JPH0428086B2 - - Google Patents
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- JPH0428086B2 JPH0428086B2 JP57144595A JP14459582A JPH0428086B2 JP H0428086 B2 JPH0428086 B2 JP H0428086B2 JP 57144595 A JP57144595 A JP 57144595A JP 14459582 A JP14459582 A JP 14459582A JP H0428086 B2 JPH0428086 B2 JP H0428086B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/132—Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
- C09K19/58—Dopants or charge transfer agents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶セル、さらに詳細には、デイス
プレイや画像再生を目的としたスメクチツク相の
液晶を用いた液晶セルに関する。
プレイや画像再生を目的としたスメクチツク相の
液晶を用いた液晶セルに関する。
液晶スクリーンは、スクリーンへの入射光を変
調するシステムである。記録画像を投映するため
に、直視形のフラツト・スクリーン及び立体シス
テムと共に用いるマトリクス・スクリーンのどち
らを使用すればよいかという問題がある。
調するシステムである。記録画像を投映するため
に、直視形のフラツト・スクリーン及び立体シス
テムと共に用いるマトリクス・スクリーンのどち
らを使用すればよいかという問題がある。
液晶は、電界をかける条件によつて難易度に差
はあるが、電界の影響により配向可能な長分子で
作られている。液晶は、また、高温では等方性相
であり、低温ではネマチツク相とスメクチツク相
が連続していることが知られている。
はあるが、電界の影響により配向可能な長分子で
作られている。液晶は、また、高温では等方性相
であり、低温ではネマチツク相とスメクチツク相
が連続していることが知られている。
熱電効果を用いたスメクチツク液晶装置の場
合、書込み、冷却により等方性相からスメクチツ
ク相へ転移させる際に通過するネマチツク相にお
いて電界をかけることによつて行われる。これを
実現するために用いる材料の代表例としては、化
学式 で表わされる４−シアノ−4′−オクチル−ビフエ
ニルがある。この材料は、以下の相転移を示す。
合、書込み、冷却により等方性相からスメクチツ
ク相へ転移させる際に通過するネマチツク相にお
いて電界をかけることによつて行われる。これを
実現するために用いる材料の代表例としては、化
学式 で表わされる４−シアノ−4′−オクチル−ビフエ
ニルがある。この材料は、以下の相転移を示す。
Ｋ20℃
―→
SA32.5℃
――→
Ｎ40.5℃
――→
Ｉ
この材料が８℃の温度範囲にわたつてネマチツ
ク相を呈することがわかるであろう。そうした材
料を使用したデイスプレイ・スクリーンがスメク
チツク相−ネマチツク相の相転移温度より少し低
温度に保たれるようにすると、約10℃程度昇温さ
せるために必要な加熱用電力をそのスクリーンに
供給する必要がある。
ク相を呈することがわかるであろう。そうした材
料を使用したデイスプレイ・スクリーンがスメク
チツク相−ネマチツク相の相転移温度より少し低
温度に保たれるようにすると、約10℃程度昇温さ
せるために必要な加熱用電力をそのスクリーンに
供給する必要がある。
従つて、制御電力利得のためには、ネマチツク
相をできるだけ減少して、まさにネマチツク相を
消滅させる方がよい。複数のスメクチツク材料の
混合物である或る液晶が、その一成分が或る場合
まではネマチツク相を呈するがその割合が超える
とネマチツク相を呈しないことが知られている。
このような材料は、電界を印加しないレーザービ
ーム・デイスプレイ装置に用いることができる。
電界の強さを液晶層が堪えうる範囲に限定してお
くためには、効率良く作用するに十分な時間の間
電界を印加することが重要である。しかしなが
ら、この効率的な作用は、現在までに知られたネ
マチツク相を呈しない材料では不可能である。熱
電効果を利用した装置に、スメクチツク相−等方
性相間の相転移の間にネマチツク相を呈するスメ
クチツク液晶を使用した場合、それはかなりの加
熱電力を必要とすることを意味する。
相をできるだけ減少して、まさにネマチツク相を
消滅させる方がよい。複数のスメクチツク材料の
混合物である或る液晶が、その一成分が或る場合
まではネマチツク相を呈するがその割合が超える
とネマチツク相を呈しないことが知られている。
このような材料は、電界を印加しないレーザービ
ーム・デイスプレイ装置に用いることができる。
電界の強さを液晶層が堪えうる範囲に限定してお
くためには、効率良く作用するに十分な時間の間
電界を印加することが重要である。しかしなが
ら、この効率的な作用は、現在までに知られたネ
