JPH04270246A - シクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体の製造方法 - Google Patents
シクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体の製造方法Info
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- JPH04270246A JPH04270246A JP5022791A JP5022791A JPH04270246A JP H04270246 A JPH04270246 A JP H04270246A JP 5022791 A JP5022791 A JP 5022791A JP 5022791 A JP5022791 A JP 5022791A JP H04270246 A JPH04270246 A JP H04270246A
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はジアゾ化合物(ジアゾニ
ウム塩)の感光性を利用した記録材料に用いられるカッ
プリング成分や、除草剤や植物成長抑制剤の中間体とし
て有用なシクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体の製造
方法に関する。
ウム塩)の感光性を利用した記録材料に用いられるカッ
プリング成分や、除草剤や植物成長抑制剤の中間体とし
て有用なシクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体の製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】本発明は、シクロヘキサン−1,3−ジ
オン−2−オン誘導体の製造方法に関するものである。
オン−2−オン誘導体の製造方法に関するものである。
【0003】シクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体は
、ジアゾ化合物とカップリングし発色するカップリング
成分の骨格として知られている。例えば、特開平2−5
4251号には、該シクロヘキサン−1,3−ジオンを
記録材料中に使用する例がある。
、ジアゾ化合物とカップリングし発色するカップリング
成分の骨格として知られている。例えば、特開平2−5
4251号には、該シクロヘキサン−1,3−ジオンを
記録材料中に使用する例がある。
【0004】また、シクロヘキサン−1,3−ジオン誘
導体は除草剤や植物成長抑制剤の出発物質としても知ら
れている。例えば、米国特許4938793号、特開昭
54−63052号、特開平2−193956号などに
は、シクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体からエステ
ル化、アシル転位、オキシム化を経て2−シクロヘキセ
ノン骨格を持つ除草剤や植物成長抑制剤に導いた例が記
載されている。
導体は除草剤や植物成長抑制剤の出発物質としても知ら
れている。例えば、米国特許4938793号、特開昭
54−63052号、特開平2−193956号などに
は、シクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体からエステ
ル化、アシル転位、オキシム化を経て2−シクロヘキセ
ノン骨格を持つ除草剤や植物成長抑制剤に導いた例が記
載されている。
【0005】このようなシクロヘキサン−1,3−ジオ
ン誘導体の合成方法は既に良く知られており、例えば、
Org.Syn.Coll.Vol.2,200、Co
ll.Vol.3,278(1943)などに詳しく記
載されている。しかしながら、反応処理時のハンドリン
グなどの点で満足のいくものではなかった。
ン誘導体の合成方法は既に良く知られており、例えば、
Org.Syn.Coll.Vol.2,200、Co
ll.Vol.3,278(1943)などに詳しく記
載されている。しかしながら、反応処理時のハンドリン
グなどの点で満足のいくものではなかった。
【0006】本発明者らは、4−置換アリール−3−ブ
テン−2−オン誘導体と、マロン酸ジエステル誘導体ま
たはシアノ酢酸エステル誘導体を出発原料としたシクロ
ヘキサン−1,3−ジオン誘導体周辺物の製造方法を探
索していたところ、塩基の存在下反応させた後シクロヘ
キサン−1,3−ジオン誘導体の塩で取り出し、酸性水
で中和して単離することにより、反応処理のハンドリン
グが良くなる、結晶析出が早いなどの利点を有すること
を見出し本発明を完成するに至った。
テン−2−オン誘導体と、マロン酸ジエステル誘導体ま
