JPH04121767U - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH04121767U JPH04121767U JP2684991U JP2684991U JPH04121767U JP H04121767 U JPH04121767 U JP H04121767U JP 2684991 U JP2684991 U JP 2684991U JP 2684991 U JP2684991 U JP 2684991U JP H04121767 U JPH04121767 U JP H04121767U
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 カンシール型の半導体レーザ装置において、
ステムに穿設の貫通孔からキャップ体内に挿入したリー
ド端子を、貫通孔の箇所でのシール性と固着強度とを損
なうことなく、ステムに対して簡単に固着できるように
する。 【構成】 リード端子9を、ステム2に対して、硬質合
成樹脂等から成る硬質の接着剤層11と、軟質合成樹脂
又はゴム等の非透湿性素材から成る軟質の接着剤層12
とから成る複数層の接着剤層にて接着する。硬質の接着
剤層11にて固着強度が確保され、軟質の接着剤層12
にて密封性が保持される。
ステムに穿設の貫通孔からキャップ体内に挿入したリー
ド端子を、貫通孔の箇所でのシール性と固着強度とを損
なうことなく、ステムに対して簡単に固着できるように
する。 【構成】 リード端子9を、ステム2に対して、硬質合
成樹脂等から成る硬質の接着剤層11と、軟質合成樹脂
又はゴム等の非透湿性素材から成る軟質の接着剤層12
とから成る複数層の接着剤層にて接着する。硬質の接着
剤層11にて固着強度が確保され、軟質の接着剤層12
にて密封性が保持される。
Description
【0001】
本考案は、レーザの発光素子として半導体レーザチップを使用した半導体レー
ザ装置のうち、前記半導体レーザチップの部分をキャップ体にて密封して成るカ
ンシール型の半導体レーザ装置の改良に関するものである。
【0002】
この種のカンシール型の半導体レーザ装置は、金属製ステムに一体的に造形し
たブロック体に、半導体レーザチップをダイボンディングし、この半導体レーザ
チップの部分に、ガラス板等の透明板を備えた金属製のキャップ体を被嵌し、該
キャップ体を前記ステムに対して固着して封止することにより、前記半導体レー
ザチップが大気中の湿度等によって劣化することを防止すると共に、半導体レー
ザチップを外部衝撃等から保護し、更に、前記ステムに穿設した貫通孔から、リ
ード端子をキャップ体内に挿入し、このリード端子をステムに対して、絶縁シー
ル状態に固着した構成になっていることは周知の通りである。
【0003】
そして、前記リード端子をステムに絶縁シール状態に固着する手段として従来
は、ガラスシール材を筒状に形成して、これを、リード端子に被嵌した状態でス
テムの貫通孔に挿通してから、摂氏900度程度で加熱焼成すると言う方法(い
わゆるハーメチックシール法)が採用されていた。
【0004】
しかし、このシール方法では、貫通孔を確実に密封できると言う利点を有する
反面、筒状のガラスシール材を製造する工程と、高温での焼成工程とに多大の手
間を要することに加えて、高温での焼成によって変色したステムに対して、酸洗
いしたのちニッケルメッキを施すという後処理工程を必要とするため、リード端
子をステムに固着することに要するコストが嵩み、半導体レーザ装置の価格が大
幅に高くなると言う問題があった。
【0005】
この問題に対しては、リード端子を、ステムに対して、合成樹脂等の接着材に
て接着することが考えられ、このように接着材にて接着すると、ガラスシール材
を製造する工程、及び後処理としての酸洗い及びメッキ工程を必要としないので
、製造コストを大幅に低減できる。
しかし、ステムに対するリード端子の固着強度を高くするためには、当該接着
剤として、乾燥によって硬化する硬質の接着剤を使用しなければならないが、硬
質の接着剤を使用すると、この硬質の接着剤には、当該接着剤とステムとの間の
熱膨張差、及び当該接着剤とリード端子との間の熱膨張差等によって、微細な亀
裂又は隙間が無数に発生することになるから、キャップ体内における気密状態が
低下すると言う問題がある。
【0006】
本考案は、リード端子の固着強度と、ステムにおける貫通孔の箇所のシール性
とを保持したカンシール型の半導体レーザ装置を、低コストで製造できる形態に
して提供することを目的とするものである。
【0007】
この目的を達成するため本考案は、半導体レーザチップを設けたステムと、該
ステムに前記半導体レーザチップを覆うように固着したキャップ体とを備え、前
記ステムに穿設した貫通孔からキャップ体内にリード端子を挿入して成る半導体
レーザ装置において、前記リード端子を、前記ステムにおける貫通孔の箇所に対
して、硬質の接着剤層と非透湿性で軟質の接着剤層とをリード端子の軸線方向に
重ねて成る複数層の接着剤層にて接着する構成にした。
【0008】
このように構成すると、リード端子は、ステムに対して、硬質の接着剤層にて
