JPH04268091A - 絶縁性ストリップをめっきするための方法および装置 - Google Patents
絶縁性ストリップをめっきするための方法および装置Info
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 claims 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 abstract 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/02—Heating or cooling
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
- C25D7/0614—Strips or foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】本発明は、ストリップをめっきするための
方法および装置に関する。
方法および装置に関する。
【０００２】金属で被覆した可撓性の絶縁性材料に関し
ては現在幾つかの用途がある。その中で主なものは、テ
ープ自動化接続（ＴＡＢ） における接点フィンガー、
およびある種のコネクター（米国特許第４，８０６，１
０７ 号参照）およびラミネート化したプリント回路基
板で使用する様な可撓性回路である。その様な多くの用
途では、絶縁性材料を幅の広い（一般的に１４インチ（
３５．６ ｃｍ） ）連続ストリップの形で処理してい
る。その様な幅の広いストリップ上に均一に被覆するの
は困難である。その上、ほとんどの用途で、少なくとも
１０％の伸長性を有する被覆ストリップを製造するのが
望ましい。一般に、プリント回路基板を硫酸銅浴を使用
して銅めっきする方法が公知であり、２３％までの伸長
が報告されている（米国特許第４，２４２，１８１ 号
参照）。また、高電流密度、浴の攪拌を使用し、１２−
１４％の伸長を達成している電鋳方法も開示されている
（米国特許第４，７８１，７９９ 号参照）。最後に、
電解液中にガスをポンプで送り込むことにより発泡電解
液を形成する方法も一般的に公知である（米国特許第４
，３６０，４１０号参照）。しかし、高伸長性を有する
、幅の広い絶縁性ストリップの均質な被覆を一貫して達
成する方法はまだ開示されていない。
ては現在幾つかの用途がある。その中で主なものは、テ
ープ自動化接続（ＴＡＢ） における接点フィンガー、
およびある種のコネクター（米国特許第４，８０６，１
０７ 号参照）およびラミネート化したプリント回路基
板で使用する様な可撓性回路である。その様な多くの用
途では、絶縁性材料を幅の広い（一般的に１４インチ（
３５．６ ｃｍ） ）連続ストリップの形で処理してい
る。その様な幅の広いストリップ上に均一に被覆するの
は困難である。その上、ほとんどの用途で、少なくとも
１０％の伸長性を有する被覆ストリップを製造するのが
望ましい。一般に、プリント回路基板を硫酸銅浴を使用
して銅めっきする方法が公知であり、２３％までの伸長
が報告されている（米国特許第４，２４２，１８１ 号
参照）。また、高電流密度、浴の攪拌を使用し、１２−
１４％の伸長を達成している電鋳方法も開示されている
（米国特許第４，７８１，７９９ 号参照）。最後に、
電解液中にガスをポンプで送り込むことにより発泡電解
液を形成する方法も一般的に公知である（米国特許第４
，３６０，４１０号参照）。しかし、高伸長性を有する
、幅の広い絶縁性ストリップの均質な被覆を一貫して達
成する方法はまだ開示されていない。
【０００３】これらの、および他の目的は、一つの態様
において絶縁性ストリップ上に金属被覆を形成するため
の方法である本発明により達成される。この方法は、カ
ソードを用いてストリップに電気接点を形成し、そのス
トリップをめっき浴中を通して搬送することを含む。カ
ソードには少なくとも０．１ ａｍｐｓ／ｃｍ２の電流
密度をかける。めっき溶液１ｃｍ３ あたり毎分少なく
とも５ｃｍ３ の割合で浴中にガスを導入して浴を攪拌
する。
において絶縁性ストリップ上に金属被覆を形成するため
の方法である本発明により達成される。この方法は、カ
ソードを用いてストリップに電気接点を形成し、そのス
トリップをめっき浴中を通して搬送することを含む。カ
ソードには少なくとも０．１ ａｍｐｓ／ｃｍ２の電流
密度をかける。めっき溶液１ｃｍ３ あたり毎分少なく
とも５ｃｍ３ の割合で浴中にガスを導入して浴を攪拌
する。
【０００４】もう一つの態様によれは、本発明は、スト
リップに電気接点を形成するためのカソードを含む絶縁
