JPH04276077A - ダイヤモンド被覆セラミックス部材の製造法 - Google Patents
ダイヤモンド被覆セラミックス部材の製造法Info
- Publication number
- JPH04276077A JPH04276077A JP5961991A JP5961991A JPH04276077A JP H04276077 A JPH04276077 A JP H04276077A JP 5961991 A JP5961991 A JP 5961991A JP 5961991 A JP5961991 A JP 5961991A JP H04276077 A JPH04276077 A JP H04276077A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- hydrogen fluoride
- diamond
- diamond film
- coated ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 8
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 10
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910007277 Si3 N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野】この発明は、窒化ケイ素系セラミ
ックス基体の表面に耐剥離性に優れたダイヤモンド膜を
被覆する方法に関するものである。
ックス基体の表面に耐剥離性に優れたダイヤモンド膜を
被覆する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】窒化ケイ素、炭化ケイ素などのセラミッ
クスからなる基体の表面に、耐剥離性に優れた気相合成
ダイヤモンド膜を形成する方法として、例えば、特開昭
63−20479号公報に記載されているように、熱膨
張係数が2.8×10−6〜6.0×10−6/℃であ
る基体の上に気相合成ダイヤモンド膜を被覆し、残留応
力が小さく密着性の優れた気相合成ダイヤモンド膜を形
成する方法、特開平1−162770号公報に記載され
ているように、多孔質のセラミックスを基体とし、多孔
質セラミックス基体の表面の凹凸を利用する方法などが
知られている。
クスからなる基体の表面に、耐剥離性に優れた気相合成
ダイヤモンド膜を形成する方法として、例えば、特開昭
63−20479号公報に記載されているように、熱膨
張係数が2.8×10−6〜6.0×10−6/℃であ
る基体の上に気相合成ダイヤモンド膜を被覆し、残留応
力が小さく密着性の優れた気相合成ダイヤモンド膜を形
成する方法、特開平1−162770号公報に記載され
ているように、多孔質のセラミックスを基体とし、多孔
質セラミックス基体の表面の凹凸を利用する方法などが
知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記熱膨張係
数が小さい基体の表面に形成された気相合成ダイヤモン
ド膜は、残留応力が小さいことにより耐剥離性が向上す
るけれども、その効果は十分でなく、このようにして製
造されたダイヤモンド被覆セラミックス部材を過酷な条
件の断続切削、例えば、フライス切削の切削工具として
用いた場合には十分な耐剥離性が得られず、また多孔質
セラミックスを基体すると、フライス切削の切削工具と
して用いた場合には基体の強度に問題が生じて使用に絶
えることができないなどの課題があった。
数が小さい基体の表面に形成された気相合成ダイヤモン
ド膜は、残留応力が小さいことにより耐剥離性が向上す
るけれども、その効果は十分でなく、このようにして製
造されたダイヤモンド被覆セラミックス部材を過酷な条
件の断続切削、例えば、フライス切削の切削工具として
用いた場合には十分な耐剥離性が得られず、また多孔質
セラミックスを基体すると、フライス切削の切削工具と
して用いた場合には基体の強度に問題が生じて使用に絶
えることができないなどの課題があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
過酷な条件の断続切削に対しても従来よりも優れた耐剥
離性を有するダイヤモンド膜をセラミックス表面に被覆
すべく研究を行った結果、窒化ケイ素系セラミックスを
基体とし、その表面をフッ化水素またはフッ化水素を含
む流体を用いてエッチングすると、窒化ケイ素系セラミ
