JPH04275557A - 逆多活性電子写真要素 - Google Patents
逆多活性電子写真要素Info
- Publication number
- JPH04275557A JPH04275557A JP33205891A JP33205891A JPH04275557A JP H04275557 A JPH04275557 A JP H04275557A JP 33205891 A JP33205891 A JP 33205891A JP 33205891 A JP33205891 A JP 33205891A JP H04275557 A JPH04275557 A JP H04275557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- cgl
- charge transfer
- transfer material
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 111
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 13
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract description 15
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract description 15
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 abstract description 12
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- 201000006705 Congenital generalized lipodystrophy Diseases 0.000 description 45
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 14
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 13
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 13
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 5
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 5
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trichloroethane Chemical compound ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000402 bisphenol A polycarbonate polymer Polymers 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 poly(ethylene terephthalate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N nonanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 2
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- PEQHIRFAKIASBK-UHFFFAOYSA-N tetraphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 PEQHIRFAKIASBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBWZNZOIVJUVRB-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-hydroxyphenyl)-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)C(C2)CCC2C1 RBWZNZOIVJUVRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXYUIABODWXVIK-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 YXYUIABODWXVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQYYDWJDEVKDGB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[2-[4-[2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C=CC=2C=CC(C=CC=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 LQYYDWJDEVKDGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000370685 Arge Species 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000012992 electron transfer agent Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/047—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多活性電子写真要素、
すなわち、少くとも電気導電層、電荷発生層及び電荷移
動層を含有する要素に関する。さらに詳細には、本発明
は、最初に正に帯電させるのに適しており、正孔移動手
段による電子写真放電に適しており、かつ、その電荷移
動層が導電層と電荷発生層の間に位置する“逆”配列の
層を有する要素に関する。
すなわち、少くとも電気導電層、電荷発生層及び電荷移
動層を含有する要素に関する。さらに詳細には、本発明
は、最初に正に帯電させるのに適しており、正孔移動手
段による電子写真放電に適しており、かつ、その電荷移
動層が導電層と電荷発生層の間に位置する“逆”配列の
層を有する要素に関する。
【0002】
【従来の技術】電子写真においては、静電圧パターンか
らなる画像(静電潜像とも称す)を、少くとも絶縁性光
導電層及び電気導電性支持体を含んでなる電子写真要素
の表面上に形成する。静電潜像は通常、表面に予め形成
させた均一電圧の像様放射線誘起放電により形成される
。典型的には、次に電子写真現像液を静電潜像と接触さ
せることにより、この静電潜像を現像してトナー画像と
する。必要に応じて、静像を現像前に他の表面に転写さ
せてもよい。
らなる画像(静電潜像とも称す)を、少くとも絶縁性光
導電層及び電気導電性支持体を含んでなる電子写真要素
の表面上に形成する。静電潜像は通常、表面に予め形成
させた均一電圧の像様放射線誘起放電により形成される
。典型的には、次に電子写真現像液を静電潜像と接触さ
せることにより、この静電潜像を現像してトナー画像と
する。必要に応じて、静像を現像前に他の表面に転写さ
せてもよい。
【0003】潜像形成においては、一対の負電荷電子及
び正電荷正孔が放射線により誘起されて発生することに
より画像放電が引き起され、これらの負電荷電子及び正
電荷正孔は、像様化学放射線への露光に応答して電子写
真要素中の材料(電荷発生材料と称されることが多い)
により発生するものである。初期の均一静電電圧の極性
及び電子写真に包含された材料のタイプ次第で、発生し
た正孔又は電子のいずれかが露光域の要素の帯電表面方
向へ移動し、それにより初期電圧の画像様放電をひき起
こす。残留するのは静電潜像を構成する非均一な電圧で
ある。
び正電荷正孔が放射線により誘起されて発生することに
より画像放電が引き起され、これらの負電荷電子及び正
電荷正孔は、像様化学放射線への露光に応答して電子写
真要素中の材料(電荷発生材料と称されることが多い)
により発生するものである。初期の均一静電電圧の極性
及び電子写真に包含された材料のタイプ次第で、発生し
た正孔又は電子のいずれかが露光域の要素の帯電表面方
向へ移動し、それにより初期電圧の画像様放電をひき起
こす。残留するのは静電潜像を構成する非均一な電圧で
ある。
【0004】各種の既知タイプの電子写真要素の中には
、一般に多活性要素(多層要素又は多活性層要素と称さ
れることもある)と称されるものがある。多活性要素は
、それらが少くとも2つの活性層を含有するのでそのよ
うに名付けられ、その少くとも1層は化学放射線への露
光に応答して電子/正孔対を発生させることが可能で、
電荷発生層(以下CGLとも称する)と称され、その少
くとも一層は電荷発生層により発生した電荷を受容しか
つ移動させることが可能で、電荷移動層(以下CTLと
も称する)と称される。このような要素は典型的に少く
とも導電層、CGL及びCTLを含んでなる。CGL又
はCTLのいずれかは導電層及び残りのCGL又はCT
Lの両者と電気的接触状態におかれる。CGLは少くと
も電荷発生材料を含んでなり;CTLは少くとも電荷移
動材料(要素の像様電気放電を引き起こしそれにより静
電潜像を作り出すために、CGLにおいて電荷発生材料