マチツク相を呈しない材料では不可能である。熱
電効果を利用した装置に、スメクチツク相−等方
性相間の相転移の間にネマチツク相を呈するスメ
クチツク液晶を使用した場合、それはかなりの加
熱電力を必要とすることを意味する。
上述した欠点を除去するために、本発明は、特
定のドーピング剤を添加することにより、ネマチ
ツク相を決して呈することはないが、熱電効果に
よる書込み作用が可能であるスメクチツク状態の
液晶を用いることを提案する。従来の常識に反し
て、このようにネマチツク相をなくしても、重大
な問題は生じない。そうしたドーピング剤をスメ
クチツク状態の材料に導入することは、動作特性
を変えてしまう他、電界をかける時間にも影響を
及ぼす。
定のドーピング剤を添加することにより、ネマチ
ツク相を決して呈することはないが、熱電効果に
よる書込み作用が可能であるスメクチツク状態の
液晶を用いることを提案する。従来の常識に反し
て、このようにネマチツク相をなくしても、重大
な問題は生じない。そうしたドーピング剤をスメ
クチツク状態の材料に導入することは、動作特性
を変えてしまう他、電界をかける時間にも影響を
及ぼす。
すなわち、本発明によるならば、スメクチツク
相とネマチツク相とを呈するタイプのビフエニル
の混合物を含む液晶層を備えており、前記スメク
チツク液晶相が、スメクチツク相から等方性相へ
転移させる加熱手段と電界アドレス手段とによる
熱電書込み効果を受けるようになされているデイ
スプレイ装置において、ピシクロオクテン−２か
ら構成される少なくとも１つのドーピング剤が、
スメクチツク相と等方性相との間の相転移の過程
でネマチツク相をなくすると共に、電界によるア
ドレスが可能である割合で、前記液晶相に添加さ
れていることを特徴とするデイスプレイ装置が提
供される。
相とネマチツク相とを呈するタイプのビフエニル
の混合物を含む液晶層を備えており、前記スメク
チツク液晶相が、スメクチツク相から等方性相へ
転移させる加熱手段と電界アドレス手段とによる
熱電書込み効果を受けるようになされているデイ
スプレイ装置において、ピシクロオクテン−２か
ら構成される少なくとも１つのドーピング剤が、
スメクチツク相と等方性相との間の相転移の過程
でネマチツク相をなくすると共に、電界によるア
ドレスが可能である割合で、前記液晶相に添加さ
れていることを特徴とするデイスプレイ装置が提
供される。
以下、本発明を添付図面を参照して詳細に説明
する。以下の詳細な説明から本発明は更に良く理
解されるであろう。
する。以下の詳細な説明から本発明は更に良く理
解されるであろう。
第１図は、熱電書込み効果を用いるデイスプレ
イ装置を図示している。図示の例に限定するもの
ではないが、マトリクスアクセス形スクリーンを
示す例示の装置において、熱効果は複数枚の加熱
ストリツプに電流を流すことによつて得られる。
イ装置を図示している。図示の例に限定するもの
ではないが、マトリクスアクセス形スクリーンを
示す例示の装置において、熱効果は複数枚の加熱
ストリツプに電流を流すことによつて得られる。
デイスプレイ・スクリーンは、直交配列になつ
ている導電性の平行ストリツプ４及び５をそれぞ
れ支持している２枚の支持板２及び３で形成され
る。液晶層１が、支持板２及び３の間の、図示し
ないシムで画成された厚み約10ミクロンの間隔に
挿入されている。図示の実際例では、デイスプレ
イ・マトリクスのコラム（縦）線である電極４
が、スクリーンを加熱するためのストリツプを構
成しており、他方、電極５が、デイスプレイマト
リクスのライン（横）線である。図面を複雑にし
ないように、スクリーンのライン線もコラム線も
２本しか図示していない。
ている導電性の平行ストリツプ４及び５をそれぞ
れ支持している２枚の支持板２及び３で形成され
る。液晶層１が、支持板２及び３の間の、図示し
ないシムで画成された厚み約10ミクロンの間隔に
挿入されている。図示の実際例では、デイスプレ
イ・マトリクスのコラム（縦）線である電極４
が、スクリーンを加熱するためのストリツプを構
成しており、他方、電極５が、デイスプレイマト
リクスのライン（横）線である。図面を複雑にし
ないように、スクリーンのライン線もコラム線も
２本しか図示していない。
符号や画像を表わす入力電気信号は、始めは全
て信号分離回路６に入力される。この信号分離回
路６は、コラムに割り当てた信号とラインに割り
当てた信号とを分離する。１本のラインと１本の
コラムの交点によつて定められたスクリーンの各
画素に電界を与える信号は、バツフア・メモリー
を備えているライン制御回路９に入力される。各
コラムを連続して流れる加熱電流ｉを制御する信
号は、コラム制御回路８に与えられる。信号分離
回路６が行なう動作に基づいて、クロツク７は、
制御回路８，９が発する信号の同期を図つてい
る。
て信号分離回路６に入力される。この信号分離回
路６は、コラムに割り当てた信号とラインに割り
当てた信号とを分離する。１本のラインと１本の
コラムの交点によつて定められたスクリーンの各
画素に電界を与える信号は、バツフア・メモリー
を備えているライン制御回路９に入力される。各
