JPH08172271A

JPH08172271A - プリント基板のめっき方法

Info

Publication number: JPH08172271A
Application number: JP33289194A
Authority: JP
Inventors: Hidenori Tsuji; 秀徳辻; Masami Ishikawa; 昌巳石川; Norio Kawachi; 範夫河内; 辰治 ▲高▼須; Tatsuji Takasu
Original assignee: Ebara Udylite Co Ltd
Current assignee: Ebara Udylite Co Ltd
Priority date: 1994-12-15
Filing date: 1994-12-15
Publication date: 1996-07-02

Abstract

(57)【要約】【目的】プリント基板のスルホール内壁面に無電解め
っきを用いること無く銅めっきを施すダイレクトプレー
ティング法において、スルホール内面に付着した金属イ
オンを確実に還元でき、高品質のめっきを得られるプリ
ント基板のめっき方法を提供することを目的とする。【構成】アクチベータ工程でコロイド微粒子あるいは
金属イオンがスルホール内面に吸着されたプリント基板
Ｐを、アクセラレータ工程においてアルカリ性還元浴に
浸漬させて導電化皮膜を形成し、次いで、スタビライザ
工程において酸性浴に浸漬させて導電化皮膜を安定化し
た後、このプリント基板Ｐに電気めっきを施すプリント
基板のめっき方法であって、アクセラレータ工程のアル
カリ性還元浴とスタビライザ工程の酸性浴２０にそれぞ
れ電極部材８２を配置し、該電極部材８２を整流器８３
の陽極に、前記プリント基板Ｐをコンベア７０のステン
レス製ロールリング７２を介して整流器８３の陰極に接
続し、該陰極と前記陽極との間に低電圧を印加して所定
の電流を通電する弱電解処理を行うようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、プリント基板のめっ
き方法、特に、無電解めっきを用いること無くプリント
基板のスルホール内壁面にめっきを施すめっき方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、上述のような無電解めっきを用い
ること無くプリント基板のスルホール内壁面に銅めっき
を施す、いわゆるダイレクトプレーティング法において
は、プリント基板のスルホール内壁面にパラジウムを含
むコロイド微粒子あるいは金属イオンをスルホール内面
に吸着させ、これを２価スズイオンの不均化反応、また
は、ジメチルアミノボランやほうそ化水素ナトリウムな
どの化学薬品を用いて化学的反応により還元して導電性
金属皮膜を形成し、さらに、酸性浴に浸漬させて導電性
金属皮膜を安定化し、この後に、電気めっきを施すよう
にしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のダイレクトプレーティング法にあっては、２価
スズイオンの不均化反応やジメチルアミノボランやほう
そ化水素ナトリウムなどの化学薬品の還元作用により還
元するため、スルホール内面に吸着した２価スズイオン
の量やほうそ化水素ナトリウムなどの化学薬品の活性に
還元効果が大きな影響を受け、スルホール内面に十分な
２価のスズイオンを吸着させることができなかった場合
やほうそ化水素ナトリウムなどの化学薬品が劣化してい
た場合等に、還元が不十分で高い導電性、また、適正な
導電性皮膜が得られないことがあるという問題があっ
た。この発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、ス
ルホール内面に付着した金属イオンを確実に還元でき、
高品質のめっきを得られるプリント基板のめっき方法を
提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、パラジウムが含まれるコロイド微粒子あ
るいは金属イオンをプリント基板のスルホール内面に吸
着させるアクチベータ工程と、該アクチベータ工程でコ
ロイド微粒子あるいは金属イオンがスルホール内面に吸
着されたプリント基板をアルカリ性還元浴に浸漬させて
導電化皮膜を形成するアクセラレータ工程と、該アクセ
ラレータ工程で導電化皮膜が形成されたプリント基板を
酸性浴に浸漬させて導電化皮膜を安定化するスタビライ
ザ工程と、該スタビライザ工程から移送されるプリント
基板に電気めっきを施す電気めっき工程とを備えるプリ
ント基板のめっき方法において、前記アクチベータ工程
のアルカリ性還元浴および／または前記スタビライザ工
程の酸性浴に電極部材を配置し、該電極部材を整流器の
陽極に、前記プリント基板を整流器の陰極に接続し、該
陰極と前記陽極との間に低電圧を印加して所定の電流を
通電する弱電解処理を行うようにした。