ックスの粒界相(ガラス相)が除去されて基体表面に凹
凸が形成されると同時に窒化ケイ素粒子にも非常に微細
な凹凸をつけることができ、この基体表面の凹凸および
窒化ケイ素粒子の非常に微細な凹凸は、上記アンカー効
果を一層強固なものとし、窒化ケイ素系セラミックスに
対する密着性を一段と向上せしめることができるという
知見を得たのである。
過酷な条件の断続切削に対しても従来よりも優れた耐剥
離性を有するダイヤモンド膜をセラミックス表面に被覆
すべく研究を行った結果、窒化ケイ素系セラミックスを
基体とし、その表面をフッ化水素またはフッ化水素を含
む流体を用いてエッチングすると、窒化ケイ素系セラミ
ックスの粒界相(ガラス相)が除去されて基体表面に凹
凸が形成されると同時に窒化ケイ素粒子にも非常に微細
な凹凸をつけることができ、この基体表面の凹凸および
窒化ケイ素粒子の非常に微細な凹凸は、上記アンカー効
果を一層強固なものとし、窒化ケイ素系セラミックスに
対する密着性を一段と向上せしめることができるという
知見を得たのである。
【0005】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、窒化ケイ素系セラミックス基体の表面
をフッ化水素またはフッ化水素を含む流体を用いてエッ
チングし、このエッチングされた窒化ケイ素系セラミッ
クス基体の表面に気相合成ダイヤモンド膜を形成するダ
イヤモンド被覆セラミックス部材の製造法に特徴を有す
るものである。
たものであって、窒化ケイ素系セラミックス基体の表面
をフッ化水素またはフッ化水素を含む流体を用いてエッ
チングし、このエッチングされた窒化ケイ素系セラミッ
クス基体の表面に気相合成ダイヤモンド膜を形成するダ
イヤモンド被覆セラミックス部材の製造法に特徴を有す
るものである。
【0006】この発明で用いる窒化ケイ素系セラミック
スとは、例えば、窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、炭窒酸化
ケイ素、サイアロン、Si3 N4−5%Y2 O3
−2%MgO、Si3 N4 −3%Y2 O3 −3
%ZrO2 −2%SiO2 からなる組成の焼結体セ
ラミックスであり、この窒化ケイ素系セラミックスはガ
ラス相からなる粒界相があるために、Si3 N4 相
とガラス相とのエッチング速度の相違により、基体表面
に凹凸が付き、さらにSi3 N4 相も若干エッチン
グされるのでSi3 N4 粒子表面にも微細な凹凸が
付くことにより、アンカー効果が一層促進され、ダイヤ
モンド膜の窒化ケイ素系セラミックス基体表面に対する
密着性を一段と向上せしめるだけでなく、窒化ケイ素系
セラミックス基体の表面をフッ化水素またはフッ化水素
を含む流体を用いてエッチングした際に残留したフッ化
水素がダイヤモンド膜に拡散してフッ素および水素を含
有したダイヤモンド膜が窒化ケイ素系セラミックス基体
の表面とダイヤモンド膜との界面に形成され、このフッ
素および水素を含有したダイヤモンド膜が窒化ケイ素系
セラミックス基体に対する密着性を一段と向上せしめる
作用を成すものと考えられる。
スとは、例えば、窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、炭窒酸化
ケイ素、サイアロン、Si3 N4−5%Y2 O3
−2%MgO、Si3 N4 −3%Y2 O3 −3
%ZrO2 −2%SiO2 からなる組成の焼結体セ
ラミックスであり、この窒化ケイ素系セラミックスはガ
ラス相からなる粒界相があるために、Si3 N4 相
とガラス相とのエッチング速度の相違により、基体表面
に凹凸が付き、さらにSi3 N4 相も若干エッチン
グされるのでSi3 N4 粒子表面にも微細な凹凸が
付くことにより、アンカー効果が一層促進され、ダイヤ
モンド膜の窒化ケイ素系セラミックス基体表面に対する
密着性を一段と向上せしめるだけでなく、窒化ケイ素系
セラミックス基体の表面をフッ化水素またはフッ化水素
を含む流体を用いてエッチングした際に残留したフッ化
水素がダイヤモンド膜に拡散してフッ素および水素を含
有したダイヤモンド膜が窒化ケイ素系セラミックス基体
の表面とダイヤモンド膜との界面に形成され、このフッ
素および水素を含有したダイヤモンド膜が窒化ケイ素系
セラミックス基体に対する密着性を一段と向上せしめる
作用を成すものと考えられる。
【0007】また、この発明で用いるフッ化水素または
フッ化水素を含む流体とは、HFガス、HFガスとAr
ガスなどの不活性ガスとの混合ガス、HFガスと他のハ
ロゲン化水素ガスとの混合ガス、HF水溶液、HF水溶
