JP2002014131A - 回路基板の検査方法及び検査装置 - Google Patents
回路基板の検査方法及び検査装置Info
- Publication number
- JP2002014131A JP2002014131A JP2000193582A JP2000193582A JP2002014131A JP 2002014131 A JP2002014131 A JP 2002014131A JP 2000193582 A JP2000193582 A JP 2000193582A JP 2000193582 A JP2000193582 A JP 2000193582A JP 2002014131 A JP2002014131 A JP 2002014131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- pad
- light
- circuit
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】高集積化された回路パターンの電気的状態を非
接触で、且つ高分解能に検出できる回路基板の検査方法
及び検査装置を提供することを目的とする。 【解決手段】電圧供給機構１０からコンタクトプローブ
２０を介して、回路基板３０の所定の広ピッチ側のパッ
ド３３に電圧を印加し、電圧検出装置４０及び判定装置
５０で、回路基板３０の回路パターン３２の電気的状態
（短絡）を検査する。次に、狭ピッチ側のパッド３１群
の近傍に、ＥＯプローブ６０を所定の間隔で載置する。
さらに、光源７０からの光は光学系機構８０で偏光され
てＥＯプローブ６０へ照射され、ＥＯプローブ６０から
の反射光は狭ピッチ側のパッド３１からの電界によって
偏光状態が変化する。電界によって変化した偏光成分は
光学系機構８０で光の強度変化に変調されて、光検出装
置９０で検出され、判定装置５０で回路パターンの電気
的状態（断線）を検査することが可能となる。
接触で、且つ高分解能に検出できる回路基板の検査方法
及び検査装置を提供することを目的とする。 【解決手段】電圧供給機構１０からコンタクトプローブ
２０を介して、回路基板３０の所定の広ピッチ側のパッ
ド３３に電圧を印加し、電圧検出装置４０及び判定装置
５０で、回路基板３０の回路パターン３２の電気的状態
（短絡）を検査する。次に、狭ピッチ側のパッド３１群
の近傍に、ＥＯプローブ６０を所定の間隔で載置する。
さらに、光源７０からの光は光学系機構８０で偏光され
てＥＯプローブ６０へ照射され、ＥＯプローブ６０から
の反射光は狭ピッチ側のパッド３１からの電界によって
偏光状態が変化する。電界によって変化した偏光成分は
光学系機構８０で光の強度変化に変調されて、光検出装
置９０で検出され、判定装置５０で回路パターンの電気
的状態（断線）を検査することが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は回路基板の回路パタ
ーンの電気的状態を検査する方法及び装置に関し、特に
高密度に実装されたＩＣパッケージの回路パターンの電
気的状態を検査する方法及び装置に関する。
ーンの電気的状態を検査する方法及び装置に関し、特に
高密度に実装されたＩＣパッケージの回路パターンの電
気的状態を検査する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、回路基板の短絡や断線を検査する
方法として、金属のコンタクトプローブを多数埋め込ん
だ治具を形成し、回路基板に金属のコンタクトプローブ
を一括接触させて検査する方法がある。ところが、回路
基板の高密度化や高集積化に伴い、パッド間のピッチが
小さくなり、そのような微細なパッドピッチに対してコ
ンタクトプローブを物理的に安定して接触されることが
困難となった。また、コンタクトプローブを回路基板の
パットに接触させる部分が尖鋭なため、回路基板にダメ
ージを与える問題があった。
方法として、金属のコンタクトプローブを多数埋め込ん
だ治具を形成し、回路基板に金属のコンタクトプローブ
を一括接触させて検査する方法がある。ところが、回路
基板の高密度化や高集積化に伴い、パッド間のピッチが
小さくなり、そのような微細なパッドピッチに対してコ