たはシアノ酢酸エステル誘導体を出発原料としたシクロ
ヘキサン−1,3−ジオン誘導体周辺物の製造方法を探
索していたところ、塩基の存在下反応させた後シクロヘ
キサン−1,3−ジオン誘導体の塩で取り出し、酸性水
で中和して単離することにより、反応処理のハンドリン
グが良くなる、結晶析出が早いなどの利点を有すること
を見出し本発明を完成するに至った。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、シク
ロヘキサン−1,3−ジオン誘導体の製造方法を提供す
ることにある。
ロヘキサン−1,3−ジオン誘導体の製造方法を提供す
ることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、ジアゾ
化合物とカップリングし発色するカップリング成分、ま
た、除草剤や植物成長抑制剤の出発物質として有用な、
シクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体の製造方法に関
する。
化合物とカップリングし発色するカップリング成分、ま
た、除草剤や植物成長抑制剤の出発物質として有用な、
シクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体の製造方法に関
する。
【0009】更に詳しくは、一般式(III)で表され
る4−置換アリール−3−ブテン−2−オン誘導体と、
マロン酸ジエステル誘導体またはシアノ酢酸エステル誘
導体を塩基存在下で反応させ、一般式(IV)で表され
るシクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体を製造する方
法において、反応終了後取り出した塩を酸性水で中和し
て単離することを特徴とするシクロヘキサン−1,3−
ジオン誘導体の製造方法に関するものである。
る4−置換アリール−3−ブテン−2−オン誘導体と、
マロン酸ジエステル誘導体またはシアノ酢酸エステル誘
導体を塩基存在下で反応させ、一般式(IV)で表され
るシクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体を製造する方
法において、反応終了後取り出した塩を酸性水で中和し
て単離することを特徴とするシクロヘキサン−1,3−
ジオン誘導体の製造方法に関するものである。
【0010】一般式(III)
【化3】
【0011】一般式(IV)
【化4】
【0012】一般式(III)、(IV)において、R
1 、R2およびR3 は同一でも異なっていてもよく
、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、
置換アミノ基、置換カルボニル基、シアノ基を、Rはア
ルキル基を、Arは芳香環を表す。
1 、R2およびR3 は同一でも異なっていてもよく
、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、
置換アミノ基、置換カルボニル基、シアノ基を、Rはア
ルキル基を、Arは芳香環を表す。
【0013】R1 、R2 およびR3 で表される基
としては水素原子、炭素原子数1〜10のアルキル基、
炭素原子数6〜20のアリール基、炭素原子数2〜25
のアルコキシカルボニル基、炭素原子数2〜25のアル
キルカルボニル基、炭素原子数7〜35のアリールカル
ボニル基、シアノ基が好ましい。
としては水素原子、炭素原子数1〜10のアルキル基、
炭素原子数6〜20のアリール基、炭素原子数2〜25
のアルコキシカルボニル基、炭素原子数2〜25のアル
キルカルボニル基、炭素原子数7〜35のアリールカル
ボニル基、シアノ基が好ましい。
【0014】Arで表される芳香環は、ベンゼン環、ナ
フタレン環、ピリジン環、ピリミジン環などが好ましい
。特に、ベンゼン環、ナフタレン環が好ましい。
フタレン環、ピリジン環、ピリミジン環などが好ましい
。特に、ベンゼン環、ナフタレン環が好ましい。
【0015】芳香環は置換基を有していてもよく、環上
の置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、アリール基、ハロゲン原子、置換アミノ基、
アルキルチオ基、アリールチオ基が好ましく、特に、ア
ルコキシ置換フェニル基、アルコキシ置換ナフチル基が
好ましい。
の置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、アリール基、ハロゲン原子、置換アミノ基、
アルキルチオ基、アリールチオ基が好ましく、特に、ア
ルコキシ置換フェニル基、アルコキシ置換ナフチル基が
好ましい。
