Ｐにおいて使用される各
種のマスクＭは、マスク保管部３０に格納されている。 このマスク保管部３０の動作は、マスク保管制御部３１
および、図示しない操作卓やディスプレイなどを備えた
制御計算機（ＣＰＵ）３２によって制御されている。す
なわち、複数の露光装置Ｐの制御計算機２３は、マスク
保管部３０を制御する制御計算機３２に接続されており
、露光装置Ｐの側からの要求に応じて、当該要求のあっ
たマスクＭを露光装置Ｐに供給したり、用済のマスクＭ
の回収動作などを行うものである。

【００４１】これらの複数の露光装置Ｐには、前記図１
の実施例の場合と同様なロット編成部Ｂが設けられてお
り、外部から、それ以前の工程における任意のロットｋ
１，ｋ２．．をなして到来する複数の半導体ウェハＷを
、各露光装置Ｐにおける露光作業が効率良く遂行可能な
ように、新たなロットｋを編成し、各々の露光装置Ｐに
供給する動作を行うようになっている。

【００４２】以下、この図５の実施例の動作の一例を説
明する。

【００４３】まず、任意のロットｋ１，ｋ２でロット編
成部Ｂに到来する複数の半導体ウェハＷは、複数の露光
装置Ｐの各々における露光処理の効率が最適となる組み
合わせに編成しなおされるとともに、このロットｋの編
成に関する情報は、ロット編成部Ｂのロットデータ記憶
部１４に格納される。

【００４４】新たなロットｋとして、複数の半導体ウェ
ハＷを受け取った各露光装置Ｐは、当該ロットｋに関す
る情報を、制御計算機２３を介して、ロット編成部Ｂの
ロットデータ記憶部１４から読み出し、記憶部２２に格
納する。

【００４５】そして、露光制御部２１は、この記憶部２
２に格納されている情報に基づいて、必要なマスクＭを
マスク保管部３０に要求して受け取り、到来するロット
ｋの半導体ウェハＷに対して、当該マスクＭを用いた露
光処理を遂行する。

【００４６】このように、本実施例の場合には、各露光
装置Ｐの各々における露光処理の効率が最適となるよう
に複数の半導体ウェハＷのロット編成が行われるととも
に、当該ロット編成に応じて、必要なマスクＭの供給が
自動的に行われるので、到来する各半導体ウェハＷに応
じたマスクＭの選択や装填などの段取り作業に作業者が
その都度煩わされることが無くなるとともに、段取りに
要する時間を短縮することができる。この結果、各露光
装置Ｐにおいて単位時間当たりに処理される半導体ウェ
ハＷの数量を向上させることができる。

【００４７】図５は、本発明のさらに他の実施例である
処理方法および処理装置を、半導体ウェハＷの検査工程
に適用した場合について例示したものである。

【００４８】各検査装置Ｔは、所定の試験データやプロ
グラムを用いて半導体ウェハＷに形成されている個々の
図示しない半導体素子の機能検査などを行う検査部４０
と、記憶部４２に格納された試験データやプログラムに
基づいて、この検査部４０の動作を制御する検査制御部
４１と、当該露光装置Ｐの全体を制御する制御計算機（
ＣＰＵ）４３とを備えている。特に図示しないが、制御
計算機４３は、作業者が操作する操作卓やディスプレイ
などを備えている。

【００４９】このような構成の複数の検査装置Ｔは、ロ
ーカルエリア網Ｌを介してホスト計算機（ＣＰＵ）Ｈに
接続されており、当該ホスト計算機Ｈの配下に設けられ
ているデータ保管部Ｄに格納されている、各種試験デー
タや試験プログラムなどの情報を、必要に応じて記憶部
４２に転送して使用することが可能になっている。