ンタクトプローブを物理的に安定して接触されることが
困難となった。また、コンタクトプローブを回路基板の
パットに接触させる部分が尖鋭なため、回路基板にダメ
ージを与える問題があった。
【０００３】非接触で短絡や断線を検査する方法として
は、特開平９−７２９４７号公報に記載されているよう
に、一個所の電気信号を、ＥＯプローブで検査する方法
がある。しかし、この方法では、位置決めの機構が必要
となり、検査時間も長くなり、多くのパッド間の短絡や
断線を検査するには適当でない。
は、特開平９−７２９４７号公報に記載されているよう
に、一個所の電気信号を、ＥＯプローブで検査する方法
がある。しかし、この方法では、位置決めの機構が必要
となり、検査時間も長くなり、多くのパッド間の短絡や
断線を検査するには適当でない。
【０００４】同様に、非接触で短絡や断線を検査する方
法として、特開平９−２６４９１９号公報に記載されて
いるように、回路パターンの広ピッチ側のパッドにコン
タクトプローブを接触させて交流電圧を印加し、狭ピッ
チ側のパッドと容量結合させたセンサから電磁界の変化
を検出し、回路パターンの断線の有無を判定する方法が
ある。しかし、この方法では、微少な電磁界の変化を検
出しているため、装置が複雑となる問題がある。
法として、特開平９−２６４９１９号公報に記載されて
いるように、回路パターンの広ピッチ側のパッドにコン
タクトプローブを接触させて交流電圧を印加し、狭ピッ
チ側のパッドと容量結合させたセンサから電磁界の変化
を検出し、回路パターンの断線の有無を判定する方法が
ある。しかし、この方法では、微少な電磁界の変化を検
出しているため、装置が複雑となる問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決するためになされたものであり、高密度に集積化
された回路パターンの短絡／断線を、簡易な構造で、光
強度の変化から検査する方法および装置を提供すること
を目的とする。
を解決するためになされたものであり、高密度に集積化
された回路パターンの短絡／断線を、簡易な構造で、光
強度の変化から検査する方法および装置を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するため、まず請求項１においては、回路基板の
回路パターンの広ピッチ側のパッドにコンタクトプロー
ブを接触させて短絡検査を行い、狭ピッチ側のパッド近
傍に電界が加わると屈折率が変化し、照射された光を反
射する電気光学結晶を有するＥＯプローブを配置して、
前記ＥＯプローブに光を照射して、順次、広ピッチ側の
パッドに電圧を印加し、前記ＥＯプローブの反射光の強
度変化から前記回路パターンの断線検査を行うことを特
徴とする回路基板の検査方法としたものである。
を達成するため、まず請求項１においては、回路基板の
回路パターンの広ピッチ側のパッドにコンタクトプロー
ブを接触させて短絡検査を行い、狭ピッチ側のパッド近
傍に電界が加わると屈折率が変化し、照射された光を反
射する電気光学結晶を有するＥＯプローブを配置して、
前記ＥＯプローブに光を照射して、順次、広ピッチ側の
パッドに電圧を印加し、前記ＥＯプローブの反射光の強
度変化から前記回路パターンの断線検査を行うことを特
徴とする回路基板の検査方法としたものである。
【０００７】また、請求項２においては、回路基板の回
路パターンの広ピッチ側のパッドにコンタクトプローブ
を接触させて短絡検査を行い、狭ピッチ側のパッド近傍
に電界が加わると屈折率が変化し、照射された光を反射
する電気光学結晶を有するＥＯプローブを配置して、前
記ＥＯプローブに二次元的に光を照射して、広ピッチ側
のパッドに順次電圧を印加し、前記ＥＯプローブの反射
光の強度変化を二次元的に検出し、検出された二次元の
光強度変化から前記回路パターンの断線検査を行うこと
を特徴とする回路基板の検査方法としたものである。
路パターンの広ピッチ側のパッドにコンタクトプローブ
を接触させて短絡検査を行い、狭ピッチ側のパッド近傍
に電界が加わると屈折率が変化し、照射された光を反射
する電気光学結晶を有するＥＯプローブを配置して、前
記ＥＯプローブに二次元的に光を照射して、広ピッチ側