【０００５】そして、この発明のプリント基板のめっき
方法は、前記弱電解処理を印加電圧が３ボルト以下、前
記通電電流がプリント基板の銅の表面積に対して５〜５
００ｍＡ／ｄｍ²の範囲、かつ、通電時間が３乃至５分
間程度の態様（請求項２）に、また、前記弱電解処理に
おける電極部材が白金、カーボン、ステンレスあるいは
チタンからなる不溶性アノード、または、金属基材の表
面に酸化イリジウムをコーティングした不溶アノードか
らなる態様（請求項３）、さらに、前記アルカリ性還元
浴が炭酸塩、カセイソーダ、銅イオンおよびキレート剤
を含み、前記酸性浴が硫酸を１０〜２００ｇ／ｌ含む態
様（請求項４）に構成することができる。

【０００６】

【作用】本発明のプリント基板のめっき方法によれば、
アクチベータ工程においてプリント基板のスルホール内
面にパラジウムコロイド等が吸着され、このスルホール
内面のパラジウムコロイド等がアクセラレータ工程のア
ルカリ性還元浴あるいは前記スタビライザ工程の酸性浴
の少なくとも一方において化学的な還元と併せて電気的
にも還元され、スルホール内面の導電性皮膜の金属化が
促進されるとともに皮膜中への銅の析出も増加し、高い
導電性が得られ電気抵抗が減少する。したがって、後の
めっき工程における銅めっきのつきまわりが向上し、銅
めっきの粗雑析出（褐色皮膜）も防止でき、スルホール
内面の全域に平滑性、光沢性に優れためっきを設けるこ
とができる。

【０００７】また、弱電解時の電流は１０ｍＡ／ｄｍ²
以下では顕著な効果が認められず、逆に、３００ｍＡ／
ｄｍ²以上では基板の銅箔表面からの水素ガスの発生が
著しく、さらに、パラジウム分の脱落が原因と推測され
る電気抵抗が増大する現象が見られる。

【０００８】

【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。図１から図５はこの発明の一実施例にかかるプ
リント基板のめっき方法を示し、図１が同方法を実施す
る前段の工程の装置模式図、図２が同中段の工程の装置
模式図、図３が同後段の工程の装置模式図、図４が同方
法の要部の工程の装置の模式平面図、図５が同工程の装
置の模式正面図である。

【０００９】図１，２，３に示すように、この実施例に
おいては、ロード・ステーション、コンディショナー・
ステーション、水洗ステーション、マイクロエッチ・ス
テーション、水洗ステーション、プレディップ・ステー
ション、アクチベータ・ステーション、水洗ステーショ
ン、アクセラレータ・ステーション、水洗ステーショ
ン、スタビライザ・ステーション、水洗ステーション、
銅めっきステーション、水洗ステーションおよびアンロ
ード・ステーションを有し、ロード・ステーションから
アンロード・ステーションまで各ステーションを通って
コンベア７０が延設されている。

【００１０】コンベア７０は、回路基板（プリント基
板）Ｐを各ステーション間を連続して搬送する。このコ
ンベア７０は、ロードステーションでプリント回路基板
Ｐを受け入れ、このプリント回路基板Ｐをその延在方向
と移送方向が一致する水平状態で搬送（移送）し、アン
ロード・ステーションでプリント回路基板Ｐを受け渡
す。なお、図示は省略するが、プリント回路基板Ｐは、
表裏の少なくとも一面に銅箔を有し、表裏を貫通する周
知のスルホールが形成されている。

