JPH0427884A - 実装プリント板試験装置 - Google Patents

実装プリント板試験装置

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JPH0427884A
JPH0427884A JP2132938A JP13293890A JPH0427884A JP H0427884 A JPH0427884 A JP H0427884A JP 2132938 A JP2132938 A JP 2132938A JP 13293890 A JP13293890 A JP 13293890A JP H0427884 A JPH0427884 A JP H0427884A
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JP
Japan
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laser beam
printed board
laser
signal
optical path
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Pending
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JP2132938A
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English (en)
Inventor
Shinichi Wakana
伸一 若菜
Yoshiaki Goto
後藤 善朗
Toshiaki Nagai
利明 永井
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [概要] LSIを実装してなる実装プリント板、特に、ペアチッ
プLSIを実装してなる高密度実装プリント板につき、
その動作試験を行う場合に使用して好適な、レーザ光と
電気光学結晶とを利用してなる実装プリント板試験装置
に関し、 信号波形を検出すべき信号路に対するレーザ光の最適照
射位置を、簡単な構成で、かつ、容易に決定できるよう
にすることを目的とし、実装プリント板上、信号波形を
検出すべき信号路に接触又は近接して配置される電気光
学結晶の実装プリント板側の面に形成すべき反射膜を透
光性を有する反射膜とし、実装プリント板を駆動させな
い状態で、レーザ光を信号波形を検出すべき信号路及び
その周辺部に照射し、これら信号路及びその周辺部によ
って反射されるレーザ光の強度分布からレーザ光の最適
照射位置を決定できるように構成する。
[産業上の利用分野] 本発明は、LSIを実装してなる実装プリント板、特に
、ペアチップLSIを実装してなる高密度実装プリント
板につき、その動作試験を行う場合に使用して好適な、
レーザ光と電気光学結晶とを利用してなる実装プリント
板試験装置に関する。
[従来の技術] 従来の実装プリント板試験装置は、プローブを信号波形
を検出すべき信号路、例えば、LSIの入出力端子に接
触させて信号波形の検出を行うように構成されていた。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、LSIを実装してなる実装プリント板中
、特に、ペアチップLSIを実装してなる高密度実装プ
リント板においては、ペアチップLSIの入出力端子に
接続される電極く信号路)は、その線幅及びピッチを極
めて狭く形成されるので、プローブを使用した従来の実
装プリント板試験装置では、ペアチップLSIの入出力
端子に入出力される信号波形を検出することかできず、
高密度実装プリント板の動作試験を行うことがてきない
という問題点があった。
そこで、本出願人は、先に、レーザ光と電気光学結晶と
を利用し、高密度実装プリント板の動作試験を行い得る
ようにした実装プリント板試験装置について出願した(
特願平01−308407号出願)。
しかしながら、信号波形を検出すべき電極に対するレー
ザ光の最適照射位置を、簡単な構成で、かつ、容易に決
定できるようにした実装プリント板試験装置については
、これまで提案されていない。
本発明は、かかる点に鑑み、レーザ光と電気光学結晶と
を利用して構成される実装プリント板試験装置てあって
、信号波形を検出すべき信号路に対するレーザ光の最適
照射位置を簡単な構成で、かつ、容易に決定できるよう
にした実装プリント板試験装置を提供することを目的と
する。
[課題を解決するための手段] 本発明による実装プリント板試験装置は、その構成要素
を、例えば、実施例図面第1図〜第3図に対応させて説
明すると、レーザ光源5と、このレーザ光源5から出力
された無偏光状態にあるレーザ光を所定の偏光状態(例
えば、円偏光状態)にする偏光状態制御手段6.7と、
この偏光状態制御手段6.7により所定の偏光状態にさ
れたレーザ光の光路を実装プリント板1の面に対して垂
直にし、かつ、このレーザ光を走査することができるよ
うに構成された光路変更・走査手段8.9と、実装プリ
ント板1上、信号波形を検出すべき信号路15に接触又
は近接して配置され、光路変更・走査手段8.9側の面
に透明導電膜11が形成され、実装プリント板1側の面
に透光性を有する反射膜12が形成された電気光学結晶
10と、光路変更・走査手段8.9を介して電気光学結
晶10に照射されたレーザ光中、反射膜12及び実装プ
リント板1によって反射されたレーザ光の光路をレーザ