性ストリップ上に金属めっきするための装置である。カ
ソードは該ストリップの区域に物理的に接触するための
片持ち部材を含む。また、めっき作業中にカソードを冷
却するための手段も備えている。この装置はさらにめっ
きセルおよびそのセル中にガスを導入するための手段も
含む。本発明のこれらの、および他の特徴を以下に詳細
に説明する。
リップに電気接点を形成するためのカソードを含む絶縁
性ストリップ上に金属めっきするための装置である。カ
ソードは該ストリップの区域に物理的に接触するための
片持ち部材を含む。また、めっき作業中にカソードを冷
却するための手段も備えている。この装置はさらにめっ
きセルおよびそのセル中にガスを導入するための手段も
含む。本発明のこれらの、および他の特徴を以下に詳細
に説明する。
【０００５】本発明を実行する前に、金属被覆すべき絶
縁性ストリップを、接触する目的でその上に薄い金属の
層を形成するために、その表面を活性化させる。銅被覆
すべきポリイミドストリップの例では、一般的にその表
面をニッケルと銅の薄い層で、総厚が約０．００２ ｍ
ｍになる様に予め被覆する。図１に示す様に、活性化し
たストリップ１０をスプール１１に用意し、図に示す様
に装置内に設置する。このストリップは一般的には幅が
約３５ｃｍで、厚さが約０．０５ｍｍであるが、幅が少
なくとも１０ｃｍで、厚さが０．０２ｍｍを超えるどの
様なストリップにも使用できる。ストリップはカソード
接点１２を通り、めっきセル１３中に入る。ストリップ
はめっきセルの他端から外に出て別のスプール１４に案
内され、第三のスプール１５に巻き取られる。
縁性ストリップを、接触する目的でその上に薄い金属の
層を形成するために、その表面を活性化させる。銅被覆
すべきポリイミドストリップの例では、一般的にその表
面をニッケルと銅の薄い層で、総厚が約０．００２ ｍ
ｍになる様に予め被覆する。図１に示す様に、活性化し
たストリップ１０をスプール１１に用意し、図に示す様
に装置内に設置する。このストリップは一般的には幅が
約３５ｃｍで、厚さが約０．０５ｍｍであるが、幅が少
なくとも１０ｃｍで、厚さが０．０２ｍｍを超えるどの
様なストリップにも使用できる。ストリップはカソード
接点１２を通り、めっきセル１３中に入る。ストリップ
はめっきセルの他端から外に出て別のスプール１４に案
内され、第三のスプール１５に巻き取られる。
【０００６】めっきセルは内室１６を含み、その中にめ
っき溶液（図には示していない）がスプレーノズル１７
および１８により導入され、外室１９の中にめっき溶液
がこぼれ落ちる。このめっきセルはさらに複数の垂直に
配置したアノード２０を含む。この実施例では、ストリ
ップの各表面に隣接して２個のアノードが備えられてい
る（アノードの１個は説明のために図には示していない
）。めっきセルの直前には室２１があり、そこでストリ
ップが通常の酸により活性化され、めっきセルのすぐ後
には、ストリップのめっきされた表面を脱イオン水で洗
浄するための室２２がある。
っき溶液（図には示していない）がスプレーノズル１７
および１８により導入され、外室１９の中にめっき溶液
がこぼれ落ちる。このめっきセルはさらに複数の垂直に
配置したアノード２０を含む。この実施例では、ストリ
ップの各表面に隣接して２個のアノードが備えられてい
る（アノードの１個は説明のために図には示していない
）。めっきセルの直前には室２１があり、そこでストリ
ップが通常の酸により活性化され、めっきセルのすぐ後
には、ストリップのめっきされた表面を脱イオン水で洗
浄するための室２２がある。
【０００７】図２は、このめっき工程で使用するカソー
ド接点の構造を拡大斜視で示す。このカソード接点は２
個の片持ち導電性素子を有し、それぞれがストリップ１
０の相当する表面に接触する（図２では、１個の導電性
素子２３だけが見られる）。各導電性素子は、この実施
例ではベリリウム−銅製であり、本装置の室を分離し、
ストリップが通り抜けるための透き間を含む壁２４にね
じ留めしてある。導電性素子への電気的接触はリード線
２５および２６により行なう。冷却用の脱イオン水は、
パイプ２７および２個のノズル２８および２９によりカ
ソードに与えられる。各ノズルは、めっき作業中にスプ
レーが対応する導電性素子上にあたる様に向けられてい
る。
ド接点の構造を拡大斜視で示す。このカソード接点は２
個の片持ち導電性素子を有し、それぞれがストリップ１
０の相当する表面に接触する（図２では、１個の導電性
素子２３だけが見られる）。各導電性素子は、この実施
例ではベリリウム−銅製であり、本装置の室を分離し、