【００１１】コンディショナー・ステーションにおいて
は、処理槽２０が配置され、この処理槽２０内を上記コ
ンベア７０が通る。処理槽２０内には、コンベア７０に
よるプリント基板Ｐの移送路の上下に吐出配管２１と接
続した複数の噴射ノズル２２が配置され、また、所定の
貯留レベルを越える処理液を排出するための戻り配管２
３が接続される。吐出配管２１はクッション槽２４内に
貯留された処理液を吐出する循環ポンプ２５に連絡さ
れ、戻り配管２２がクッション槽２４と接続されて処理
液を導く。このコンディショナー・ステーションにおい
ては、プリント回路基板Ｐの表裏両面に噴射ノズル２２
から処理液を噴射し、スルホール内の洗浄と気泡の追出
しを行う。

【００１２】水洗ステーションにおいては、水洗槽３０
が配設され、この水洗槽３０内を上記コンベア７０が通
る。水洗槽３０内にはコンベア７０によるプリント基板
Ｐの移送路の上下にそれぞれ複数の噴射ノズル３１が配
置され、これら噴射ノズル３１がポンプ３２に連絡され
る。ポンプ３２は、吸込ポートが水洗槽３０の下部およ
び供給源に並列に連絡され、洗浄水を圧送する。この水
洗ステーションにおいては、プリント回路基板Ｐの表裏
に洗浄水を噴射し、コンディショナー工程で付着した処
理液等を洗い流す。なお、図１，２，３における各水洗
ステーションは共通した構成であり、また、その構成は
周知の水洗設備を用いることができるため、以下の各水
洗ステーションの説明は割愛する。

【００１３】マイクロエッチ（ソフトエッチング）・ス
テーション、プレディップ・ステーションおよびアクチ
ベータ・ステーションは、図１，２，３の模式図では上
述したコンディショナー・ステーションと同一の構成を
有する。すなわち、同一の構成に同一の符号を付し共通
して説明すれば、処理槽２０からオーバーフローする処
理液をクッション槽２４に貯留し、このクッション槽２
４内の処理液をポンプ２５で圧送して基板Ｐの移送路に
沿って上下に配置された噴射ノズル２２から基板Ｐの表
裏面に噴射する。

【００１４】そして、マイクロエッチ・ステーションに
おいては基板Ｐの銅箔表面をエッチングし、洗浄ととも
に活性化を行う。プレディップ・ステーションにおいて
は次のアクチベータ浴の汚染を防止し、アクチベータ・
ステーションにおいてはパラジウムが含まれるコロイド
微粒子あるいは金属イオンをプリント基板Ｐのスルホー
ル内面等に吸着させる。

【００１５】アクセラレータ・ステーションにおいて
は、図４および図５に示すように、外槽８０内上部に処
理液を貯留した処理槽（アクセラレータ槽）２０が設け
られ、外槽８０に処理槽２０をオーバーフローした処理
液が貯留される。これら外槽８０と処理槽２０とは循環
ポンプ３２が介設された送り配管２１と戻り配管２３と
で連絡する。処理槽２０には上記コンベア７０が通り、
このコンベア７０の上下にそれぞれ複数の不溶性陽極
（電極部材）８２が処理液中に浸漬するようにコンベア
７０の搬送方向に沿って配置され、また、複数の噴射ノ
ズル２２が配置される。噴射ノズル２２は循環ポンプ３
２と連絡されて循環ポンプ３２が吐出する外槽８０内の
処理液を基板Ｐに向けて噴射し、処理槽２０からオーバ
ーフローした処理液が戻り配管２３を経て外槽８０に還
流する。

【００１６】コンベア７０は、処理槽２０において、プ
ラスチック製のロールリング７１が取り付けられた回転
軸を基板Ｐを挟持可能に上下一対と、また同様に、ステ
ンレス製のロールリング７２が取り付けられた回転軸を
上下一対として搬送方向に間隔を隔て複数を回転自在に
支持し、これら各対の回転軸をそれぞれ回転駆動可能に
駆動機構に連結して構成される。ステンレス製のロール
リング７２は、搬送方向に２対のプラスチック製のロー
ルリング７１を隔て間欠的に配置され、搬送する基板Ｐ
の表面（裏面）銅箔と電気的に導通する。このステンレ
ス製のロールリング７２は、整流器（直流電源）８３の
陰極（−）に接続される。整流器８３は、その陽極
（＋）に上記不溶性陽極８２が接続され、不溶性陽極８
２とロールリング７２との間に所定の電圧、電流を印加
通電して後述する弱電解を行う。

