JPH0428279A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

Info

Publication number
JPH0428279A
JPH0428279A JP13345090A JP13345090A JPH0428279A JP H0428279 A JPH0428279 A JP H0428279A JP 13345090 A JP13345090 A JP 13345090A JP 13345090 A JP13345090 A JP 13345090A JP H0428279 A JPH0428279 A JP H0428279A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cap body
transparent plate
semiconductor laser
cap
stem
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP13345090A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2560128B2 (ja
Inventor
Haruo Tanaka
田中 治夫
Hiroaki Takuma
宅間 裕晃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2133450A priority Critical patent/JP2560128B2/ja
Publication of JPH0428279A publication Critical patent/JPH0428279A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2560128B2 publication Critical patent/JP2560128B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザの発光素子として、半導体レーザチッ
プを使用した半導体レーザ装置の改良に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
一般に、この種の半導体レーザ装置は、金属製ステムに
一体的に造形したブロック体に、半導体レーザチップを
タイボンデインクし、この半導体レーザチップの部分に
、ガラス製の透明板を備えた金属製のキャップ体を被嵌
し、該キャップ体を前記ステムに対して固着して封止す
ることにより、前記半導体レーザチップが大気中の湿度
等によって劣化することを防止すると共に、半導体レー
ザチップを外部衝撃から保護するように構成しているこ
とは、周知の通りである。
そして、前記金属製のキャップ体にガラス製の透明板を
固着するに際して従来は、例えば、実開昭62−580
66号公報等に記載されているように、前記ガラス製の
透明板を、金属製のキャップ体に対してガラス半田を使
用して固着したり、或いは、前記透明板をキャップ体に
対して合成樹脂製の接着剤を使用して固着したりしてい
る。
〔発明か解決しようとする課題〕
そして、前者のように、ガラス製の透明板をキャップ体
に対してガラス半田にて固着するに際しては、前記実開
昭62−58066号公報に詳しく説明されているよう
に、先づ、ガラス粉末をリング状にプレス成形したのち
仮焼成することによってリング状のガラス半田を製作し
、このリング状半田を、別の工程において金属板からの
絞り加工によって製作されたキャップ体に装填したのち
、キャップ体に透明板を装填し、この状態で全体を50
0〜600℃の高い温度で焼成して前記ガラス半田を溶
融することによって、前記透明板をガラス半田にてキャ
ップ体に固着する。次いで、前記の焼成に゛よってキャ
ップ体が変色するから、全体を酸洗い処理したのち、キ
ャップ体の表面にニッケル等のメツキを施すようにして
いる。
従って、前者のガラス半田による方法は、キャップ体に
対するガラス製透明板の固着が強固にできる利点を有す
る反面、リング状のガラス半田を製作する工程、及び高
温で焼成する工程、並びに前記焼成の後処理としての酸
洗い・メツキ工程等の複雑な工程を数多く必要とするこ
とに加えて、ガラス製の透明板には、焼成後における酸
洗い及びメツキ工程に際して当該透明板の表面を損傷す
ることかないようにするための保護膜を予め形成してお
く必要があるから、透明板を備えたキャップ体の製造コ
ストが著しくアップすると言う問題がある。
一方、後者のように、透明板をキャップ体に対して合成
樹脂製の接着剤にて固着する方法は、前者のような複雑
な工程を数多く必要としないので、製造コストを大幅に
低減できると言う利点を有する。しかし、その反面、キ
ャップ体に対する透明板の接着剤による固着強度を高く
するために、当該接着剤として、硬化性の接着剤を使用
しなければならないが、硬化性の接着剤を使用すると、
この硬化した接着剤には、当該接着剤と金属製キャップ
体との間の熱膨張差、及び当該接着剤と透明板との間の
熱膨張差、並びにキャップ体と透明板との間の熱膨張差
等によって、微細な亀裂が無数に発生することになるか
ら、キャップ体内における気密状態が低下し、半導体レ
ーザチップの耐久性が、前者のように、透明板をガラス
半田を使用して固着する場合よりも劣ると言う問題があ
る。
本発明は、前記した問題を解消した半導体レーザ装置を
提供することを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段〕
この目的を達成するため本発明は、半導体レーザチップ
を設けたステムと、該ステムに前記半導体レーザチップ
を覆うように固着した透明板付きキャップ体とから成る
半導体レーザ装置において、前記透明板のキャップ体に
対する接当部に、軟質弾性体製のリンク状シール体を介
挿する一方、前記キャップ体に、前記透明板を、前記シ
ール体を挟んだ状態でキャップ体に対して押圧する押え
体を設ける構成にした。
〔発明の作用・効果〕
このように構成すると、キャップ体と透明板との間に介
挿したリング状のシール体は、押え体による押圧にて弾
性変形して、キャップ体と透明板との両方に対して確実
に密着するから、キャップ体の内部を、高い気密状態に
保持することができるのであり、しかも、前記シール体