【0016】一般式(IV)において、R1 とR2
、R2 とR3 は互いに結合してヘテロ原子を含む環
を形成していてもよい。
、R2 とR3 は互いに結合してヘテロ原子を含む環
を形成していてもよい。
【0017】一般式(IV)において、Rで表される基
のうち炭素原子数1〜20のアルキル基が好ましく、特
に炭素原子数1〜12のアルキル基が好ましい。
のうち炭素原子数1〜20のアルキル基が好ましく、特
に炭素原子数1〜12のアルキル基が好ましい。
【0018】本発明に係る製造方法は、下記反応式で示
される。
される。
【0019】
【化5】
【0020】また、上式中で出発原料として用いる4−
置換アリール−3−ブテン−2−オン誘導体(A)は、
常法により下記反応式に従う置換アリールアルデヒドと
アセトンを縮合させるか、アセト酢酸誘導体を縮合、加
水分解した後脱炭酸して得られる。
置換アリール−3−ブテン−2−オン誘導体(A)は、
常法により下記反応式に従う置換アリールアルデヒドと
アセトンを縮合させるか、アセト酢酸誘導体を縮合、加
水分解した後脱炭酸して得られる。
【0021】本発明で使用される4−置換アリール−3
−ブテン−2−オン誘導体としては、中間体合成の容易
さから、4−フエニル−3−ブテン−2−オン、4−(
2−ヘキシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン
、4−(3−ヘキシルオキシフエニル)−3−ブテン−
2−オン、4−(4−ヘキシルオキシフエニル)−3−
ブテン−2−オン、4−(2−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オン、4−(3−オクチルオキシ
フエニル)−3−ブテン−2−オン、4−(4−オクチ
ルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン、4−(2
−デシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン、4
−(3−デシルルオキシフエニル)−3−ブテン−2−
オン、4−(4−デシルルオキシフエニル)−3−ブテ
ン−2−オン、4−(2−ドデシルオキシフエニル)−
3−ブテン−2−オン、4−(3−ドデシルオキシフエ
ニル)−3−ブテン−2−オン、4−(4−ドデシルオ
キシフエニル)−3−ブテン−2−オン、4−(2−テ
トラデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン、
4−(3−テトラデシルオキシフエニル)−3−ブテン
−2−オン、4−(4−テトラデシルオキシフエニル)
−3−ブテン−2−オン、4−(2−ヘキサデシルオキ
シフエニル)−3−ブテン−2−オン、4−(3−ヘキ
サデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン、4
−(4−ヘキサデシルオキシフエニル)−3−ブテン−
2−オン、4−(4−オクチルオキシ−2−メトキシフ
エニル)−3−ブテン−2−オン、4−(4−オクチル
オキシ−3−メトキシフエニル)−3−ブテン−2−オ
ン、4−(2,4−ジ−オクチルオキシフエニル)−3
−ブテン−2−オン、4−(2,3−ジ−テトラデシル
オキシフエニル)−3−ブテン−2−オン、4−(2−
オクチルオキシナフチル)−3−ブテン−2−オン、4
−(2−ドデシルオキシナフチル)−3−ブテン−2−
オン等、4−置換アリール−3−ブテン−2−オン誘導
体を用いるのが好ましい。
−ブテン−2−オン誘導体としては、中間体合成の容易
さから、4−フエニル−3−ブテン−2−オン、4−(
2−ヘキシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン
、4−(3−ヘキシルオキシフエニル)−3−ブテン−
2−オン、4−(4−ヘキシルオキシフエニル)−3−
ブテン−2−オン、4−(2−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オン、4−(3−オクチルオキシ
フエニル)−3−ブテン−2−オン、4−(4−オクチ
ルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン、4−(2
−デシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン、4
−(3−デシルルオキシフエニル)−3−ブテン−2−
オン、4−(4−デシルルオキシフエニル)−3−ブテ
ン−2−オン、4−(2−ドデシルオキシフエニル)−
3−ブテン−2−オン、4−(3−ドデシルオキシフエ