ストリップが通り抜けるための透き間を含む壁２４にね
じ留めしてある。導電性素子への電気的接触はリード線
２５および２６により行なう。冷却用の脱イオン水は、
パイプ２７および２個のノズル２８および２９によりカ
ソードに与えられる。各ノズルは、めっき作業中にスプ
レーが対応する導電性素子上にあたる様に向けられてい
る。
【０００８】各導電性素子２３は、ストリップと接触し
ていない時は、ストリップの方に向かって湾曲する（す
なわちストリップに対して凸上の表面を形成する）、一
様に負荷のかかった片持ちビームの形を採る。ストリッ
プが導入されると、片持ち素子は図に示す様な平らな位
置になり、ストリップの表面に対して均一な圧力をかけ
る。これによって導電性素子がそれぞれストリップ表面
にただの点または線としてではなく、表面に確実に接触
する。この面接触は、高電流を必要とする本発明では重
要であり、面接触でなく、広い面積に渡って電流が分布
しない場合はストリップ表面が焼けてしまうことがある
。代表的な例では、各導電性素子は、接触前の曲率半径
が範囲５０−１００ｃｍで、長さ２５−３０ｃｍであり
そして約２００ｃｍ２ のストリップの面積に接触する
。
ていない時は、ストリップの方に向かって湾曲する（す
なわちストリップに対して凸上の表面を形成する）、一
様に負荷のかかった片持ちビームの形を採る。ストリッ
プが導入されると、片持ち素子は図に示す様な平らな位
置になり、ストリップの表面に対して均一な圧力をかけ
る。これによって導電性素子がそれぞれストリップ表面
にただの点または線としてではなく、表面に確実に接触
する。この面接触は、高電流を必要とする本発明では重
要であり、面接触でなく、広い面積に渡って電流が分布
しない場合はストリップ表面が焼けてしまうことがある
。代表的な例では、各導電性素子は、接触前の曲率半径
が範囲５０−１００ｃｍで、長さ２５−３０ｃｍであり
そして約２００ｃｍ２ のストリップの面積に接触する
。
【０００９】次に、めっき作業のためのパイプ配置を示
す装置の一部の平面図である、図３に関して、本発明の
基礎的な方法を説明する。前に説明した様に、ストリッ
プは、めっきセル１６中に入る前に、室２１で酸により
まず活性化される。この実施例では希硫酸である酸は、
貯蔵容器３０中にあり、ポンプ３２により噴霧装置（図
１の３１）に供給される。酸はドレン３３に集められ、
貯蔵容器に戻される。めっき溶液は貯蔵容器３４から一
対のポンプ３５および３６によりそれぞれ噴霧装置１７
および１８に運ばれ、ストリップがめっきセルを通過す
る時にその中に噴霧される。使用する浴は主として硫酸
、塩酸およびリン酸と混合した硫酸銅である。硫酸銅の
濃度は、約１８４ ｇ／リットルで、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣ
ｌおよびＨ３ＰＯ４の濃度はそれぞれ５９ｇ／リットル
、３５−４０ｐｐｍ、および０．５ミリメートル／リッ
トルである。この浴はドレン３７および４６を通して再
循環される。噴霧装置１７および１８には窒素ガス供給
源も接続されている。窒素ガスは浴と共にめっきセル中
に導入され、めっき作業中に浴を発泡させる。ストリッ
プを均一にめっきするには、めっき浴へのガス流量を適
切に選択することが重要である。この実施例では、ガス
を少なくとも１．５ ｍ３／ｍｉｎの流量で導入し、め
っき溶液１ｃｍ３あたり毎分７ｃｍ３の比率にする。 しかし、少なくとも５：１の比率が適切である。無論、
窒素の代わりに、空気やアルゴンの様な他のガスを使用
することもできる。
す装置の一部の平面図である、図３に関して、本発明の
基礎的な方法を説明する。前に説明した様に、ストリッ
プは、めっきセル１６中に入る前に、室２１で酸により
まず活性化される。この実施例では希硫酸である酸は、
貯蔵容器３０中にあり、ポンプ３２により噴霧装置（図
１の３１）に供給される。酸はドレン３３に集められ、
貯蔵容器に戻される。めっき溶液は貯蔵容器３４から一
対のポンプ３５および３６によりそれぞれ噴霧装置１７
および１８に運ばれ、ストリップがめっきセルを通過す
る時にその中に噴霧される。使用する浴は主として硫酸
、塩酸およびリン酸と混合した硫酸銅である。硫酸銅の
濃度は、約１８４ ｇ／リットルで、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣ
ｌおよびＨ３ＰＯ４の濃度はそれぞれ５９ｇ／リットル
、３５−４０ｐｐｍ、および０．５ミリメートル／リッ
トルである。この浴はドレン３７および４６を通して再
循環される。噴霧装置１７および１８には窒素ガス供給