【００１７】このアクセラレータ・ステーションにおい
ては、炭酸塩、カセイソーダ、銅イオンおよびキレート
剤を含む処理液を用い、アクチベータ・ステーションか
ら搬入されたＰｄ−Ｓｎコロイド粒子がスルホール内壁
面等に吸着した基板Ｐを化学的に還元するとともに、不
溶性陽極８２とロールリング７２との間に電圧、電流を
印加通電して弱電解し、スルホール内壁面等に吸着した
コロイド粒子を還元して導電性皮膜を形成する。

【００１８】また、スタビライザ・ステーションも、上
記アクセラレータ・ステーションと同様の設備を有する
（その説明は上記図４，５と同一の番号を用い、割愛す
る）。このスタビライザ・ステーションにおいては、硫
酸を１０〜２００ｇ／ｌ含む処理液を処理槽２０に貯留
し、処理液を複数の噴射ノズル２２から基板Ｐに向けて
噴射して基板Ｐのスルホール内壁面の導電性皮膜を安定
化するとともに、不溶性陽極８２とロールリング７２と
の間に整流器８３により電圧、電流を印加通電して弱電
解を行う。

【００１９】なお、上記アクセラレータ・ステーション
およびスタビライザ・ステーションにおいては、無端チ
ェーン機構等によって導電性の材料からなる複数のクリ
ップをコンベア７０と同一速度で走行可能に設け、上記
ステンレス製のロールリング７２を廃止することも可能
である。この場合、クリップは、基板Ｐを挟着可能に構
成され、無端チェーン等を介して整流器８３の陰極に接
続される。このクリップは、槽の入口および出口でカム
機構等と係合し、槽の入口で基板Ｐを挟着して基板Ｐの
銅箔と電気的に導通し、また、槽の出口で基板Ｐを開放
するように構成される。

【００２０】また、上記ステンレス製のロールリング７
２は、ステンレスや銅等からなる治具で代替し、この治
具上に１乃至複数枚の基板Ｐを表面銅箔との導電状態を
保持して載置することができ、さらに、ステンレス等の
バスケットで代替し、このバスケットに複数の基板Ｐを
間隔（例えば、１０ｍｍ程度）を隔て銅箔が電気的に導
通した状態で収容することも可能である。

【００２１】銅めっきステーションにおいては、上記コ
ンベア７０が通る外槽１内の上部に電解槽２が、下部に
受槽９１が銅金属塩を投入可能に区画され、コンベア７
０による基板Ｐ搬送路の上下に複数の噴射ノズル１０が
配設される。電解槽２および受槽９１にはめっき液が貯
留され、電解槽２でオーバーフローしためっき液が受槽
９１に流入し、受槽９１内のめっき液がカートリッジフ
ィルタを付設した循環ポンプ３により電解槽２に送出さ
れる。循環ポンプ３は、吐出ポートが吐出配管１１を介
して噴射ノズル１０に連絡され、これら噴射ノズル１０
に受槽９１内のめっき液を圧送する。噴射ノズル１０
は、コンベア７０の基板移送路の上下に配置され、循環
ポンプ３から供給されるめっき液を電解層２内で基板Ｐ
に向けて噴射する。

【００２２】また、図示しないが、電解槽２には水洗槽
との間で無端チェーンがコンベア７０と並行に設けら
れ、この無端チェーンに整流器の陰極と電気的に導通し
た複数のクリップが所定間隔で取り付けられる。無端チ
ェーンは電解槽２と水洗槽内を連続して走行し、クリッ
プは電解槽の入口および出口でカム機構等と係合し、槽
の入口で基板Ｐを挟着して基板Ｐの銅箔と電気的に導通
し、また、槽の出口で基板Ｐを開放する。