のパッドに順次電圧を印加し、前記ＥＯプローブの反射
光の強度変化を二次元的に検出し、検出された二次元の
光強度変化から前記回路パターンの断線検査を行うこと
を特徴とする回路基板の検査方法としたものである。
【０００８】また、請求項３においては、回路基板の回
路パターンの広ピッチ側のパッドにコンタクトプローブ
を接触させて短絡検査を行い、狭ピッチ側のパッド近傍
に電界が加わると屈折率が変化し、照射された光を反射
する電気光学結晶を有するＥＯプローブを配置して、前
記ＥＯプローブに二次元的に光を照射して、広ピッチ側
の複数のパッドに電圧を印加し、ＥＯプローブの反射光
の強度変化を二次元的に検出し、検出された二次元の光
強度変化から複数の回路パターンの断線検査を行うこと
を特徴とする回路基板の検査方法としたものである。
路パターンの広ピッチ側のパッドにコンタクトプローブ
を接触させて短絡検査を行い、狭ピッチ側のパッド近傍
に電界が加わると屈折率が変化し、照射された光を反射
する電気光学結晶を有するＥＯプローブを配置して、前
記ＥＯプローブに二次元的に光を照射して、広ピッチ側
の複数のパッドに電圧を印加し、ＥＯプローブの反射光
の強度変化を二次元的に検出し、検出された二次元の光
強度変化から複数の回路パターンの断線検査を行うこと
を特徴とする回路基板の検査方法としたものである。
【０００９】さらにまた、請求項４においては、回路基
板の回路パターンの広ピッチ側のパッドに電圧を供給す
る電圧供給機構と、回路基板の回路パターンの広ピッチ
側のパッドに電圧を印可するコンタクトプローブと、広
ピッチ側のパッドの電圧印可状態を検出する電圧検出装
置と、狭ピッチ側のパッド近傍に電界が加わると屈折率
が変化し、照射された光を反射する電気光学結晶を有す
るＥＯプローブと、ＥＯプローブに光を照射する光源
と、ＥＯプローブへの光照射条件を制御する光学系機構
と、狭ピッチパッド及び回路パターンの電気的状態を検
出する判定装置と、装置全体の制御を司る制御装置とを
少なくとも備えていることを特徴とする回路基板の検査
装置としたものである。
板の回路パターンの広ピッチ側のパッドに電圧を供給す
る電圧供給機構と、回路基板の回路パターンの広ピッチ
側のパッドに電圧を印可するコンタクトプローブと、広
ピッチ側のパッドの電圧印可状態を検出する電圧検出装
置と、狭ピッチ側のパッド近傍に電界が加わると屈折率
が変化し、照射された光を反射する電気光学結晶を有す
るＥＯプローブと、ＥＯプローブに光を照射する光源
と、ＥＯプローブへの光照射条件を制御する光学系機構
と、狭ピッチパッド及び回路パターンの電気的状態を検
出する判定装置と、装置全体の制御を司る制御装置とを
少なくとも備えていることを特徴とする回路基板の検査
装置としたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は本発明の回路基板の
検査装置の一実施例を示す構成図を、図２はＥＯプロー
ブを用いて回路パターンの電気的状態（短絡／断線）の
検出メカニズムを示す説明図をそれぞれ示す。本発明の
回路基板の検査装置１００は、図１に示すように、電圧
供給機構１０と、コンタクトプローブ２０と、回路基板
３０と、電圧検出装置４０と、判定装置５０と、ＥＯプ
ローブ６０と、光源７０と、光学系機構８０と、光検出
装置９０と、制御装置１１０とから構成されている。
施の形態について説明する。図１は本発明の回路基板の
検査装置の一実施例を示す構成図を、図２はＥＯプロー
ブを用いて回路パターンの電気的状態（短絡／断線）の
検出メカニズムを示す説明図をそれぞれ示す。本発明の
回路基板の検査装置１００は、図１に示すように、電圧
供給機構１０と、コンタクトプローブ２０と、回路基板
３０と、電圧検出装置４０と、判定装置５０と、ＥＯプ
ローブ６０と、光源７０と、光学系機構８０と、光検出
装置９０と、制御装置１１０とから構成されている。
【００１１】まず、電圧供給機構１０からコンタクトプ
ローブ２０を介して、回路基板３０の所定の広ピッチ側
のパッド３３に電圧を印加する。このとき、他の広ピッ
チ側のパッドの電圧を、電圧検出装置４０で検出し、判
定装置５０で、回路基板３０の回路パターン３２の電気
的状態（短絡）を検査する。
ローブ２０を介して、回路基板３０の所定の広ピッチ側