により発生した正孔及び/又は電子を容易に受容しそし
てCTLを介するそれらの移動を容易にする材料)を含
んでなり;そしてこれら層のいずれか一方又は双方はさ
らにフィルム形成性ポリマーバインダーを含んでいても
よい。
、一般に多活性要素(多層要素又は多活性層要素と称さ
れることもある)と称されるものがある。多活性要素は
、それらが少くとも2つの活性層を含有するのでそのよ
うに名付けられ、その少くとも1層は化学放射線への露
光に応答して電子/正孔対を発生させることが可能で、
電荷発生層(以下CGLとも称する)と称され、その少
くとも一層は電荷発生層により発生した電荷を受容しか
つ移動させることが可能で、電荷移動層(以下CTLと
も称する)と称される。このような要素は典型的に少く
とも導電層、CGL及びCTLを含んでなる。CGL又
はCTLのいずれかは導電層及び残りのCGL又はCT
Lの両者と電気的接触状態におかれる。CGLは少くと
も電荷発生材料を含んでなり;CTLは少くとも電荷移
動材料(要素の像様電気放電を引き起こしそれにより静
電潜像を作り出すために、CGLにおいて電荷発生材料
により発生した正孔及び/又は電子を容易に受容しそし
てCTLを介するそれらの移動を容易にする材料)を含
んでなり;そしてこれら層のいずれか一方又は双方はさ
らにフィルム形成性ポリマーバインダーを含んでいても
よい。
【0005】現在使用されている多くの多活性電子写真
要素は、最初、負の極性を帯電し、次いで正荷電トナー
材料を用いて現像するように設計されている。通常、こ
のような要素中での層の配列はCTLと導電層の間にC
GLが位置しているので、CTLは三層の最上層であり
かつその外表面は初期負電荷を帯びている(ある場合に
は、初期電荷を帯びているCTL上に保護オーバーコー
トがあってもよいが)。このような要素は、CTL中に
電荷移動材料を含有し、この電荷移動材料は、像様放電
を引き起こすために、像様露光域中の負に帯電したCT
L表面方向への正孔(CGLに発生した)の移動を容易
にするものである。このような材料は正孔−移動材料と
称されることが多い。このタイプの要素では、次に正荷
電トナー材料を用いて、残留する像様未露光部の負極性
電圧(すなわち潜像)を現像してトナー画像とする。負
帯電要素が広く使用されているので、かなりの数及びタ
イプの正荷電トナーが作成され、電子写真現像液に用い
られている。これに対し、高品質の負荷電トナーは僅か
しか入手できない。
要素は、最初、負の極性を帯電し、次いで正荷電トナー
材料を用いて現像するように設計されている。通常、こ
のような要素中での層の配列はCTLと導電層の間にC
GLが位置しているので、CTLは三層の最上層であり
かつその外表面は初期負電荷を帯びている(ある場合に
は、初期電荷を帯びているCTL上に保護オーバーコー
トがあってもよいが)。このような要素は、CTL中に
電荷移動材料を含有し、この電荷移動材料は、像様放電
を引き起こすために、像様露光域中の負に帯電したCT
L表面方向への正孔(CGLに発生した)の移動を容易
にするものである。このような材料は正孔−移動材料と
称されることが多い。このタイプの要素では、次に正荷
電トナー材料を用いて、残留する像様未露光部の負極性
電圧(すなわち潜像)を現像してトナー画像とする。負
帯電要素が広く使用されているので、かなりの数及びタ
イプの正荷電トナーが作成され、電子写真現像液に用い
られている。これに対し、高品質の負荷電トナーは僅か
しか入手できない。
【0006】しかしながら、電子写真のいくつかの用途
にとっては、像様未露光のままのものよりは、化学放射
線に像様露光された要素の表面域を現像できる方がより
望ましい。例えば、文字数字式記号の電子写真印刷では
、最終画像の非現像バックグラウンド部分を構成するで
あろう比較的高パーセントの表面域を露光するエネルギ
ーを浪費するよりむしろ、実際に現像されて可視文字数
字式トナー画像を生成するであろう比較的低パーセント
の表面域を露光できることがより望ましい。広く入手可
能な高品質正荷電トナーをなお使用しながら、上記を達
成するために、正に帯電するように設計された電子写真
要素を使用することが必要である。かくして、正荷電ト
ナーを用いて、露光表面域(初期正電圧が残留している
未露光域と比較して、露光及び放電後比較的負の静電圧
を有するであろう)露光表面域を現像することができる
。
にとっては、像様未露光のままのものよりは、化学放射
線に像様露光された要素の表面域を現像できる方がより
望ましい。例えば、文字数字式記号の電子写真印刷では
、最終画像の非現像バックグラウンド部分を構成するで
あろう比較的高パーセントの表面域を露光するエネルギ
ーを浪費するよりむしろ、実際に現像されて可視文字数
字式トナー画像を生成するであろう比較的低パーセント
の表面域を露光できることがより望ましい。広く入手可
能な高品質正荷電トナーをなお使用しながら、上記を達
成するために、正に帯電するように設計された電子写真
要素を使用することが必要である。かくして、正荷電ト
ナーを用いて、露光表面域(初期正電圧が残留している
未露光域と比較して、露光及び放電後比較的負の静電圧
を有するであろう)露光表面域を現像することができる
。
【0007】初期に正に帯電させかつCGLがなおCT
L及び導電層の間に位置する層配置にするように多活性
電子写真要素を設計することができる。しかしながら、
かかる要素はCTL中に適切な電子移動剤(すなわち、
光−発生電子の正帯電絶縁性要素表面への移動を十分容
易なものにする材料)を含有しなければならない。残念
なことに(正トナー及び負トナーについての状況と同様
に)、良好な正孔移動特性を有する多くの材料を電子写
真に用いるように試みられてきたが、しかし比較的少数
の材料しか電子写真要素において良好な電子移動特性を
示さないことが知られている。
L及び導電層の間に位置する層配置にするように多活性
電子写真要素を設計することができる。しかしながら、
かかる要素はCTL中に適切な電子移動剤(すなわち、
光−発生電子の正帯電絶縁性要素表面への移動を十分容
易なものにする材料)を含有しなければならない。残念
なことに(正トナー及び負トナーについての状況と同様
に)、良好な正孔移動特性を有する多くの材料を電子写
真に用いるように試みられてきたが、しかし比較的少数
の材料しか電子写真要素において良好な電子移動特性を
示さないことが知られている。
【0008】幸いなことに、層を異なる配列、すなわち
、CTLをCGL及び導電層の間に配列したものにすれ
ば、CTL中に良好な正孔移動材料(電子移動材料では
なく)のみを含有させながら、多活性電子写真要素を正
に帯電するように設計することができる。かかる要素は
逆多活性要素(inverse multiacti
ve element)と称されることがあり、当該
技術分野において知られている(例えば、米国特許第4
,175,960号明細書、第6a図〜第6d図を参照
されたい)。最初に正帯電している逆多活性要素におい
ては、正電荷は、CGLの最上表面に存在し、このCG
Lは3層の最上にある。この逆要素を像様露光すると、
電子/正孔対が通常どおりCGLの像様露光部分に生成
されるが、しかしこの場合は光発生電子はCGLの正帯
電上部表面へ移動し、一方光発生正孔はCGLの低部表
面を通って、次にCTLを通って下降して導電層まで移
動する(正孔の移動はCTL中の正孔移動材料により容
易になっている)。
、CTLをCGL及び導電層の間に配列したものにすれ
ば、CTL中に良好な正孔移動材料(電子移動材料では
なく)のみを含有させながら、多活性電子写真要素を正
に帯電するように設計することができる。かかる要素は
逆多活性要素(inverse multiacti
ve element)と称されることがあり、当該
技術分野において知られている(例えば、米国特許第4
,175,960号明細書、第6a図〜第6d図を参照
されたい)。最初に正帯電している逆多活性要素におい
ては、正電荷は、CGLの最上表面に存在し、このCG
Lは3層の最上にある。この逆要素を像様露光すると、
電子/正孔対が通常どおりCGLの像様露光部分に生成
されるが、しかしこの場合は光発生電子はCGLの正帯
電上部表面へ移動し、一方光発生正孔はCGLの低部表
面を通って、次にCTLを通って下降して導電層まで移
動する(正孔の移動はCTL中の正孔移動材料により容
易になっている)。
【0009】CTL中に正孔移動材料を用いる多活性要
素においては、CGLを通って光発生正孔が移動しやす
くなるように、CGL中に正孔移動材料を更に含んでい
れば(そこに存在しなければならない電荷発生材料の他
に)、更に有利になることがあることも知られている。 例えば、米国特許第4,175,960号を参照された
い。
素においては、CGLを通って光発生正孔が移動しやす
くなるように、CGL中に正孔移動材料を更に含んでい
れば(そこに存在しなければならない電荷発生材料の他
に)、更に有利になることがあることも知られている。 例えば、米国特許第4,175,960号を参照された
い。
【0010】上記したように、多くの有用な正孔移動材
料が当該技術分野において知られている。例えば、米国
特許第4,175,960号を再び参照されたい。多く
の他の既知材料の中で、有用な既知正孔移動材料の2つ
のタイプとしてはトリアリールアミン類及びポリアリー
ルアルカン類がある。
料が当該技術分野において知られている。例えば、米国
特許第4,175,960号を再び参照されたい。多く
の他の既知材料の中で、有用な既知正孔移動材料の2つ
のタイプとしてはトリアリールアミン類及びポリアリー