源も接続されている。窒素ガスは浴と共にめっきセル中
に導入され、めっき作業中に浴を発泡させる。ストリッ
プを均一にめっきするには、めっき浴へのガス流量を適
切に選択することが重要である。この実施例では、ガス
を少なくとも１．５ ｍ３／ｍｉｎの流量で導入し、め
っき溶液１ｃｍ３あたり毎分７ｃｍ３の比率にする。 しかし、少なくとも５：１の比率が適切である。無論、
窒素の代わりに、空気やアルゴンの様な他のガスを使用
することもできる。
【００１０】浴およびガスをセル中にポンプで送り込み
ながら、カソードに高電流密度を印加する。電流密度は
、ストリップの表面全体を均一にめっきするのに十分で
ある必要がある。特に、１０００−１３００アンペア／
ｍ２の範囲の電流密度で十分であることが分かった。前
に述べた様に、この強さの電流密度には、この実施例で
は、カソードの導電性素子に向けたノズル（図２の２８
および２９）にポンプで水（供給源３９から）を送るこ
とにより、カソードを冷却する必要があった。無論、ス
トリップがめっきセルを出る時、第二のカソード接点（
図には示していない）も室１９内にあり、したがってそ
の中に水を供給源３９からポンプで送り込む。
ながら、カソードに高電流密度を印加する。電流密度は
、ストリップの表面全体を均一にめっきするのに十分で
ある必要がある。特に、１０００−１３００アンペア／
ｍ２の範囲の電流密度で十分であることが分かった。前
に述べた様に、この強さの電流密度には、この実施例で
は、カソードの導電性素子に向けたノズル（図２の２８
および２９）にポンプで水（供給源３９から）を送るこ
とにより、カソードを冷却する必要があった。無論、ス
トリップがめっきセルを出る時、第二のカソード接点（
図には示していない）も室１９内にあり、したがってそ
の中に水を供給源３９からポンプで送り込む。
【００１１】脱イオン水は、最後の室２２中にも圧縮空
気（ＣＡ）と共にポンプで送り込まれ、めっきセルから
出て来るストリップを洗浄する。上記のめっき作業の結
果、ストリップ１０の両面に厚さ約０．０３６ ｍｍで
、ストリップの全幅に対して僅か±１０％の厚さ変動で
銅の層が形成された。伸長は１５％を超えた。ＤＣ電流
を使用した場合、銅に対して一般的に柱状構造を予想す
るであろうが、実際には、銅の層はストリップ表面の近
くでは柱状構造として始まるが、次いで薄層構造に代わ
り、厚さが増加するにつれて柱状構造に戻った。この構
造の組み合わせが、少なくとも部分的には、伸長性が高
くなった原因であると考えられる。
気（ＣＡ）と共にポンプで送り込まれ、めっきセルから
出て来るストリップを洗浄する。上記のめっき作業の結
果、ストリップ１０の両面に厚さ約０．０３６ ｍｍで
、ストリップの全幅に対して僅か±１０％の厚さ変動で
銅の層が形成された。伸長は１５％を超えた。ＤＣ電流
を使用した場合、銅に対して一般的に柱状構造を予想す
るであろうが、実際には、銅の層はストリップ表面の近
くでは柱状構造として始まるが、次いで薄層構造に代わ
り、厚さが増加するにつれて柱状構造に戻った。この構
造の組み合わせが、少なくとも部分的には、伸長性が高
くなった原因であると考えられる。
【００１２】本発明のもう一つの重要な特徴は、めっき
工程中に２つのストリップを一つに接続できることであ
る。接続した部分を横切る電気的な連続性が維持されな
いと、過剰の電流がカソードの一つに集中し、ストリッ
プの一方の導電能力を超え、ストリップを損傷すること
がある。ストリップは、信頼性良く突き合わせ接続し、
２つのストリップ間で両表面の電気的な連続性を確保す
るには薄過ぎる。
工程中に２つのストリップを一つに接続できることであ
る。接続した部分を横切る電気的な連続性が維持されな
いと、過剰の電流がカソードの一つに集中し、ストリッ
プの一方の導電能力を超え、ストリップを損傷すること
がある。ストリップは、信頼性良く突き合わせ接続し、
２つのストリップ間で両表面の電気的な連続性を確保す
るには薄過ぎる。
【００１３】そのため、図４および５に示す様な接続を
推奨する。両接続法とも、接続すべき２つのストリップ
４０および４１を折り曲げる。以下、曲げ重ね接続と呼
ぶ図４では、第一のストリップ４０の下側表面４３が第
二のストリップ４１の上側表面４４と直接接触する。こ
の接続を平らにすると、第一のストリップの下側表面４
３と第二のストリップの下側表面４５との間に直接接触
が存在する。この接続を平らにすると、第一のストリッ
プの上側表面４２と第二のストリップの上側表面４４と
の間にも直接接触が存在する。この様にして、４つの側
面すべてが電気的に接続する。