のパッド３３に電圧を印加する。このとき、他の広ピッ
チ側のパッドの電圧を、電圧検出装置４０で検出し、判
定装置５０で、回路基板３０の回路パターン３２の電気
的状態（短絡）を検査する。
【００１２】次に、狭ピッチ側のパッド３１群の近傍
に、ＥＯプローブ６０を所定の間隔で載置する。このと
き、ＥＯプローブ６０は、狭ピッチ側のパッド３１また
はパッド付近の回路パターン３２に接触させてもよい
し、２０μｍ程度の間隔で非接触にしてもよい。さら
に、光源７０からの光は光学系機構８０で偏光されてＥ
Ｏプローブ６０へ照射される。一方、広ピッチ側のパッ
ド３３から電圧が印加されると、回路パターン３２が断
線していない場合、狭ピッチ側のパッド３１からの電界
をＥＯプローブ６０で検出する。このとき、ＥＯプロー
ブ６０からの反射光は狭ピッチ側のパッド３１からの電
界によって偏光状態が変化する。電界によって変化した
偏光成分は光学系機構８０で光の強度変化に変調され
て、光検出装置９０で検出され、判定装置５０で光の強
度を判定することにより、回路パターンの電気的状態
（断線）を検査することが可能となる。上記これら一連
の動作は制御装置１１０で制御される。
に、ＥＯプローブ６０を所定の間隔で載置する。このと
き、ＥＯプローブ６０は、狭ピッチ側のパッド３１また
はパッド付近の回路パターン３２に接触させてもよい
し、２０μｍ程度の間隔で非接触にしてもよい。さら
に、光源７０からの光は光学系機構８０で偏光されてＥ
Ｏプローブ６０へ照射される。一方、広ピッチ側のパッ
ド３３から電圧が印加されると、回路パターン３２が断
線していない場合、狭ピッチ側のパッド３１からの電界
をＥＯプローブ６０で検出する。このとき、ＥＯプロー
ブ６０からの反射光は狭ピッチ側のパッド３１からの電
界によって偏光状態が変化する。電界によって変化した
偏光成分は光学系機構８０で光の強度変化に変調され
て、光検出装置９０で検出され、判定装置５０で光の強
度を判定することにより、回路パターンの電気的状態
（断線）を検査することが可能となる。上記これら一連
の動作は制御装置１１０で制御される。
【００１３】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。 ＜実施例１＞請求項１記載の実施例について図２を用い
て説明する。まず、光源７０からＥＯプローブ６０へ光
を照射する。光源としては指向性の良いレーザ光源を使
用する。ランダム偏光のレーザ光を光学系機構８０のビ
ームエキスパンダ８１でレーザ光束とし、偏光ビームス
プリッタ８２で直線偏光にしてＥＯプローブ６０へ照射
する。ここで、ＥＯプローブ６０は透明導電膜６１と、
電気光学結晶６２と、誘電体反射膜６３とで構成されて
いる。
る。 ＜実施例１＞請求項１記載の実施例について図２を用い
て説明する。まず、光源７０からＥＯプローブ６０へ光
を照射する。光源としては指向性の良いレーザ光源を使
用する。ランダム偏光のレーザ光を光学系機構８０のビ
ームエキスパンダ８１でレーザ光束とし、偏光ビームス
プリッタ８２で直線偏光にしてＥＯプローブ６０へ照射
する。ここで、ＥＯプローブ６０は透明導電膜６１と、
電気光学結晶６２と、誘電体反射膜６３とで構成されて
いる。
【００１４】次に、透明導電膜６１を接地し、狭ピッチ
パッド３１に電圧供給機構１０より順次電圧が印加され
ると、電圧が印加された狭ピッチパッド３１と電気光学
結晶６２との間には所定の電界が形成される。このと
き、ＥＯプローブ６０へ入射した光は、電気光学結晶６
２を透過中、電界によって電気光学結晶６２の屈折率が
変化することによって変調を受けて、誘電体反射膜６３
で反射され、偏光ビームスプリッタ８２で振幅変調され
る。この変調されたレーザ光束を、レンズ８３で集光
し、光検出装置９０で光の強度変化として検出する。こ
の検出光強度を判定装置５０にて判定することにより、
回路パターン３２の電気的状態（断線）を検査すること
ができる。
パッド３１に電圧供給機構１０より順次電圧が印加され
ると、電圧が印加された狭ピッチパッド３１と電気光学
結晶６２との間には所定の電界が形成される。このと
き、ＥＯプローブ６０へ入射した光は、電気光学結晶６
２を透過中、電界によって電気光学結晶６２の屈折率が
