JPH04273128A - 半導体ウエハの製造方法および半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの製造技
術に関し、特に、ゲッタリング技術に関するものである
。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路装置の素子形成基板とし
て使用されている単結晶シリコン（Ｓｉ）ウエハは、完
全結晶であるが、例えばデバイスプロセス中にアルカリ
金属や重金属原子等のような有害不純物により汚染され
たり、結晶欠陥が導入されたりすることが知られている
。

【０００３】これらの有害不純物や結晶欠陥を単結晶Ｓ
ｉウエハの素子形成領域から除去し、その悪影響を取り
除く技術がゲッタリングである。

【０００４】ゲッタリングには、単結晶Ｓｉウエハの外
部から操作を施すエクストリンシックゲッタリング（Ｅ
ｘｔｒｉｎｓｉｃ　Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ　：以下、ＥＧ
という）法と、単結晶Ｓｉウエハの内部に介在する酸素
を利用するイントリンシックゲッタリング（Ｉｎｔｒｉ
ｎｓｉｃ　Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ　：以下、ＩＧという）
法とがある。

【０００５】ＥＧ法については、例えば特開昭５２−６
９５７１号公報に記載がある。この文献には、単結晶Ｓ
ｉウエハの裏面にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏ
ｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって数μｍ程度の薄
い多結晶Ｓｉ膜を形成し、その膜の粒界歪によってデバ
イスプロセス中に発生する重金属原子等のような有害不
純物をゲッターする技術について説明されている。

【０００６】また、ＩＧ法については、例えば株式会社
オーム社、昭和５９年１１月３０日発行、「ＬＳＩハン
ドブック」Ｐ３６１〜Ｐ３６４に記載があり、その概要
は次のとおりである。

【０００７】ＩＧ法は、単結晶Ｓｉウエハに熱処理を施
し、その内部に酸素の析出物、転位ループおよび積層欠
陥等のような微小欠陥を発生させ、その微小欠陥をゲッ
タリング中心とする技術である。

【０００８】ＩＧ法のプロセスは、例えば低温（６００
〜８００℃）、高温（１１００℃以上）および中温（〜
１０００℃）の三つの熱処理工程からなる。

【０００９】低温熱処理は、単結晶Ｓｉウエハに酸素の
析出核を形成する工程である。

【００１０】続く高温熱処理は、例えば窒素（Ｎ２）ガ
ス雰囲気中で行い、外方拡散により単結晶Ｓｉウエハ表
面の析出核を消滅させ、その表面に所定厚さの無欠陥層
を形成する工程である。なお、無欠陥層には、半導体集
積回路素子が形成される。

【００１１】最後の中温熱処理は、析出核に酸素を集め
ることにより、単結晶Ｓｉウエハの表面に無欠陥層を残
したまま、単結晶Ｓｉウエハの内部に酸素の析出に基づ
く高密度の微小欠陥からなるゲッタリング層を形成する
工程である。

【００１２】なお、低温熱処理と高温熱処理との順序を
逆にする方法もある。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
ゲッタリング技術においては、以下の問題があることを
本発明者は見い出した。

【００１４】上記したＥＧ法においては、単結晶Ｓｉウ
エハの裏面にＣＶＤ法によって多結晶Ｓｉ膜を形成する
が、ＣＶＤ法の場合、膜の成長速度が遅く、膜を厚くす
るには時間がかかり、製品納期の長期化等の問題が生じ
るので、成膜される多結晶Ｓｉ膜は僅か数μｍ程度と非
常に薄い膜であった。

【００１５】そのため、ゲッタリング中心となる粒界歪
も少ないので、充分なゲッタリング効果を得ることがで
きず、その効果の持続時間も短いという問題があった。 したがって、例えば超ＬＳＩ等、熱処理工程数の多いデ
バイスには適さなかった。

【００１６】また、上記したＩＧ法においては、無欠陥
層の形成制御が困難であり、無欠陥層の厚さが不均一と
なったり、無欠陥層が形成されなかったりする問題があ
った。

【００１７】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、半導体ウエハの製造時間を増加さ
せることなく、ゲッタリング効果を向上させ、かつ、ゲ
ッタリング効果を長時間持続させることのできる技術を
提供することにある。

【００１８】また、本発明のさらに他の目的は、従来よ
りも信頼性の高い無欠陥層を確実に形成することのでき
る技術を提供することにある。

【００１９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００２１】すなわち、請求項１記載の発明は、単結晶
Ｓｉウエハと、多結晶Ｓｉウエハとの互いの鏡面を接触
させた状態で加熱処理を施してそれらのウエハを接合し
た後、少なくとも前記単結晶Ｓｉウエハの表面を鏡面研
磨する半導体ウエハの製造方法とするものである。