コラムを連続して流れる加熱電流ｉを制御する信
号は、コラム制御回路８に与えられる。信号分離
回路６が行なう動作に基づいて、クロツク７は、
制御回路８，９が発する信号の同期を図つてい
る。
反射性スクリーンを用いる場合には、透明なラ
イン線５と反射性のコラム線４を選定すればよ
い。この場合、電極５は、錫とインジウムの酸化
物の混合物で作ることができる。また、電極４は
アルミニウムで作ることができる。他方、支持板
２，３がガラスで作ることができ、少なくとも支
持板３は透明である。
イン線５と反射性のコラム線４を選定すればよ
い。この場合、電極５は、錫とインジウムの酸化
物の混合物で作ることができる。また、電極４は
アルミニウムで作ることができる。他方、支持板
２，３がガラスで作ることができ、少なくとも支
持板３は透明である。
透過性スクリーンを用いる場合は、支持板２，
３は透明であつて、たとえば、ガラスで作られ
る。また、電極４，５も透明であつて、錫とイン
ジウムの酸化物の混合物で作ることができる。
３は透明であつて、たとえば、ガラスで作られ
る。また、電極４，５も透明であつて、錫とイン
ジウムの酸化物の混合物で作ることができる。
スメクチツク相−ネマチツク相間の相転移の間
にネマチツク相を呈しないスメクチツク液晶を製
造することは公知である。しかしながら、スメク
チツク相が保持性がない性質を持つので、そのよ
うなスメクチツク材料に電界を印加しても分子の
配向は実質的に変わらない。この材料の分子の配
向を変えるためには、電界をかけている間、同材
料が少なくとも小さい温度範囲でネマチツク相に
なつていなければならないとされている。このよ
うにしてネマチツク相になつていると、印加され
た電界に対して材料が十分に反応することができ
る。
にネマチツク相を呈しないスメクチツク液晶を製
造することは公知である。しかしながら、スメク
チツク相が保持性がない性質を持つので、そのよ
うなスメクチツク材料に電界を印加しても分子の
配向は実質的に変わらない。この材料の分子の配
向を変えるためには、電界をかけている間、同材
料が少なくとも小さい温度範囲でネマチツク相に
なつていなければならないとされている。このよ
うにしてネマチツク相になつていると、印加され
た電界に対して材料が十分に反応することができ
る。
換言すれば、本発明は、スメクチツク材料が印
加される電界に対して適切に反応できるようにそ
のスメクチツク材料に１種以上のドーピング剤を
添加することにある。第２図は、ビフエニルの混
合物からなるスメクチツク材料の２相ダイヤグラ
ムである。上述のビフエニルは、材料Ａと以下呼
び次の化学式で表され、 また、次の転移を行う。
加される電界に対して適切に反応できるようにそ
のスメクチツク材料に１種以上のドーピング剤を
添加することにある。第２図は、ビフエニルの混
合物からなるスメクチツク材料の２相ダイヤグラ
ムである。上述のビフエニルは、材料Ａと以下呼
び次の化学式で表され、 また、次の転移を行う。
Ｋ43℃
―→
SA43℃
―→
Ｎ45℃
―→
Ｉ
上記材料Ａに対して、ドーピング剤Ｂ以下呼ぶピ
シクロオクテン−２をドーピングする。
シクロオクテン−２をドーピングする。
上記材料は２℃の温度範囲にわたつてネマチツ
ク相を呈することがわかる。ドーピング剤Ｂを添
加する目的は、ネマチツク相の温度範囲をさらに
減少させて、或る割合の添加量以上で、ネマチツ
ク相を完全になくすことである。第２図の相ダイ
ヤフラムは、材料Ａ及びドーピング剤Ｂの混合物
の様々な相転移を図示している。ダイヤグラムの
横軸は、混合物Ａ＋Ｂに占めるドーピング剤Ｂの
０％から100％までの濃度を示す。他方、ダイヤ
グラムの縦軸は、摂氏温度を示す。
ク相を呈することがわかる。ドーピング剤Ｂを添
加する目的は、ネマチツク相の温度範囲をさらに
減少させて、或る割合の添加量以上で、ネマチツ
ク相を完全になくすことである。第２図の相ダイ
ヤフラムは、材料Ａ及びドーピング剤Ｂの混合物
の様々な相転移を図示している。ダイヤグラムの
横軸は、混合物Ａ＋Ｂに占めるドーピング剤Ｂの
０％から100％までの濃度を示す。他方、ダイヤ
グラムの縦軸は、摂氏温度を示す。
第２図のダイヤグラムより、混合物中のドーピ
ング剤Ｂのドーピング濃度が約11％まではネマチ
ツク相が存在するとがわかる。代表的な使用例
は、ドーピング剤Ｂを15％含有する材料Ａとドー
ピング剤Ｂとの混合物である。この混合物は、約
９℃で溶融し、９℃から40℃までスメクチツク相
を示し、その後等方性相になる。
ング剤Ｂのドーピング濃度が約11％まではネマチ
ツク相が存在するとがわかる。代表的な使用例
は、ドーピング剤Ｂを15％含有する材料Ａとドー
ピング剤Ｂとの混合物である。この混合物は、約
９℃で溶融し、９℃から40℃までスメクチツク相
を示し、その後等方性相になる。
第２図は、また、95％の材料Ａと５％のドーピ
ング剤Ｂからなる混合物の例を図示している。こ
の混合物の相転移は横軸の５％から始まる破線で
与えられる。Ｄ点において、混合物は等方性相に
なつていて、この相では電界は影響しない。混合
物の温度が降下すると、混合物はＥ点でネマチツ
ク相に転移する。この転移後のゾーンで電界が効