【００２３】さらに、電解槽２内には、基板Ｐの移送方
向に沿って所定の幅、長さの不溶性陽極板７がコンベア
７０による搬送路の上下に一定間隔を保って１対となる
ように水平に設けられ、その複数対が並列に配置されて
いる。これら不溶性陽極板は、隣合った上下１対の不溶
性陽極板７とは互いに電気的に絶縁され、各対が整流器
の陽極と接続されている。この不溶性陽極板７は、白
金、カーボン、フェライトあるいはイリジウムなどの白
金族元素の酸化物を金属基体上にコーティングして構成
される。

【００２４】この銅めっきステーションでは、各ステー
ションにおける処理が施された基板Ｐが搬入され、この
基板Ｐの水平進行方向の側縁部の一方を無端チェーンの
クリップで挟んで整流器の陰極と接続し、基板Ｐを電解
槽２内のめっき液中を水平状態で移送して基板Ｐにめっ
きを施す。なお、詳細な説明と図示は省略するが、この
銅めっきステーションにおいては、基板Ｐの大きさに対
応して基板Ｐの上下方向の投影面内に含まれる不溶性陽
極板７の各対が選択的に通電される。また、銅めっきに
おいては、前記の水平装置に限定されること無く、通常
広く使用されている垂直方式のめっき装置で処理するこ
ともでき、さらに、不溶性陽極のみでなく可溶性の銅陽
極を使用することもできる。

【００２５】この実施例にあっては、スルホールを形成
されたプリント回路基板Ｐがデスミア処理された後にロ
ード・ステーションに搬入され、このプリント回路基板
Ｐをコンベア７０により搬送してコンディショナー・ス
テーション、マイクロエッチ・ステーションおよびプレ
ディップ・ステーションにおいてそれぞれ周知の処理を
施し、アクチベータ・ステーションにおいてパラジウム
を含むコロイド微粒子あるいは金属イオンを基板Ｐのス
ルホール内面等に吸着させる。

【００２６】次いで、アクセラレータ・ステーションで
基板Ｐをアルカリ性還元浴に浸漬させ、続くスタビライ
ザ・ステーションで酸性浴に基板Ｐを浸漬させる。そし
て、アクセラレータ・ステーションとスタビライザ・ス
テーションにおいては、それぞれ、基板Ｐをステンレス
製のロールリング７２により整流器８３の陰極に、各ス
テーションの槽２０の搬送路の上下に配置された不溶性
アノード８２を整流器８３の陽極に接続し、両極間に３
ボルト以下の低電圧を印加して基板Ｐの銅箔面積に対し
５〜５００ｍＡ／ｄｍ²の電流を３０秒から８分の間、
望ましくは、下記の表１の条件で通電する。

【００２７】

【表１】

【００２８】すなわち、アクセラレータ・ステーション
においてはアルカリ性還元浴による化学的還元に加えて
電気的な還元も行い、また、続くスタビライザ・ステー
ションにおいても電気的な還元を行って導電性皮膜を得
る。このため、スルホール内面に付着したパラジウムコ
ロイドイオンを確実に金属化することができ、また、皮
膜中への銅の析出も増加し、高い導電性（電気抵抗の小
さな）の導電性皮膜が得られる。このスルホール内導電
性皮膜の電気抵抗（基板Ｐの表裏の銅箔間の電気抵抗）
は弱電解時の電流密度に対して図６に示すような特性を
呈する。

【００２９】次に、導電性皮膜が形成されたプリント回
路基板Ｐはスタビライザ・ステーションから銅めっきス
テーションの電解槽２内に導電性皮膜が濡れ性を維持し
た状態で電解槽２内に連続的に移送され、電解槽２内に
おいて基板Ｐに銅めっきが施される。すなわち、整流器
により不溶性陽極板と基板Ｐとの間に所定電圧、所定電
流を通電し、基板Ｐのスルホール内面等に銅めっきを施
す。