【００２２】請求項３記載の発明は、第一の単結晶Ｓｉ
ウエハと、内部に欠陥核または微小欠陥を有する第二の
単結晶Ｓｉウエハとの互いの鏡面を接触させた状態で加
熱処理を施してそれらのウエハを接合した後、少なくと
も前記第一の単結晶Ｓｉウエハの表面を鏡面研磨する半
導体ウエハの製造方法とするものである。

【００２３】

【作用】上記した請求項１記載の発明によれば、単結晶
Ｓｉウエハとそれとは別体に製造された多結晶Ｓｉウエ
ハとを直接接合し、その多結晶Ｓｉウエハをゲッタリン
グ用多結晶Ｓｉ層とすることにより、従来よりも厚いゲ
ッタリング用多結晶Ｓｉ層を短時間で形成することがで
きる。

【００２４】上記した請求項２記載の発明によれば、無
欠陥層を形成する第一の単結晶Ｓｉウエハと、ゲッタリ
ング層を形成する第二の単結晶Ｓｉウエハとを接合して
一つの半導体ウエハを形成することにより、それぞれの
Ｓｉウエハの接合工程の前段階において、無欠陥層とゲ
ッタリング層との微小欠陥の形成制御を別々に行えるの
で、その形成制御を容易にすることが可能となる。

【００２５】

【実施例】図１は本発明の一実施例である半導体ウエハ
の製造方法を説明するための工程図、図２は単結晶Ｓｉ
ウエハの平面図、図３は多結晶Ｓｉウエハの平面図、図
４は図１の両Ｓｉウエハ接合工程後の半導体ウエハの断
面図、図５は図１の研削工程後の半導体ウエハの断面図
、図６は図１の鏡面研磨工程後の半導体ウエハの断面図
である。

【００２６】本実施例の半導体ウエハの製造方法は、図
１に示すように、例えば次の五つの工程を有している。

【００２７】すなわち、単結晶Ｓｉウエハ製造工程１ａ
、多結晶Ｓｉウエハ製造工程１ｂ、両Ｓｉウエハ接合工
程２ａ、研削工程３および鏡面研磨工程４である。

【００２８】以下、本実施例の半導体ウエハの製造方法
を図１に従って図２〜図６により説明する。

【００２９】単結晶Ｓｉウエハ製造工程１ａによって製
造された単結晶Ｓｉウエハを図２に示す。単結晶Ｓｉウ
エハ５ａは、例えば抵抗率が１０Ωｃｍ程度のｐ形単結
晶Ｓｉからなり、その（１００）面は鏡面研磨されてい
る。

【００３０】単結晶Ｓｉウエハ５ａは、例えばチョクラ
ルスキー法またはフローティングゾーン法等のような単
結晶Ｓｉ育成法によって形成された単結晶Ｓｉインゴッ
トを幾つかのブロックに分け、その決められた面にオリ
エンテーションフラットを形成した後、そのブロックを
ダイヤモンド内周刃等によりウエハ状に切断して形成さ
れている。なお、この段階では、単結晶Ｓｉウエハ５ａ
の外周にエッジ加工は施されていない。

【００３１】次に、多結晶Ｓｉウエハ製造工程１ｂによ
って製造された多結晶Ｓｉウエハを図３に示す。多結晶
Ｓｉウエハ５ｂの表面は鏡面研磨されている。

【００３２】多結晶Ｓｉウエハ５ｂも単結晶Ｓｉウエハ
５ａと同様にして形成されている。

【００３３】なお、この段階では、多結晶Ｓｉウエハ５
ｂもその外周にエッジ加工は施されていない。

【００３４】続く両Ｓｉウエハ接合工程２ａにおいては
、例えば次のような処理を行う。

【００３５】まず、単結晶Ｓｉウエハ５ａと多結晶Ｓｉ
ウエハ５ｂとをそれらのオリエンテーションフラット位
置を合わせ、かつ、鏡面同士を接触させた状態で熱処理
装置の処理室（図示せず）内に収容する。

【００３６】次いで、例えば熱処理装置の処理室内をＮ
２　ガス雰囲気とした後、例えば１１００℃、３時間程
度の熱処理を施し、図４に示すように、両Ｓｉウエハ５
ａ，５ｂを直接接合して半導体ウエハ６ａを形成する。