果的に作用することは知られている。温度がさら
に降下すると、たとえばＦ点において当該混合物
はスメクチツク相に転移して、ネマチツク相を経
過する間に受けた拡散状態を維持している。
ング剤Ｂからなる混合物の例を図示している。こ
の混合物の相転移は横軸の５％から始まる破線で
与えられる。Ｄ点において、混合物は等方性相に
なつていて、この相では電界は影響しない。混合
物の温度が降下すると、混合物はＥ点でネマチツ
ク相に転移する。この転移後のゾーンで電界が効
果的に作用することは知られている。温度がさら
に降下すると、たとえばＦ点において当該混合物
はスメクチツク相に転移して、ネマチツク相を経
過する間に受けた拡散状態を維持している。
他方、上述したドーピング剤Ｂを15％含有する
混合物は、スクリーンの動作レンジにおいて、た
とえばD′点でしめれる等方性相とF′点で示される
スメクチツク相との２つの相を呈する。このよう
な組成物が等方性相−スメクチツク相間の相転移
に間に電界が効果的に反応することがわかつた。
混合物は、スクリーンの動作レンジにおいて、た
とえばD′点でしめれる等方性相とF′点で示される
スメクチツク相との２つの相を呈する。このよう
な組成物が等方性相−スメクチツク相間の相転移
に間に電界が効果的に反応することがわかつた。
こうした混合物に固有の現象を物理的に説明す
るのはかなり面倒であるが、分子を配向させるた
めの電界の印加に関して説明を試みるならば、概
略は以下の通りである。公知のスメクチツク液晶
に対しては、電界は等方性相において何の作用も
しない。ところが、液晶の冷却過程でネマチツク
相になると、電界が効果的に作用する。この場
合、液晶層の破壊を避けるために高過ぎない電界
を、電界が有効に作用する十分な長さの所定時間
印加しなければならない。ネマチツク相を呈しな
い公知のスメクチツク材料においては、電界が等
方性相−スメクチツク相間の相転移の間に作用す
る時間がなかつた。適切なドーピング剤を添付す
ることによつて、通常の使用値まで電界を印加で
きる時間ｔが長くなる。この時間ｔは外部の手段
によつてでなく液晶の構造自体によつて決定され
る。
るのはかなり面倒であるが、分子を配向させるた
めの電界の印加に関して説明を試みるならば、概
略は以下の通りである。公知のスメクチツク液晶
に対しては、電界は等方性相において何の作用も
しない。ところが、液晶の冷却過程でネマチツク
相になると、電界が効果的に作用する。この場
合、液晶層の破壊を避けるために高過ぎない電界
を、電界が有効に作用する十分な長さの所定時間
印加しなければならない。ネマチツク相を呈しな
い公知のスメクチツク材料においては、電界が等
方性相−スメクチツク相間の相転移の間に作用す
る時間がなかつた。適切なドーピング剤を添付す
ることによつて、通常の使用値まで電界を印加で
きる時間ｔが長くなる。この時間ｔは外部の手段
によつてでなく液晶の構造自体によつて決定され
る。
前述したような混合物は、マトリクスアクセス
形スクリーンの場合、ドーピング剤Ｂの割合がた
とえば13％から20％の範囲にあるとき、有利に用
いることができ。熱電効果を用いたスメクチツク
液晶スクリーンの場合に不可欠と考えられていた
ネマチツク相は消えてしまつている。事実、ネマ
チツク相がなくとも配向の可能な材料が存在する
こと、かつ、そのネマチツク相が特定のドーピン
グ剤を添加することによつて特になくなることが
わかつた。
形スクリーンの場合、ドーピング剤Ｂの割合がた
とえば13％から20％の範囲にあるとき、有利に用
いることができ。熱電効果を用いたスメクチツク
液晶スクリーンの場合に不可欠と考えられていた
ネマチツク相は消えてしまつている。事実、ネマ
チツク相がなくとも配向の可能な材料が存在する
こと、かつ、そのネマチツク相が特定のドーピン
グ剤を添加することによつて特になくなることが
わかつた。
ネマチツク相が無いという理由により、または
ドーピング剤を添加するという理由により、もし
くは両方の理由により、本発明によるスメクチツ
ク混合物を用いると、多数の利点、例えば、コン
トラストが増すとか、制御電力が低下するとか、
ビデオ電圧が低下するなどの利点が得られる。
ドーピング剤を添加するという理由により、もし
くは両方の理由により、本発明によるスメクチツ
ク混合物を用いると、多数の利点、例えば、コン
トラストが増すとか、制御電力が低下するとか、
ビデオ電圧が低下するなどの利点が得られる。
非限定的な例として、本発明による混合物を表
わすいくつかのパラメータに注目してみた。すぐ
上で述べた利点を説明するために、混合物が含有
するドーピング剤の割合の関数として、制御電
力。ビデオ電圧およびコントラストの傾向を第３
図に図示してある。制御電力は、Ｗ／mm2の単位で
曲線７によつて表わしてある。この電力は、スク
リーンに書き込んだりスクリーンをクリアしたり
するに必要な温度まで、液晶層を加熱するために
必要な電力である。また、Ｖの単位で曲線６によ
つて表わされるビデオ電圧は、２枚の電極のネツ
トワークを通して液晶に印加する書込みもしくは
クリア電圧である。さらに、コントラストは、第