は、軟質弾性体製であることにより、キャップ体と透明
板との間における熱膨張差を、当該シール体の弾性変形
によって吸収することができると共に、当該シール体に
亀裂が発生することがないから、前記の高い気密状態が
、熱膨張差等によって低下することを確実に防止できる
のである。
その上、前記のように構成したことにより、キャップ体
に対する透明板乞固着した後において、前記従来のガラ
ス半田を使用したもののように、後処理としての酸洗い
・メツキを必要としないから、透明板の表面に、酸洗い
及びメツキに耐える保護膜を形成しておくことを省略で
きるのである。
従って、本発明によると、キャップ体に対して透明板を
固着することに要するコスト、つまり、透明板付きキャ
ップ体の製造コストを、半導体レーザチップの耐久性の
低下を招来することなく、大幅に低減できる効果を有す
る。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第1図〜第4図は、第1の実施例を示し、この図におい
て符号1は、炭素鋼等の金属にて円盤型に形成したステ
ム2と、ガラス等の透明板4を備えた炭素鋼等の金属板
製のキャップ体3とによって構成された半導体レーザ装
置を示す。
前記ステム2の上面には、ブロック体5が一体的に設け
られ、このブロック体5の側面には、半導体レーザチッ
プ6がモニター用ホオトダイオード付き半導体基板7を
介してダイポンディングされている一方、前記半導体レ
ーザチップ6に対する三本のリード端子8a、8b、8
cのうち一本のリート端子8aは、前記ステム2の下面
に溶接にて固着され、他の二本のリード端子8b、8c
は、ステム2に穿設した孔2a、2b内に、ガラス等の
絶縁シール材9にて絶縁シール状態で固着されている。
また、前記透明板4付きキャップ体3は、前記半導体レ
ーザチップ6及びブロック体5に被嵌にしたのち、当該
キャップ体3の下端に形成した外向きフランジ部3aの
全周を前記ステム2の」二面に対して抵抗溶接すること
によって固着されている。
そして、前記キャップ体3に対して前記透明板4を固着
するに際して、本発明は、以下のように構成する。
すなわち、キャップ体3の上端に、内向きに折り曲げた
フランジ部3bを設け、この内向きフランジ部3bの上
面に、前記透明板4を、当該透明板4と内向きフランジ
部3bとの間に軟質弾性製のリング状シール体10を介
挿した状態で載置する一方、前記キャップ体3の外側に
、上端に内向きのフランジ部11aを一体的に造形した
筒状の押え体11を被嵌したのち、この押え体11を前
記キャップ体3に対して、当該押え体11にて前記透明
板4をキャップ体3における内向きフランジ部3bに対
して押圧した状態で固着する。
なお、この押え体11のキャップ体3に対する固着は、
押え体11をキャップ体3に対して圧入にて被嵌するこ
とによって行うようにしたり、又は、押え体11を板ば
ね製にして、その下端をキャップ体3の外周面に対して
食い込ませることによって行うようにしたり、或いは、
押え体11をキャップ体3に接着剤にて接着する等の手
段によって行うようにしても良いのである。
このように構成すると、キャップ体3における内向きフ
ランジ部3bと透明板4との間に介挿したリング状のシ
ール体10は、押え体11による押圧にて弾性変形して
、キャップ体3における内向きフランジ部3bと透明板
4との両方に対して確実に密着するから、キャップ体3
の内部を、高い気密状態に保持することができるのであ
り、しかも、前記シール体10は、軟質弾性体製である
ことにより、キャップ体3と透明板4との間における熱
膨張差を、当該シール体IOの弾性変形によって吸収す
ることができると共に、当該シール体10に亀裂が発生
することがないから、前記の高い気密状態が、熱膨張差
等によって低下することを確実に防止できるのである。
この場合、第2の実施例としては、第5図及び第6図に
示すように、リング状のシール体として、軟質弾性体製
のOリング]、 Oaを使用し、このシール体としての
OリンクlOaを、透明板4の上面と、押え体11にお
けるフランジ部]、]、aとの間に介挿するように構成
しても良いのであり、更に、別の実施例においては、前
記リング状のシール体として、液体の軟質弾性材料を使
用し、この液体の軟質弾性材料を、前記キャップ体3に
おける内向きフランジ部3bの」二面、又は押え体11
におけるフランジ部11aの下面、或いは透明板4の表
面に対してリング状に塗着したものに構成しても良いの
である。
また、キャップ体3の外側に被嵌した押え体11を、キ
ャップ体3に対して固着するに際しては、該押え体11
の下端を、第7図に示すように、キャップ体3の下端ま
で延長して、当該下端に設けた外向きフランジ部t 1
 bを、キャップ体3における外向きフランジ部3aと
一緒にして、ステム2に対して抵抗溶接にて固着するよ
うに構成しても良いのである。
そして、前記実施例は、押え体11を、キャップ体3の
外側に被嵌した外装式にした場合を示したか、本発明は
これに限らず、第8図及び第9図、又は第10図に示す
ように、キャップ体3内に挿入した内装式の押え体12
に構成しても良く、この内装式の押え体I2は、前記外
装式の押え体11と同様に、キャップ体3内への圧入、
キャップ体3の内面への食い込み、接着剤等によって固
着したり、或いは、第10図のように、押え体12にお
ける下端フランジ部12aを、キャップ体3における外
向きフランジ部3aから適宜寸法δだけ突出し、キャッ
プ体3における外向きフランジ部3aをステム2に対し
て抵抗溶接するときにおいて、前記押え体12を前記適
宜寸法δだけ押し込むことによって、シール体10.1
0aを締め付けるように構成しても良いのである。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示し、第1図は第1実施例の縦
断正面図、第2図は第1図の■−■断面図、第3図はキ
ャップ体の断面図、第4図は第3図のキャップ体の分解
図、第5図は第2実施例のキャップ体の断面図、第6図
は第5図におけるキャップ体の分解図、第7図は第3実
施例のキャップ体の断面図、第8図は第4実施例のキャ
ップ体の断面図、第9図は第8図におけるキャップ体の
分解図、第10図は第5実施例のキャップ体の断面図で
ある。 ■・・・・半導体レーザ装置、2・・・・ステム、3・