【００５０】複数の検査装置Ｔには、前述の各実施例の
場合と同様な構成のロット編成部Ｂが接続されている。 この場合のロット編成部Ｂは、外部からそれ以前の工程
による任意のロットｋ１，ｋ２で到来する複数の半導体
ウェハＷを、各検査装置Ｔにおける半導体ウェハＷの検
査処理の効率が高くなるようなロット編成にして、当該
検査装置Ｔに供給するという動作を行うとともに、当該
ロット編成に関する情報をロットデータ記憶部１４に格
納して、各検査装置にアクセスさせる。

【００５１】すなわち、複数の検査装置Ｔにおいては、
ロット編成部Ｂから到来するロットｋに対応した、ロッ
ト編成情報を、ロット編成部Ｂのロットデータ記憶部１
４から読み出し、必要な試験データやプログラムなどを
データ保管部Ｄに要求して、記憶部４２に転送させるこ
とにより、必要以上に頻繁に、データ保管部Ｄからデー
タ転送を行うことく、当該試験データやプログラムなど
に基づいて各ロットｋを構成する複数の半導体ウェハＷ
に対する試験処理を効率良く行うことができる。

【００５２】このため、試験の所要時間が短縮され、単
位時間当たりに試験処理される半導体ウェハＷの枚数を
増加させることができる。また、データ転送の管理など
のために、その都度、作業者を煩わす必要もなく、試験
工程における所要工数の削減も可能となる。

【００５３】以上、本発明者によってなされた発明を実
地例を基に具体的に説明したが、本発明は、前記実地例
に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５４】たとえば、被処理物としては、半導体ウェ
ハに限らず、プリント基板の加工、検査に用いても良い
。本質的には、被処理物の加工、検査等の処理に際して
、少量多品種品であることによる処理能力が低下する場
合には、被処理物に識別情報を付与し、これを読み取り
、ロットを編成し、加工部、検査部にその情報を送るこ
とで処理能力の向上を図ることができる。

【００５５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００５６】すなわち、本発明の処理方法によれば比較
的少量で多品種の被処理物の処理効率および処理作業の
正確さを向上させることができるという効果が得られる
。

【００５７】また、本発明の処理装置によれば、比較的
少量で多品種の被処理物の処理効率および処理作業の正
確さを向上させることができるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の処理方法および処理装置を、電子線描
画に適用した場合の構成の一例の要部を示すブロック図
である。

【図２】本発明の一実施例である処理方法および処理装
置の作用の一例を示すタイムチャートである。

【図３】被処理物の一例である半導体ウェハによる半導
体集積回路装置の製造プロセスの一例を示すフローチャ
ートである。

【図４】本発明の他の実施例である処理方法および処理
装置の構成の一例を示すブロック図である。

【図５】本発明のさらに他の実施例である処理方法およ
び処理装置を、半導体ウェハの検査装置に適用した場合
の構成の一例を示すブロック図である。

【符号の説明】

１　　試料台 ２　　電子線 ３　　電子線源 ４　　電子光学系 ５　　描画制御部 ６　　バッファメモリ ７　　入出力制御部（Ｉ／Ｏ） ８　　制御計算機 ８ａ　　中央処理装置（ＣＰＵ） ８ｂ　　制御ターミナル ９　　データ記憶部 １０　　インターフェイス制御部（Ｉ／Ｏ）１１　　読
取部 １１ａ　　光源 １１ｂ　　光学系 １１ｃ　　センサ １２　　信号処理部 １２ａ　　メモリ １２ｂ　　比較器 １３　　ロット編成制御計算機（ＣＰＵ）１３ａ　　中
央処理装置（ＣＰＵ） １３ｂ　　制御ターミナル １４　　ロットデータ記憶部 １５　　インターフェイス制御部 ２０　　露光部 ２１　　露光制御部 ２２　　記憶部 ２３　　制御計算機（ＣＰＵ） ３０　　マスク保管部 ３１　　マスク保管制御部 ３２　　制御計算機（ＣＰＵ） ４０　　検査部 ４１　　検査制御部 ４２　　記憶部 ４３　　制御計算機（ＣＰＵ） Ａ　　電子線描画部 Ｂ　　ロット編成部 Ｐ　　露光装置 Ｔ　　検査装置 Ｄ　　データ保管部 Ｄ１　　描画データ Ｄ２　　描画データ Ｈ　　ホスト計算機（ＣＰＵ） Ｌ　　ローカルエリア網 Ｍ　　マスク（レチクル） Ｗ　　半導体ウェハ Ｗａ　　識別情報 ｋ　　ロット ｋ１　　ロット ｋ２　　ロット