３図の右側の縦軸で示した輝度比を表わた曲線８
によつて図示してある。従つて、理想的な動作と
は、低ビデオ電圧に対して最低の制御電力しか必
要とせず最高のコントラストを示すものである。
わすいくつかのパラメータに注目してみた。すぐ
上で述べた利点を説明するために、混合物が含有
するドーピング剤の割合の関数として、制御電
力。ビデオ電圧およびコントラストの傾向を第３
図に図示してある。制御電力は、Ｗ／mm2の単位で
曲線７によつて表わしてある。この電力は、スク
リーンに書き込んだりスクリーンをクリアしたり
するに必要な温度まで、液晶層を加熱するために
必要な電力である。また、Ｖの単位で曲線６によ
つて表わされるビデオ電圧は、２枚の電極のネツ
トワークを通して液晶に印加する書込みもしくは
クリア電圧である。さらに、コントラストは、第
３図の右側の縦軸で示した輝度比を表わた曲線８
によつて図示してある。従つて、理想的な動作と
は、低ビデオ電圧に対して最低の制御電力しか必
要とせず最高のコントラストを示すものである。
試験した材料は、下記のビフエニルの混合であ
り、 さらに、その相転移が以下のように起こる。
り、 さらに、その相転移が以下のように起こる。
Ｋ15℃
―→
SA53℃
―→
Ｎ56℃
―→
Ｉ
また、最大15％までの組成比で特定のドーピン
グ剤が添加された。このドーピング剤の好ましい
柄はビシクロオクテン−２である。かくして、こ
のドーピング剤の様々な濃度について実験結果を
比較することができる。2.5％のドーピング濃度
の場合には、約１℃の温度範囲にわたつてネマチ
ツク相が現れるのに、10％のドーピング濃度の場
合には、ネマチツク相は、全然現れない。
グ剤が添加された。このドーピング剤の好ましい
柄はビシクロオクテン−２である。かくして、こ
のドーピング剤の様々な濃度について実験結果を
比較することができる。2.5％のドーピング濃度
の場合には、約１℃の温度範囲にわたつてネマチ
ツク相が現れるのに、10％のドーピング濃度の場
合には、ネマチツク相は、全然現れない。
第３図の異なつた曲線を調べてみると、３つの
異なるゾーンが存在することがわかる。これを詳
細に述べると、ドーピング濃度０％から約２％の
混合物に対応する第１のゾーンでは、ビデオ電圧
は低いけれども、コントラストも低く、制御電圧
は大きい。混合物のドーピング濃度が２％から６
％では、ビデオ電圧が高いが、コントラストも改
善され、かつ制御電力は減少している。ドーピン
グ濃度９％から10％の範囲では、液晶はある利点
を呈している。すなわち、ビデオ電圧は低く、制
御電力は小さく、コントラストは非常に良い。こ
の事実は、スメクチツク液晶スクリーンにとつて
特に好ましいものである。しかしながら、ドーピ
ング濃度の関数として制御電力を与える曲線を調
べてみると、ドーピング濃度の６％から９％の範
囲で、制御電力は説明できない最大値をとること
に注目すべきである。この異常性は、最大値の右
側で動作させることによつて避けることができ
る。また、ビデオ電圧の降下は予期しない現象で
あるが、この現象は電界が作用可能な時間ｔが増
加することによつて説明できるかも知れない。
異なるゾーンが存在することがわかる。これを詳
細に述べると、ドーピング濃度０％から約２％の
混合物に対応する第１のゾーンでは、ビデオ電圧
は低いけれども、コントラストも低く、制御電圧
は大きい。混合物のドーピング濃度が２％から６
％では、ビデオ電圧が高いが、コントラストも改
善され、かつ制御電力は減少している。ドーピン
グ濃度９％から10％の範囲では、液晶はある利点
を呈している。すなわち、ビデオ電圧は低く、制
御電力は小さく、コントラストは非常に良い。こ
の事実は、スメクチツク液晶スクリーンにとつて
特に好ましいものである。しかしながら、ドーピ
ング濃度の関数として制御電力を与える曲線を調
べてみると、ドーピング濃度の６％から９％の範
囲で、制御電力は説明できない最大値をとること
に注目すべきである。この異常性は、最大値の右
側で動作させることによつて避けることができ
る。また、ビデオ電圧の降下は予期しない現象で
あるが、この現象は電界が作用可能な時間ｔが増
加することによつて説明できるかも知れない。
他方、ドーピング割合の関数としてコントラス
トが上昇することは、種晶から結晶化が進む現象
とに類似していると説明できるかも知れない。ス
メクチツク液晶の内部に適当なドーピング剤を添
加すると、材料内部の欠陥が倍加され、その結果
として拡散ゾーンのサイズが減少し、そのためコ
ントラストの上昇を招来するかもしれない。
トが上昇することは、種晶から結晶化が進む現象
とに類似していると説明できるかも知れない。ス
メクチツク液晶の内部に適当なドーピング剤を添
加すると、材料内部の欠陥が倍加され、その結果
として拡散ゾーンのサイズが減少し、そのためコ
ントラストの上昇を招来するかもしれない。
本発明のスメクチツク液晶混合物は、また、レ
ーザービームを前記液晶層に照射することによつ
て熱効果が得られかつその液晶層を包囲する二枚
の電極板の間に電界を印加する熱電効果装置にも
用いることができる。本発明に従つてネマチツク
相を呈しないが前述した特性を備えたスメクチツ