ニル)−3−ブテン−2−オン、4−(4−ドデシルオ
キシフエニル)−3−ブテン−2−オン、4−(2−テ
トラデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン、
4−(3−テトラデシルオキシフエニル)−3−ブテン
−2−オン、4−(4−テトラデシルオキシフエニル)
−3−ブテン−2−オン、4−(2−ヘキサデシルオキ
シフエニル)−3−ブテン−2−オン、4−(3−ヘキ
サデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン、4
−(4−ヘキサデシルオキシフエニル)−3−ブテン−
2−オン、4−(4−オクチルオキシ−2−メトキシフ
エニル)−3−ブテン−2−オン、4−(4−オクチル
オキシ−3−メトキシフエニル)−3−ブテン−2−オ
ン、4−(2,4−ジ−オクチルオキシフエニル)−3
−ブテン−2−オン、4−(2,3−ジ−テトラデシル
オキシフエニル)−3−ブテン−2−オン、4−(2−
オクチルオキシナフチル)−3−ブテン−2−オン、4
−(2−ドデシルオキシナフチル)−3−ブテン−2−
オン等、4−置換アリール−3−ブテン−2−オン誘導
体を用いるのが好ましい。
【0022】また、マロン酸ジエステル誘導体(B)と
しては、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、マロン
酸ジプロピル、マロン酸ジイソプロピル、マロン酸ジブ
チル、マロン酸ジ−s−ブチル、マロン酸ジ−t−ブチ
ル、マロン酸ジペンチル、マロン酸ジヘキシル、マロン
酸ジオクチル、マロン酸ジデシル、マロン酸ジドデシル
等、が好ましい。
しては、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、マロン
酸ジプロピル、マロン酸ジイソプロピル、マロン酸ジブ
チル、マロン酸ジ−s−ブチル、マロン酸ジ−t−ブチ
ル、マロン酸ジペンチル、マロン酸ジヘキシル、マロン
酸ジオクチル、マロン酸ジデシル、マロン酸ジドデシル
等、が好ましい。
【0023】また、塩基性物質として、ナトリウムメト
キシド、ナトリウムエトキシド等、ナトリウムアルコキ
シド、金属ナトリウム、カリウム−t−ブトキシド、水
素化ナトリウム、ナトリウムアミン、リチウムアミン、
トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジン
が好ましく、特に、ナトリウムアルコキシドが好ましい
。
キシド、ナトリウムエトキシド等、ナトリウムアルコキ
シド、金属ナトリウム、カリウム−t−ブトキシド、水
素化ナトリウム、ナトリウムアミン、リチウムアミン、
トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジン
が好ましく、特に、ナトリウムアルコキシドが好ましい
。
【0024】本発明の実施にあたっては、マロン酸ジエ
ステル誘導体とナトリウムアルコキシドをアルコールに
室温〜50℃で攪拌溶解し、4−置換アリール−3−ブ
テン−2オン誘導体を添加した後加熱還流してマイケル
付加反応を行う。
ステル誘導体とナトリウムアルコキシドをアルコールに
室温〜50℃で攪拌溶解し、4−置換アリール−3−ブ
テン−2オン誘導体を添加した後加熱還流してマイケル
付加反応を行う。
【0025】マロン酸ジエステル誘導体及びシアノ酢酸
エステル誘導体の使用量は、4−置換アリール誘導体1
モルに対して0.95〜1.20モルが好ましい。
エステル誘導体の使用量は、4−置換アリール誘導体1
モルに対して0.95〜1.20モルが好ましい。
【0026】ナトリウムアルコキシドの使用量は、4−
置換アリール誘導体1モルに対して0.95〜1.25
モルが好ましい。上記塩基性物質使用量の上限は臨界的
なものではなく、経済性を考慮して適宜定めうる。
置換アリール誘導体1モルに対して0.95〜1.25
モルが好ましい。上記塩基性物質使用量の上限は臨界的
なものではなく、経済性を考慮して適宜定めうる。
【0027】反応溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサ
ノール、ヘプタノール、オクタノール、等アルコール系
溶媒の他、THF、DMF、DMAc、スルホラン、N
−メチル−2−ピロリドン、アセトニトリル等の溶媒が
用いられるが、アルコール系の溶媒が特に好ましい。そ
の際、マロン酸ジアルキルのアルキル部分とアルコール
のアルキル部分とが同じであることが好ましい。
ル、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサ
ノール、ヘプタノール、オクタノール、等アルコール系