【００３７】なお、両Ｓｉウエハ５ａ，５ｂの界面の引
張り強度は、例えば数百Ｋｇ／ｃｍ２　程度以上となる
。

【００３８】続く研削工程３においては、半導体ウエハ
６ａの単結晶Ｓｉウエハ５ａの上面を平面研削盤によっ
て研削し、図５に示すように、例えば厚さ２０μｍ程度
の単結晶Ｓｉ層５ａ１　を形成する。なお、この処理の
後、半導体ウエハ６ａの外周にエッジ加工を施しても良
い。

【００３９】続く鏡面研磨工程４においては、半導体ウ
エハ６ａに対してラッピング処理およびポリッシング処
理等を行ってその表面を鏡面研磨し、図６に示すように
、例えば厚さ１０μｍ程度の単結晶Ｓｉ層５ａ２　と、
厚さ数百μｍの従来よりも厚い多結晶Ｓｉ層５ｂ１　と
を形成する。

【００４０】以上のようにして製造された半導体ウエハ
６ａの単結晶Ｓｉ層５ａ２　は、無欠陥層、すなわち、
素子形成層となる。すなわち、本実施例においては、厚
さの一定な無欠陥層を形成することができる。

【００４１】また、半導体ウエハ６ａの多結晶Ｓｉ層５
ｂ１　は、重金属原子等のような有害不純物を捕縛する
ゲッタリング層となる。本実施例の場合、多結晶Ｓｉ層
５ｂ１　の厚さを従来の数百倍にできるので、通常のレ
ベルの重金属原子等では、ゲッタリング中心である粒界
歪が飽和されることがない。

【００４２】その後、単結晶Ｓｉ層５ａ２　に、ウエハ
プロセスの常法によって例えばバイポーラトランジスタ
やＭＯＳトランジスタ等のような半導体集積回路素子を
形成する。

【００４３】このように本実施例によれば、以下の効果
を得ることが可能となる。

【００４４】（１）．単結晶Ｓｉウエハ５ａと、それと
は別体に製造された多結晶Ｓｉウエハ５ｂとを直接接合
し、その多結晶Ｓｉウエハ５ｂをゲッタリング用多結晶
Ｓｉ層とすることにより、従来よりも厚いゲッタリング
用多結晶Ｓｉ層を短時間で形成することができる。この
ため、半導体ウエハ６ａの製造時間を増加させることな
く、ゲッタリング効果を向上させ、かつ、ゲッタリング
効果を長時間持続させることが可能となる。

【００４５】（２）．上記（１）　により、例えば超Ｌ
ＳＩ等、熱処理工程数の多いデバイスでもその最終熱処
理工程までゲッタリング効果を持続させることが可能と
なる。

【００４６】（３）．単結晶Ｓｉウエハ５ａと、それと
は別体に製造された多結晶Ｓｉウエハ５ｂとを直接接合
した後、単結晶Ｓｉウエハ５ａの上面を研削および研磨
して無欠陥層を形成することにより、無欠陥層の形成制
御を向上させることができるので、厚さが略均一な信頼
性の高い無欠陥層を確実に形成することが可能となる。

【００４７】（４）．上記（１）　〜（３）　により、
無欠陥層に形成される半導体集積回路素子の電気的特性
を向上させることができ、半導体集積回路装置の歩留り
および信頼性を大幅に向上させることが可能となる。

【００４８】次に、本発明の他の実施例を説明する。

【００４９】図７は本発明の他の実施例である半導体ウ
エハの製造工程を示す工程図、図８は第一の単結晶Ｓｉ
ウエハの平面図、図９は第二の単結晶Ｓｉウエハの平面
図、図１０は図７の第一、第二の単結晶Ｓｉウエハ接合
工程後の半導体ウエハの断面図、図１１は図７の研削工
程後の半導体ウエハの断面図、図１２は図７の鏡面研磨
工程後の半導体ウエハの断面図である。

【００５０】本実施例の半導体ウエハの製造方法は、図
７に示すように、例えば次の七つの工程を有している。

【００５１】すなわち、第一の単結晶Ｓｉウエハ製造工
程１ｃ、第二の単結晶Ｓｉウエハ製造工程１ｄ、析出核
形成工程１ｅ、微小欠陥形成工程１ｆ、第一、第二の単
結晶Ｓｉウエハ接合工程２ｂ、研削工程３および鏡面研
磨工程４である。