液と他のハロゲン化水素水溶液との混合溶液などであり
、このフッ化水素またはフッ化水素を含む流体を用いて
エッチングされた窒化ケイ素系セラミックス基体表面に
、通常の気相合成法、例えば、熱フィラメント法、マイ
クロ波プラズマ法、直流プラズマ法などによりダイヤモ
ンド膜を形成する。
フッ化水素を含む流体とは、HFガス、HFガスとAr
ガスなどの不活性ガスとの混合ガス、HFガスと他のハ
ロゲン化水素ガスとの混合ガス、HF水溶液、HF水溶
液と他のハロゲン化水素水溶液との混合溶液などであり
、このフッ化水素またはフッ化水素を含む流体を用いて
エッチングされた窒化ケイ素系セラミックス基体表面に
、通常の気相合成法、例えば、熱フィラメント法、マイ
クロ波プラズマ法、直流プラズマ法などによりダイヤモ
ンド膜を形成する。
【0008】
【実施例】つぎに、この発明を実施例に基づいて具体的
に説明する。ずれも市販の表1に示される成分組成の3
種類の窒化ケイ素系セラミックスを用意し、この窒化ケ
イ素系セラミックスを切断および研削してISO規格S
PGN120308の形状を有する基体A〜Cを作製し
た。
に説明する。ずれも市販の表1に示される成分組成の3
種類の窒化ケイ素系セラミックスを用意し、この窒化ケ
イ素系セラミックスを切断および研削してISO規格S
PGN120308の形状を有する基体A〜Cを作製し
た。
【0009】
【表1】
【0010】実施例1〜3
表1の基体A〜Cを5%HF水溶液中に10分間浸漬し
てエッチング処理を行い、乾燥した後、タングステン製
フィラメントを備えた内径:120mmの石英管に装入
し、 基体温度:800℃、 反応ガス:CH4 /H2 =0.01雰囲気圧力:2
0Torr、 合成時間:30時間、 の条件で基体A〜Cの表面に厚さ:12μmのダイヤモ
ンド膜を形成し、ダイヤモンド被覆セラミックス部材を
作製した。
てエッチング処理を行い、乾燥した後、タングステン製
フィラメントを備えた内径:120mmの石英管に装入
し、 基体温度:800℃、 反応ガス:CH4 /H2 =0.01雰囲気圧力:2
0Torr、 合成時間:30時間、 の条件で基体A〜Cの表面に厚さ:12μmのダイヤモ
ンド膜を形成し、ダイヤモンド被覆セラミックス部材を
作製した。
【0011】実施例4〜6
表1の基体A〜Cを1%HFおよび2%HClを溶解し
た水溶液中に10分間浸漬し、乾燥した後、タングステ
ン製フィラメントを備えた内径:120mmの石英管に
装入してエッチング処理を行い、上記実施例1〜3と同
じ条件で基体A〜Cの表面に厚さ:12μmのダイヤモ
ンド膜を形成し、ダイヤモンド被覆セラミックス部材を
作製した。
た水溶液中に10分間浸漬し、乾燥した後、タングステ
ン製フィラメントを備えた内径:120mmの石英管に
装入してエッチング処理を行い、上記実施例1〜3と同
じ条件で基体A〜Cの表面に厚さ:12μmのダイヤモ
ンド膜を形成し、ダイヤモンド被覆セラミックス部材を
作製した。
【0012】実施例7〜9
表1の基体A〜Cを、電気炉内に設置されたNi−Cu
合金で出来た反応管中に装入し、この反応管中に1%H
F−Arガスの混合ガスを1リットル/minの流量で
流しながら、温度:600℃、5分間保持してエッチン
グ処理を行い、取り出して上記実施例1〜3と同じ条件
で基体A〜Cの表面に厚さ:12μmのダイヤモンド膜
を形成し、ダイヤモンド被覆セラミックス部材を作製し
た。
合金で出来た反応管中に装入し、この反応管中に1%H
F−Arガスの混合ガスを1リットル/minの流量で
流しながら、温度:600℃、5分間保持してエッチン
グ処理を行い、取り出して上記実施例1〜3と同じ条件
で基体A〜Cの表面に厚さ:12μmのダイヤモンド膜
を形成し、ダイヤモンド被覆セラミックス部材を作製し
た。
【0013】比較例1〜3
さらに比較のために、上記窒化ケイ素系セラミックスを
切断および研削してISO規格SPGN120308の
形状に形成し、エッチング処理を行なわない基体A〜C
を作製し、通常の超音波洗浄を施し、次いで、上記実施
例1〜3と同じ条件で基体A〜Cの表面に厚さ:12μ
mのダイヤモンド膜を形成し、ダイヤモンド被覆セラミ
ックス部材を作製した。
切断および研削してISO規格SPGN120308の
形状に形成し、エッチング処理を行なわない基体A〜C
を作製し、通常の超音波洗浄を施し、次いで、上記実施
例1〜3と同じ条件で基体A〜Cの表面に厚さ:12μ
mのダイヤモンド膜を形成し、ダイヤモンド被覆セラミ
ックス部材を作製した。