変化することによって変調を受けて、誘電体反射膜６３
で反射され、偏光ビームスプリッタ８２で振幅変調され
る。この変調されたレーザ光束を、レンズ８３で集光
し、光検出装置９０で光の強度変化として検出する。こ
の検出光強度を判定装置５０にて判定することにより、
回路パターン３２の電気的状態（断線）を検査すること
ができる。
【００１５】電気光学結晶６２としては、ＢＳＯ（Ｂｉ
12ＳｉＯ20）、ＺｎＴｅ、ＫＴＰ等が用いられる。ＥＯ
プローブ６０は狭ピッチバッド３１へ接触させてもよい
が、非接触にしてもよい。ただし、非接触とした場合、
ＥＯプローブ６０と狭ピッチバッド３１との間隔がある
程度以上隔たると、電気光学結晶６２に進入する電界強
度が減少することによって検出される光の強度変化も減
少し、検査の感度も低下する。 ＥＯプローブ６０と狭
ピッチバッド３１との間隔は２０μｍ程度とすることが
望ましい。
12ＳｉＯ20）、ＺｎＴｅ、ＫＴＰ等が用いられる。ＥＯ
プローブ６０は狭ピッチバッド３１へ接触させてもよい
が、非接触にしてもよい。ただし、非接触とした場合、
ＥＯプローブ６０と狭ピッチバッド３１との間隔がある
程度以上隔たると、電気光学結晶６２に進入する電界強
度が減少することによって検出される光の強度変化も減
少し、検査の感度も低下する。 ＥＯプローブ６０と狭
ピッチバッド３１との間隔は２０μｍ程度とすることが
望ましい。
【００１６】＜実施例２＞請求項２記載の実施例につい
て図２を用いて説明する。ＣＣＤ等、二次元での光強度
分布を検出できる光検出装置９０を用いて、実施例１と
同様な方法でＥＯプローブ６０から反射される光の強度
変化を検出することにより、狭ピッチバッド３１の電位
分布を二次元の光強度変化として検出する。この二次元
の光強度変化を判定することにより、回路パターン３２
の電気的状態（断線）を検査できる。
て図２を用いて説明する。ＣＣＤ等、二次元での光強度
分布を検出できる光検出装置９０を用いて、実施例１と
同様な方法でＥＯプローブ６０から反射される光の強度
変化を検出することにより、狭ピッチバッド３１の電位
分布を二次元の光強度変化として検出する。この二次元
の光強度変化を判定することにより、回路パターン３２
の電気的状態（断線）を検査できる。
【００１７】＜実施例３＞請求項３記載の実施例につい
て図２を用いて説明する。実施例２同様、ＣＣＤ等、二
次元での光強度分布を検出できる光検出装置９０を用い
て、狭ピッチバッド３１の電位分布を二次元の光強度変
化として検出する。このとき、複数の狭ピッチバッド３
１に同時に電圧を印加し、二次元の光強度変化を判定す
ることにより、複数の回路パターン３２の電気的状態
（断線）を検査できる。また、図３（ａ）及び図３
（ｂ）に示すように、絶縁フィルム１２１上にパッド１
２２及び回路パターン１２３が形成されたテープＢＧＡ
の回路パターン１２３の電気的状態（短絡／断線）の検
査を本装置で行う場合、ＥＯプローブ６０をテープＢＧ
Ａの回路パターン１２３の先端部に載置し、パッド１２
２から電圧を印加してやれば、ＥＯプローブ６０を動か
すことなしに、一挙に回路パターン１２３の電気的状態
（短絡／断線）の検査を行うことができる。
て図２を用いて説明する。実施例２同様、ＣＣＤ等、二
次元での光強度分布を検出できる光検出装置９０を用い
て、狭ピッチバッド３１の電位分布を二次元の光強度変
化として検出する。このとき、複数の狭ピッチバッド３
１に同時に電圧を印加し、二次元の光強度変化を判定す
ることにより、複数の回路パターン３２の電気的状態
（断線）を検査できる。また、図３（ａ）及び図３
（ｂ）に示すように、絶縁フィルム１２１上にパッド１
２２及び回路パターン１２３が形成されたテープＢＧＡ
の回路パターン１２３の電気的状態（短絡／断線）の検
査を本装置で行う場合、ＥＯプローブ６０をテープＢＧ
Ａの回路パターン１２３の先端部に載置し、パッド１２
２から電圧を印加してやれば、ＥＯプローブ６０を動か
すことなしに、一挙に回路パターン１２３の電気的状態
（短絡／断線）の検査を行うことができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明の検査方法及び検査装置によれ
ば、高集積化された回路基板の回路パターンの電気的状