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　被処理物に対して、所与の処理情報ま
   たは処理手段を用いて所望の処理を施す処理方法であっ
   て、複数の前記被処理物の各々に記された識別情報を読
   み取って１または２以上の前記被処理物からなるロット
   を編成する第１の段階と、前記ロットの編成情報に基づ
   いて、前記処理情報または処理手段の使用順序を決定す
   る第２の段階と、前記使用順序に基づいて管理される前
   記処理情報または前記処理手段を用いて、前記ロットを
   構成する個々の前記被処理物に対する前記処理を遂行す
   る第３の段階とからなることを特徴とする処理方法。
2. 【請求項２】　　前記被処理物が半導体ウェハであり、
   前記処理情報が前記半導体ウェハに転写すべきパターン
   の描画データおよび描画条件であり、前記処理が、前記
   描画データに基づいて制御される電子線またはレーザを
   用いたパターン描画処理であることを特徴とする請求項
   １記載の処理方法。
3. 【請求項３】　　前記被処理物が半導体ウェハであり、
   前記処理手段がマスクまたはレチクルであり、前記処理
   が前記マスクまたはレチクルを用いた前記半導体ウェハ
   の露光処理であることを特徴とする請求項１記載の処理
   方法。
4. 【請求項４】　　前記被処理物が半導体ウェハであり、
   前記処理情報が、前記半導体ウェハの検査に用いられる
   検査データであり、前記処理が前記検査データを用いた
   前記半導体ウェハの検査であることを特徴とする請求項
   １記載の処理方法。
5. 【請求項５】　　被処理物の各々に記された識別情報を
   読み取る読取手段と、前記識別情報に基づいて、１また
   は２以上の前記被処理物からなるロットを編成するロッ
   ト制御部と、前記識別情報および前記被処理物のロット
   編成情報が格納される第１の記憶手段とを備えたロット
   編成部と、処理情報および処理手段の少なくとも一方を
   用いて前記被処理物に対する所望の処理を行う処理機構
   と、前記ロット制御部から得られる前記ロット編成情報
   に基づいて、前記処理情報および処理手段の少なくとも
   一方の使用順序を決定する処理制御部と、前記処理情報
   および前記処理手段の管理情報が格納される第２の記憶
   手段とを備えた処理部とからなることを特徴とする処理
   装置。
6. 【請求項６】　　前記被処理物が半導体ウェハであり、
   前記処理情報が前記半導体ウェハに転写すべきパターン
   の描画データおよび描画条件であり、前記処理部は、前
   記描画データに基づいて制御される電子線またはレーザ
   を用いて前記半導体ウェハに対するパターン描画処理を
   行うパターン描画装置であることを特徴とする請求項５
   記載の処理装置。
7. 【請求項７】　　前記被処理物が半導体ウェハであり、
   前記処理手段がレチクルであり、前記処理部は前記レチ
   クルを用いて前記半導体ウェハの露光処理を行う露光装
   置であることを特徴とする請求項５記載の処理装置。
8. 【請求項８】　　前記被処理物が半導体ウェハであり、
   前記処理情報が、前記半導体ウェハの検査に用いられる
   検査データであり、前記処理が前記検査データを用いて
   前記半導体ウェハの検査を行う検査装置であることを特
   徴とする請求項５記載の処理装置。