光源5から電気光学結晶10に至る光路と分離する光路
分離手段8と、光路分離手段8によって分離された光路
に配置された検光手段16と、この検光手段16を通過
したレーザ光の強度を電気信号として検出する光検出手
段17と、この光検出手段17に得られる電気信号の処
理を行う信号処理手段18とを備え、実装プリント板1
を駆動しない状態でレーザ光を走査して信号路15及び
その周辺部にレーザ光を照射し、信号路15及びその周
辺部によって反射されるレーザ光の強度からレーザ光の
最適照射位置を決定し、その後、実装プリント板1を駆
動し、反射膜12によって反射されるレーザ光の偏光状
態の変化を光強度の変化として観測することにより信号
路15に流れる信号波形を検出することができるように
構成される。
[作用] 本発明においては、電気光学結晶10の実装プリント板
1側の面に形成すべき反射膜を透光性を有する反射膜1
2としているので、電気光学結晶10にレーザ光を入射
すると、その一部は、反射膜12を通過して実装プリン
ト板1に照射される。
この結果、このレーザ光は実装プリント板1面で反射し
て電気光学結晶10、光路分離手段8、検光手段16を
介して光検出手段17に入射される。
ここに、レーザ光を走査して信号路15及びその周辺部
に照射させると、実装プリント板1で反射されるレーザ
光の強度は、信号路15とその周辺部では異なるものと
なる。そこで、このレーザ光の走査時、実装プリント板
1を駆動せず、即ち、電気光学結晶10に電界を与えず
、反射膜コ2で反射されるレーザ光の偏光状態が変化し
ないようにしておくことによって、光検出手段17には
、実装プリント板1による反射光の強度に対応した電気
信号を得ることができ、これによって、レーザ光の最適
照射位置を検出することができる。
[実施例] 以下、第1図〜第3図を参照して、本発明の一実施例に
つき説明する。
第1図は、本発明の一実施例の要部を示す図であって、
図中、1は動作試験の対象である実装プリント板、2は
実装プリント板1を搭載するための実装プリント板搭載
台、3は実装プリント板1を駆動(動作)させるための
実装プリント板駆動手段、4はシステム全体を制御する
システム制御手段である。
また、5はレーザ光を発生するレーザ光源、6はレーザ
光源5から出力された無偏光状態にあるレーザ光を直線
偏光状態にする偏光子、7は偏光子6によって直線偏光
状態にされたレーザ光を円偏光状態とする四分の一波長
板、8はレーザ光の光路を分離するビームスプリッタ、
9はビームスプリッタ8を介して供給されるレーザ光を
実装プリント板1に対して直角になるように光路を変え
るとともに、レーザ光を走査させることができるように
構成されているレーザ光走査手段、10はポッケルス効
果を有する電気光学結晶(例えば、Bi12 Si 0
20)であって、かかる電気光学結晶10は、第3図に
示すように、図上、その上面に透明導電膜(例えば、I
TO膜)11か被着形成され、その下面に僅かな透光性
を有する、例えば、反射率を90%とする反射膜(例え
ば、5in2、アルミナ等からなる誘電体多層膜)12
が被着形成されている。なお、透明導電膜11は実装プ
リント板1の接地ラインに接続される。
また、13は電気光学結晶10を移動させるための電気
光学結晶移動手段であって、この電気光学結晶移動手段
13によって、電気光学結晶1゜は、試験時、例えば、
第2図及び第3図に示すように、実装プリント板1上に
フリップチップ方式で実装されたペアチップLSI(1
4)の入出力端子に接続された電極15に近接して配置
される。
また、16は検光子、17は検光子を通過したレーザ光
を電気信号として検出する光検出手段、18は光検出手
段17に得られる電気信号を処理する信号処理手段であ
る。
かかる本実施例の実装プリント板試験装置においては、
次のようにして試験が行われる。
まず、電気光学結晶移動手段13によって電気光学結晶
10が、例えば、第2図に示すように、ペアチップLS
I (14)の入出力端子に接続されている電極15上
に近接して配置される。
次に、レーザ光源5がオン状態とされ、レーザ光源5か
ら出力されるレーザ光が、偏光子6、四分の一波長板7
、ビームスグリツタ8、レーザ光走査手段9を介して電
気光学結晶10に入射される。ここに、電気光学結晶1
0の下面に形成されている反射膜12は、その反射率を
90%とされているので、電気光学結晶10に入射され
たレーザ光の大半は反射膜12で反射されて電気光学結
晶10、レーザ光走査手段9、ビームスプリッタ8、検
光子16を介して光検出手段17に入射される。しかし
ながら、電気光学結晶10に入射されたレーザ光の一部
は反射JI112を通過して実装プリント板1に照射さ
れる。この結果、このレーザ光は実装プリント板1面で
反射し−て電気光学結晶10、レーザ光走査手段9、ビ
ームスプリッタ8、検光子16を介して光検出手段17
に入射される。
そこで、本実施例においては、レーザ光走査手段9によ
ってレーザ光を、第3l8に示すように走査し、信号波
形を検出しようとする電極15及びその周辺部に照射さ
せる。このようにすると、実装プリント板1で反射され
るレーザ光の強度分布は、例えば、第3図Aに示すよう
になる。かかる分布は、電極15の面と基板lの面の反
射率の相違や、電極15の面と基板1の面で反射される
レーザ光の散乱状態の相違によるものである。
ここに、実装プリント板1で反射して光検出手段17に
入射するレーザ光の強度は、反射膜12で反射して光検