態を電気光学結晶を用いた簡易なＥＯプローブを有する
検査装置で、非接触で精度良く検査できる。
ば、高集積化された回路基板の回路パターンの電気的状
態を電気光学結晶を用いた簡易なＥＯプローブを有する
検査装置で、非接触で精度良く検査できる。
【００１９】本発明の検査方法及び検査装置では、狭ピ
ッチ側の回路パターン上にＥＯプローブを載置するだけ
で、任意の位置での電界の強度変化を検出すればよいの
で、従来のような位置決め機構を必要としない。
ッチ側の回路パターン上にＥＯプローブを載置するだけ
で、任意の位置での電界の強度変化を検出すればよいの
で、従来のような位置決め機構を必要としない。
【００２０】本発明の検査方法及び検査装置では、二次
元での光強度分布を検出することによって、従来の狭ピ
ッチ側のパッドに容量結合センサを配置する方法と異な
り、狭ピッチ側のパッドから放出される電位の位置情報
を特定して検出できることから、精度の良い検査が可能
である。また、複数の広ピッチのパッドに電圧を印加す
ることによって、複数の広ピッチ側のパッドの短絡及び
回路パターンの断線検査を同時に実施することが可能と
なる。
元での光強度分布を検出することによって、従来の狭ピ
ッチ側のパッドに容量結合センサを配置する方法と異な
り、狭ピッチ側のパッドから放出される電位の位置情報
を特定して検出できることから、精度の良い検査が可能
である。また、複数の広ピッチのパッドに電圧を印加す
ることによって、複数の広ピッチ側のパッドの短絡及び
回路パターンの断線検査を同時に実施することが可能と
なる。
【図１】本発明の回路基板の検査装置の一実施例を示す
構成図である。
構成図である。
【図２】ＥＯプローブ及び光学系機構を用いて回路パタ
ーンを検出している状態を示す説明図である。
ーンを検出している状態を示す説明図である。
【図３】（ａ）は、ＥＯプローブを用いて回路基板（テ
ープＢＧＡ）の回路パターンの電気状態（短絡／断線）
の検査を行っている状態を示す平面図である。（ｂ）
は、（ａ）の平面図をＡ−Ａ線で切断した模式断面図で
ある。
ープＢＧＡ）の回路パターンの電気状態（短絡／断線）
の検査を行っている状態を示す平面図である。（ｂ）
は、（ａ）の平面図をＡ−Ａ線で切断した模式断面図で
ある。
１０……電圧供給機構 ２０……コンタクトプローブ ３０……回路基板 ３１……狭ピッチパッド ３２……回路パターン ３３……広ピッチパッド ４０……電圧検出装置 ５０……判定装置 ６０……ＥＯプローブ ６１……透明導電膜 ６２……電気光学結晶 ６３……誘電体反射膜 ７０……光源 ８０……光学系機構 ８１……ビームエキスパンダ ８２……偏光ビームスプリッタ ８３……レンズ ９０……光検出装置 １００……検査装置 １１０……制御装置 １２１……絶縁フィルム １２２……パッド １２３……回路パターン
Claims (4)
- 【請求項１】回路基板の回路パターンの広ピッチ側のパ
ッドにコンタクトプローブを接触させて短絡検査を行
い、狭ピッチ側のパッド近傍に電界が加わると屈折率が
変化し、照射された光を反射する電気光学結晶を有する
ＥＯプローブを載置して、前記ＥＯプローブに光を照射
して、順次、広ピッチ側のパッドに電圧を印加し、前記
ＥＯプローブの反射光の強度変化から前記回路パターン
の断線検査を行うことを特徴とする回路基板の検査方
法。 - 【請求項２】回路基板の回路パターンの広ピッチ側のパ
ッドにコンタクトプローブを接触させて短絡検査を行
い、狭ピッチ側のパッド近傍に電界が加わると屈折率が
変化し、照射された光を反射する電気光学結晶を有する
ＥＯプローブを配置して、前記ＥＯプローブに二次元的
に光を照射して、広ピッチ側のパッドに順次電圧を印加
し、前記ＥＯプローブの反射光の強度変化を二次元的に
検出し、検出された二次元の光強度変化から前記回路パ
ターンの断線検査を行うことを特徴とする回路基板の検
査方法。 - 【請求項３】回路基板の回路パターンの広ピッチ側のパ
ッドにコンタクトプローブを接触させて短絡検査を行
い、狭ピッチ側のパッド近傍に電界が加わると屈折率が
変化し、照射された光を反射する電気光学結晶を有する
ＥＯプローブを配置して、前記ＥＯプローブに二次元的
に光を照射して、広ピッチ側の複数のパッドに電圧を印