・・・キャップ体、4・・・・透明板、5・・・・ブロ
ック体、6・・・・半導体レーザチップ、7・・・・半
導体基板、8a、8b、8cmリード端子、10.10
a・・・・シール体、11.12・・・・押え体。 特許出願人  ローム 株式会社 10(10a)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)、半導体レーザチップを設けたステムと、該ステ
    ムに前記半導体レーザチップを覆うように固着した透明
    板付きキャップ体とから成る半導体レーザ装置において
    、前記透明板のキャップ体に対する接当部に、軟質弾性
    体製のリング状シール体を介挿する一方、前記キャップ
    体に、前記透明板を、前記シール体を挟んだ状態でキャ
    ップ体に対して押圧する押え体を設けたことを特徴とす
    る半導体レーザ装置。
JP2133450A 1990-05-23 1990-05-23 半導体レーザ装置 Expired - Lifetime JP2560128B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2133450A JP2560128B2 (ja) 1990-05-23 1990-05-23 半導体レーザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2133450A JP2560128B2 (ja) 1990-05-23 1990-05-23 半導体レーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0428279A true JPH0428279A (ja) 1992-01-30
JP2560128B2 JP2560128B2 (ja) 1996-12-04

Family

ID=15105062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2133450A Expired - Lifetime JP2560128B2 (ja) 1990-05-23 1990-05-23 半導体レーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2560128B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008153617A (ja) * 2006-11-21 2008-07-03 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光装置
JP2008235744A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Nichia Corp 半導体レーザ装置
JP2022098724A (ja) * 2020-12-22 2022-07-04 日機装株式会社 光半導体装置および光半導体装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5664011U (ja) * 1980-10-02 1981-05-29
JPS5853877A (ja) * 1981-09-26 1983-03-30 Hitachi Koki Co Ltd 半導体レ−ザ−の結露抑止装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5664011U (ja) * 1980-10-02 1981-05-29
JPS5853877A (ja) * 1981-09-26 1983-03-30 Hitachi Koki Co Ltd 半導体レ−ザ−の結露抑止装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008153617A (ja) * 2006-11-21 2008-07-03 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光装置
JP2008235744A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Nichia Corp 半導体レーザ装置
JP2022098724A (ja) * 2020-12-22 2022-07-04 日機装株式会社 光半導体装置および光半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2560128B2 (ja) 1996-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2647194B2 (ja) 半導体用パッケージの封止方法
JPH0263300B2 (ja)
JPH0428279A (ja) 半導体レーザ装置
KR20060050635A (ko) 반도체 장치용 덮개
JPH0428280A (ja) 半導体レーザ装置
JPH07113706A (ja) 半導体圧力センサのパッケージ構造
JP2823381B2 (ja) 半導体レーザ装置
JPS63228038A (ja) 半導体圧力変換器
JP5000096B2 (ja) キャップ部材及び光半導体装置
JP2593395Y2 (ja) 半導体レーザ装置
JP2588242Y2 (ja) 電子部品
JPH07191238A (ja) 光半導体素子モジュールの気密封止構造
JPH04121767U (ja) 半導体レーザ装置
JP2518647Y2 (ja) 半導体レーザ装置
JP4385930B2 (ja) 光透過キャップの製造方法
JPH05246186A (ja) Icカード
JPH032993Y2 (ja)
JP2546178B2 (ja) リードレスダイオード
JPH033969Y2 (ja)
JP3056159B2 (ja) 半導体パッケージの気密封止方法及びそれを適用した抵抗溶接装置
SU585887A1 (ru) Способ сборки пакетных пьезоэлектрических преобразователей
JPH0442933Y2 (ja)
JPH0328509Y2 (ja)
JPH0365019B2 (ja)
JPH0442932Y2 (ja)