JPH04273159A - 電子回路デバイス・パッケージ及びそのパッケージング方法 - Google Patents

電子回路デバイス・パッケージ及びそのパッケージング方法

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JPH04273159A
JPH04273159A JP3134410A JP13441091A JPH04273159A JP H04273159 A JPH04273159 A JP H04273159A JP 3134410 A JP3134410 A JP 3134410A JP 13441091 A JP13441091 A JP 13441091A JP H04273159 A JPH04273159 A JP H04273159A
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JP
Japan
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electronic circuit
package
circuit device
power
battery
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3134410A
Other languages
English (en)
Inventor
Daniel Queyssac
ダニエル・ケサック
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics lnc USA
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SGS Thomson Microelectronics Inc filed Critical SGS Thomson Microelectronics Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一般的に半導体デバ
イスのパッケージングに関し、特にメモリ・チップなど
の半導体集積回路と、主電源の停電時にメモリ・データ
を保持するためのバックアップ電池とを封入するための
集積回路パッケージ、即ちＩＣパッケージに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣチップ用の通常の電子回路パ
ッケージは、チップ・デバイスの封入や密封に適合され
ており、同時に、放熱、構造的な支持、外部ピン・コネ
クタへのデバイスのリードの電気的な取付、及びパッケ
ージ内の他のデバイスとの電気的な相互接続を行ってい
る。このようなパッケージは、通常、１層以上の非導電
材層及びそれらのうちの１層に埋め込まれた半導体チッ
プから構成される。デバイス入出力端子を主電子回路の
プリント回路基板ソケットに接続するため、フレキシブ
ル金属リードが、半導体チップを囲む相互接続領域から
基板端部に設けられたコネクタ・ピンに延ばされている
。
【０００３】ＩＣパッケージ内に封入されたＩＣチップ
上に実施される重要なＩＣ製品は、低消費電力及び高記
憶素子密度で特徴付けられたスタティックＲＡＭ（ＳＲ
ＡＭ）のような揮発性半導体メモリを含んでいる。揮発
性メモリ素子を持っているようなＩＣメモリ内の有効論
理信号の発生及びデータの維持は、電源電圧の維持にそ
の特定限界内で幾分か依存している。通常のＩＣメモリ
・デバイスにおいては、確実な動作に十分かどうかを決
定するために、供給された外部電源電圧を内部回路が検
知する。低電圧状態に対しては、能動チップを選択させ
ず待機状態に維持する制御信号が発生される。これは通
常、低電圧状態が直るまでリード／ライト動作を避ける
真のチップ選択信号（ＣＳ）及び相補のチップ選択信号
【外１】 により実施される。
【０００４】メモリ・チップが選択されない状態の間は
、記憶させたデータが残るように、揮発性メモリ素子内
の記憶コンデンサの電荷レベルを維持することが必要で
ある。そうしないと、メモリ素子に記憶された情報（プ
ログラム及びデータを含む）は、主電源が停電したとき
には失われることになる。停電はメモリ回路にダメージ
を与えるわけではないが、記憶された情報が消失すると
、処理を再開する前にプログラム及びデータをメモリに
再ロードしなければならない。
【０００５】従来、メモリ素子内のデータを維持するた
めにメモリ半導体回路上に追加のピン端子を設け、これ
に遠隔電源からのバックアップ電力を供給することによ
り、データ消失の問題を解決することが為されてきた。 しかし、現在はたいていのＩＣメモリ用に標準化された
ピン・パターンが確立しており、そのため、遠隔のバッ
クアップ電源専用の他のピンの追加は標準化されたピン
・パターンと両立できず、現存の回路を大幅に設計し直
す必要がある。よって、ソケット領域と標準ピン形状と
が冒されず、かつ主電源の停電にも拘わらず記憶された