溶媒の他、THF、DMF、DMAc、スルホラン、N
−メチル−2−ピロリドン、アセトニトリル等の溶媒が
用いられるが、アルコール系の溶媒が特に好ましい。そ
の際、マロン酸ジアルキルのアルキル部分とアルコール
のアルキル部分とが同じであることが好ましい。
【0028】反応温度は、40〜120℃が好ましく、
特に50〜100℃が好ましい。
特に50〜100℃が好ましい。
【0029】反応時間は、30分〜5時間行うのが好ま
しく、特には1〜3時間が好ましい。
しく、特には1〜3時間が好ましい。
【0030】反応処理にあたっては、反応混合物を濃縮
後冷却し、ナトリウム塩として取り出した後、これに酸
性水を中和量以上加えて析出した結晶をろ過する方法が
好ましい。酸性水としては、希塩酸水、、硝酸水、硫酸
水が好ましく、特には、10%〜36%塩酸水が好まし
い。酸性水の使用量は、用いた塩基に対して1.0〜1
0.0モルが好ましく、特に、1.0〜3.0モルが好
ましい。再結晶溶媒としては、化合物の種類によって異
なるが、石油エーテル、ベンゼン、トルエン、ヘキサン
、ペンタン、酢酸エチル、アセトニトリル、アセトン、
クロロホルム、アルコール等が挙げられ、単独で使用し
てもよいし混合使用してもよい。
後冷却し、ナトリウム塩として取り出した後、これに酸
性水を中和量以上加えて析出した結晶をろ過する方法が
好ましい。酸性水としては、希塩酸水、、硝酸水、硫酸
水が好ましく、特には、10%〜36%塩酸水が好まし
い。酸性水の使用量は、用いた塩基に対して1.0〜1
0.0モルが好ましく、特に、1.0〜3.0モルが好
ましい。再結晶溶媒としては、化合物の種類によって異
なるが、石油エーテル、ベンゼン、トルエン、ヘキサン
、ペンタン、酢酸エチル、アセトニトリル、アセトン、
クロロホルム、アルコール等が挙げられ、単独で使用し
てもよいし混合使用してもよい。
【0031】上記した方法で得られたシクロヘキサン−
1,3−ジオン誘導体の具体例を下記に示すが、本発明
はこれによって限定されるものではない。
1,3−ジオン誘導体の具体例を下記に示すが、本発明
はこれによって限定されるものではない。
【0032】
【化6】
【0033】
【化7】
【0034】
【化8】
【0035】
【化9】
【0036】
【化10】
【0037】などが挙げられる。
【0038】以下、本発明を実施例によって更に詳述す
るが本発明はこれらの実施例によって制限されるもので
はない。
るが本発明はこれらの実施例によって制限されるもので
はない。
【0039】
【実施例】実施例1
4−(4−オクチルオキシフエニル)−3−ブテン−2
−オン274.0g、マロン酸ジメチル132.1gを
メタノール1lに溶解し、室温で、ナトリウムメトキシ
ド(28%メタノール溶液)192.9gを滴下した。 滴下終了後、加熱還流を2時間行った。反応混合物から
メタノールを濃縮した。濃縮物の残渣を冷却し10%塩
酸水365gを少しづつ加えた。析出した結晶をろ過し
、酢酸エチルで再結晶し、化合物(2)を355.3g
(収率=95%,m.p.=152〜153℃)を得た
。
−オン274.0g、マロン酸ジメチル132.1gを
メタノール1lに溶解し、室温で、ナトリウムメトキシ
ド(28%メタノール溶液)192.9gを滴下した。 滴下終了後、加熱還流を2時間行った。反応混合物から
メタノールを濃縮した。濃縮物の残渣を冷却し10%塩
酸水365gを少しづつ加えた。析出した結晶をろ過し
、酢酸エチルで再結晶し、化合物(2)を355.3g
(収率=95%,m.p.=152〜153℃)を得た
。
【0040】化合物(2)の構造は融点、 1H−NM
R(2次元含む)、MSより決定した。以下にそれらの
デ−タを示す。
R(2次元含む)、MSより決定した。以下にそれらの
デ−タを示す。
【0041】 1H−NMR(アセトンd6,δ値):
0.87−0.89(3H,t,J=6.4Hz)1.
25−1.50(10H,m,)1.72−1.79(
2H,m)2.52−2.60(1H,dd,J=4.
5Hz,17.3Hz)2.79−2.89(1H,d
d,J=11.6Hz,17.3Hz)3.48(3H
,s)3.55−3.65(1H,ddd,J=4.5
Hz,11.6Hz,12.6Hz)3.70−3.7
4(1H,d,J=12.6Hz)3.95−3.99
(2H,t,J=6.4Hz)5.41(1H,s)6
.90−7.28(2H,d,J=8.7Hz)7.2
8−7.31(2H,d,J=8.7Hz)
0.87−0.89(3H,t,J=6.4Hz)1.
25−1.50(10H,m,)1.72−1.79(
2H,m)2.52−2.60(1H,dd,J=4.