推奨する。両接続法とも、接続すべき２つのストリップ
４０および４１を折り曲げる。以下、曲げ重ね接続と呼
ぶ図４では、第一のストリップ４０の下側表面４３が第
二のストリップ４１の上側表面４４と直接接触する。こ
の接続を平らにすると、第一のストリップの下側表面４
３と第二のストリップの下側表面４５との間に直接接触
が存在する。この接続を平らにすると、第一のストリッ
プの上側表面４２と第二のストリップの上側表面４４と
の間にも直接接触が存在する。この様にして、４つの側
面すべてが電気的に接続する。
【００１４】以下、曲げ突き合わせ接続と呼ぶ、類似の
素子を同様に番号付けした図５では、第一のストリップ
上の表面は第二のストリップ上の表面と直接接触してい
ない。しかし、平らにすると、第一のストリップの上側
表面４２は第二のストリップ４１の上側表面４４と直接
接触し、一方、第一のストリップ４０の下側表面４３は
第二のストリップ４１の下側表面４５と直接接触する。 この様に、この実施形態では、２つのストリップの上側
および下側表面は互いに接続しない。
素子を同様に番号付けした図５では、第一のストリップ
上の表面は第二のストリップ上の表面と直接接触してい
ない。しかし、平らにすると、第一のストリップの上側
表面４２は第二のストリップ４１の上側表面４４と直接
接触し、一方、第一のストリップ４０の下側表面４３は
第二のストリップ４１の下側表面４５と直接接触する。 この様に、この実施形態では、２つのストリップの上側
および下側表面は互いに接続しない。
【００１５】図６は、図４および５の接続を行なうため
の装置の斜視図を示す。この装置は真空ガイド６０およ
びそれと実質的に直角な曲げおよびテープ部６１を含む
。真空ガイドは、その入り口端にガイドリール６２を含
む。曲げおよびテープ部６１は、真空ガイド６０から離
れた方の端に曲げ固定部６３を含む。この曲げ固定部は
鋭い縁を備えた部材６７および蝶番を付けた部材６８を
含み、その蝶番を付けた部材は、その鋭い縁に沿ってテ
ープを曲げるための閉じた位置で、その鋭い縁を備えた
部材と噛み合う溝６９を有する。曲げ固定部のすぐ近く
にテープ分配装置６４が取り付けてある。通常の手段（
図には示していない）により孔、例えば６５および６６
を通して、真空ガイドおよび曲げおよびテープ部の主表
面に僅かな真空がかけられる。
の装置の斜視図を示す。この装置は真空ガイド６０およ
びそれと実質的に直角な曲げおよびテープ部６１を含む
。真空ガイドは、その入り口端にガイドリール６２を含
む。曲げおよびテープ部６１は、真空ガイド６０から離
れた方の端に曲げ固定部６３を含む。この曲げ固定部は
鋭い縁を備えた部材６７および蝶番を付けた部材６８を
含み、その蝶番を付けた部材は、その鋭い縁に沿ってテ
ープを曲げるための閉じた位置で、その鋭い縁を備えた
部材と噛み合う溝６９を有する。曲げ固定部のすぐ近く
にテープ分配装置６４が取り付けてある。通常の手段（
図には示していない）により孔、例えば６５および６６
を通して、真空ガイドおよび曲げおよびテープ部の主表
面に僅かな真空がかけられる。
【００１６】図７−１０の平面略図に示す様に、重ね継
ぎ装置は、２つのリール７０および７１と、箱７２とし
て示す図１のめっき装置との間に配置する。図７は、リ
ール７０上のストリップ７３の後端がめっき装置に入ろ
うとしている時点前で、リール７１上のストリップ７４
の前端をその上に重ね継ぎしようとする時点を示す。図
８に示す様に、ストリップ７３の後端を曲げおよびテー
プ部６１の表面に接触させ、そこにかけた真空により保
持し、その後端を真空ガイド６０に面した表面と反対側
に曲げる。次いで、テープ７５をストリップの真空ガイ
ドに面した方の表面に付ける。次いでストリップ７３を
テープ部６１から外し、リール７１から来るストリップ
７４を取り上げ、図９に示す様にテープ部に保持する。 しかし、この時、ストリップ７４のガイド６０に面する
表面の方に前端を曲げる。この様にして、テープの後端
および前端に対する同じ曲げおよびテープ作業により、
反対方向を向いた「尾」が形成される。再び分配装置か
らテープ７６を付ける。ストリップ７４をテープ部６１
から外し、図１０に示す様に真空ガイド６０により両ス
トリップを保持すると、ストリップ７４の曲げた端はス
トリップ７３の曲げた端と並列する。２つの末端は図４
の曲げ重ね接続の形に、または図５の突き合わせ接続の
形に並列させることができる。テープ７５および７６に
より保持された２つのストリップを圧迫して平らすると
ストリップの表面が接触する。
ぎ装置は、２つのリール７０および７１と、箱７２とし