データが維持される、メモリ・チップ及びバックアップ
電池を封入するための半導体メモリ・パッケージの必要
性が存在する。
【０００６】パッケージされたチップのコストや大きさ
の実質的な部分は、パッケージ構造に帰し、確実な電気
的接続を行うことの他の２つの重要な設計基準として、
コストの効果性及びスペースの有効性がある。このよう
に、ＩＣチップ及びバックアップ電池の安全な支持のた
めの改良されたデバイス・パッケージの必要性が存在し
、標準プリント回路基板ソケットとのプラグ・イン両立
性のために形成されたピン・コネクタがパッケージに設
けられ、バックアップ電池を支持するためのパッケージ
のスペースをできるだけ小さくすることが要求されてい
る。
【０００７】ＩＣメモリ・デバイスのためのパッケージ
には、２分割パッケージの一方の（第１の）ハーフ・セ
クション内にモールドされた電池を有するものがある。 このような構造においては、チップはリード・フレーム
（フィンガー・リード集合体）のベース・プレート上に
載せられ、Ｉ／Ｏパッドとそれぞれの内部リードとの間
にワイヤが接着されている。そして、金型が加熱され、
モールド用樹脂が加熱された金型キャビティ内に注入さ
れる。この結果、リード・フレーム及びＩＣチップは、
モールドされた一方のハーフ・セクション内に樹脂によ
り封入される。小形の電池及びその他の個々の部品（例
えば結晶）は、他方の（第２の）ハーフ・セクション内
に封入される。第２のハーフ・セクションは、第１のハ
ーフ・セクションのリード・フレーム内のフィンガー・
リードとの結合のために正確に位置決めされたコネクタ
・ピンを有している。二重セクション構造は、多くの製
品分野においてよく用いられている。しかし、第２のハ
ーフ・セクションにより付加される高さによって、スペ
ースの制限が厳しい製品分野においては、パッケージが
設定された最高の高さの限度を越えてしまうことがある
。
【０００８】従って、電子回路デバイス（半導体回路デ
バイス），フィンガー・リード集合体（リード・フレー
ム集合体）及びバックアップ電池が、単体で成形された
非導電材製のパッケージ本体内に封入されており、かつ
高さ寸法が、バックアップ電池を含む通常の２分割デバ
イス・パッケージの高さより小さくなるような改良され
たデバイス・パッケージが必要とされている。
【０００９】
【発明の概要】この発明は、バックアップ電池を有し、
ＩＣデバイスを封入するための改良されたパッケージを
提供し、またバックアップ電池の一方の端子の上にＩＣ
デバイスを搭載し、かつフィンガー・リード集合体のベ
ース・プレート・フィンガー・リード上に他方の端子を
搭載することにより、上述したバックアップ電池の制限
を取り除くものである。この構造においては、バックア
ップ電池は電力リードのベース・プレート支持部の頂部
上に積層され、かつＩＣはバックアップ電池の頂部上に
積層される。好ましい実施例においては、ベース・プレ
ート・フィンガー・リードは、他のフィンガー・リード
と同一平面上に配置され、フィンガー・リードの相互接
続領域を通るベース支持部を有している。ＩＣ基板は、
導電接着剤の層により、バックアップ電池の端子に接着
されている。バックアップ電池及びＩＣは、ソケット領
域やピン配列を変更することなく、モールディングされ
たパッケージ本体内に封入されている。このような同一
平面の構造においては、パッケージ厚は、若干増大する
が、ワイヤ・ボンディングの問題は回避される。
【００１０】他の実施例においては、バックアップ電池
の一つの端子がベース・プレート・フィンガー・リード
上に搭載されており、かつバックアップ電池の他方の端
子上にセラミック結合基板が搭載されている。ＩＣ基板
は、非導電性エポキシの層によりセラミック結合基板上
に接着されており、かつ経由導体により下にあるバック
アップ電池の端子に電気的に接触される。セラミック結
合基板の表面は、よく研磨され、滑らかな仕上がりにな
っており、これにより、ラフで不揃いな端子表面を持つ
バックアップ電池の陽極端子又は陰極端子のいずれかと
の電気的な接触のために、異なるサイズのＩＣチップを
支持している。
【００１１】表面実装の実施例においては、バックアッ
プ電池にハーメチック・シールが施されており、またバ
ックアップ電池は、熱反射金属層によりリフローはんだ
付け中の熱による破損から保護されている。この発明の
動作上の要点及び長所は、添付の図面とともに以下の詳
しい記載を読むことにより、当業者であれば理解できる
であろう。
【００１２】
【実施例】以下の説明において、同様部分には、図中と
文中とを通してそれぞれ同一符号が付されている。一例
として、この発明は、Ｎ形シリコン半導体チップ上にモ
ノリシックＣＭＯＳ／ＬＳＩ技術により実施されたスタ
ティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）との組み合わせとして示さ