【００３０】ここで、上述したように、基板Ｐのスルホ
ール内面等に形成された導電性皮膜は十分に還元されて
金属化され電気抵抗が小さいため、銅めっきはその初期
から微細結晶として良好なつきまわり性と密着性をもっ
てスルホールの全内面に析出し、平滑性、光沢性に優れ
た高品質のめっきが得られる。

【００３１】次に、上記実施例の実験例を述べる。Ａ．実験例１１．使用した基板・材料；ＦＲ−４、ＣＥＭ−３、変性ポリイミド、ＢＴ
レジンの各種・寸法；２５０mm×２５０mm×１．６mm(t) ・スルホール；直径１．０、０．６、０．４、０．３mm
の穴が６００穴合計２４００空けられた基板２．使用されたプロセスおよび各工程の処理条件・プロセスおよび処理条件は表２に示すものを採用し
た。

【００３２】

【表２】ただし、各工程間では１〜３分間の水洗が行われ、前段
の工程の薬液は洗浄される。

【００３３】そして、基板をステンレス製の治具に固定
し、下記のａの条件で比較例１ａを、また、ｂの条件で
実験例１ｂを、ｃの条件で実験例１ｃを作製した。条件ａ；従来の方法にて処理し、弱電解処理を行わな
い。条件ｂ；上記ａと同様の処理を行い、かつ、アクセラレ
ータ工程とスタビライザ工程の双方で弱電解処理を行っ
た。具体的には、アクセラレータ工程の浴中において、
基板を陰極、処理槽内に浸漬されたステンレス製の板を
陽極として、電圧１．０〜１．５ボルト、電流６００ｍ
Ａ（基板の銅箔面積当たり、約５０ｍＡ／ｄｍ²）で弱
電解を各工程の処理時間に併せて５分間行った。また、
次のスタビライザ工程では、酸性浴中において、基板を
陰極、浴中のチタン平板上に酸化イリジウムをコーティ
ング焼き付けした電極を陽極として、電圧１．０〜２．
０ボルト、電流６００ｍＡ（基板の銅箔面積当たり、約
５０ｍＡ／ｄｍ²）で弱電解を工程の処理時間に併せて
３分間行った。条件ｃ；上記ａと同様の処理を行い、かつ、スタビライ
ザ工程のみで上記ｂと同一の条件で弱電解処理を行っ
た。

【００３４】上記比較例１ａおよび実験例１ｂ，１ｃの
基板を水洗後、乾燥し、それぞれ両面の電気抵抗を測定
したところ、下記の表３に示す結果が得られ、実験例１
ｂ，１ｃでは電気抵抗が大幅に低下し、スルホール内面
に高い導電性の皮膜が形成されていることが分かる。

【表３】

【００３５】また、上記各基板１ａ，１ｂ，１ｃを５体
積％の硫酸に２５°Ｃで１分間浸漬した後に硫酸銅めっ
き（荏原ユージライト（株）製ＣｕＢｒｉｔｅＴＨ
プロセス）を電流密度１Ａ／ｄｍ²および３Ａ／ｄｍ²
で５分間および３０分間めっきしたところ、下記の表４
に示す結果が得られた。すなわち、比較例１ａには褐色
の析出が見られたが、実験例１ｂ，１ｃは明るい銅色
で、実験例１ｂ，１ｃは高品質のめっきが得られた。

【表４】

【００３６】さらに、弱電解による導電性皮膜の改質を
確認するため、ＦＲ−４材基板の表面の銅箔を通電用の
周辺部１ｃｍを残してエッチング剤により剥離・溶解
し、前述の各条件ａ，ｂ，ｃで処理して樹脂表面積が１
ｄｍ²サンプルａ’，ｂ’，ｃ’を作製した。次いで、
これらサンプルａ’，ｂ’，ｃ’をそれぞれ通電用の周
辺部の銅箔部分を切断機で切断した後、３０容量％の硝
酸水溶液に浸漬して表面に生成された導電性皮膜を溶解
した。そして、原子吸光分析装置を用いて、溶液中のパ
ラジウム、スズおよび銅を定量したところ、各サンプル
ａ’，ｂ’，ｃ’導電性皮膜中の各成分量は表５の通り
であった。