ルアルカン類がある。
【0011】本明細書において用いられるものとして用
語“トリアリールアミン”は、少くとも3個の単結合に
より直接芳香族環又は環系に結合する窒素を少くとも1
個含有する任意の化学化合物を意味するよう意図されて
いる。この芳香族環又は環系は非置換であってもよく又
任意の数のそして任意のタイプの置換基と更に結合して
いてもよい。
語“トリアリールアミン”は、少くとも3個の単結合に
より直接芳香族環又は環系に結合する窒素を少くとも1
個含有する任意の化学化合物を意味するよう意図されて
いる。この芳香族環又は環系は非置換であってもよく又
任意の数のそして任意のタイプの置換基と更に結合して
いてもよい。
【0012】本明細書において用いられるものとして用
語“ポリアリールアルカン”は、少くとも2個の単結合
により直接芳香族環又は環系(この芳香族環又は環系は
非置換であってもよく又はさらに任意の数のそして任意
のタイプの置換基に結合していてもよい)に結合するア
ルカン炭素原子の少くとも1個を有するアルカン基を含
有する任意の化学化合物であって、かかる化合物が少く
とも3個の単結合により直接芳香族環又は環系に結合す
る窒素原子を含まない(すなわち、かかる化合物がトリ
アリールアミン成分を含まない)ことを条件とする化学
化合物を意味するよう意図されている。
語“ポリアリールアルカン”は、少くとも2個の単結合
により直接芳香族環又は環系(この芳香族環又は環系は
非置換であってもよく又はさらに任意の数のそして任意
のタイプの置換基に結合していてもよい)に結合するア
ルカン炭素原子の少くとも1個を有するアルカン基を含
有する任意の化学化合物であって、かかる化合物が少く
とも3個の単結合により直接芳香族環又は環系に結合す
る窒素原子を含まない(すなわち、かかる化合物がトリ
アリールアミン成分を含まない)ことを条件とする化学
化合物を意味するよう意図されている。
【0013】CGLの外表面上を正に帯電させるように
意図され、そしてCGL中に電荷発生材料の他に正孔移
動材料を含む逆多活性要素にはいくつかの欠点があるこ
とを本発明者等は認めている。
意図され、そしてCGL中に電荷発生材料の他に正孔移
動材料を含む逆多活性要素にはいくつかの欠点があるこ
とを本発明者等は認めている。
【0014】例えば、本発明者等は、いくつかの電荷移
動材料は、電荷発生材料により発生する正孔を移動する
のに極めて効果的であるが、しかし正に帯電したCGL
外表面からの正電荷の注入{“正電荷表面注入(pos
itive−surface−charge inj
ection)”と称することもある}に対してかなり
感受性があることを認めており、本発明者等はほとんど
のトリアリールアミン類がこのタイプの電荷移動材料で
あると認めている。本発明者等はさらに、先に述べたよ
うな逆多活性要素がこのタイプの電荷移動材料(電荷発
生材料の他に)をそのCGLに含有するならば、この要
素は電荷均一性が望ましいものより低くそして循環電荷
受容量が望ましいものより不安定になるであろうことを
認めている。用語“電荷均一性”とは、像様露光及び放
電前の、初期帯電電子写真要素上の種々の点での電圧レ
ベルの変動の程度を指し;種々の点での電圧変動が低程
度ならば電荷均一性が高いことを意味し、逆もまたいえ
る。句“循環電荷受容量(charge accep
tance upon cycling)”とは、
複数回の循環操作を行った後に、その正規操作の各循環
の開始時に要素を所望レベルの電圧に初期帯電させる容
量をいう(ここで循環とは、最初に要素を均一帯電し、
次にこの要素を化学放射線に対し像様露光して静電潜像
を形成し、続いて要素上に残留する電圧を消去して次の
循環操作に備えることからなる一連の操作である)。“
低循環電荷受容量”とは、少くとも数回の循環操作後に
、要素が所望レベルの電圧まで初期帯電させる能力が比
較的乏しいことを意味する。“低安定性循環電荷受容量
”とは、要素を所望レベル電圧まで初期帯電させる能力
が、複数回の循環操作後に著しく有意に変動することを
意味する。本発明者らは循環電荷受容量が比較的低くし
かも安定性も低いことは、CGL中の電荷移動材料が正
電荷表面注入に対して比較的高度の感受率を有すること
を正確に示すものであると信じている。
動材料は、電荷発生材料により発生する正孔を移動する
のに極めて効果的であるが、しかし正に帯電したCGL
外表面からの正電荷の注入{“正電荷表面注入(pos
itive−surface−charge inj
ection)”と称することもある}に対してかなり
感受性があることを認めており、本発明者等はほとんど
のトリアリールアミン類がこのタイプの電荷移動材料で
あると認めている。本発明者等はさらに、先に述べたよ
うな逆多活性要素がこのタイプの電荷移動材料(電荷発
生材料の他に)をそのCGLに含有するならば、この要
素は電荷均一性が望ましいものより低くそして循環電荷
受容量が望ましいものより不安定になるであろうことを
認めている。用語“電荷均一性”とは、像様露光及び放
電前の、初期帯電電子写真要素上の種々の点での電圧レ
ベルの変動の程度を指し;種々の点での電圧変動が低程
度ならば電荷均一性が高いことを意味し、逆もまたいえ
る。句“循環電荷受容量(charge accep
tance upon cycling)”とは、
複数回の循環操作を行った後に、その正規操作の各循環
の開始時に要素を所望レベルの電圧に初期帯電させる容
量をいう(ここで循環とは、最初に要素を均一帯電し、
次にこの要素を化学放射線に対し像様露光して静電潜像
を形成し、続いて要素上に残留する電圧を消去して次の
循環操作に備えることからなる一連の操作である)。“
低循環電荷受容量”とは、少くとも数回の循環操作後に
、要素が所望レベルの電圧まで初期帯電させる能力が比
較的乏しいことを意味する。“低安定性循環電荷受容量
”とは、要素を所望レベル電圧まで初期帯電させる能力
が、複数回の循環操作後に著しく有意に変動することを
意味する。本発明者らは循環電荷受容量が比較的低くし
かも安定性も低いことは、CGL中の電荷移動材料が正
電荷表面注入に対して比較的高度の感受率を有すること
を正確に示すものであると信じている。
【0015】また、例えば、本発明者らは、いくつかの
他の電荷移動材料は、例えば、トリアリールアミン類よ
り、正孔を移動する効果がより低くしかも正電荷表面注
入に対し感受率がより低いことを認めており、そして本
発明者等はほとんどのポリアリールアルカン類(先に定
義したような)はこのタイプの電荷移動材料であること
を認めている。本発明者等はさらに、先に述べたような
逆多活性要素がそのCGL中にこのタイプの電荷移動材
料(電荷発生材料の他に)を含有するならば、要素の光
感度は望ましいものより低くなり、1回又はそれ以上の
循環操作後には望ましい残留電圧より高くなるであろう
ことを認めている。用語“光感度(photosens
itivity)”(電子写真スピードとも通常称され
ることもある)とは、要素が最初に帯電している初期電
圧を望ましい程度まで放電させるために、要素が露光さ
れなければならない入射化学輻射エネルギーの量を指す
。上記放電に必要な輻射エネルギー量が少ければ少ない
程、光感度は高く、その逆もいえる。用語“残留電圧”
とは、循環操作の最終段階で消去工程(例えば、化学放
射線の過剰量に対して露光することにより)により要素
に残される最終電圧を指す。より低い残留電圧がより望
ましい。何故なら、残留電圧が、潜像形成の際最高像様
露光域において要素放電により達するよう意図された電
圧レベルより高い場合には、その意図されたレベルの電
圧に達せず、潜像は表現されるべき画像を正確に記録し
ないであろうからである。
他の電荷移動材料は、例えば、トリアリールアミン類よ
り、正孔を移動する効果がより低くしかも正電荷表面注
入に対し感受率がより低いことを認めており、そして本
発明者等はほとんどのポリアリールアルカン類(先に定
義したような)はこのタイプの電荷移動材料であること
を認めている。本発明者等はさらに、先に述べたような
逆多活性要素がそのCGL中にこのタイプの電荷移動材
料(電荷発生材料の他に)を含有するならば、要素の光
感度は望ましいものより低くなり、1回又はそれ以上の
循環操作後には望ましい残留電圧より高くなるであろう
ことを認めている。用語“光感度(photosens
itivity)”(電子写真スピードとも通常称され
ることもある)とは、要素が最初に帯電している初期電
圧を望ましい程度まで放電させるために、要素が露光さ
れなければならない入射化学輻射エネルギーの量を指す
。上記放電に必要な輻射エネルギー量が少ければ少ない
程、光感度は高く、その逆もいえる。用語“残留電圧”
とは、循環操作の最終段階で消去工程(例えば、化学放
射線の過剰量に対して露光することにより)により要素
に残される最終電圧を指す。より低い残留電圧がより望
ましい。何故なら、残留電圧が、潜像形成の際最高像様
露光域において要素放電により達するよう意図された電
圧レベルより高い場合には、その意図されたレベルの電
圧に達せず、潜像は表現されるべき画像を正確に記録し
ないであろうからである。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点を
回避もしくは最小にする逆多活性電子写真要素、すなわ
ち、正規操作の際、比較的高い電荷均一性、比較的高く
しかも安定な循環電荷受容量、比較的高い光感度そして
比較的低い残留電圧を示す要素を提供するという課題を
解決することを目的とする。
回避もしくは最小にする逆多活性電子写真要素、すなわ