れている。この発明のパッケージ組立体は、交換可能な
バックアップ電池を集積デバイスと同様に封入して、そ
の電力を個別部品に供給するために使用されるが、しか
し、多数の入出力接続点を持つ揮発性メモリＩＣのため
に特別の効用を持っていることが認められるであろう。 従って、バックアップ電源を必要とする１つ以上の回路
デバイス（個別部品に限定されない）、マイクロ分離及
び集積回路部分、並びにデバイスと集積デバイスとのハ
イブリッド組み合わせを組み入れるモールド可能なパッ
ケージが、広義的にはこの発明に含まれていることが理
解されるはずである。
【００１３】図１及び図２には、この発明に含まれる一
例としてのＩＣパッケージ（半導体チップ・パッケージ
）１０が示されている。このＩＣパッケージ１０は、入
出力接続点１４を持つＩＣチップ１２を支持し封入して
いる。 ＩＣチップ１２は、例えば２Ｋ×８個のスタティック・
ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）回路でよい。 このＳＲＡＭは、低消費電力，高記憶素子密度で特徴付
けられ、かつ相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）技術
により作られる。
【００１４】一例としてのＩＣパッケージ１０は、その
長さ方向の縁部に沿って１．５２ｃｍ（６００ｍｉｌ）
の間隔で２列平行に配置された２４本の外部コネクタ・
ピン１６を含む通常のデュアルインライン・ピン構造を
持っている。ＩＣチップ１２の入出力接続点１４は、図
１に示すようなフィンガー・リード集合体２０（リード
・フレーム集合体）の導電性のフィンガー・リード１８
により、選ばれたコネクタ・ピン１６に電気的に接続さ
れている。
【００１５】図１及び図２において、フィンガー・リー
ド１８（インナー・リード・フィンガー）は、中央の相
互接続領域２２に対してそれぞれ径方向に間隔を置いて
配置され、かつコネクタ・ピン１６と一体に形成されて
いる。 フィンガー・リード集合体２０の接続部分２０Ｌは、製
造中に最終的には削除され、これにより各フィンガー・
リード１８は、１本のコネクタ・ピン１６に電気的に接
続される。フィンガー・リード集合体（リード・フレー
ム）２０の外周のレール・ストリップ２４，２６（輸送
側レール・ストリップ）も、モールディングが為された
後、製造工程の最終段階の切取・成形工程の際に削除さ
れる。
【００１６】フィンガー・リード１８（導電性フィンガ
ー）の内先端は、相互接続領域２２に対して対称的に間
隔を置かれている。フィンガー・リード１８の内先端は
、他の部分と比べて幅が狭くなっており、フィンガー・
リード１８は、相互接続領域２２から外側へ放射状に延
びている。フィンガー・リード集合体２０は、ＩＣパッ
ケージ１０の長軸Ｚに整列して延びるベース・プレート
支持リード２８を有している。好適な一実施例によれば
、ベース・プレート支持リード２８は、その中間部で切
断され、図２に示すようにフィンガー・リード集合体２
０の面に対してオフセットされており、これにより分離
された連結棒部分（ｔｉｅ　ｂａｒ　ｓｅｇｍｅｎｔ）
２８Ａ，２８Ｂをつくっている。連結棒部分２８Ａ，２
８Ｂは、フィンガー・リード１８に対してそれぞれ寸法
Ａだけ垂直に間隔をおいている。
【００１７】コネクタ・ピン１６及びフィンガー・リー
ド１８は、モールディング中の初めは同一平面内に位置
している。モールディングの後、切取・成形工程の際に
、コネクタ・ピン１６は、パッケージの長手方向の側面
に沿って、９０°に折り曲げられる。
【００１８】ＩＣパッケージ１０は、ＩＣチップ１２の
入出力接続点１４を、ホスト電子システムのプリント回
路基板上やいくつかの他の半導体パッケージ上のソケッ
トに電気的に接続するための標準的なピン・パターンを
提供する。ＩＣパッケージ１０は、非導電材、例えばポ
リエーテルイミド又はエポキシ樹脂などのポリマーから
なるモールディングされたパッケージ本体３０を有して
いる。この構造においては、フィンガー・リード集合体
２０，ＩＣチップ１２及びバックアップ電池３２は、パ
ッケージ本体３０内に埋め込まれ封入されている。
【００１９】バックアップ電池３２には、トランスファ
ー成形機の高温状態にさらされたときにその電解液が蒸
発しないように、ハーメチック・シールが施されるのが
好ましい。加えて、バックアップ電池３２は、短絡電流
に応じて高い電流制限値に素早く増加する非線形内部抵
抗を持つのが好ましい。これは、リード・フレームが切
り取られるまでの組立中（トランスファー成形中）に、
バックアップ電池３２がリード・フレームにより短絡さ
れるためである。ある種の用途では、ハーメチック・シ
ールが施されることや短絡保護手段を持つことに加えて
、バックアップ電池３２は、組立が完了した後に、その
電荷レベルを定格値に戻せるように再充電可能にもなっ
ていることが望ましい。
【００２０】一実施例では、バックアップ電池３２は、