ク液晶を用いることは、マトリクスアクセス型の
デイスプレイ・スクリーンに特に有用である。ま
た、ビデオ電圧の利得は約３であつて、その結
果、従来の電圧値で動作するトランジスタ回路で
スクリーンを制御することが可能となる。
ーザービームを前記液晶層に照射することによつ
て熱効果が得られかつその液晶層を包囲する二枚
の電極板の間に電界を印加する熱電効果装置にも
用いることができる。本発明に従つてネマチツク
相を呈しないが前述した特性を備えたスメクチツ
ク液晶を用いることは、マトリクスアクセス型の
デイスプレイ・スクリーンに特に有用である。ま
た、ビデオ電圧の利得は約３であつて、その結
果、従来の電圧値で動作するトランジスタ回路で
スクリーンを制御することが可能となる。
第１図は、本発明のデイスプレイ装置を示す。
第２図は、相転移ダイヤフラムを示す。第３図
は、ドーピング剤の割合の関数として、制御電
圧、ビデオ電圧及びコントラストの傾向を示すダ
イヤフラムである。 １……液晶層、２，３……支持板、４，５……
電極、６……信号分離回路、７……クロツク、８
……コラム制御回路、７……ライン制御回路。
第２図は、相転移ダイヤフラムを示す。第３図
は、ドーピング剤の割合の関数として、制御電
圧、ビデオ電圧及びコントラストの傾向を示すダ
イヤフラムである。 １……液晶層、２，３……支持板、４，５……
電極、６……信号分離回路、７……クロツク、８
……コラム制御回路、７……ライン制御回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ スメクチツク相とネマチツク相とを呈するタ
イプのビフエニルの混合物を含む液晶層を備えて
おり、前記スメクチツク液晶層が、スメクチツク
相から等方性相へ転移させる加熱手段と電界アド
レス手段とによる熱電書込み効果を受けるように
なされているデイスプレイ装置において、ビシク
ロオクテン−２から構成される少なくとも１つの
ドーピング剤が、スメクチツク相と等方性相との
間の相転移の過程でネマチツク相をなくすると共
に、電界によるアドレスが可能である割合で、前
記液晶相に添加されていることを特徴とするデイ
スプレイ装置。 ２ 前記加熱手段は、内部を加熱電流が連続して
流れる複数枚の加熱ストリツプで構成してあり、
前記電界アドレス手段は、前記加熱ストリツプ
と、別の複数枚のストリツプとからなる電極アレ
イで構成してあり、さらに、前記液晶層は、前記
ストリツプと前記電極アレイとの間に挟まれてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
したデイスプレイ装置。 ３ 前記加熱手段は、前記液晶層を走査するレー
ザービームで構成してあり、前記電界アドレス手
段は、前記液晶層を包囲する２枚の電極板で構成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載したデイスプレイ装置。 ４ 前記混合物は、下記の組成を持つスメクチツ
ク液晶を有し、 さらに、前記ドーピング剤は、10％を越える割
合でビシクロオクテン−２を含有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項から第３項までのい
ずれか１項に記載したデイスプレイ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8116117A FR2511798A1 (fr) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | Dispositif de visualisation a cristal liquide smectique |
| FR8116117 | 1981-08-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846323A JPS5846323A (ja) | 1983-03-17 |
| JPH0428086B2 true JPH0428086B2 (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=9261615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57144595A Granted JPS5846323A (ja) | 1981-08-21 | 1982-08-20 | スメクチツク液晶ディスプレイ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4464020A (ja) |
| EP (1) | EP0073701B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5846323A (ja) |
| DE (1) | DE3268278D1 (ja) |