【００３７】

【表４】

【００３８】上記表４から明らかなように、アクセラレ
ータ工程およびスタビライザ工程で基板を陰極として弱
電解を行うと、アクチベータ工程において付着したパラ
ジウム／スズ・コロイドの金属条体への還元が促進され
るとともに微量の銅分が導電性皮膜中に共析し、皮膜の
抵抗値が大幅に低下し、その後の電気銅めっき工程にお
いて、低電流密度での粗雑析出を防ぐとともに付き廻り
の改善に役立つことが明らかである。

【００３９】なお、実験により、アクセラレータ工程お
よびスタビライザ工程のいずれにおいても弱電解の電流
が５ｍＡ／ｄｍ²以下では効果がほとんど認められず、
また、３００ｍＡ／ｄｍ²以上では水素ガスの発生が著
しく処理後の電気抵抗が高くなる傾向が見られ、好まし
くないことが判定された。

【００４０】Ｂ．実験例２前記実験例１と同類の基板１０枚をステンレス製のバス
ケットに１ｃｍの間隔で垂直に隣合わせて全てを挿入
し、実験例１と同一の条件ａ、下記の条件ｂ２および条
件３ｂで処理し、比較例２ａ、実験例２ｂを得た。ｂ２；アクセラレータ工程の浴中において、バスケット
を陰極、処理槽内にバスケットの両側で浸漬配置された
ステンレス製の板を陽極として、電圧１．５〜２．０ボ
ルト、電流８Ａ（基板の銅箔面積当たり、約５０ｍＡ／
ｄｍ²）で弱電解を各工程の処理時間に併せて５分間行
った。次に、酸性浴浸漬工程の浴中においても、同様
に、電圧１．５〜２．０ボルト、電流４Ａで弱電解を工
程の処理時間に併せて３分間行った。

【００４１】そして、水洗・乾燥後に、上記比較例２
ａ、実験例２ｂの内のバスケット内の最も外側に配置し
たもの（実験例２ｂ−１）と中心に配置したもの（実験
例２ｂ−２）についてそれぞれ電気抵抗を測定したとこ
ろ、表６に示すような結果が得られた。この結果から、
バスケットの隣合うように複数枚の基板を挿入して弱電
解処理を行っても、中心に位置した基板も従来に比較し
て効果が認められることが実証された。

【００４２】

【表６】

【００４３】Ｃ．実施例３上記実験例１，２と同類の基板を水平処理装置で処理し
た。水平処理装置は、前述した図１，２，３に示すよう
に、各処理工程のユニットが水平式水洗ユニットを介し
て一列に連結されており、各工程とも薬液が満たされて
いる槽内に上下２段にコンベアロールが約８ｃｍの間隔
で多数取り付けられ、基板は各ユニットのコンベアロー
ルの間を水平状態で移送される間に処理と水洗が行われ
る。

【００４４】そして、薬液を実験例１と同一として基板
を水平状態で移送しつつ、実験例１の条件ａと同一の条
件で処理して比較例３ａを、また、実験例１と同様にア
クセラレータ工程およびスタビライザ工程でそれぞれ基
板の銅箔面積当たり５０ｍＡ／ｄｍ²の電流を５分間、
３分間通電して実験例３ｂを得、これらの比較例３ａと
実験例３ｂとについて電気抵抗を測定した。この結果
は、下記の表７に示すようなもので、水平装置における
処理の場合も、弱電解の効果が顕著に見られることが判
った。