直径１２．５ｍｍの３．２Ｖ直流電池である。バックア
ップ電池３２は、ワイヤ・ボンディング及びトランスフ
ァー成形中に高温にさらされるので、定格が高温負荷用
になっていることが必要である。もしそうでなければ、
バックアップ電池３２内の電解液は蒸発し、電池電荷は
破壊されるであろう。好ましいバックアップ電池３２の
一例としては、レイオバック社（Ｒａｙｏｖａｃ　Ｃｏ
ｒｐｏｒａｔｉｏｎ）製のリチウム炭素モノフルロイド
電池（品番ＢＲ１２２５ＵＨＴ）がある。このレイオバ
ック電池は、その定格が３．２Ｖ直流で３５ｍＡ時であ
り、１０年の７０℃貯蔵寿命を持ち、２２５℃の高温状
態で故障なしで３〜５分間存在でき、ここで意図されて
いるトランスファー成形機に対して十分なものである。 バックアップ電池３２は、誘電絶縁層３２Ｑの環状の層
によりそれぞれ互いに絶縁されている電力端子、即ち陽
極端子３２Ｐ及び陰極端子３２Ｎを有している。
【００２１】ＩＣチップ１２は、アミコン（Ａｍｉｃｏ
ｎ）ＣＴ−５０４７−２のような銀充填エポキシ接着剤
の導電性付着物により、陰極端子３２Ｎに接着され電気
的に接続されている。入出力接続点１４は、直径０．０
０３３ｃｍ（１．３ｍｉｌ）の細い金ワイヤ３４により
、フィンガー・リード１８のうちの選択されたものに電
気的に接続されている。フィンガー・リード１８及び入
出力接続点１４への金ワイヤ３４のボンディングは、通
常の超音波併用熱圧着ボールボンディング技術により行
うのが好ましい。
【００２２】バックアップ電池３２の陽極端子３２Ｐは
、好ましくは抵抗溶接又ははんだ付けにより、封入前に
連結棒部分２８Ａ，２８Ｂに電気的に付着される。図２
に見られるように、連結棒部分２８Ａ，２８Ｂは、長手
方向のギャップにより分離されており、陽極端子３２Ｐ
は、ギャップを中心にして両方の連結棒部分２８Ａ，２
８Ｂに結合している。一製作方法においては、ベース・
プレート支持リード２８をその中央部で切断した後に、
垂直方向にオフセットされた連結棒部分２８Ａ，２８Ｂ
を形成することにより、連結棒部分２８Ａ，２８Ｂの端
部の間の長手方向のギャップが作られる。
【００２３】連結棒部分２８Ａ，２８Ｂの垂直のオフセ
ット量Ａは、バックアップ電池３２及びＩＣチップ１２
が相互接続領域２２内で垂直方向及び長手方向の中心に
位置されることを可能にする。さらに、この構造は、フ
ィンガー・リード集合体２０，バックアップ電池３２，
ＩＣチップ１２及び金ワイヤ３４のパッケージ本体３０
内への完全な封入も可能にする。しかし、連結棒部分２
８Ａ，２８Ｂが、フィンガー・リード１８及びベース・
プレート支持リード２８に対してそれぞれ垂直にオフセ
ットされる連続したフィンガー・リード・ストリップに
一体形成できるように、フィンガー・リード集合体（リ
ード・フレーム材料）２０が十分な延性を持つように選
択されることを理解すべきである。
【００２４】連結棒部分２８Ａ，２８Ｂにバックアップ
電池３２が電気的に付着された後に、ＩＣチップ１２は
、陰極端子３２Ｎに接着される。そして、金ワイヤ３４
の端部が、入出力接続点１４とそれぞれのフィンガー・
リード１８との間に接続される。金ワイヤ３４Ｐは、陽
極のベース・プレート支持リード２８とＩＣチップ１２
の陽バックアップ電圧接続点１４Ｐとの間に接着される
。陰バックアップ電圧接続点１４Ｎは、金ワイヤ３４Ｎ
により、陰極端子３２Ｎに電気的に接続される。
【００２５】その後、フィンガー・リード集合体２０は
、数個取金型内に位置される。金型キャビティは、トラ
ンスファー成形機内に密閉され、ポリフェノレン硫化物
のような非導電性封入材が、細かいペレットのかたちで
ノズルから注入される。この注入が行われる際の圧力は
、ワイヤ・ボンドへのダメージを避けるために、正確に
調整される。適切な圧力及び温度の下で、ペレットは、
溶けて金型内の流路を流れ、フィンガー・リード集合体
２０のまわりのキャビティを満たす。これにより、フィ
ンガー・リード集合体２０，バックアップ電池３２，Ｉ
Ｃチップ１２及び金ワイヤ３４が完全に封入される。樹
脂は、加えられた熱及び圧力により、金型内にある間に
硬化される。 さらなる硬化は、オーブン内で行われる。
【００２６】上述のトランスファー成形処理の結果とし
て、ＩＣパッケージ１０は、細長い長方形のパッケージ
本体３０の形につくられる。金型からの除去の後、フィ
ンガー・リード集合体２０の隣接するコネクタ・ピン１
６間の接続部分２０Ｌは切り取られ、コネクタ・ピン１
６やフィンガー・リード１８がそれぞれ互いに離されて
電気的に絶縁される。加えて、レール・ストリップ２４
，２６もモールドされた組立体から切り離される。
【００２７】フィンガー・リード集合体２０の材料は、
錫めっきされたニッケル又は鉄合金のような慣用の金属
合金、或はＣＤＡ１９４のような錫めっきされた銅合金
が好ましい。組立中に、連続した金属片から好適に打ち
抜かれた接続部分２０Ｌ及びレール・ストリップ２４，