【0014】上記実施例1〜9および比較例1〜3で作
製されたダイヤモンド被覆セラミックス部材を切削工具
として用い、 被削材:Al−18%Si、 切削速度
:200m/min、 切込み:2mm、
送り:0.2mm/rev、の
条件にて、乾式フライス切削試験を行い、切り刃の逃げ
面のダイヤモンド膜が剥離し、被削材の面精度が良好に
切削できなくなるに至るまで時間を測定し、その測定結
果を表2に示した。
製されたダイヤモンド被覆セラミックス部材を切削工具
として用い、 被削材:Al−18%Si、 切削速度
:200m/min、 切込み:2mm、
送り:0.2mm/rev、の
条件にて、乾式フライス切削試験を行い、切り刃の逃げ
面のダイヤモンド膜が剥離し、被削材の面精度が良好に
切削できなくなるに至るまで時間を測定し、その測定結
果を表2に示した。
【0015】
【表2】
【0016】
【発明の効果】表2に示された測定結果から、窒化ケイ
素系セラミックス基体の表面をフッ化水素またはフッ化
水素を含む流体を用いてエッチングし、このエッチング
された窒化ケイ素系セラミックス基体の表面に気相合成
ダイヤモンド膜を形成する実施例1〜9で得られたダイ
ヤモンド被覆セラミックス部材は、フッ化水素またはフ
ッ化水素を含む流体を用いてエッチングしない窒化ケイ
素系セラミックス基体の表面に気相合成ダイヤモンド膜
を形成した比較例1〜3のダイヤモンド被覆セラミック
ス部材に比べて、切り刃の逃げ面のダイヤモンド膜が剥
離せずに被削材の面精度が良好に切削できる時間が格段
に長いことがわかる。
素系セラミックス基体の表面をフッ化水素またはフッ化
水素を含む流体を用いてエッチングし、このエッチング
された窒化ケイ素系セラミックス基体の表面に気相合成
ダイヤモンド膜を形成する実施例1〜9で得られたダイ
ヤモンド被覆セラミックス部材は、フッ化水素またはフ
ッ化水素を含む流体を用いてエッチングしない窒化ケイ
素系セラミックス基体の表面に気相合成ダイヤモンド膜
を形成した比較例1〜3のダイヤモンド被覆セラミック
ス部材に比べて、切り刃の逃げ面のダイヤモンド膜が剥
離せずに被削材の面精度が良好に切削できる時間が格段
に長いことがわかる。
【0017】上述のように、この発明のダイヤモンド被
覆セラミックス部材の製造法によると、耐剥離性に優れ
たダイヤモンド膜が被覆され、切削に際してダイヤモン
ド膜が剥離するまでの時間が長く、チップ交換回数を少
ないダイヤモンド被覆セラミックスを製造することがで
き、したがって、生産コストを安くすることができ、産
業上優れた効果を奏するものである。
覆セラミックス部材の製造法によると、耐剥離性に優れ
たダイヤモンド膜が被覆され、切削に際してダイヤモン
ド膜が剥離するまでの時間が長く、チップ交換回数を少
ないダイヤモンド被覆セラミックスを製造することがで
き、したがって、生産コストを安くすることができ、産
業上優れた効果を奏するものである。
Claims (5)
- 【請求項1】 窒化ケイ素系セラミックス基体の表面
をフッ化水素ガスを用いてエッチングし、ついで、この
エッチングされた窒化ケイ素系セラミックス基体の表面
に気相合成ダイヤモンド膜を形成することを特徴とする
ダイヤモンド被覆セラミックス部材の製造法。 - 【請求項2】 窒化ケイ素系セラミックス基体の表面
をフッ化水素を含む流体を用いてエッチングし、ついで
、このエッチングされた窒化ケイ素系セラミックス基体
の表面に気相合成ダイヤモンド膜を形成することを特徴
とするダイヤモンド被覆セラミックス部材の製造法。 - 【請求項3】 上記フッ化水素を含む流体は、フッ酸
水溶液またはHF水溶液と他のハロゲン化水素水溶液と
の混合溶液であることを特徴とする請求項2記載のダイ
ヤモンド被覆セラミックス部材の製造法。 - 【請求項4】 上記フッ化水素を含む流体は、フッ化
水素と不活性ガスの混合ガスであることを特徴とする請
求項2記載のダイヤモンド被覆セラミックス部材の製造
法。 - 【請求項5】 上記フッ化水素を含む流体は、フッ化
水素と他のハロゲン化水素ガスの混合ガスであることを
特徴とする請求項2記載のダイヤモンド被覆セラミック
ス部材の製造法。 【0001】