ち、正規操作の際、比較的高い電荷均一性、比較的高く
しかも安定な循環電荷受容量、比較的高い光感度そして
比較的低い残留電圧を示す要素を提供するという課題を
解決することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を、次
層:導電層;電荷移動層;電荷発生材料及び第一電荷移
動材料を含有する第一電荷発生層;及び電荷発生材料及
び第二電荷移動材料を含有する第二電荷発生層、を記載
した順序に含んでなる多活性電子写真要素であって、前
記第二電荷移動材料が前記第一電荷移動材料より、正電
荷表面注入(positive−surface−ch
arge injection)に対する感受率がよ
り低いものである多活性電子写真を提供することにより
解決する。
層:導電層;電荷移動層;電荷発生材料及び第一電荷移
動材料を含有する第一電荷発生層;及び電荷発生材料及
び第二電荷移動材料を含有する第二電荷発生層、を記載
した順序に含んでなる多活性電子写真要素であって、前
記第二電荷移動材料が前記第一電荷移動材料より、正電
荷表面注入(positive−surface−ch
arge injection)に対する感受率がよ
り低いものである多活性電子写真を提供することにより
解決する。
【0018】先に述べた典型的逆多活性要素と本発明要
素の本質的差異は、本発明要素が、第一CGL(以下C
GLIと称することもある)上に追加の(第二)CGL
(以下CGLIIと称することもある)を含んでなり、
そしてそのCGLIIが、光発生正孔を受容しかつ移動
させることはできるが、CGLI中に含まれる電荷移動
材料(光発生正孔を受容しかつ移動させることができる
もの)より正電荷表面注入に対して感受率が低い(要素
の意図した操作方法の各循環の第一工程において正に帯
電されるであろう、CGLIIの最外表面から)電荷移
動材料を含有することである。
素の本質的差異は、本発明要素が、第一CGL(以下C
GLIと称することもある)上に追加の(第二)CGL
(以下CGLIIと称することもある)を含んでなり、
そしてそのCGLIIが、光発生正孔を受容しかつ移動
させることはできるが、CGLI中に含まれる電荷移動
材料(光発生正孔を受容しかつ移動させることができる
もの)より正電荷表面注入に対して感受率が低い(要素
の意図した操作方法の各循環の第一工程において正に帯
電されるであろう、CGLIIの最外表面から)電荷移
動材料を含有することである。
【0019】
【発明の作用】上記したように、本発明要素と既知の逆
多活性電子写真要素との唯一の本質的差異は追加の電荷
発生層を配備したこと及び2つの電荷発生層に含まれる
電荷移動材料の性質にある。実際、組成、比率、製造法
、用途に関する他のすべての点で、本発明要素は、従来
技術の上記した他の逆多活性電子写真要素と同一であっ
てよい。本発明要素中のCTLは、本発明要素のCGL
中に発生した正孔を受容しかつ移動させることができる
べきであることに注目されたい。他の既知の多活性要素
と共通に本発明要素が有するこれらの特徴についての詳
細は、例えば、米国特許第3,041,166号;同第
3,165,405号;同3,394,001号;同3
,679,405号;同3,725,058号;同4,
175,960号;同4,284,699号;同4,5
78,334号;同4,666,802号;同4,70
1,396号;同4,719,163号及び同4,84
0,860号各明細書を参照されたい。本発明要素が既
知多活性電子写真要素と共通して有することができる層
及び成分を一部列挙すれば、例えば、導電層及び上記導
電層を担持する支持体;電荷発生層中に発生した正孔を
受容しかつ移動させることができる電荷移動層;場合に
より配備される下塗り層、バリア層及びスクリーニング
層;上記層(電荷発生層も含む)のいずれかを形成する
のに有用なポリマーバインダー;化学放射線に対しての
露光に応答して電子/正孔対を発生させることができる
電荷発生材料;電荷発生材料により発生した正孔を受容
しかつ移動させることができる電荷移動材料;及び場合
により使用される均展剤、界面活性剤、可塑剤、増感剤
、コントラスト制御剤及び離型剤が含まれる。
多活性電子写真要素との唯一の本質的差異は追加の電荷
発生層を配備したこと及び2つの電荷発生層に含まれる
電荷移動材料の性質にある。実際、組成、比率、製造法
、用途に関する他のすべての点で、本発明要素は、従来
技術の上記した他の逆多活性電子写真要素と同一であっ
てよい。本発明要素中のCTLは、本発明要素のCGL
中に発生した正孔を受容しかつ移動させることができる
べきであることに注目されたい。他の既知の多活性要素
と共通に本発明要素が有するこれらの特徴についての詳
細は、例えば、米国特許第3,041,166号;同第
3,165,405号;同3,394,001号;同3
,679,405号;同3,725,058号;同4,
175,960号;同4,284,699号;同4,5
78,334号;同4,666,802号;同4,70
1,396号;同4,719,163号及び同4,84
0,860号各明細書を参照されたい。本発明要素が既
知多活性電子写真要素と共通して有することができる層
及び成分を一部列挙すれば、例えば、導電層及び上記導
電層を担持する支持体;電荷発生層中に発生した正孔を
受容しかつ移動させることができる電荷移動層;場合に
より配備される下塗り層、バリア層及びスクリーニング
層;上記層(電荷発生層も含む)のいずれかを形成する
のに有用なポリマーバインダー;化学放射線に対しての
露光に応答して電子/正孔対を発生させることができる
電荷発生材料;電荷発生材料により発生した正孔を受容
しかつ移動させることができる電荷移動材料;及び場合
により使用される均展剤、界面活性剤、可塑剤、増感剤
、コントラスト制御剤及び離型剤が含まれる。
【0020】本発明要素のCGLI及びCGLIIの両
者は、従来技術において電荷発生層に有用であることが
知られている材料例えば、バインダー、電荷発生材料及
び電荷移動材料を含むことができ、当該技術分野におい
て周知の任意の方法により製造することができる。
者は、従来技術において電荷発生層に有用であることが
知られている材料例えば、バインダー、電荷発生材料及
び電荷移動材料を含むことができ、当該技術分野におい
て周知の任意の方法により製造することができる。
【0021】例えば、電荷発生材料は有機性又は無機性
であってよく、そしてモノマー性又はポリマー性であっ
てよい。これらは、放射線の比較的広範囲の又は狭い範
囲の波長に対して感度を有してもよい。これらは均一に
又は非均一に(例えば、周知の凝集共結晶性色素−ポリ
マー複合体のように)バインダー中に分散又は溶解して
いてもよい。これらは、ポリマー性の場合には層のバイ
ンダーとしても役立つことができる。これらは真空蒸着
のような方法によりコーティングする場合にはポリマー
性バインダーを含まない層を形成することができる。C
GLI及びCGLII中の電荷発生材料は同一であって
も異なっていてもよく、同一又は異なる波長の放射線に
感度を有するように選択してもよいし又は適切な増感剤
と組み合せることもできる。
であってよく、そしてモノマー性又はポリマー性であっ
てよい。これらは、放射線の比較的広範囲の又は狭い範
囲の波長に対して感度を有してもよい。これらは均一に
又は非均一に(例えば、周知の凝集共結晶性色素−ポリ
マー複合体のように)バインダー中に分散又は溶解して
いてもよい。これらは、ポリマー性の場合には層のバイ
ンダーとしても役立つことができる。これらは真空蒸着
のような方法によりコーティングする場合にはポリマー
性バインダーを含まない層を形成することができる。C
GLI及びCGLII中の電荷発生材料は同一であって
も異なっていてもよく、同一又は異なる波長の放射線に
感度を有するように選択してもよいし又は適切な増感剤
と組み合せることもできる。
【0022】CTL中、並びにCGLI及びCGLII
中に含まれる電荷移動材料は、光発生正孔を受容しかつ
移動させることができる多くの既知電荷移動材料(例え
ば、米国特許第4,175,960号明細書を参照され
たい)の中から選択することができ、上記既知材料の混
合物も又使用できる。CTL中の電荷移動材料は、CG
LI及びCGLII中の電荷移動材料のいずれかと同一
でも又は異っていてもよいが、要素の最高性能のために
は、CTLは正孔の受容及び移動について極めて効率が
高いタイプの電荷移動材料(例えば、トリアリールアミ
ン)を含むことができる。CGLI及びCGLII用の
適切な正孔移動性電荷移動材料を選択するに当って唯一
の条件は、CGLII中の電荷移動材料が、CGLI中
の電荷移動材料と比べて正電荷表面注入に対して感受率
がより低くなるようにそれらが互いに異なるということ
である。本発明要素のあるものはCGLI中にトリアリ
ールアミン電荷移動材料を、そしてCGLII中にポリ
アリールアルカン電荷移動材料を含むが、正電荷表面注
入に対して適切な相対感受率を有する異なる材料の別の
組合せを必要に応じて選択することができる。
中に含まれる電荷移動材料は、光発生正孔を受容しかつ
移動させることができる多くの既知電荷移動材料(例え
ば、米国特許第4,175,960号明細書を参照され
たい)の中から選択することができ、上記既知材料の混
合物も又使用できる。CTL中の電荷移動材料は、CG
LI及びCGLII中の電荷移動材料のいずれかと同一
でも又は異っていてもよいが、要素の最高性能のために
は、CTLは正孔の受容及び移動について極めて効率が