【００５２】以下、本実施例の半導体ウエハの製造方法
を図７に従って図８〜図１２により説明する。

【００５３】第一の単結晶Ｓｉウエハ製造工程１ｃによ
って製造された第一の単結晶Ｓｉウエハを図８に示す。 第一の単結晶Ｓｉウエハ５ｃは、例えば抵抗率が１０Ω
ｃｍ程度のｐ形単結晶Ｓｉからなり、その（１００）面
は鏡面研磨されている。また、第一の単結晶Ｓｉウエハ
５ｃの格子間酸素濃度は、例えば７×１０１７個／ｃｍ
３　程度である。

【００５４】次に、第二の単結晶Ｓｉウエハ製造工程１
ｄによって製造された第二の単結晶Ｓｉウエハを図９に
示す。第二の単結晶Ｓｉウエハ５ｄは、例えば抵抗率が
１０Ωｃｍ程度のｐ形単結晶Ｓｉからなり、その（１０
０）面は鏡面研磨されている。ただし、第二の単結晶Ｓ
ｉウエハ５ｄの格子間酸素濃度は、例えば１×１０１８
個／ｃｍ３　程度であり、第一の単結晶Ｓｉウエハ５ｃ
の格子間酸素濃度よりも高く設定されている。

【００５５】なお、第一、第二の単結晶Ｓｉウエハ５ｃ
，５ｄは、例えばチョクラルスキー法等のような単結晶
Ｓｉ育成法によって形成された単結晶Ｓｉインゴットを
幾つかのブロックに分け、その決められた面にオリエン
テーションフラットを形成した後、そのブロックをダイ
ヤモンド内周刃等によりウエハ状に切断して形成されて
いる。そして、前記実施例、同様、この段階では、第一
、第二の単結晶Ｓｉウエハ５ｃ，５ｄの外周にエッジ加
工は施されていない。

【００５６】析出核形成工程１ｅは、第二の単結晶Ｓｉ
ウエハ５ｄの内部に酸素析出核（欠陥核）を形成するた
めの工程であり、第二の単結晶Ｓｉウエハ５ｄに対して
、例えば７００℃、３時間程度の熱処理を施す。

【００５７】微小欠陥形成工程１ｆは、核形成工程１ｅ
で形成した酸素析出核を成長させて第二の単結晶Ｓｉウ
エハ５ｄに、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）析出物、
転位ループまたは積層欠陥等のような微小欠陥からなる
微小欠陥層（図示せず）を形成する工程であり、第二の
単結晶Ｓｉウエハ５ｄに対して、例えば１０００℃、１
６時間程度の熱処理を施す。

【００５８】続く第一、第二の単結晶Ｓｉウエハ接合工
程２ｂにおいては、例えば次のような処理を行う。

【００５９】まず、第一の単結晶Ｓｉウエハ５ｃと第二
の単結晶Ｓｉウエハ５ｄとをそれらのオリエンテーショ
ンフラット位置を合わせ、かつ、鏡面同士を接触させた
状態で熱処理装置の処理室（図示せず）内に収容する。

【００６０】次いで、例えば熱処理装置の処理室内をＮ
２　ガス雰囲気とした後、例えば１２００℃、２時間程
度の熱処理を施し、図１０に示すように、第一、第二の
単結晶Ｓｉウエハ５ｃ，５ｄを直接接合して半導体ウエ
ハ６ｂを形成する。なお、第一、第二の単結晶Ｓｉウエ
ハ５ｃ，５ｄの界面の引張り強度は、例えば数百Ｋｇ／
ｃｍ２　程度以上となる。

【００６１】続く研削工程３においては、半導体ウエハ
６ｂの第一の単結晶Ｓｉウエハ５ｃの上面を平面研削盤
によって研削し、図１１に示すように、例えば厚さ２０
μｍ程度の単結晶Ｓｉ層５ｃ１　を形成する。

【００６２】その後の鏡面研磨工程４においては、半導
体ウエハ６ｂに対してラッピング処理およびポリッシン
グ処理等を行ってその表面を鏡面研磨し、図１２に示す
ように、例えば厚さ１０μｍ程度の単結晶Ｓｉ層５ｃ２
　と、ゲッタリング層を有する厚さ数百μｍの単結晶Ｓ
ｉ層５ｄ１　とを形成する。