| FR (1) | FR2511798A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4461715A (en) * | 1981-04-06 | 1984-07-24 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermally addressed cholesteric-smectic liquid crystal device and composition |
| FR2538138B1 (fr) * | 1982-12-21 | 1985-06-07 | Thomson Csf | Systeme d'asservissement en temperature d'un dispositif thermo-actif |
| GB8302395D0 (en) * | 1983-01-28 | 1983-03-02 | Secr Defence | Liquid crystal materials |
| JPS60163019A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-24 | Hitachi Ltd | 液晶装置 |
| EP0162437B1 (en) * | 1984-05-21 | 1990-09-26 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal compound and liquid crystal composition including the same |
| GB2162333B (en) * | 1984-07-20 | 1987-10-28 | Stc Plc | Recording spatially modulated light patterns |
| JPS62171788A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Nitto Electric Ind Co Ltd | パルプ排水の処理方法 |
| US4815035A (en) * | 1986-04-08 | 1989-03-21 | Trw Inc. | Scrolling liquid crystal spatial light modulator |
| US4911536A (en) * | 1986-05-08 | 1990-03-27 | Ditzik Richard J | Interactive graphic comunications terminal |
| US5589849A (en) * | 1989-07-03 | 1996-12-31 | Ditzik; Richard J. | Display monitor position adjustment apparatus |
| GB9127316D0 (en) * | 1991-12-23 | 1992-02-19 | Secr Defence | Ferroelectric liquid crystal display device(improved contrast) |
| US5313222A (en) * | 1992-12-24 | 1994-05-17 | Yuen Foong Yu H. K. Co., Ltd. | Select driver circuit for an LCD display |
| BRPI0510579A (pt) * | 2004-05-03 | 2007-11-20 | Lg Electronics Inc | meio de gravação, método para gravar e reproduzir estrutura de dados para gerenciar dados de subtìtulo de texto, aparelho para decodificar dados de subtìtulo de texto |
| GB0823013D0 (en) * | 2008-12-18 | 2009-01-28 | Cambridge Entpr Ltd | Wide temperature-range smectic liquid crystall materials |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53138360A (en) * | 1977-05-05 | 1978-12-02 | Thomson Csf | Indicator |
| JPS53145654A (en) * | 1977-05-24 | 1978-12-19 | Nec Corp | Liquid crystal display device of projection type |
| JPS5475484A (en) * | 1977-11-02 | 1979-06-16 | Secr Defence Brit | Liquid crystal material |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3114836A (en) * | 1960-03-04 | 1963-12-17 | Westinghouse Electric Corp | Thermal imaging devices utilizing a cholesteric liquid crystalline phase material |