高いタイプの電荷移動材料(例えば、トリアリールアミ
ン)を含むことができる。CGLI及びCGLII用の
適切な正孔移動性電荷移動材料を選択するに当って唯一
の条件は、CGLII中の電荷移動材料が、CGLI中
の電荷移動材料と比べて正電荷表面注入に対して感受率
がより低くなるようにそれらが互いに異なるということ
である。本発明要素のあるものはCGLI中にトリアリ
ールアミン電荷移動材料を、そしてCGLII中にポリ
アリールアルカン電荷移動材料を含むが、正電荷表面注
入に対して適切な相対感受率を有する異なる材料の別の
組合せを必要に応じて選択することができる。
【0023】先に述べたように、電荷移動材料の相対感
受率を測定する一方法は、典型的逆多活性要素の単一C
GLに電荷移動材料として単に材料を添加し、この要素
を複数回の正規操作循環にかけ、次いで各循環の第一工
程(すなわち、初期帯電)間に要素により受容される正
電荷(電圧)を測定することである。有意に異なる感受
率を有する任意の2種類の異なる電荷移動材料では、循
環正電荷受容量が比較的高くかつより安定した要素のC
GLに含まれるものが、正表面電荷注入に対する感受率
がより低いものである。
受率を測定する一方法は、典型的逆多活性要素の単一C
GLに電荷移動材料として単に材料を添加し、この要素
を複数回の正規操作循環にかけ、次いで各循環の第一工
程(すなわち、初期帯電)間に要素により受容される正
電荷(電圧)を測定することである。有意に異なる感受
率を有する任意の2種類の異なる電荷移動材料では、循
環正電荷受容量が比較的高くかつより安定した要素のC
GLに含まれるものが、正表面電荷注入に対する感受率
がより低いものである。
【0024】
【実施例】以下の例は、本発明の逆多活性電子写真要素
のいくつかの具体的実施態様をさらに説明しそしてそれ
らの性質及び性能を本発明範囲外の要素のものと比較す
るために与えられる。いくつかの例において、要素性能
は電荷均一性、循環電荷受容量、光感度及び/又は残留
電圧について具体的に示す。
のいくつかの具体的実施態様をさらに説明しそしてそれ
らの性質及び性能を本発明範囲外の要素のものと比較す
るために与えられる。いくつかの例において、要素性能
は電荷均一性、循環電荷受容量、光感度及び/又は残留
電圧について具体的に示す。
【0025】いくつかの例において電荷均一性を示す際
には、CGLIIの外面上に(又は対照要素の場合には
単一CGLの外面上に)500ボルトの初期均一正電荷
電圧をかける(電圧は最外CGL表面と導電層間で測定
する)ように試みるために、要素を500ボルト電圧で
コロナチヤージングにかけた。得られた初期電圧を次に
最外CGL表面上の1000個の各点で測定し、そして
これらの点での電圧変動の程度を統計的に算出した。い
くつかの例の性能データ表には、電荷均一性を各種点で
の初期電圧の標準偏差(σVO と称しボルトで示され
る)として報告する。σVO 電圧が低ければ低い程、
電荷均一性はより高い。
には、CGLIIの外面上に(又は対照要素の場合には
単一CGLの外面上に)500ボルトの初期均一正電荷
電圧をかける(電圧は最外CGL表面と導電層間で測定
する)ように試みるために、要素を500ボルト電圧で
コロナチヤージングにかけた。得られた初期電圧を次に
最外CGL表面上の1000個の各点で測定し、そして
これらの点での電圧変動の程度を統計的に算出した。い
くつかの例の性能データ表には、電荷均一性を各種点で
の初期電圧の標準偏差(σVO と称しボルトで示され
る)として報告する。σVO 電圧が低ければ低い程、
電荷均一性はより高い。
【0026】いくつかの例において循環電荷受容量を説
明するに当っては、要素を500回の循環正規操作にか
けた。各循環には以下の操作が含まれた:500ボルト
での初期コロナ充電;次にCGL表面を通って均一に化
学放射線(電子/正孔対を発生するためにCGL中の電
荷発生材料が感度を有する波長にピーク強度を有する放
射線)に対して、正常画像形成露光をシミュレートする
ために初期電圧の部分的放電を引き起すのに十分な量、
要素を露光し;続いて残留電圧を消去して(要素を過剰
量の化学放射線に対して露光することにより)、要素を
次の循環に備えた。第一循環の第一工程後に要素上に実
際にかけられた(すなわち、受容された)初期電圧(V
O (1)と称す)と500番目の循環の第一工程後の
要素上に実際にかけられた初期電圧(VO (500)
と称す)を測定し、第1循環から500回目の循環まで
の初期電荷受容量の変化(ΔVO と称す)を、VO
(1)測定電圧からVO (500)測定電圧を差引く
ことにより算出した。VO (1),VO (500)
及びΔVO の値をボルトで表し、いくつかの例の性能
データ表に報告した。比較的高いVO (500)電圧
は比較的高い循環電荷受容量に相当する。比較的高いΔ
VO 電圧は比較的低い安定性の循環電荷受容量に相当
する。
明するに当っては、要素を500回の循環正規操作にか
けた。各循環には以下の操作が含まれた:500ボルト
での初期コロナ充電;次にCGL表面を通って均一に化
学放射線(電子/正孔対を発生するためにCGL中の電
荷発生材料が感度を有する波長にピーク強度を有する放
射線)に対して、正常画像形成露光をシミュレートする
ために初期電圧の部分的放電を引き起すのに十分な量、
要素を露光し;続いて残留電圧を消去して(要素を過剰
量の化学放射線に対して露光することにより)、要素を
次の循環に備えた。第一循環の第一工程後に要素上に実
際にかけられた(すなわち、受容された)初期電圧(V
O (1)と称す)と500番目の循環の第一工程後の
要素上に実際にかけられた初期電圧(VO (500)
と称す)を測定し、第1循環から500回目の循環まで
の初期電荷受容量の変化(ΔVO と称す)を、VO
(1)測定電圧からVO (500)測定電圧を差引く
ことにより算出した。VO (1),VO (500)
及びΔVO の値をボルトで表し、いくつかの例の性能
データ表に報告した。比較的高いVO (500)電圧
は比較的高い循環電荷受容量に相当する。比較的高いΔ
VO 電圧は比較的低い安定性の循環電荷受容量に相当
する。
【0027】いくつかの例において、残留電圧を説明す
るに当っては、要素を先のパラグラフにおいて述べたよ
うに500回の循環標準操作にかけた。第1循環の最終
工程で消去された後に要素上に残留する電圧(VR (
1)と称する)及び500回目の循環の最終工程後に要
素上に残留する電圧(VR (500)と称する)を測
定した。VR (1)及びVR (500)をボルトで
表した値は、それぞれ第1循環及び500回目の循環後
の残留電圧であり、いくつかの例の性能データ表に報告
してある。先に検討したように、VR (1)及びVR
(500)についての比較的低い値は良好な性能を表
す。
るに当っては、要素を先のパラグラフにおいて述べたよ
うに500回の循環標準操作にかけた。第1循環の最終
工程で消去された後に要素上に残留する電圧(VR (
1)と称する)及び500回目の循環の最終工程後に要
素上に残留する電圧(VR (500)と称する)を測
定した。VR (1)及びVR (500)をボルトで
表した値は、それぞれ第1循環及び500回目の循環後
の残留電圧であり、いくつかの例の性能データ表に報告
してある。先に検討したように、VR (1)及びVR
(500)についての比較的低い値は良好な性能を表
す。
【0028】いくつかの例において、光感度(電子写真
スピード)を説明するに当っては、要素を正電圧(約5
00ボルト)に初期帯電させ、次にCGLの最外面を介
して化学放射線に、初期電圧の50%を放電させるのに
ちょうど十分な量まで徐々にしかも均一に露光した。い
くつかの例の性能データ表においては、初期電圧の半分
を放電させるのにちょうど十分な放射線量をE(VO
−50%)と称し、ergs/cm2 で報告してある
。先に検討したように、比較的低い値のE(VO −5
0%)は比較的高い光感度に相当する。
スピード)を説明するに当っては、要素を正電圧(約5
00ボルト)に初期帯電させ、次にCGLの最外面を介
して化学放射線に、初期電圧の50%を放電させるのに
ちょうど十分な量まで徐々にしかも均一に露光した。い
くつかの例の性能データ表においては、初期電圧の半分
を放電させるのにちょうど十分な放射線量をE(VO
−50%)と称し、ergs/cm2 で報告してある
。先に検討したように、比較的低い値のE(VO −5
0%)は比較的高い光感度に相当する。
【0029】
【実施例】例1及び対照A
本発明による逆多活性電子写真要素(例1)を以下のよ
うにして製造した。
うにして製造した。
【0030】ポリ(エチレンテレフタレート)フィルム
支持体上にニッケルの薄い導電層を真空蒸着することに
より、導電層被覆支持体を製造した。
支持体上にニッケルの薄い導電層を真空蒸着することに
より、導電層被覆支持体を製造した。
【0031】次に、上記導電層上に10g/m2 の乾
燥被覆量になるように電荷移動層(CTL)を溶媒被覆
した。被覆溶液はジクロロメタン中10重量%濃度の固
体を含んだ。この固体は、バインダーとして作用する5
7.5重量%のビスフェノール−A−ポリカーボネート
;バインダーとして作用する2.5重量%のポリ(エチ
レン−コ−ネオペンチレンテレフタレート);トリアリ
ールアミン電荷移動材料としての20重量%の1,1−
ビス〔4−(ジ−4−トリルアミノ)フェニル〕シクロ
ヘキサン;別のトリアリールアミン電荷移動材料として
の20重量%のトリ−4−トリルアミンからなった。
燥被覆量になるように電荷移動層(CTL)を溶媒被覆