て示す図１のめっき装置との間に配置する。図７は、リ
ール７０上のストリップ７３の後端がめっき装置に入ろ
うとしている時点前で、リール７１上のストリップ７４
の前端をその上に重ね継ぎしようとする時点を示す。図
８に示す様に、ストリップ７３の後端を曲げおよびテー
プ部６１の表面に接触させ、そこにかけた真空により保
持し、その後端を真空ガイド６０に面した表面と反対側
に曲げる。次いで、テープ７５をストリップの真空ガイ
ドに面した方の表面に付ける。次いでストリップ７３を
テープ部６１から外し、リール７１から来るストリップ
７４を取り上げ、図９に示す様にテープ部に保持する。 しかし、この時、ストリップ７４のガイド６０に面する
表面の方に前端を曲げる。この様にして、テープの後端
および前端に対する同じ曲げおよびテープ作業により、
反対方向を向いた「尾」が形成される。再び分配装置か
らテープ７６を付ける。ストリップ７４をテープ部６１
から外し、図１０に示す様に真空ガイド６０により両ス
トリップを保持すると、ストリップ７４の曲げた端はス
トリップ７３の曲げた端と並列する。２つの末端は図４
の曲げ重ね接続の形に、または図５の突き合わせ接続の
形に並列させることができる。テープ７５および７６に
より保持された２つのストリップを圧迫して平らすると
ストリップの表面が接触する。
【００１７】等業者には本発明の各種の変形が明らかで
ある。例えば、銅層のめっきを説明したが、ニッケル、
金、パラジウムまたは銀の様な、他の金属被覆も、めっ
き浴を変えることにより形成できる。また、上記の様な
両面めっきではなく、ストリップの片側をめっきするこ
ともできる。さらに、ポリイミド以外の絶縁材料、例え
ばポリエステルおよびマイラーＴＭなどもめっきできる
。
ある。例えば、銅層のめっきを説明したが、ニッケル、
金、パラジウムまたは銀の様な、他の金属被覆も、めっ
き浴を変えることにより形成できる。また、上記の様な
両面めっきではなく、ストリップの片側をめっきするこ
ともできる。さらに、ポリイミド以外の絶縁材料、例え
ばポリエステルおよびマイラーＴＭなどもめっきできる
。
【図１】本発明の一実施形態によるストリップをめっき
するための装置の、部分的に切り取った、斜視図である
。
するための装置の、部分的に切り取った、斜視図である
。
【図２】図１の装置の一部を示す拡大斜視図である。
【図３】図１の装置の一部の平面図である。
【図４】本発明の別の実施形態により接合した２つのス
トリップの側面図である。
トリップの側面図である。
【図５】本発明の別の実施形態により接合した２つのス
トリップの側面図である。
トリップの側面図である。
【図６】本発明の別の実施形態による装置の部分斜視図
である。
である。
【図７】別の実施形態による加工の各種の工程を示す、
図６の装置の平面略図である。無論、説明のためにこれ
らの図は実際の寸法に合わせてはいない。
図６の装置の平面略図である。無論、説明のためにこれ
らの図は実際の寸法に合わせてはいない。
【図８】別の実施形態による加工の各種の工程を示す、
図６の装置の平面略図である。無論、説明のためにこれ
らの図は実際の寸法に合わせてはいない。
図６の装置の平面略図である。無論、説明のためにこれ
らの図は実際の寸法に合わせてはいない。
【図９】別の実施形態による加工の各種の工程を示す、
図６の装置の平面略図である。無論、説明のためにこれ
らの図は実際の寸法に合わせてはいない。
図６の装置の平面略図である。無論、説明のためにこれ
らの図は実際の寸法に合わせてはいない。
【図１０】別の実施形態による加工の各種の工程を示す
、図６の装置の平面略図である。無論、説明のためにこ
れらの図は実際の寸法に合わせてはいない。
、図６の装置の平面略図である。無論、説明のためにこ
れらの図は実際の寸法に合わせてはいない。
Claims (19)
- 【請求項１】 カソード（１２）を用いて絶縁性スト
リップ（１０）上に電気的な接点を形成すること、その
ストリップを、めっき浴を含むめっきセル（１３）中を
搬送すること、およびそのカソードに少なくとも１００
０アンペア／ｍ２の電流密度をかけることを含む絶縁性
ストリップ（１０）上に金属被覆を形成するための方法
であって、めっき浴１ｃｍ３ あたり毎分少なくとも５
ｃｍ３ の割合でガスを浴中に導入することにより、浴
を攪拌することを特徴とする方法。 - 【請求項２】 金属被覆が銅を含む請求項１記載の方
法。 - 【請求項３】 めっき浴が硫酸銅を含む請求項２記載
の方法。 - 【請求項４】 ガスが、空気、アルゴンおよび窒素か