5Hz,17.3Hz)2.79−2.89(1H,d
d,J=11.6Hz,17.3Hz)3.48(3H
,s)3.55−3.65(1H,ddd,J=4.5
Hz,11.6Hz,12.6Hz)3.70−3.7
4(1H,d,J=12.6Hz)3.95−3.99
(2H,t,J=6.4Hz)5.41(1H,s)6
.90−7.28(2H,d,J=8.7Hz)7.2
8−7.31(2H,d,J=8.7Hz)
【0042
】M/e=374
】M/e=374
【0043】実施例2
合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(4
−ヘキシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン2
48.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を
行い化合物(1)334.0gを得た。(収率=96%
,m.p.=163〜164℃)
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(4
−ヘキシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン2
48.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を
行い化合物(1)334.0gを得た。(収率=96%
,m.p.=163〜164℃)
【0044】実施例3
合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(4
−デシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン30
2.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を行
い化合物(5)373.9gを得た。(収率=93%,
m.p.=144〜145℃)
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(4
−デシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン30
2.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を行
い化合物(5)373.9gを得た。(収率=93%,
m.p.=144〜145℃)
【0045】実施例4
合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(4
−ドデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン3
30.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を
行い化合物(6)408.5gを得た。(収率95%,
m.p.=146〜148℃)
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(4
−ドデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン3
30.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を
行い化合物(6)408.5gを得た。(収率95%,
m.p.=146〜148℃)
【0046】実施例5
合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(4
−テトラデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オ
ン358.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反
応を行い化合物(7)416.8gを得た。(収率=9
1%,m.p.=142〜143℃)
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(4
−テトラデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オ
ン358.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反
応を行い化合物(7)416.8gを得た。(収率=9
1%,m.p.=142〜143℃)
【0047】実施
例6 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(4
−ヘキサデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オ
ン386.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反
応を行い化合物(8)447.1gを得た。(収率=9
2%,m.p.=130〜138℃)
例6 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(4
−ヘキサデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オ
ン386.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反
応を行い化合物(8)447.1gを得た。(収率=9
2%,m.p.=130〜138℃)
【0048】実施
例7 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(4
−オクタデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オ
ン414.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反
応を行い化合物(9)478.0gを得た。(収率=9
3%,m.p.=150〜154℃)
例7 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(4
−オクタデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オ
ン414.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反
応を行い化合物(9)478.0gを得た。(収率=9
3%,m.p.=150〜154℃)
【0049】実施
例8 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
,4−ジオクチルオキシフエニル)−3−ブテン−2−
オン402.0g、酢酸エチルを使用する代わりに酢酸
エチル:ヘキサン=1:3(v/v)を使用した以外は
、合成例1と同様に反応を行い化合物(10)446.
8gを得た。(収率=89%,m.p.=66〜76℃
)
例8 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
,4−ジオクチルオキシフエニル)−3−ブテン−2−
オン402.0g、酢酸エチルを使用する代わりに酢酸
エチル:ヘキサン=1:3(v/v)を使用した以外は
、合成例1と同様に反応を行い化合物(10)446.
8gを得た。(収率=89%,m.p.=66〜76℃
)
【0050】実施例9
合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
−メトキシ−4−デシルオキシフエニル)−3ブテン−
2−オン332.0gを使用した以外は、合成例1と同
様に反応を行い化合物(11)401.8gを得た。(
収率=93%,m.p.=143〜145℃)
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
−メトキシ−4−デシルオキシフエニル)−3ブテン−
2−オン332.0gを使用した以外は、合成例1と同
様に反応を行い化合物(11)401.8gを得た。(
収率=93%,m.p.=143〜145℃)
【005
1】実施例10 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
−メトキシ−4−ドデシルオキシフエニル)−3−ブテ
ン−2−オン360.0gを使用した以外は、合成例1
と同様に反応を行い化合物(13)437.0gを得た
。(収率=95%,m.p.=129〜131℃)
1】実施例10 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
−メトキシ−4−ドデシルオキシフエニル)−3−ブテ
ン−2−オン360.0gを使用した以外は、合成例1
と同様に反応を行い化合物(13)437.0gを得た
。(収率=95%,m.p.=129〜131℃)
【0
052】実施例11 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
−メトキシ−4−テトラデシルオキシフエニル)−3−
ブテン−2−オン 388.0gを使用した以外は、
合成例1と同様に反応を行い化合物(15)473.4
gを得た。(収率=97%,m.p.=138〜140
℃)
052】実施例11 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
−メトキシ−4−テトラデシルオキシフエニル)−3−
ブテン−2−オン 388.0gを使用した以外は、
合成例1と同様に反応を行い化合物(15)473.4
gを得た。(収率=97%,m.p.=138〜140
℃)
【0053】実施例12
合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
−メトキシ−4−ヘキサデシルオキシフエニル)−3−
ブテン−2−オン416.0gを使用した以外は、合成
例1と同様に反応を行い化合物(17)495.4gを
得た。(収率=96%,m.p.=148〜149℃)
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
−メトキシ−4−ヘキサデシルオキシフエニル)−3−
ブテン−2−オン416.0gを使用した以外は、合成
例1と同様に反応を行い化合物(17)495.4gを
得た。(収率=96%,m.p.=148〜149℃)
【0054】実施例13
合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
,4−ジヘキサデシルオキシフエニル)−3−ブテン−
2−オン626.0g、マロン酸ジメチルを使用する代
わりにマロン酸ジエチル160.0g、ナトリウムメト
キシドを使用する代わりにナトリウムエトキシド68.