した。被覆溶液はジクロロメタン中10重量%濃度の固
体を含んだ。この固体は、バインダーとして作用する5
7.5重量%のビスフェノール−A−ポリカーボネート
;バインダーとして作用する2.5重量%のポリ(エチ
レン−コ−ネオペンチレンテレフタレート);トリアリ
ールアミン電荷移動材料としての20重量%の1,1−
ビス〔4−(ジ−4−トリルアミノ)フェニル〕シクロ
ヘキサン;別のトリアリールアミン電荷移動材料として
の20重量%のトリ−4−トリルアミンからなった。
【0032】次に、第一不均一性電荷発生層(CGLI
)をCTL上に12g/m2 の乾燥被覆量になるよう
に溶媒被覆した。被覆溶液はジクロロメタン及び1,1
,2−トリクロロエタンの70:30(重量比)混合物
中に10重量%濃度の固体を含有した。この固体はポリ
マーバインダーとして作用しかつ色素と共に共結晶性凝
固体電荷発生材料を生成する58重量%のビスフェノー
ル−A−ポリカーボネート;1.6重量%の色素として
の4−(4−N,N−ジメチルアミノフェニル)−2,
6−ジフェニルチアピリリウム・ヘキサフルオロホスフ
ェート、及び0.4重量%の色素としての4−(4−N
,N−ジメチルアミノフェニル)−2−(4−エトキシ
フェニル)−6−フェニルチアピリリウム・フルオロボ
レート(前記の両色素はある種のポリカーボネートと共
結晶性凝固体電荷発生材料を生成させるためのもの);
並びに40重量%のトリアリールアミン電荷移動材料と
しての1,1−ビス(4−(ジ−4−トリルアミノ)フ
ェニル〕シクロヘキサンを含有した。この被覆溶液及び
層は、当該技術分野において知られており、そして、例
えば、米国特許第3,615,396号明細書に概説さ
れているような、不均一性凝集体電荷発生層の形成のた
めのいわゆる“ダイ−ファースト(dye firs
t)”法{この方法においては、先ず第一に色素を溶媒
溶液に添加し、十分に攪拌して色素を溶解し、その後電
荷移動材料及びポリマーを溶液に添加し、次いで溶媒を
被覆層から蒸発させる間に幾分かのポリマーが、ポリマ
ーバインダー及び電荷移動材料の固溶体の連続相内に、
ポリマー及び色素の微細(凝集体)共結晶性複合体(電
荷発生材料として作用する)の不連続相を形成する}に
より形成された。
)をCTL上に12g/m2 の乾燥被覆量になるよう
に溶媒被覆した。被覆溶液はジクロロメタン及び1,1
,2−トリクロロエタンの70:30(重量比)混合物
中に10重量%濃度の固体を含有した。この固体はポリ
マーバインダーとして作用しかつ色素と共に共結晶性凝
固体電荷発生材料を生成する58重量%のビスフェノー
ル−A−ポリカーボネート;1.6重量%の色素として
の4−(4−N,N−ジメチルアミノフェニル)−2,
6−ジフェニルチアピリリウム・ヘキサフルオロホスフ
ェート、及び0.4重量%の色素としての4−(4−N
,N−ジメチルアミノフェニル)−2−(4−エトキシ
フェニル)−6−フェニルチアピリリウム・フルオロボ
レート(前記の両色素はある種のポリカーボネートと共
結晶性凝固体電荷発生材料を生成させるためのもの);
並びに40重量%のトリアリールアミン電荷移動材料と
しての1,1−ビス(4−(ジ−4−トリルアミノ)フ
ェニル〕シクロヘキサンを含有した。この被覆溶液及び
層は、当該技術分野において知られており、そして、例
えば、米国特許第3,615,396号明細書に概説さ
れているような、不均一性凝集体電荷発生層の形成のた
めのいわゆる“ダイ−ファースト(dye firs
t)”法{この方法においては、先ず第一に色素を溶媒
溶液に添加し、十分に攪拌して色素を溶解し、その後電
荷移動材料及びポリマーを溶液に添加し、次いで溶媒を
被覆層から蒸発させる間に幾分かのポリマーが、ポリマ
ーバインダー及び電荷移動材料の固溶体の連続相内に、
ポリマー及び色素の微細(凝集体)共結晶性複合体(電
荷発生材料として作用する)の不連続相を形成する}に
より形成された。
【0033】次に、第二不均一性電荷発生層(CGLI
I)をCGLI上に乾燥被覆量が4g/m2 になるよ
うに溶媒被覆した。この被覆溶液はジクロロメタン及び
1,1,2−トリクロロエタンの70:30(重量比)
混合物中に8重量%濃度の固体を含有した。この固体は
、ポリマーバインダーとして作用しかつ色素と共に共結
晶性凝集体電荷発生材料を生成する52重量%のビスフ
ェノール−A−ポリカーボネート;64重量%の色素と
しての4−(4−N,N−ジメチルアミノフェニル)−
2,6−ジフェニルチアピリリウムヘキサフルオロホス
フェート、及び1.6重量%の色素としての4−(4−
N,N−ジメチルアミノフェニル)−2−(4−エトキ
シフェニル)−6−フェニルチアピリリウムフルオロボ
レート(前記の両色素はある種のポリカーボネートと共
結晶性凝固体電荷発生材料を生成するためのもの);並
びに40重量%の4−(ジエチルアミノ)テトラフェニ
ルメタン(CGLIのトリアリールアミン電荷移動材料
より、正電荷表面注入に対する感受率がより低いポリア
リールアルカン電荷移動材料)を含有した。CGLIの
場合のように、CGLII被覆溶液及び層を、不均一性
凝集体電荷発生層を形成するためのいわゆる“ダイ−フ
ァースト”法により形成した。
I)をCGLI上に乾燥被覆量が4g/m2 になるよ
うに溶媒被覆した。この被覆溶液はジクロロメタン及び
1,1,2−トリクロロエタンの70:30(重量比)
混合物中に8重量%濃度の固体を含有した。この固体は
、ポリマーバインダーとして作用しかつ色素と共に共結
晶性凝集体電荷発生材料を生成する52重量%のビスフ
ェノール−A−ポリカーボネート;64重量%の色素と
しての4−(4−N,N−ジメチルアミノフェニル)−
2,6−ジフェニルチアピリリウムヘキサフルオロホス
フェート、及び1.6重量%の色素としての4−(4−
N,N−ジメチルアミノフェニル)−2−(4−エトキ
シフェニル)−6−フェニルチアピリリウムフルオロボ
レート(前記の両色素はある種のポリカーボネートと共
結晶性凝固体電荷発生材料を生成するためのもの);並
びに40重量%の4−(ジエチルアミノ)テトラフェニ
ルメタン(CGLIのトリアリールアミン電荷移動材料
より、正電荷表面注入に対する感受率がより低いポリア
リールアルカン電荷移動材料)を含有した。CGLIの
場合のように、CGLII被覆溶液及び層を、不均一性
凝集体電荷発生層を形成するためのいわゆる“ダイ−フ
ァースト”法により形成した。
【0034】比較の目的のために、従来技術の典型例で
ありかつ本発明の範囲外の逆多活性電子写真要素もまた
製造し、対照Aとした。対照AがCTL上の単一のCG
Lのみからなること以外は、対照A要素の組成及び製法
は例1の本発明要素と同じであった。このCGLは、1
6g/m2 の乾燥被覆量になるように被覆された(す
なわち、例1におけるCGLI及びCGLIIの被覆量
を合せたものに等しい)こと以外、そしてその被覆溶液
が11重量%の固体(この固体は56重量%のポリカー
ボネート、4重量%の色素そして40重量%の電荷移動
材料からなった)を含んだこと以外は、例1のCGLI
Iと本質的に同一(単一の電荷移動材料と同じポリアリ
ールアルカン及び同一のバインダー及び色素を含有する
)であった。
ありかつ本発明の範囲外の逆多活性電子写真要素もまた
製造し、対照Aとした。対照AがCTL上の単一のCG
Lのみからなること以外は、対照A要素の組成及び製法
は例1の本発明要素と同じであった。このCGLは、1
6g/m2 の乾燥被覆量になるように被覆された(す
なわち、例1におけるCGLI及びCGLIIの被覆量
を合せたものに等しい)こと以外、そしてその被覆溶液
が11重量%の固体(この固体は56重量%のポリカー
ボネート、4重量%の色素そして40重量%の電荷移動
材料からなった)を含んだこと以外は、例1のCGLI
Iと本質的に同一(単一の電荷移動材料と同じポリアリ
ールアルカン及び同一のバインダー及び色素を含有する
)であった。
【0035】例1及び対照Aの要素について、光感度及
び残留電圧に関する性能を試験した。結果を表Iに示す
。
び残留電圧に関する性能を試験した。結果を表Iに示す
。
【0036】
【表1】
【0037】表Iのデータは、本発明要素は、単一のC
GLのみを有し、ポリアリールアルカン電荷移動材料を
含有する典型的な従来技術の要素より、光感度がより高
く(E(VO −50%)がより低い)、残留電圧がよ
り低い(VR (1)がより低くしかもVR (500
)がより低い)ことを示している。
GLのみを有し、ポリアリールアルカン電荷移動材料を
含有する典型的な従来技術の要素より、光感度がより高
く(E(VO −50%)がより低い)、残留電圧がよ
り低い(VR (1)がより低くしかもVR (500
)がより低い)ことを示している。
【0038】例2及び対照B
本発明の別の逆多活性電子写真要素(例2)を製造した
。その組成及び製法は、CTL及びCGLI中の電荷移
動材料が4−(ジ−4−トリルアミノ)−4′−〔4−
(ジ−4−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン(別の
トリアリールアミン)であり;CGLII中の電荷移動
材料が4,4′−ビス(ジエチルアミノ)テトラフェニ
ルメタン(CGLIのトリアリールアミンより正電荷表
面注入に対する感受率が低い別のポリアリールアルカン
)であり;そしてCGLI及びCGLIIの乾燥被覆量
がそれぞれ10g/m2 及び6g/m2 であること
以外は例1と同一であった。比較の目的のために、従来
技術の典型例でありかつ本発明の範囲外の別の逆多活性