２６によってコネクタ・ピン１６及びフィンガー・リー
ド１８が構造的に相互に接続されていることが認められ
るであろう。 これらの接続部分は、取り扱い目的だけのためにコネク
タ・ピン１６に付けられたまま残されたものであり、最
終的な使用時の前に切り離される。
【００２８】コネクタ・ピン１６のうちの１本は、電圧
Ｖｃｃ（典型的には直流＋５Ｖ）を供給する一次電力供
給接続点に接続されることが理解されるであろう。同様
に、もう１本のコネクタ・ピン１６が、グランド基準Ｇ
ＮＤを与えるために、ホスト電子システムのアース接続
点に接続される。その他のコネクタ・ピン１６は、ホス
ト電子回路により発生される他の種々のＩ／Ｏ信号と同
様に、真のチップ選択信号（ＣＳ）及び相補のチップ選
択信号
【外２】 、並びにモノリシックＩＣチップ１２に対する同期刻時
データのための信号ＣＬＫに供される。コンパレータ及
びスイッチング回路（図示せず）は、ホスト電子回路の
一次電力供給源からの電圧Ｖｃｃを、バックアップ電池
３６の電圧と比較し、ＩＣチップ１２に給電するために
検出電圧の１番高いものを自動的に印加する。
【００２９】以下、図４，図５及び図６について説明す
る。この発明の他の実施例によれば、ＩＣパッケージ４
０は、ＩＣチップ１２がバックアップ電池３２の陽極端
子３２Ｐ上に搭載されるように、ＩＣチップ１２及びバ
ックアップ電池３２を支持し封入する。図６に示すよう
に、金ワイヤ３４Ｎは、ベース・プレート支持リード２
８とＩＣチップ１２の適切な陰バックアップ電圧接続点
１４Ｎとの間に電気的に接続され、また金ワイヤ３４Ｐ
は、ＩＣチップ１２の陽バックアップ電圧接続点１４Ｐ
と陽極端子３２Ｐとの間に接着される。バックアップ電
池３２の陰極端子３２Ｎは、抵抗溶接により、連結棒部
分２８Ａ，２８Ｂに電気的に接続される。バックアップ
電池３２の極性を反転した以外、ＩＣパッケージ４０は
図１〜図３に示されたＩＣパッケージ１０と事実上同じ
である。
【００３０】ＩＣチップ１２は、例えばアミコンＣＴ−
５０４７−２のような銀充填エポキシ接着剤の導電性付
着物により、陽極端子３２Ｐに電気的に接着されている
。垂直方向へのオフセット量Ａにより、バックアップ電
池３２及びＩＣチップ１２の積層された組み合わせは、
相互接続領域２２内で垂直方向及び長手方向の中心に位
置されている。この構造により、フィンガー・リード集
合体２０，バックアップ電池３２，ＩＣチップ１２及び
金ワイヤ３４が、パッケージ本体３０内に完全に封入さ
れている。従って、ＩＣパッケージ４０は、図２の電池
方向に対してバックアップ電池３２が倒置されている点
だけがＩＣパッケージ１０と異なっており、パッケージ
のスタンドオフ高さは同じであるということは明らかで
あろう。
【００３１】以下、図７，図８，図９及び図１０につい
て説明する。この発明のさらに他の実施例は、ＩＣパッ
ケージ５０により提供される。このＩＣパッケージ５０
においては、バックアップ電池３２が抵抗溶接により連
結棒部分２８Ａ，２８Ｂに電気的に接着され、ＩＣチッ
プ１２は、セラミック結合基板５２により陰極端子３２
Ｎ上に機械的に搭載されている。この構造では、ＩＣチ
ップ１２は、導電性エポキシ接着剤の付着によりセラミ
ック結合基板５２に付着される。セラミック結合基板５
２は、非導電性エポキシ接着剤の層により、陰極端子３
２Ｎに接着される。ＩＣチップ１２上の陰バックアップ
電圧接続点１４Ｎは、図１０の拡大図に示すように、経
由導体（ｖｉａ　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）３４Ｖにより陰
極端子３２Ｎに電気的に接続されている。経由導体３４
Ｖは、セラミック結合基板５２に交差した経由開口、即
ち開口５２Ａを通って延びている。
【００３２】セラミック結合基板５２の目的は、ＩＣチ
ップ１２のための安定した一様な支持面を提供すること
である。典型的には、陽極及び陰極端子３２Ｐ，３２Ｎ
は、ラフで不揃いであり、この結果電池表面に対する一
様な装着は達成しにくい。ＩＣチップ１２内に生じてＬ
ＳＩ回路に損傷を与える機械的な応力の影響を避けるた
めに、ＩＣチップ１２と支持面とが、滑らかでかつ大面
積で接触することが必要である。加えて、セラミック結
合基板５２は、異なるＩＣチップサイズの機械的な結合
を行うために十分に広いボンディング表面積を与えるべ
きである。例えば、陰極端子３２Ｎの表面積よりも広い
結合表面積を持つＩＣチップ１２を結合することが望ま
しい。従って、ＩＣチップ１２と陰極端子３２Ｎとの間
にセラミック結合基板５２が挿入されている点において
ＩＣパッケージ５０がＩＣパッケージ１０と異なってい
ることは明らかであろう。バックアップ電池３２，セラ
ミック結合基板５２及びＩＣチップ１２の合計の積層高
さは、パッケージ本体３０内に完全に封入されるのに十
分な小ささのままである。
【００３３】以下、図１１及び図１２について説明する