02g、メタノールを使用する代わりにエタノールを使
用した以外は、合成例1と同様に反応を行い化合物(1
8)614.2gを得た。(収率=83%,m.p.=
68〜70℃)
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
,4−ジヘキサデシルオキシフエニル)−3−ブテン−
2−オン626.0g、マロン酸ジメチルを使用する代
わりにマロン酸ジエチル160.0g、ナトリウムメト
キシドを使用する代わりにナトリウムエトキシド68.
02g、メタノールを使用する代わりにエタノールを使
用した以外は、合成例1と同様に反応を行い化合物(1
8)614.2gを得た。(収率=83%,m.p.=
68〜70℃)
【0055】実施例14
合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
−メトキシ−4−テトラデシルオキシフエニル)−3−
ブテン−2−オン444.0gを使用した以外は、合成
例1と同様に反応を行い化合物(19)522.2gを
得た。(収率=96%,m.p.=114〜117℃)
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(3
−メトキシ−4−テトラデシルオキシフエニル)−3−
ブテン−2−オン444.0gを使用した以外は、合成
例1と同様に反応を行い化合物(19)522.2gを
得た。(収率=96%,m.p.=114〜117℃)
【0056】実施例15
合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−ドデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン3
30.0g、酢酸エチルを使用する代わりにアセトニト
リルを使用した以外は、合成例1と同様に反応を行い化
合物(26)408.5gを得た。(収率=95%,m
.p.=59〜62℃)
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−ドデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オン3
30.0g、酢酸エチルを使用する代わりにアセトニト
リルを使用した以外は、合成例1と同様に反応を行い化
合物(26)408.5gを得た。(収率=95%,m
.p.=59〜62℃)
【0057】実施例16
合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−テトラデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オ
ン358.0g、酢酸エチルを使用する代わりにアセト
ニトリルを使用した以外は、合成例1と同様に反応を行
い化合物(27)425.9gを得た。(収率=93%
,m.p.=75〜77℃)
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−テトラデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オ
ン358.0g、酢酸エチルを使用する代わりにアセト
ニトリルを使用した以外は、合成例1と同様に反応を行
い化合物(27)425.9gを得た。(収率=93%
,m.p.=75〜77℃)
【0058】実施例17
合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−オクタデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オ
ン414.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反
応を行い化合物(30)472.9gを得た。(収率=
92%,m.p.=64〜67℃)
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−オクタデシルオキシフエニル)−3−ブテン−2−オ
ン414.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反
応を行い化合物(30)472.9gを得た。(収率=
92%,m.p.=64〜67℃)
【0059】実施例
18 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−[2
−{2−(2,4−ジ−t−ペンチルフェノキシ)ブチ
ルオキシ}フェニル]−3−ブテン−2−オン450.
0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を行い化
合物(31)495.0gを得た。(収率=90%,m
.p.=60〜62℃)
18 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−[2
−{2−(2,4−ジ−t−ペンチルフェノキシ)ブチ
ルオキシ}フェニル]−3−ブテン−2−オン450.