強固に接着される一方、硬質の接着剤層に熱膨張差等によって微細な亀裂又は隙
間が多数発生しても、軟質の接着剤層が、硬質の合成樹脂の熱膨張に追従して変
形することにより、ステムにおける貫通孔を密封した状態に保持できるから、硬
質の接着剤層の亀裂又は隙間の発生に関係なく、キャップ体の内部を長期間密封
状態に保持して、半導体レーザチップの耐久性を向上できることになる。
【0009】
従って本考案によれば、ステムにおける貫通孔の箇所に接着剤を塗着するだけ
の簡単な工程にて、リード端子をステムに強固に固着できるものでありながら、
ステムにおける貫通孔を確実に密封できるから、半導体レーザチップの耐久性を
向上した半導体レーザ装置を、安価に提供できる効果を有する。
【0010】
以下、本考案の実施例を図面について説明する。
図1〜図3に示すのは第1の実施例であり、これらの図において符号1は、炭
素鋼等の金属にて円盤型に形成したステム2と、上端に窓孔を穿設したキャップ
体体3とを備えた半導体レーザ装置を示し、前記キャップ体3の内面には、前記
窓孔を塞ぐガラス等の透明板4が固着されている。
【0011】
前記ステム2の上面には、ブロック体5を一体的に設けており、このブロック
体5の側面に、半導体レーザチップ6を、モニター用フォトダイオード(図示せ
ず)付き半導体基板7を介してダイボンディングする一方、前記半導体レーザチ
ップ6に対する三本のリード端子8,9,9のうち一本のリード端子8を、前記
ステム2の下面に溶接にて固着し、他の二本のリード端子9,9は、ステム2に
穿設した貫通孔10,10からキャップ体3の内部に挿入し、以下のような手段
でステム2に固着している。
【0012】
すなわち、前記貫通孔10の上部に大径部10aを形成して、この大径部10
aに、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂やUV樹脂等の硬質合成樹脂から成る硬質
の接着剤層11を形成し、前記貫通孔10の小径部に、シリコン系樹脂とかフッ
素系樹脂又はゴムのように硬化することなく非透湿性と接着性とを有する素材か
ら成る軟質の接着剤12を形成して、これらリード端子9の軸線方向に重なった
軟硬2層の接着剤層11,12にて、リード端子9をステム2に接着する。
【0013】
なお、貫通孔10における大径部10aの箇所に軟質の接着剤層12を設けて
、小径部の箇所に硬質の接着剤層11を設けても良いことは言うまでもない。
前記キャップ体3は、前記ブロック体5に被嵌したのち、当該キャップ体3の
下端に形成した外向きフランジ部3aの全周を前記ステム2の上面に対して抵抗
溶接することによって、ステム2に固着されている。また、透明板4をキャップ
体3に固着するに当たっては、透明板4の外周面とキャップ体3の内周面との間
に、硬質の接着剤層11を環状に形成し、且つ、キャップ体3の内向きフランジ
3bと透明板4の上面との間に、軟質の接着剤層12を設け、これら軟硬2層の
接着剤層11,12にて接着している。
【0014】
以上のように、リード端子9をステム2に対して、軟硬2層の接着剤層11,
12にて接着すると、リード端子8を、硬質の接着剤層11にてステム2に対し
て強固に固着することができる一方、この硬質の接着剤層11に熱膨張差等によ
って微細な亀裂又は隙間が多数発生しても、軟質の接着剤層12が、硬質の接着
剤層11の熱膨張に追従して変形することにより、貫通孔10を密封した状態が
維持されるから、キャップ体3の内部を、高い気密状態に確実に保持することが
できるのである。
【0015】
図4に示す第2の実施例は、ステム2における貫通孔10の上下両端部に大径
部10aを形成して、この上下の大径部10aに軟質の接着剤層12を形成し、
貫通孔10における中途深さ位置の小径部の箇所に硬質の接着剤層11を形成す
ることにより、上下一対の軟質の接着剤層11にて硬質の接着剤層11を挟むよ
うにしたものである。この場合、貫通孔10の大径部10aに硬質の接着剤層1
1を設けて、貫通孔10における小径部に軟質の接着剤層12を形成しても良い
。
【0016】
なお、この実施例では、透明板4も、2層の軟質の接着剤層12と硬質の接着
剤層11とで、キャップ体3に固着している。
図5に示す第3の実施例は、貫通孔10の略上半部を上向きに広がるテーパ部
10bに形成して、該テーパ部10bに硬質の接着剤層11を形成し、貫通孔1
0における下部に軟質の接着剤層12を形成したものである。この実施例では、
リード端子9のうち硬質の接着剤層11に密着する部位に切り欠き13を形成し
て、リード端子9の抜けを防止しているが、他の実施例においても、リード端子
9に切り欠き13を形成しても良いことは言うまでもない。
【0017】
なお、この実施例では、透明板4をキャップ体3に固着するに当たって、軟質
の接着剤層12の両側に硬質の接着剤層11を設けている。
上記の各実施例は、リード端子を断面円形のピン形に形成した場合であったが
、リード端子8,9は断面角形であっても良いことは言うまでもない。
【図1】第1の実施例を示す正断面図である。
【図2】図1のII−II視断面図である。