。この発明の好ましい実施例により、ＩＣパッケージ６
０は、フィンガー・リード１８と同一平面内のベース・
プレート・フィンガー・リード（電力リード）６２のベ
ース・プレート支持部（ベース支持部）６２Ａ上にバッ
クアップ電池３２の陽極端子３２Ｐが搭載されていると
ともに、ＩＣチップ１２を支持し封入している。この同
一平面構成の利点は、図２及び図５に示されたフィンガ
ー・リード集合体２０に比べて、超音波併用熱圧着ワイ
ヤボンディングが容易に行えることである。まっすぐな
同一平面のベース・プレート・フィンガー・リード６２
の使用上の問題は、それによりわずかに厚いパッケージ
本体３０がつくられることである。それ以外については
、ＩＣパッケージ６０は、図２に示されたＩＣパッケー
ジと同様に組み立てられる。
【００３４】図１３及び図１４には、まっすぐな同一平
面のベース・プレート・フィンガー・リード６２上に、
バックアップ電池３２の陰極端子３２Ｎが搭載されてい
る例が示されている。ＩＣパッケージ７０の構造は、図
１３のバックアップ電池３２が図１１のバックアップ電
池３２に対して反転されている点を除いて、図１１に示
されたＩＣパッケージ６０と同じである。
【００３５】図１５，図１６，図１７及び図１８には、
この発明のさらに他の実施例としてデュアルインライン
形の表面実装形ＩＣパッケージ８０が示されている。こ
の構造においては、オフセットされた連結棒部分２８Ａ
，２８Ｂ上にバックアップ電池３２が搭載されている。 図１８の断面図には連結棒部分２８Ｂのみが示されてい
るが、図２に示すのと同じ方法で、両方の連結棒部分２
８Ａ，２８Ｂ上にバックアップ電池３２が搭載されるこ
とを理解されたい。金ワイヤ３４は、超音波溶接接着（
ｔｈｅｒｍｏｓｏｎｉｃ　ｗｅｌｄ　ｂｏｎｄｓ）によ
り、図３に示された方法と同様に、対応するフィンガー
・リード１８に接着される。表面実装形ＩＣパッケージ
８０において、フィンガー・リード１８は、Ｊリード８
２と一体に形成される。このＪリード８２は、好ましく
は、パッケージ本体３０の下部で巻かれ、かつポケット
８４内に入れられた端部８２Ａを有する自立従動形（ｆ
ｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ，　ｃｏｍｐｌｉａｎｔ　ｔｙ
ｐｅ）のものである。Ｊリード８２は、はんだ用ランド
８６に結合した曲線部８２Ｂも有している。
【００３６】はんだ用ランド８６は、絶縁基板８８の表
面に接着されている。絶縁基板８８としては、高いガラ
ス転移温度（ＴＧ）を有し（例えばＧ−３０ポリアミド
）、かつ良好な積層コンプライアンス（ｌａｍｉｎａｔ
ｅ　ｃｏｍｐｌｉａｎｃｙ）を有するもの（例えばケブ
ラー（商標名）・エポキシ又はケブラー・ポリアミド繊
維などとして提供される。）が好ましい。
【００３７】はんだ用ランド８６は、Ｊリード８２の曲
線部８２Ｂによる表面接触のために、間隔をおいた平行
なパターンとして絶縁基板８８上に慎重に整列される。 Ｊリード８２は、はんだによりそれぞれ予めコーティン
グされている。そして、はんだ接続は、例えばデュアル
・ウェーブ・リフローはんだ付けにより、バッチ式はん
だ付け工程中で、それぞれのＪリード／ランド境界に形
成される。 リフローはんだ付け工程の間、表面実装形パッケージ８
０は、はんだ槽からの熱の輻射にさらされる。この熱の
輻射は、例えば共晶ＳＮ６３−Ｐｂ３６はんだの溶融点
である１８４℃（３６３°Ｆ）又はそれに近い温度にな
る。Ｊリード８２及びフィンガー・リード１８を通る熱
伝導、及びはんだ槽からの熱放射により、モールドされ
たポリマーのパッケージ本体３０に熱が移動する。この
結果、パッケージ本体３０及びバックアップ電池３２は
、リフローはんだ付け工程中に、高い温度を受ける。
【００３８】表面実装形の重要な特徴により、はんだ槽
からの輻射熱は、例えばアルミニウム，銅又はニッケル
などの熱反射金属層９０により反射される。熱反射金属
層９０は、パッケージ本体３０の下面３０Ａに接着剤に
より接着された研磨されたアルミニウムの薄葉体又は箔
が好ましい。或は、熱反射金属層９０は、例えばボシュ
・アンド・ロム社（Ｂａｕｓｃｈ＆Ｌｏｍｂ　Ｉｎｃ．
）製の９０−８（商標名）反射コーティングなど、有機
接着材料を混合した反射金属粒子の薄いコーティングで
もよい。
【００３９】幾つかの特定の実施例について、かつＩＣ
デバイスのためのバックアップ電池を封入し提供するＩ
Ｃパッケージについて、この発明を説明したが、この発
明は、上述したものに限定されるものではない。ここに
開示された前もってモールドされた交換可能なバックア
ップ電池の種々の変更やその代用は、上述した内容及び
図面により、当業者が容易に考えられるであろう。この
ため、特許請求の範囲は、この発明の範囲内のいかなる
変形，変更をも含むものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施例によりバックアップ電