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5961991A JPH04276077A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | ダイヤモンド被覆セラミックス部材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5961991A JPH04276077A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | ダイヤモンド被覆セラミックス部材の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04276077A true JPH04276077A (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=13118444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5961991A Pending JPH04276077A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | ダイヤモンド被覆セラミックス部材の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04276077A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100086527A (ko) * | 2009-01-23 | 2010-08-02 | 한국과학기술연구원 | 2상구조 세라믹체를 이용한 다이아몬드막-코팅 세라믹체 및이의 제조방법 |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP5961991A patent/JPH04276077A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100086527A (ko) * | 2009-01-23 | 2010-08-02 | 한국과학기술연구원 | 2상구조 세라믹체를 이용한 다이아몬드막-코팅 세라믹체 및이의 제조방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0596401A (ja) | 気相合成ダイヤモンド被覆切削工具およびその製造法 | |
KR100193546B1 (ko) | 초경질막 피복부재 및 그 제조방법 | |
JPH0892742A (ja) | マトリクス複合体およびその表面の準備方法 | |
KR950013501B1 (ko) | 다이아몬드피복 경질재료, 드로우어웨이 인서트 및 그 제조방법 | |
JPS6353269A (ja) | ダイヤモンド被覆炭化タングステン基超硬合金製切削工具チツプ | |
JPH01162770A (ja) | ダイヤモンド被覆部材 | |
JPH04276077A (ja) | ダイヤモンド被覆セラミックス部材の製造法 | |
JP2558448B2 (ja) | ダイヤモンド被覆切削工具 | |
JPS61291493A (ja) | ダイヤモンド被覆硬質材料 | |
JP2797612B2 (ja) | 高い付着強度を有する人工ダイヤモンド被覆硬質焼結工具部材 | |
JP2595203B2 (ja) | 高密着性ダイヤモンド被覆焼結合金及びその製造方法 | |
JP2844934B2 (ja) | 気相合成ダイヤモンド被覆切削工具の製造法 | |
JPH02192483A (ja) | ダイヤモンド炭化硅素複合体 | |
JPH0920590A (ja) | ダイヤモンド膜付き超硬基材の製造方法 | |
JPH0354180A (ja) | ダイヤモンド被覆焼結体の製造法 | |
JPH04202075A (ja) | ダイヤモンド被覆硬質材料の製造方法 | |
JP2747584B2 (ja) | 硬質膜被覆部材 | |
JPH04358068A (ja) | CVD−SiC被覆部材 | |
JP2772494B2 (ja) | 超硬質膜被覆部材及びその製造方法 | |
JPH05285741A (ja) | 気相合成ダイヤモンド被覆切削工具の製造法 | |
JPH07156002A (ja) | ダイヤモンドコーティング工具およびその製造方法 | |
JP2530259B2 (ja) | ダイヤモンド類被覆切削工具 | |
JP3138222B2 (ja) | ダイヤモンド自立膜の製造方法 | |
JP2784695B2 (ja) | ボンディングツールの製造方法 | |
JP3417986B2 (ja) | 付着性に優れた被覆物体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990525 |