らなる群から選択される請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 ストリップの幅が少なくとも１０ｃｍ
である請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 ストリップ上に金属を形成しながら、
カソード接点を冷却することをさらに含む請求項１記載
の方法。 - 【請求項７】 カソード接点を、そこに注水すること
により冷却する請求項６記載の方法。 - 【請求項８】 絶縁性ストリップがポリイミドからな
る請求項５記載の方法。 - 【請求項９】 被覆厚の変動がストリップの全表面に
沿って±１０％ 以下であり、被覆ストリップの伸長が
少なくとも１０％である請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 絶縁性ストリップが前端および後端
（７３）を有し、さらに前記後端をめっきセル中に搬送
する前に、第二の絶縁性ストリップの前端（７４）を前
記絶縁性ストリップの後端上に接合する工程をさらに含
む請求項１記載の方法。 - 【請求項１１】 前記絶縁性ストリップの後端および
第二の絶縁性ストリップの前端を、それらの２つのスト
リップの表面が電気的に接続される様に、両方の末端を
折り曲げ、前記末端を並列させ、テープを付けることに
より接合する請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 カソードがストリップの表面の少な
くとも２００ｃｍ２の区域と物理的に接触する請求項１
記載の方法。 - 【請求項１３】 絶縁性ストリップとの電気的な接点
を形成するためのカソード（１２）、めっきセル（１３
）、および前記セル中にガスを導入するための手段（３
８）を含む絶縁性ストリップ上に金属をめっきするため
の装置であって、前記カソードが、前記ストリップの区
域と物理的に接触するための片持ち部材（２３）を含む
こと、およびめっき作業中に前記カソード接点を冷却す
るための手段（２７， ２８， ２９）を特徴とする装
置。 - 【請求項１４】 片持ち部材が、ストリップの少なく
とも２００ｃｍ２の区域と物理的に接触する様に適用さ
れる請求項１３記載の装置。 - 【請求項１５】 冷却手段が、片持ち部材に冷却流体
の流れを向けるためのノズル（２８）を含む請求項１３
記載の装置。 - 【請求項１６】 ガスを導入するための手段が、ガス
をめっき浴と混合させてめっきセルの中にポンプで送り
込むための手段を含む請求項１３記載の装置。 - 【請求項１７】 第一の絶縁性ストリップの後端（７
３）がめっきセルの中に入る前に、前記後端を、第二の
絶縁性ストリップの前端（７４）に接合するための手段
（６０， ６１）を含む請求項１３記載の装置。 - 【請求項１８】 接合手段が、前記ストリップの移動
方向を決定するためのガイド手段（６０）および接合前
に前記ストリップの末端を折り曲げるための手段（６１
）を含む請求項１７記載の装置。 - 【請求項１９】 末端にテープを付けてストリップの
表面同士を接続するための手段（６４）をさらに含む請
求項１８記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US631295 | 1990-12-20 | ||
| US07/631,295 US5100518A (en) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | Method and apparatus for plating insulating strip |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04268091A true JPH04268091A (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=24530596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3337339A Pending JPH04268091A (ja) | 1990-12-20 | 1991-12-20 | 絶縁性ストリップをめっきするための方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5100518A (ja) |