電子写真要素も製造し、対照Bとした。対照Bの組成及
び製法は、CTL中の電荷移動材料が例2のCTL中の
ものと同一のトリアリールアミンであり、単一CGL中
の電荷移動材料が例2のCGLIIのものと同一のポリ
アリールアルカンである以外は対照A要素のものと同一
であった。
。その組成及び製法は、CTL及びCGLI中の電荷移
動材料が4−(ジ−4−トリルアミノ)−4′−〔4−
(ジ−4−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン(別の
トリアリールアミン)であり;CGLII中の電荷移動
材料が4,4′−ビス(ジエチルアミノ)テトラフェニ
ルメタン(CGLIのトリアリールアミンより正電荷表
面注入に対する感受率が低い別のポリアリールアルカン
)であり;そしてCGLI及びCGLIIの乾燥被覆量
がそれぞれ10g/m2 及び6g/m2 であること
以外は例1と同一であった。比較の目的のために、従来
技術の典型例でありかつ本発明の範囲外の別の逆多活性
電子写真要素も製造し、対照Bとした。対照Bの組成及
び製法は、CTL中の電荷移動材料が例2のCTL中の
ものと同一のトリアリールアミンであり、単一CGL中
の電荷移動材料が例2のCGLIIのものと同一のポリ
アリールアルカンである以外は対照A要素のものと同一
であった。
【0039】例2及び対照Bについて、光感度及び残留
電圧に関する性能を試験した。結果を表IIに示す。
電圧に関する性能を試験した。結果を表IIに示す。
【0040】
【表2】
【0041】表IIのデータは、本発明の別の要素は、
単一CGLのみを有し、ポリアリールアルカン電荷移動
材料を含有する別の典型的従来技術の要素より、光感度
がより高く〔より低いE(VO −50%〕、残留電圧
がより低い〔より低いVR (1)とより低いVR (
500)〕ことを示している。
単一CGLのみを有し、ポリアリールアルカン電荷移動
材料を含有する別の典型的従来技術の要素より、光感度
がより高く〔より低いE(VO −50%〕、残留電圧
がより低い〔より低いVR (1)とより低いVR (
500)〕ことを示している。
【0042】例3〜6及び対照C
本発明の4種類の異なる逆多活性電子写真要素(例3〜
6)を製造した。これらの組成及び製法は、例4のCG
LII中の電荷移動材料が4−(ジメチルアミノ)テト
ラフェニルメタン(別のポリアリールアルカン)であり
;例5のCGLII中の電荷移動材料が4−ジエチルア
ミノ−4′−ニトロテトラフェニルメタン(別のポリア
リールアルカン)であり;例6のCGLII中の電荷移
動材料がビス(4−クロロフェニル)ビス(4−N,N
−ジエチルアミノフェニル)メタン(別のポリアリール
アルカン)であった他は例1と同一であった。
6)を製造した。これらの組成及び製法は、例4のCG
LII中の電荷移動材料が4−(ジメチルアミノ)テト
ラフェニルメタン(別のポリアリールアルカン)であり
;例5のCGLII中の電荷移動材料が4−ジエチルア
ミノ−4′−ニトロテトラフェニルメタン(別のポリア
リールアルカン)であり;例6のCGLII中の電荷移
動材料がビス(4−クロロフェニル)ビス(4−N,N
−ジエチルアミノフェニル)メタン(別のポリアリール
アルカン)であった他は例1と同一であった。
【0043】比較の目的で、従来技術の典型例でありか
つ本発明の範囲外の別の逆多活性電子写真もまた製造し
、対照Cとした。対照Cの組成及び製法は、単一CGL
中の電荷移動材料が例1,3,4,5及び6のCGLI
のものと同一のトリアリールアミンであった以外は対照
A要素と同一であった。
つ本発明の範囲外の別の逆多活性電子写真もまた製造し
、対照Cとした。対照Cの組成及び製法は、単一CGL
中の電荷移動材料が例1,3,4,5及び6のCGLI
のものと同一のトリアリールアミンであった以外は対照
A要素と同一であった。
【0044】例3,4,5及び6並びに対照C要素につ
いて、電荷均一性及び循環電荷受容量についての性能を
試験した。結果を表III に示す。
いて、電荷均一性及び循環電荷受容量についての性能を
試験した。結果を表III に示す。
【0045】
【表3】
【0046】表III のデータは、本発明要素が、単
一CGLのみを有し、トリアリールアミン電荷移動材料
を含有する典型的な従来技術の要素より、循環電荷受容
量が高く〔より高いVO (500)〕、循環電荷受容
量がより安定(より低いΔVO )であることを示して
いる。
一CGLのみを有し、トリアリールアミン電荷移動材料
を含有する典型的な従来技術の要素より、循環電荷受容
量が高く〔より高いVO (500)〕、循環電荷受容
量がより安定(より低いΔVO )であることを示して
いる。
【0047】例7及び対照D
本発明の、別の逆多活性電子写真要素(例7)を製造し
た。その組成及び製法は、CGLI及びCGLIIが均
一に分散したCGLであり、その各々が、電荷発生材料
を均一に分散せしめた、ポリマーバインダー及び電荷移
動材料の固溶体からなり;CGLI及びCGLII中の
電荷発生材料がチタニルテトラフルオロフタロシアニン
(米国特許第4,701,396号明細書に更に詳述さ
れている)であり;CGLII中のポリマーバインダー
が4,4′−(2−ノルボルニリデン)ジフェノール及
びテレフタール酸:アゼライン酸(40:60モル比)
から生成されるポリエステルであり;CGLIIは8重
量%濃度のトルエン中固体(この固体は57重量%のポ
リマーバインダー、3重量%の電荷発生材料及び40重
量%の電荷移動材料からなった)からなる溶液から溶媒
被覆されること以外は、例1と同一であった。CGL,
CGLI及びCGLIIの電荷移動材料は例1のものと
同一であり、CTL及びCGLIのバインダーはビスフ
ェノール−A−ポリカーボネートであった。
た。その組成及び製法は、CGLI及びCGLIIが均
一に分散したCGLであり、その各々が、電荷発生材料
を均一に分散せしめた、ポリマーバインダー及び電荷移
動材料の固溶体からなり;CGLI及びCGLII中の
電荷発生材料がチタニルテトラフルオロフタロシアニン
(米国特許第4,701,396号明細書に更に詳述さ
れている)であり;CGLII中のポリマーバインダー
が4,4′−(2−ノルボルニリデン)ジフェノール及
びテレフタール酸:アゼライン酸(40:60モル比)
から生成されるポリエステルであり;CGLIIは8重
量%濃度のトルエン中固体(この固体は57重量%のポ
リマーバインダー、3重量%の電荷発生材料及び40重
量%の電荷移動材料からなった)からなる溶液から溶媒
被覆されること以外は、例1と同一であった。CGL,
CGLI及びCGLIIの電荷移動材料は例1のものと
同一であり、CTL及びCGLIのバインダーはビスフ
ェノール−A−ポリカーボネートであった。
【0048】比較の目的のために、従来技術の典型例で
ありかつ本発明の範囲外の別の逆多活性電子写真要素も
また製造し、対照Dとした。対照D要素の組成及び製法
は、単一CGLが、例7のCGLIと同様に構成されか
つ製造された均一分散CGLである以外は、そして乾燥
被覆量が16g/m2 (対照A要素と同様に)である
以外は対照A要素と同一であった。
ありかつ本発明の範囲外の別の逆多活性電子写真要素も
また製造し、対照Dとした。対照D要素の組成及び製法
は、単一CGLが、例7のCGLIと同様に構成されか
つ製造された均一分散CGLである以外は、そして乾燥
被覆量が16g/m2 (対照A要素と同様に)である
以外は対照A要素と同一であった。
【0049】例7及び対照D要素について電荷均一性及
び循環電荷受容量に関する性能を試験した。結果を表I
Vに示した。
び循環電荷受容量に関する性能を試験した。結果を表I
Vに示した。
【0050】
【表4】
【0051】表IV中のデータは、均一に複数のCGL
を分散せしめた本発明要素は、均一に分散せしめた単一
のCGLのみを有し、トリアリールアミン電荷移動材料
を含む典型的な従来技術要素より、循環電荷受容量がよ
り高く〔より高いVO (500)〕、循環電荷受容量
がより安定である〔より低いΔVO 〕ことを示してい
る。
を分散せしめた本発明要素は、均一に分散せしめた単一
のCGLのみを有し、トリアリールアミン電荷移動材料
を含む典型的な従来技術要素より、循環電荷受容量がよ
り高く〔より高いVO (500)〕、循環電荷受容量
がより安定である〔より低いΔVO 〕ことを示してい
る。
【0052】例8及び9
本発明の他の2種類の多活性電子写真要素(例8及び9
)を製造した。これらの組成及び製法は、例8のCGL
IIが例1のCGLIIと同一に構成されかつ製造され
たこと以外、そして例9のCGLIが例1のCGLIと
同一に構成されかつ製造されたこと以外、例7と同様で
あった。
)を製造した。これらの組成及び製法は、例8のCGL
IIが例1のCGLIIと同一に構成されかつ製造され
たこと以外、そして例9のCGLIが例1のCGLIと
同一に構成されかつ製造されたこと以外、例7と同様で
あった。
【0053】例8及び9について、光感度、電荷均一性
、残留電圧及び循環電荷受容量に関する性能を試験した
。結果は表Vに示されているが、CGLI又はCGLI
Iの一方が不均一であり、他方が均一分散である本発明
要素は良好な電子写真性能を示していることが示されて
いる。
、残留電圧及び循環電荷受容量に関する性能を試験した
。結果は表Vに示されているが、CGLI又はCGLI
Iの一方が不均一であり、他方が均一分散である本発明
要素は良好な電子写真性能を示していることが示されて
いる。
【0054】
【表5】