加し、ＥＯプローブの反射光の強度変化を二次元的に検
出し、検出された二次元の光強度変化から複数の回路パ
ターンの断線検査を行うことを特徴とする回路基板の検
査方法。 - 【請求項４】回路基板の回路パターンの広ピッチ側のパ
ッドに電圧を供給する電圧供給機構と、回路基板の回路
パターンの広ピッチ側のパッドに電圧を印可するコンタ
クトプローブと、広ピッチ側のパッドの電圧印可状態を
検出する電圧検出装置と、狭ピッチ側のパッド近傍に電
界が加わると屈折率が変化し、照射された光を反射する
電気光学結晶を有するＥＯプローブと、ＥＯプローブに
光を照射する光源と、ＥＯプローブへの光照射条件を制
御する光学系機構と、狭ピッチパッド及び回路パターン
の電気的状態を検出する判定装置と、装置全体の制御を
行う制御装置とを少なくとも備えていることを特徴とす
る回路基板の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000193582A JP2002014131A (ja) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | 回路基板の検査方法及び検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000193582A JP2002014131A (ja) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | 回路基板の検査方法及び検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002014131A true JP2002014131A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=18692551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000193582A Pending JP2002014131A (ja) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | 回路基板の検査方法及び検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002014131A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100684842B1 (ko) | 2004-12-10 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시 장치 및 그 검사 방법 |
| CN108335658A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示测试装置 |
| JP2020507764A (ja) * | 2017-02-10 | 2020-03-12 | チェックサム， エルエルシーＣｈｅｃｋｓｕｍ， Ｌｌｃ | プリント基板のための機能検査器、関連するシステム及び方法 |
-
2000
- 2000-06-27 JP JP2000193582A patent/JP2002014131A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100684842B1 (ko) | 2004-12-10 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시 장치 및 그 검사 방법 |
| JP2020507764A (ja) * | 2017-02-10 | 2020-03-12 | チェックサム， エルエルシーＣｈｅｃｋｓｕｍ， Ｌｌｃ | プリント基板のための機能検査器、関連するシステム及び方法 |
| US11686759B2 (en) | 2017-02-10 | 2023-06-27 | Checksum, Llc | Functional tester for printed circuit boards, and associated systems and methods |