【００４５】

【表７】

【００４６】なお、述べるまでもないが、本発明は、ア
クセラレータ工程とスタビライザ工程のいずれか一方で
弱電解処理を行うことで達成でき、また、アクセラレー
タ工程の後スタビライザ工程の前、あるいは、スタビラ
イザ工程の後に弱電解処理を行う工程を別個独立に設け
ることも可能である。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、この発明にかかる
プリント基板のめっき方法によれば、アクセラレータ工
程またはスタビライザ工程の少なくとも一方で薬品によ
る化学的還元に加えて弱電解処理を行うため、スルホー
ル内面の導電性皮膜の金属化が促進されるとともに皮膜
中への銅の析出も増加し、高い導電性が得られ電気抵抗
が減少し、めっき工程における銅めっきのつきまわりが
向上し、スルホール内面の全域に平滑性、光沢性に優れ
ためっきを設けることができるという顕著な効果を奏す
るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例にかかるプリント基板の電
気めっき方法を実施する工程の前部分の装置の模式図で
ある。

【図２】同電気めっき方法を実施する工程の中間部分の
装置の模式図である。

【図３】同電気めっき方法を実施する工程の後部分の装
置の模式図である。

【図４】同電気めっき方法を実施する工程におけるアク
セラレータ・ステーションの設備の模式平面図である。

【図５】同電気めっき方法を実施する工程におけるアク
セラレータ・ステーションの設備の模式正面図である。

【図６】弱電解を施した基板のスルホール内導電皮膜の
電気抵抗と弱電解時の電流密度との関係を示すグラフで
ある。

【符号の説明】

１外槽２電解槽３循環ポンプ５無端導電チェーン７不溶性陽極板９電圧・電流調節器１０噴流ノズル２０処理槽２１吐出配管２２噴射ノズル２３戻り配管２４クッション槽２５循環ポンプ３０水洗槽３１噴射ノズル３２ポンプ７０コンベア７２ステンレス製ロールリング８２不溶性電極（電極部材）８３整流器９１受槽Ｐ基板

【表５】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲高▼須辰治東京都台東区東上野２丁目18番８号荏原ユージライト株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一面に銅箔が設けられたプリ
ント基板のスルホール内面にパラジウムが含まれるコロ
イド微粒子あるいは金属イオンを吸着させるアクチベー
タ工程と、該アクチベータ工程でコロイド微粒子あるいは金属イオ
ンがスルホール内面に吸着されたプリント基板をアルカ
リ性還元浴に浸漬させて導電化皮膜を形成するアクセラ
レータ工程と、該アクセラレータ工程で導電化皮膜が形成されたプリン
ト基板を酸性浴に浸漬させて導電化皮膜を安定化するス
タビライザ工程と、該スタビライザ工程から移送されるプリント基板に電気
めっきを施す電気めっき工程とを備えるプリント基板の
めっき方法において、前記アクセラレータ工程のアルカリ性還元浴および／ま
たは前記スタビライザ工程の酸性浴に電極部材を配置
し、該電極部材を整流器の陽極に、前記プリント基板を
整流器の陰極に接続し、該陰極と前記陽極との間に所定
の低電圧を印加して所定の電流を通電する弱電解処理を
行うことを特徴とするプリント基板のめっき方法。
【請求項２】前記弱電解処理は、印加電圧を３ボルト
以下に、前記通電電流をプリント基板の銅の表面積に対
して５〜５００ｍＡ／ｄｍ²に、かつ、通電時間を３０
秒〜８分間とした請求項１記載のプリント基板のめっき
方法。
【請求項３】前記弱電解処理に用いる電極部材が白
金、カーボン、ステンレスあるいはチタンからなる不溶
性アノード、または、金属基材の表面に酸化イリジウム
をコーティングしてなる不溶性アノードである請求項１
記載のプリント基板のめっき方法。
【請求項４】前記アルカリ性還元浴が炭酸塩、カセイ
ソーダ、銅イオンおよびキレート剤を含み、前記酸性浴
が硫酸を１０〜２００ｇ／ｌ含む請求項１記載のプリン
ト基板のめっき方法。