出手段17に入射するレーザ光に比較して、極めて弱い
が、反射膜12で反射して光検出手段17に入射するレ
ーザ光の強度はレーザ光の走査に拘らず一定であるので
、光検出手段17には、第3図Aに対応するような電気
信号を得ることができる。そこで、これによって、レー
ザ光の最適照射位置く電極15の幅方向の中心)を検出
し、レーザ光走査手段9によってレーザ光の照射位置を
最適照射位置に固定する。
次に、実装プリント板1を駆動する。ここに、電極15
に信号が流れ、その電圧状態が変化すると、電気光学結
晶10内に電界が発生し、これが変化する。この結果、
電気光学結晶10の屈折率に異方性が生じ、これに応じ
て、レーザ光の偏光状態も変化する。即ち、電極15の
電圧が○[V]のときは、円偏光状態にあるが、電極1
5の電圧か0[■]以外になると、その電圧値に応じた
種々の形状の楕円偏光状態になる。したがって、検光子
16を通過したレーザ光は、偏光状態の変化に応じて強
度が変化するレーザ光となる。ここに、実装プリント板
1で反射して光検出手段17に入射するレーザ光の強度
は、反射M12で反射して光検出手段17に入射するレ
ーザ光に比較して、きわめて弱く、測定には影響しない
ので、検光子16を通過して光検出手段17に入射する
レーザ光によって電極15の信号波形の変化を検出する
ことができる。
このように、本実施例によれば、レーザ光と電気光学結
晶10とを利用して、信号波形を検出することができる
とともに、簡単な構造で、かつ、容易にレーザ光の最適
照射位置を決定することができる。
[発明の効果] 以上のように、本発明によれば、実装プリント板上、信
号波形を検出すべき信号路に接触又は近接して配置され
る電気光学結晶の実装プリント板側の面に形成すべき反
射膜を透光性を有する反射膜にするという構成を採用し
たので、信号波形を検出すべき信号路に対するレーザ光
の最適照射位置を、簡単な構成で、かつ、容易に決定す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の要部を示す図、第2図A及
びBはそれぞれペアチップLSIの入出力端子に接続さ
れた電極と電気光学結晶との位1関係を示す平面図及び
断面図、 第3図はレーザ光の最適照射位置を決定する方法を説明
するための図であって、第3図Aは実装プリント板によ
って反射されたレーザ光の強度分布を示す図、第3図B
はレーザ光、電気光学結晶及び実装プリント板を示す断
面図である。 1・・・実装プリント板 5・・・レーザ光源 6・・・偏光子 7・・・四分の一波長板 8・・・ビームスプリッタ 9・・・レーザ光走査手段 0・・・電気光学結晶 1・・・透明導電膜 2・・・反射膜 6・・・検光子 7・・・光検出手段 8・・・信号処理手段 本発明の一実施例の要部 第 図 (A)平面図 (B)断面図 レーザ光 位置関係を示す平面図及び断面図 第2図 (A) 最適照射位置 ] レーザ光の最適照射位置を決定する方法を説明するため
の図 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 レーザ光源(5)と、 該レーザ光源(5)から出力された無偏光状態にあるレ
    ーザ光を所定の偏光状態にする偏光状態制御手段(6、
    7)と、 該偏光状態制御手段(6、7)により前記所定の偏光状
    態にされたレーザ光の光路を実装プリント板(1)の面
    に対して垂直にし、かつ、このレーザ光を走査すること
    ができるように構成された光路変更・走査手段(8、9
    )と、 前記実装プリント板(1)上、信号波形を検出すべき信
    号路(15)に接触又は近接して配置され、前記光路変
    更・走査手段(8、9)側の面に透明導電膜(11)が
    形成され、前記実装プリント板(1)側の面に透光性を
    有する反射膜(12)が形成された電気光学結晶(10
    )と、 前記光路変更・走査手段(8、9)を介して前記電気光
    学結晶(10)に照射されたレーザ光中、前記反射膜(
    12)及び前記実装プリント板(1)の表面によって反
    射されたレーザ光の光路を前記レーザ光源(5)から前
    記電気光学結晶(10)に至る光路と分離する光路分離
    手段(8)と、該光路分離手段(8)によって分離され
    た光路に配置された検光手段(16)と、 該検光手段(16)を通過したレーザ光の強度を電気信
    号として検出する光検出手段(17)と、該光検出手段
    (17)に得られる前記電気信号の処理を行う信号処理
    手段(18)とを備え、前記実装プリント板(1)を駆
    動しない状態でレーザ光を走査して前記信号路(15)
    及びその周辺部にレーザ光を照射し、前記信号路(15
    )及びその周辺部によって反射されるレーザ光の強度か
    らレーザ光の最適照射位置を決定し、その後、前記実装
    プリント板(1)を駆動し、前記反射膜(12)によっ
    て反射されるレーザ光の偏光状態の変化を光強度の変化
    として観測することにより前記信号路(15)に流れる
    信号波形を検出することができるように構成されている
    ことを特徴とする実装プリント板試験装置。
JP2132938A 1990-05-23 1990-05-23 実装プリント板試験装置 Pending JPH0427884A (ja)

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