0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を行い化
合物(31)495.0gを得た。(収率=90%,m
.p.=60〜62℃)
【0060】実施例19
合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−ヘキチルオキシナフチル)−3−ブテン−2−オン2
96.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を
行い化合物(33)388.1gを得た。(収率=98
%,m.p.=180〜183℃)
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−ヘキチルオキシナフチル)−3−ブテン−2−オン2
96.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を
行い化合物(33)388.1gを得た。(収率=98
%,m.p.=180〜183℃)
【0061】実施例
20 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−オクチルオキシナフチル)−3−ブテン−2−オン3
24.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を
行い化合物(34)407.0gを得た。(収率=96
%,m.p.=128〜129℃)
20 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−オクチルオキシナフチル)−3−ブテン−2−オン3
24.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を
行い化合物(34)407.0gを得た。(収率=96
%,m.p.=128〜129℃)
【0062】実施例
21 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−{2
−(2−エチルヘキシル)オキシナフチル}−3−ブテ
ン−2−オン324.0gを使用した以外は、合成例1
と同様に反応を行い化合物(35)398.6gを得た
。(収率=94%,m.p.=135〜145℃)
21 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−{2
−(2−エチルヘキシル)オキシナフチル}−3−ブテ
ン−2−オン324.0gを使用した以外は、合成例1
と同様に反応を行い化合物(35)398.6gを得た
。(収率=94%,m.p.=135〜145℃)
【0
063】実施例22 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−ドデシルオキシナフチル)−3−ブテン−2−オン3
52.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を
行い化合物(36)429.4gを得た。(収率=95
%,m.p.=137〜140℃)
063】実施例22 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−ドデシルオキシナフチル)−3−ブテン−2−オン3
52.0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を
行い化合物(36)429.4gを得た。(収率=95
%,m.p.=137〜140℃)
【0064】実施例
23 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−ドデシルオキシナフチル)−3−ブテン−2−オン3
52.0g、マロン酸ジメチルを使用する代わりにマロ
ン酸ジイソプピル188.0g、ナトリウムメトキシド
を使用する代わりにナトリウムイソプロピルオキシド8
2.0g、メタノールを使用する代わりにイソプロピル
アルコールを使用した以外は、合成例1と同様に反応を
行い化合物(37)436.8gを得た。(収率=91
%,m.p.=123〜126℃)
23 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−(2
−ドデシルオキシナフチル)−3−ブテン−2−オン3
52.0g、マロン酸ジメチルを使用する代わりにマロ
ン酸ジイソプピル188.0g、ナトリウムメトキシド
を使用する代わりにナトリウムイソプロピルオキシド8
2.0g、メタノールを使用する代わりにイソプロピル
アルコールを使用した以外は、合成例1と同様に反応を
行い化合物(37)436.8gを得た。(収率=91
%,m.p.=123〜126℃)
【0065】実施例
24 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−[2
−{2−(2,4−ジ−t−ペンチルフェノキシ)ブチ
ルオキシ}ナフチル]−3−ブテン−2−オン500.
0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を行い化
合物(40)576.0gを得た。(収率=98%,m
.p.=148〜150℃)
24 合成例1において、4−(4−オクチルオキシフエニル
)−3−ブテン−2−オンを使用する代わりに4−[2
−{2−(2,4−ジ−t−ペンチルフェノキシ)ブチ
ルオキシ}ナフチル]−3−ブテン−2−オン500.
0gを使用した以外は、合成例1と同様に反応を行い化
合物(40)576.0gを得た。(収率=98%,m
.p.=148〜150℃)
Claims (4)
- 【請求項1】 一般式(I)で表される4−置換
アリール−3−ブテン−2−オン誘導体と、マロン酸ジ
エステル誘導体を塩基存在下で反応させ、一般式(II
)で表されるシクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体を
製造する方法において、反応終了後取り出した塩を酸性
水で中和して単離することを特徴とするシクロヘキサン
−1,3−ジオン誘導体の製造方法。 一般式(I) 【化1】 (上式中、R1 、R2 およびR3 は同一でも異な
っていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、
アラルキル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、シア
ノ基を、Arは芳香環を表し、芳香環は置換基を有して
いてもよく、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基
、アリールオキシ基、アリール基、ハロゲン原子、置換
アミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表す芳香
環を表す。) 一般式(II) 【化2】 (上式中、R1 、R2 およびR3 は同一でも異な
っていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、
アラルキル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、シア
ノ基を、Rはアルキル基を、Arは芳香環を表し、芳香
環は置換基を有していてもよく、置換基としてはアルキ
ル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリール基、
ハロゲン原子、置換アミノ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基を表す芳香環を表す。) - 【請求項2】 塩基がナトリウムアルコキシドで
あることを特徴とする請求項1記載の製造方法。 - 【請求項3】 塩基がナトリウムアルコキシドと
ピリジン誘導体の混合物であることを特徴とする請求項
1記載の製造方法。 - 【請求項4】 一般式(I)及び(II)で表さ
れるArが、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、
ピリミジン環であり、環上の置換基がアルキル基、アル
コキシ基、アルキルチオ基であることを特徴とする請求
項1記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5022791A JPH04270246A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | シクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5022791A JPH04270246A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | シクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04270246A true JPH04270246A (ja) | 1992-09-25 |
Family
ID=12853150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5022791A Pending JPH04270246A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | シクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04270246A (ja) |
-
1991
- 1991-02-25 JP JP5022791A patent/JPH04270246A/ja active Pending
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