【００６３】以上のようにして製造された半導体ウエハ
６ｂの単結晶Ｓｉ層５ｃ２　は、無欠陥層、すなわち、
素子形成層となる。

【００６４】また、半導体ウエハ６ｂの単結晶Ｓｉ層５
ｄ１　は、重金属原子等のような有害不純物を捕縛する
ゲッタリング層となる。

【００６５】ところで、本実施例においては、無欠陥層
である単結晶Ｓｉ層５ｃ２　と、ゲッタリング層である
単結晶Ｓｉ層５ｄ１　とを、それぞれ別体の単結晶Ｓｉ
ウエハ５ｃ，５ｄから形成する。

【００６６】このため、単結晶Ｓｉウエハ５ｃ，５ｄ同
士を接合する前に、それぞれの単結晶Ｓｉウエハ５ｃ，
５ｄに対してそれぞれの機能（素子形成機能、ゲッタリ
ング機能）を持たせるための形成制御を別々に行うこと
ができる。

【００６７】したがって、無欠陥層とゲッタリング層と
の形成制御が従来よりも容易となり、それぞれの層がそ
れぞれの層に要求される機能を充分発揮できるように条
件設定することができる。

【００６８】例えば本実施例の場合、一方の単結晶Ｓｉ
ウエハ５ｃの酸素濃度を無欠陥層を形成するための値と
し、他方の単結晶Ｓｉウエハ５ｄの酸素濃度をゲッタリ
ング層を形成するための値とすることができる。

【００６９】また、例えば本実施例の場合、無欠陥層を
形成する第一の単結晶Ｓｉウエハ５ｃには析出核を形成
するための熱処理を行わず、ゲッタリング層を形成する
第二の単結晶Ｓｉウエハ５ｄのみに析出核形成のための
熱処理を行うことができる。

【００７０】このため、単結晶Ｓｉ層５ｃ２　は析出核
を持たず、高温プロセス中に微小欠陥が発生する確率が
極めて低いので、微小欠陥密度の極めて低い無欠陥層を
形成することができる。一方、第二の単結晶Ｓｉウエハ
５ｄは、無欠陥層の形成を考慮しなくとも良いので、充
分な微小欠陥を形成することができる。

【００７１】しかも、第一の単結晶Ｓｉウエハ５ｃと第
二の単結晶Ｓｉウエハ５ｄとを接合した後、第一の単結
晶Ｓｉウエハ５ｃを研削および研磨することによって無
欠陥層である単結晶Ｓｉ層５ｃ２　を形成するので、そ
の厚さを従来よりも均一に形成することができる。

【００７２】最後に、単結晶Ｓｉ層５ａ２　に、ウエハ
プロセスの常法によって例えばバイポーラトランジスタ
やＭＯＳトランジスタ等のような半導体集積回路素子を
形成する。

【００７３】このように本実施例によれば、以下の効果
を得ることが可能となる。

【００７４】（１）．無欠陥層を形成する第一の単結晶
Ｓｉウエハ５ｃと、ゲッタリング層を形成する第二の単
結晶Ｓｉウエハ５ｄとを接合して一つの半導体ウエハ６
ｂを形成することにより、接合工程の前段階において、
無欠陥層とゲッタリング層との微小欠陥の形成制御を別
々に行うことができるので、その形成制御を容易にする
ことが可能となる。

【００７５】（２）．上記（１）　により、従来よりも
微小欠陥密度が低く、しかも厚さが略均一な信頼性の高
い無欠陥層を確実に形成することが可能となる。

【００７６】（３）．上記（１）　により、単結晶Ｓｉ
層５ｄ１　に充分な微小欠陥を形成することができるの
で、ゲッタリング効果を向上させることができ、かつ、
その効果を長時間持続させることが可能となる。

【００７７】（４）．上記（１）　〜（３）　により、
無欠陥層に形成される半導体集積回路素子の電気的特性
を向上させることができ、半導体集積回路装置の歩留り
および信頼性を大幅に向上させることが可能となる。

【００７８】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００７９】例えば前記図７〜図１２で説明した実施例
においては、第二の単結晶Ｓｉウエハに微小欠陥を形成
した後、第一、第二の単結晶Ｓｉウエハを接合した場合
について説明したが、これに限定されるものではなく種
々変更可能であり、例えば第二の単結晶Ｓｉウエハに析
出核だけ形成した後、第一、第二の単結晶Ｓｉウエハを
接合し、微小欠陥は、その後のデバスプロセスにおける
熱処理中に成長させるようにしても良い。

【００８０】また、前記各実施例においては、Ｓｉウエ
ハの接合に際して熱処理室内をＮ２　ガス雰囲気とした
が、これに限定されるものではなく種々変更可能であり
、例えばアルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気あるいは酸素ガス
雰囲気としても良い。