| CN108335658A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示测试装置 |
| US10948749B2 (en) | 2018-03-15 | 2021-03-16 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel, display test apparatus and method of testing display panel |
| CN108335658B (zh) * | 2018-03-15 | 2021-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示测试装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0627428A (ja) | 試験中の表面上の多数の位置における画像を観察する装置およびそれらの位置の容量を観察する方法 | |
| JP3150324B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板の検査方法および薄膜トランジスタ基板の配線修正方法 | |
| JPH06213975A (ja) | 試験中のパネルの表面上の多数の位置における電圧を観察する装置および方法 | |
| JPH08105926A (ja) | 配線パターン検査装置及び配線パターン検査方法 | |
| JP2002014131A (ja) | 回路基板の検査方法及び検査装置 | |
| JPH0580083A (ja) | 集積回路の試験方法および装置 | |
| JP4003371B2 (ja) | 回路基板の検査装置及び回路基板の検査方法 | |
| JPH0429344A (ja) | 半導体集積回路用試験装置および該装置のプローブ位置制御方法 | |
| JP2865046B2 (ja) | 電子部品の半田接続検査方法及び検査装置 | |
| JP2900856B2 (ja) | プリント基板の信号波形測定装置 | |
| JP3019798B2 (ja) | 回路基板検査方法 | |
| US6894514B2 (en) | Circuit pattern detecting apparatus and circuit pattern inspecting method | |
| JP2735048B2 (ja) | 電子部品の半田接続検査方法及び検査装置 | |
| JP2005172730A (ja) | 回路基板の断線検査装置 | |
| JPH03167490A (ja) | 実装プリント板試験装置 | |
| JPH06102318A (ja) | プローブ装置 | |
| JP3075223B2 (ja) | プリント基板検査装置およびその検査方法 | |
| JPH08335613A (ja) | ウェーハ検査装置 | |
| JP2006126026A (ja) | 回路基板の断線検査装置 | |
| JP2003185696A (ja) | 回路パターン検出装置、回路パターン検出方法および回路パターン検査方法 | |
| JP2900784B2 (ja) | プリント基板検査装置 | |
| JP2591347B2 (ja) | 実装ボード検査装置 | |
| JPH07335702A (ja) | プローブカード | |
| JP2005017024A (ja) | 回路基板の検査装置 | |
| JPH11133118A (ja) | 基板検査装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040318 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060721 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060801 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060927 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070206 |