【図3】図1のIII −III 視断面図である。
【図4】第2の実施例を示す正断面図である。
【図5】第3の実施例を示す正断面図である。
1 半導体レーザ装置
2 ステム
3 キャップ体
4 透明板
6 半導体レーザチップ
8,9 リード端子
10 貫通孔
11 硬質の接着剤層
12 軟質の接着剤層
Claims (1)
- 【請求項1】半導体レーザチップを設けたステムと、該
ステムに前記半導体レーザチップを覆うように固着した
キャップ体とを備え、前記ステムに穿設した貫通孔から
キャップ体内にリード端子を挿入して成る半導体レーザ
装置において、前記リード端子を、前記ステムにおける
貫通孔の箇所に対して、硬質の接着剤層と非透湿性で軟
質の接着剤層とをリード端子の軸線方向に重ねて成る複
数層の接着剤層にて接着したことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1991026849U JP2588517Y2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1991026849U JP2588517Y2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04121767U true JPH04121767U (ja) | 1992-10-30 |
JP2588517Y2 JP2588517Y2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=31911261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1991026849U Expired - Lifetime JP2588517Y2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2588517Y2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004063852A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体集積装置 |
WO2014010140A1 (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-16 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
JP2019140360A (ja) * | 2018-02-15 | 2019-08-22 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63167766U (ja) * | 1987-04-21 | 1988-11-01 | ||
JPH03196291A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-27 | Hochiki Corp | 熱感知器 |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP1991026849U patent/JP2588517Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63167766U (ja) * | 1987-04-21 | 1988-11-01 | ||
JPH03196291A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-27 | Hochiki Corp | 熱感知器 |
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JP2004063852A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体集積装置 |
WO2014010140A1 (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-16 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
US20150103856A1 (en) * | 2012-07-11 | 2015-04-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device |
JPWO2014010140A1 (ja) * | 2012-07-11 | 2016-06-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
JP2019140360A (ja) * | 2018-02-15 | 2019-08-22 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2588517Y2 (ja) | 1999-01-13 |
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