池の陰極端子上に搭載されたＩＣチップを有するフィン
ガー・リード集合体を示す平面図である。
【図２】１個のＩＣパッケージのバックアップ電池及び
フィンガー・リード集合体を一部断面で示す側面図であ
る。
【図３】図２のバックアップ電池及びフィンガー・リー
ド集合体を一部切り欠いて示す平面図である。
【図４】バックアップ電池の陽極端子上に搭載されたＩ
Ｃチップを有するフィンガー・リード集合体を示す平面
図である。
【図５】１個のＩＣパッケージ内に封入された図４のフ
ィンガー・リード集合体，バックアップ電池及びＩＣチ
ップを一部断面で示す側面図である。
【図６】図５のＩＣパッケージを一部切り欠いて示す平
面図である。
【図７】この発明の他の実施例によりフィンガー・リー
ド集合体上に搭載されたＩＣチップ及びバックアップ電
池を示す平面図である。
【図８】図７のフィンガー・リード集合体上に搭載され
１個のＩＣパッケージ内に封入されたバックアップ電池
，セラミック結合基板及びＩＣチップを有するＩＣパッ
ケージを一部断面で示す側面図である。
【図９】図８のＩＣチップ，セラミック結合基板，バッ
クアップ電池及びフィンガー・リード集合体を一部切り
欠いて示す拡大平面図である。
【図１０】図８の１個のＩＣパッケージ一部を示す拡大
断面図である。
【図１１】１個のＩＣパッケージ内に封入され、まっす
ぐなフィンガー・リード集合体中の同一平面状のベース
・プレート・フィンガー・リード上に搭載されているバ
ックアップ電池及びＩＣパッケージを一部断面で示す側
面図である。
【図１２】図１１のＩＣチップ，バックアップ電池及び
フィンガー・リード集合体を一部切り欠いて示す平面図
である。
【図１３】バックアップ電池の陰極端子が同一平面状の
ベース・プレート・フィンガー・リード上に搭載され、
バックアップ電池の陽極端子上にＩＣチップが搭載され
ている図１１と同様の側面図である。
【図１４】図１３のＩＣチップ，バックアップ電池及び
フィンガー・リード集合体を示す平面図である。
【図１５】ランドが設けられた絶縁基板上にはんだ付け
されたＪリードを有するデュアルインライン形の表面実
装形ＩＣパッケージを示す側面図である。
【図１６】図１５の表面実装形ＩＣパッケージの右側面
図である。
【図１７】図１５の１７−１７線に沿う矢視断面図であ
る。
【図１８】図１６の１８−１８線に沿う矢視断面図であ
る。
【符号の説明】
１０　　　　　　ＩＣパッケージ（電子回路デバイス・
パッケージ） １２　　　　　　ＩＣチップ（電子回路デバイス）１４
　　　　　　入出力接続点 １４Ｐ　　　　陽バックアップ電圧接続点（陽極電力接
続点）１４Ｎ　　　　陰バックアップ電圧接続点（陰極
電力接続点）１６　　　　　　コネクタ・ピン（コネク
タ・リード）１８　　　　　　フィンガー・リード ２０　　　　　　フィンガー・リード集合体２２　　　
　　　相互接続領域 ２８　　　　　　ベース・プレート支持リード（電力リ
ード）２８Ａ　　　　第１の連結棒部分（ベース支持部
）２８Ｂ　　　　第２の連結棒部分（ベース支持部）３
０　　　　　　パッケージ本体 ３２　　　　　　バックアップ電池（電池）３２Ｐ　　
　　陽極端子（陽極電力端子，陽極接触端子）３２Ｎ　
　　　陰極端子（陰極電力端子，陰極接触端子）３４　
　　　　　金ワイヤ（ワイヤ導体）５２　　　　　　セ
ラミック結合基板（結合基板）５２Ａ　　　　開口（経
由開口） ６０　　　　　　ＩＣパッケージ（電子回路デバイス・
パッケージ） ６２　　　　　　ベース・プレート・フィンガー・リー
ド（電力リード） ６２Ａ　　　　ベース・プレート支持部（ベース支持部
）９０　　　　　　熱反射金属層

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　電子回路デバイスに電力を供給する電
    子回路デバイス・パッケージであって、非導電材製のパ
    ッケージ本体、このパッケージ本体に封入され、複数本
    の導電性のフィンガー・リードを有し、これらフィンガ
    ー・リードのうちの一本が電力リードになっているフィ
    ンガー・リード集合体、陽極電力端子と陰極電力端子と
    を有し、これら電力端子のうちの一方が前記電力リード
    上に搭載された電池、及び前記パッケージ本体に封入さ
    れているとともに、他方の前記電力端子上に搭載されて
    いる電子回路デバイスを組み合わせて備えている電子回
    路デバイス・パッケージ。
  2. 【請求項２】　　前記フィンガー・リード及び前記電力
    リードは、互いにほぼ同一平面内に配置されている請求
    項１記載の電子回路デバイス・パッケージ。
  3. 【請求項３】　　前記電力リードは、相互接続領域内に
    配置されたベース支持部を有しており、前記電池の一方
    の端子は、前記ベース支持部上に搭載されて電気的に接
    続されている請求項１記載の電子回路デバイス・パッケ