【００８１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００８２】（１）．すなわち、請求項１記載の発明に
よれば、単結晶Ｓｉウエハとそれとは別体に製造された
多結晶Ｓｉウエハとを直接接合し、その多結晶Ｓｉウエ
ハをゲッタリング用多結晶Ｓｉ層とすることにより、従
来よりも厚いゲッタリング用多結晶Ｓｉ層を短時間で形
成することができる。このため、半導体ウエハの製造時
間を増加させることなく、ゲッタリング効果を向上させ
、かつ、ゲッタリング効果を長時間持続させることが可
能となる。

【００８３】（２）．請求項２記載の発明によれば、無
欠陥層を形成する第一の単結晶Ｓｉウエハと、ゲッタリ
ング層を形成する第二の単結晶Ｓｉウエハとを接合して
一つの半導体ウエハを形成することにより、接合工程の
前段階において無欠陥層とゲッタリング層との微小欠陥
の形成制御を別々に行えるので、その形成制御を容易に
することが可能となる。このため、ゲッタリング層の微
小欠陥密度を高密度に維持したまま、厚さの略均一な信
頼性の高い無欠陥層を確実に形成することが可能となる
。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である半導体ウエハの製造方
法を説明するための工程図である。

【図２】単結晶Ｓｉウエハの平面図である。

【図３】多結晶Ｓｉウエハの平面図である。

【図４】図１の両Ｓｉウエハ接合工程後の半導体ウエハ
の断面図である。

【図５】図１の研削工程後の半導体ウエハの断面図であ
る。

【図６】図１の鏡面研磨工程後の半導体ウエハの断面図
である。

【図７】本発明の他の実施例である半導体ウエハの製造
工程を示す工程図である。

【図８】第一の単結晶Ｓｉウエハの平面図である。

【図９】第二の単結晶Ｓｉウエハの平面図である。

【図１０】図７の第一、第二の単結晶Ｓｉウエハ接合工
程後の半導体ウエハの断面図である。

【図１１】図７の研削工程後の半導体ウエハの断面図で
ある。

【図１２】図７の鏡面研磨工程後の半導体ウエハの断面
図である。

【符号の説明】

１ａ　　単結晶Ｓｉウエハ製造工程 １ｂ　　多結晶Ｓｉウエハ製造工程 １ｃ　　第一の単結晶Ｓｉウエハ製造工程１ｄ　　第二
の単結晶Ｓｉウエハ製造工程１ｅ　　析出核形成工程 １ｆ　　微小欠陥形成工程 ２ａ　　両Ｓｉウエハ接合工程 ２ｂ　　第一、第二の単結晶Ｓｉウエハ接合工程３　　
研削工程 ４　　鏡面研磨工程 ５ａ　　単結晶Ｓｉウエハ ５ａ１　　　単結晶Ｓｉ層 ５ａ２　　　単結晶Ｓｉ層 ５ｂ　　多結晶Ｓｉウエハ ５ｂ１　　　多結晶Ｓｉ層 ５ｃ　　第一の単結晶Ｓｉウエハ ５ｃ１　　　単結晶Ｓｉ層 ５ｃ２　　　単結晶Ｓｉ層 ５ｄ　　第二の単結晶Ｓｉウエハ ５ｄ１　　　単結晶Ｓｉ層 ６ａ　　半導体ウエハ ６ｂ　　半導体ウエハ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　単結晶シリコンウエハと、多結晶シリ
   コンウエハとの互いの鏡面を接触させた状態で加熱処理
   を施してそれらのウエハを接合した後、少なくとも前記
   単結晶シリコンウエハの表面を鏡面研磨することを特徴
   とする半導体ウエハの製造方法。
2. 【請求項２】　　請求項１記載の鏡面研磨後の単結晶シ
   リコンウエハ側に、所定の半導体集積回路素子を形成し
   たことを特徴とする半導体集積回路装置。
3. 【請求項３】　　第一の単結晶シリコンウエハと、内部
   に欠陥核または微小欠陥を有する第二の単結晶シリコン
   ウエハとの互いの鏡面を接触させた状態で加熱処理を施
   してそれらのウエハを接合した後、少なくとも前記第一
   の単結晶シリコンウエハの表面を鏡面研磨することを特
   徴とする半導体ウエハの製造方法。
4. 【請求項４】　　請求項３記載の鏡面研磨後の第一の単
   結晶シリコンウエハ側に、所定の半導体集積回路素子を
   形成したことを特徴とする半導体集積回路装置。