| US3410999A (en) * | 1965-06-29 | 1968-11-12 | Westinghouse Electric Corp | Display system utilizing a liquid crystalline material of the cholesteric phase |
| US3796999A (en) * | 1972-10-19 | 1974-03-12 | Bell Telephone Labor Inc | Locally erasable thermo-optic smectic liquid crystal storage displays |
| US4150396A (en) * | 1974-09-06 | 1979-04-17 | Thomson-Csf | Erasable thermo-optic storage display of a transmitted color image |
| FR2292254A1 (fr) * | 1974-11-21 | 1976-06-18 | Thomson Csf | Procede de visualisation a cristal liquide, dispositif de traitement de l'information appliquant ce procede |
| US3999838A (en) * | 1975-06-05 | 1976-12-28 | International Business Machines Corporation | Beam addressed liquid crystal cells |
| FR2373076A1 (fr) * | 1976-12-03 | 1978-06-30 | Thomson Csf | Cellule a cristal liquide |
| FR2486955A1 (fr) * | 1980-07-18 | 1982-01-22 | Thomson Csf | Cristal liquide smectique de type a presentant une anisotropie dielectrique positive |
| US4391492A (en) * | 1981-04-06 | 1983-07-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermally addressed cholesteric-smectic liquid crystal device |
-
1981
- 1981-08-21 FR FR8116117A patent/FR2511798A1/fr active Granted
-
1982
- 1982-08-03 DE DE8282401464T patent/DE3268278D1/de not_active Expired
- 1982-08-03 EP EP82401464A patent/EP0073701B1/fr not_active Expired
- 1982-08-20 US US06/409,857 patent/US4464020A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-08-20 JP JP57144595A patent/JPS5846323A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53138360A (en) * | 1977-05-05 | 1978-12-02 | Thomson Csf | Indicator |
| JPS53145654A (en) * | 1977-05-24 | 1978-12-19 | Nec Corp | Liquid crystal display device of projection type |
| JPS5475484A (en) * | 1977-11-02 | 1979-06-16 | Secr Defence Brit | Liquid crystal material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2511798A1 (fr) | 1983-02-25 |
| JPS5846323A (ja) | 1983-03-17 |
| EP0073701A1 (fr) | 1983-03-09 |
| FR2511798B1 (ja) | 1983-10-21 |
| US4464020A (en) | 1984-08-07 |
| DE3268278D1 (en) | 1986-02-13 |
| EP0073701B1 (fr) | 1986-01-02 |
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