    ージ。
  4. 【請求項４】　　前記電子回路デバイスは、半導体チッ
    プ上に実施された集積回路であり、前記半導体チップは
    、前記他方の電力端子上に積層された状態で機械的に搭
    載されて電気的に接続されており、前記集積回路は、複
    数の入出力接続点及びこれらの入出力接続点を前記フィ
    ンガー・リードに接続している複数のワイヤ導体を有し
    ているとともに、前記電力リードと前記半導体チップが
    搭載された電力端子とに前記ワイヤ導体によりそれぞれ
    電気的に接続された陽極電力接続点と陰極電力接続点と
    を有している請求項１記載の電子回路デバイス・パッケ
    ージ。
  5. 【請求項５】　　前記電池は、陽極接触端子及び陰極接
    触端子を有しており、前記陰極接触端子は、前記電力リ
    ード上に搭載されて電気的に接続されている請求項１記
    載の電子回路デバイス・パッケージ。
  6. 【請求項６】　　前記電池は、陽極接触端子及び陰極接
    触端子を有しており、前記陽極接触端子は、前記電力リ
    ード上に搭載されて電気的に接続されている請求項１記
    載の電子回路デバイス・パッケージ。
  7. 【請求項７】　　前記電子回路デバイスと前記他方の電
    力端子との間に介在された非導電性の結合基板を有して
    いる請求項１記載の電子回路デバイス・パッケージ。
  8. 【請求項８】　　前記結合基板は、経由開口により交差
    されており、前記電子回路デバイスは、半導体チップ上
    に実施された集積回路であり、前記半導体チップは、前
    記結合基板上に積層された状態で搭載されており、前記
    集積回路は、複数の入出力接続点及びこれらの入出力接
    続点を前記フィンガー・リードに接続している複数のワ
    イヤ導体を有しているとともに、前記結合基板が搭載さ
    れた電力端子と前記電力リードとに前記ワイヤ導体によ
    りそれぞれ電気的に接続された陽極電力接続点と陰極電
    力接続点とを有しており、前記ワイヤ導体のうちの１本
    が、前記集積回路から前記経由開口を通って前記結合基
    板が搭載された電力端子に延びている請求項７記載の電
    子回路デバイス・パッケージ。
  9. 【請求項９】　　前記電池にハーメチック・シールが施
    されている請求項１記載の電子回路デバイス・パッケー
    ジ。
  10. 【請求項１０】　　前記電池が、短絡電流に対して非直
    線的に増大する内部抵抗により特徴付けられる請求項１
    記載の電子回路デバイス・パッケージ。
  11. 【請求項１１】　　前記電池が再充電可能になっている
    請求項１記載の電子回路デバイス・パッケージ。
  12. 【請求項１２】　　表面実装に適応されており、前記パ
    ッケージ本体の表面実装側の外周面に取り付けられた熱
    反射金属層を有している請求項１記載の電子回路デバイ
    ス・パッケージ。
  13. 【請求項１３】　　非導電材製のパッケージ本体内に封
    入され多数の入出力接続点を有している電子回路デバイ
    ス、前記パッケージ本体上に搭載され前記パッケージ本
    体から外周部に突出している複数のコネクタ・リード、
    及び前記パッケージ本体内に封入され前記入出力接続点
    を前記コネクタ・リードに電気的に接続している導電性
    の複数のフィンガー・リードを備えた形の電子回路デバ
    イス・パッケージにおいて、複数の前記フィンガー・リ
    ードは、相互接続領域のまわりに間隔をおいて配置され
    た内端部を有しており、前記フィンガー・リードのうち
    の１本は、電力リードになっており、かつ前記相互接続
    領域を通るベース支持部を有しており、陽極電力端子及
    び陰極電力端子を有している電池であって、前記電力端
    子の一方が、前記電力リードの前記ベース支持部上に搭
    載されて電気的に接続されており、前記電子回路デバイ
    スが他方の電力端子上に搭載されている電池を備えてい
    る電子回路デバイス・パッケージ。
  14. 【請求項１４】　　電子回路デバイス及びこの電子回路
    デバイスに電力を供給するための電池をパッケージング
    するための電子回路デバイス・パッケージのパッケージ
    ング方法であって、フィンガー・リード集合体のフィン
    ガー・リード上に電池の電力端子を搭載する工程、前記
    電池の他方の電力端子上に前記電子回路デバイスを搭載
    する工程、及び前記電子回路デバイス，電池及び電力リ
    ードの積層体を、非導電材製のパッケージ本体内に封入
    する工程を含んでいる電子回路デバイス・パッケージの
    パッケージング方法。
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