【0055】
【発明の効果】本発明要素(すべての他の点は等しい)
は、本発明要素のCGLIに含まれるものと同一の電荷
移動材料をそのCGLに含有する典型的逆多活性電子写
真要素(単一のCGLのみを有するもの)より、電荷均
一性がより高く、そして循環電荷受容量がより高くしか
もより安定であることが予想外に判明した。
は、本発明要素のCGLIに含まれるものと同一の電荷
移動材料をそのCGLに含有する典型的逆多活性電子写
真要素(単一のCGLのみを有するもの)より、電荷均
一性がより高く、そして循環電荷受容量がより高くしか
もより安定であることが予想外に判明した。
【0056】本発明要素(すべての他の点は等しい)は
、本発明要素のCGLIIに含まれるものと同一の電荷
移動材料をそのCGLに含む典型的逆多活性電子写真(
単一のCGLのみを有するもの)より、光感度がより高
くそして残留電圧がより低いことも予想外に判明した。
、本発明要素のCGLIIに含まれるものと同一の電荷
移動材料をそのCGLに含む典型的逆多活性電子写真(
単一のCGLのみを有するもの)より、光感度がより高
くそして残留電圧がより低いことも予想外に判明した。
【0057】このように、本発明は、意図する操作方法
において、比較的高い電荷均一性、比較的高くしかも安
定な循環電荷受容量、比較的高い光感度、及び比較的低
い残留電圧を示す逆多活性電子写真要素を提供する。
において、比較的高い電荷均一性、比較的高くしかも安
定な循環電荷受容量、比較的高い光感度、及び比較的低
い残留電圧を示す逆多活性電子写真要素を提供する。
Claims (1)
- 【請求項1】 次層:電気導電層;電荷移動層;電荷
発生材料及び第一電荷移動材料を含有する第一電荷発生
層;並びに電荷発生材料及び第二電荷移動材料を含有す
る第二電荷発生層、を記載した順序に含んでなる多活性
電子写真要素であって、前記第二電荷移動材料が前記第
一電荷移動材料より、正電荷表面注入(positiv
e−surface−charge injecti
on)に対する感受率がより低い多活性電子写真要素。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US62804190A | 1990-12-17 | 1990-12-17 | |
US628041 | 1990-12-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04275557A true JPH04275557A (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=24517190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33205891A Pending JPH04275557A (ja) | 1990-12-17 | 1991-12-16 | 逆多活性電子写真要素 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0491315B1 (ja) |
JP (1) | JPH04275557A (ja) |
DE (1) | DE69124786T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1303491A (zh) * | 1998-04-24 | 2001-07-11 | 莱克斯马克国际公司 | 制备含电荷输送化合物的电荷生成层的方法,和含该电荷生成层的光导体 |
US5994013A (en) * | 1998-04-24 | 1999-11-30 | Lexmark International, Inc. | Dual layer photoconductors with charge generation layer containing charge transport compound |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4390610A (en) * | 1981-10-29 | 1983-06-28 | International Business Machines Corporation | Layered electrophotographic imaging element, apparatus and method sensitive to gallium arsenide laser, the element including two charge generation layers and a polycarbonate adhesive layer |
JPS6432264A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Mita Industrial Co Ltd | Positively chargeable organic laminated photosensitive body |
-
1991
- 1991-12-16 DE DE1991624786 patent/DE69124786T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-16 JP JP33205891A patent/JPH04275557A/ja active Pending
- 1991-12-16 EP EP91121503A patent/EP0491315B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0491315A1 (en) | 1992-06-24 |
EP0491315B1 (en) | 1997-02-26 |
DE69124786D1 (de) | 1997-04-03 |
DE69124786T2 (de) | 1997-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4175960A (en) | Multi-active photoconductive element having an aggregate charge generating layer | |
CA1064936A (en) | Photoconductive polymer and photoconductive compositions and elements containing same | |
JPS6030934B2 (ja) | 像形成部材 | |
EP0427890B1 (en) | Photoconductive recording element | |
US5213927A (en) | Inverse multiactive electrophotographic element | |
EP0332921B1 (en) | Multiactive electrophotographic element | |
EP0428209A1 (en) | Photoconductive recording material with special outermost layer | |
JPH09106090A (ja) | 光導電性要素及びその製造方法 | |
US3679408A (en) | Heterogeneous photoconductor composition formed by two-stage dilution technique | |
JPS593741B2 (ja) | 電子写真用感光材料 | |
US3615418A (en) | Heterogeneous dye-binder photoconductive compositions | |
US5288573A (en) | Photoconductive elements which are sensitive to near-infrared radiation | |
US5728498A (en) | Electrophotographic imaging member having an improved charge transport layer | |
JPH04275557A (ja) | 逆多活性電子写真要素 | |
US3767393A (en) | Alkylaminoaromatic organic photoconductors | |
US3671233A (en) | Photoconductive elements containing alkali-release materials | |
US3552958A (en) | Electrophotographic composition and element | |
JPS59140456A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPS6012562A (ja) | 初期静電荷パタ−ンを増幅する方法 | |
US4869987A (en) | Multiactive electrophotographic reusable element | |
JP2817823B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH0823702B2 (ja) | 電子写真方法 | |
JPS6135551B2 (ja) | ||
JPH11149167A (ja) | 電子写真感光体及びその製造方法 | |
JPH0566589A (ja) | 電子写真感光体 |