| JP (1) | JPH04268091A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011202219A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 長尺導電性基板の電気めっき方法及びその装置、金属化ポリイミドフィルム及びその製造方法 |
| JP2011246754A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属化樹脂フィルム基板の製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5685970A (en) * | 1992-07-01 | 1997-11-11 | Gould Electronics Inc. | Method and apparatus for sequentially metalized polymeric films and products made thereby |
| DE4229403C2 (de) * | 1992-09-03 | 1995-04-13 | Hoellmueller Maschbau H | Vorrichtung zum Galvanisieren dünner, ein- oder beidseits mit einer leitfähigen Beschichtung versehener Kunststoffolien |
| US9719171B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-08-01 | Eastman Kodak Company | Roll-to-roll electroless plating system with spreader duct |
| AR112412A1 (es) | 2017-08-17 | 2019-10-23 | Gilead Sciences Inc | Formas de sal de colina de un inhibidor de la cápside del vih |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4242181A (en) * | 1979-11-09 | 1980-12-30 | The Harshaw Chemical Company | Copper plating process for printed circuit boards |
| US4360410A (en) * | 1981-03-06 | 1982-11-23 | Western Electric Company, Inc. | Electroplating processes and equipment utilizing a foam electrolyte |
| US4781799A (en) * | 1986-12-08 | 1988-11-01 | Xerox Corporation | Electroforming apparatus and process |
| US4806107A (en) * | 1987-10-16 | 1989-02-21 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | High frequency connector |
-
1990
- 1990-12-20 US US07/631,295 patent/US5100518A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-12-20 JP JP3337339A patent/JPH04268091A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011202219A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 長尺導電性基板の電気めっき方法及びその装置、金属化ポリイミドフィルム及びその製造方法 |
| JP2011246754A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属化樹脂フィルム基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5100518A (en) | 1992-03-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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